三极管-原材料规格书模板

原材料规格书通用模板

产品操作指示及注意事项
110
2.11
3 12
1.适用范围:本规格说明书描述了----xx公司---生产的产品性能指标
2.Model:型号：
3.Specification
产品规格
NO.
Items
Sp
cifications
1
尺寸
2
材质
3
工作温度
4
储存温度
5
重量
6
7
8
9
10
11
12
4.Battery PACK Performance Criteria
产品规格
4.BatteryPACKPerformance Criteria 4-5
产品性能检查及测试
5.Storage and Others5
贮存及其它事项
6. Protection Circuit Characteristics6
产品电路特性
7.平面尺寸图7-8
8.印刷式样图9
Handling Precautions and Guideline9
产品操作指示及注意事项
备注：1.此规格书模板主要针对不能提供规格书的公司
2.如果是电子类产品也可以提供供应商内部的模块，但必须包含规格书、图纸、样品、出货检测报告
3.结构件（含包装材料）：需包含规格书、平面尺寸图、印刷式样图、产品装箱图等、样品、出货检测报告
Specification Approval Sheet(PACK)
产品规格确认书
产品名称：
规格描述:.
客户料号：
Signature签名
Date日期
Prepared编制
Checked审核
Approved批准

AOSHB,A0SHB三极管规格书

2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01 10 -4
Single Pulse
10 -3
10 -2
10 -1
PDM
t1 t2
1. RthJA (t)=r (t) * RthJA 2. RthJA=See Datasheet 3. TJM - TA = PDM * RthJA (t) 4. Duty Cycle, D = t1/t2
VDSS
ID
RDS(on) (m-ohm) Max
5.4
30 @ VGS= 4.5V
20V
4.3
46 @ VGS= 2.5V
FEATURES
●Super high dense cell trench design for low RDS(on). ●Rugged and reliable. ●Surface Mount package.
2
1.75
VGS= 4.5V ID= 5.4A
1.5
1.25
1
0.75
0.5
0.25 -50 -25 0 25 50 75 100 125 Tj , Junction Temperature (°C)
Figure 4. On-Resistance Variation with Temperature
Drain-Source Diode Forward Current a
Maximum Power Dissipationa
TA=25°C TA=75°C
Operating Junction and Storage Temperature Range

2N3906三极管规格书

CE
T =100℃ a
-3
T =25℃ a
-1
-0.3
-0.1
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
-1.2
BASE-EMITTER VOLTAGE V (V) BE
1000
f T
——
I
C
COMMON EMITTER V =-20V
CE
T =25℃ a
300
100
-1
-3
-10
-30
-100
COLLECTOR CURRENT I (mA) C
50
75
100
125
150
AMBIENT TEMPERATURE T (℃) a
B,Mar,2012
COLLECTOR CURRENT I (mA) C
TRANSITION FREQUENCY f (MHz) T
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
C / C —— V / V
ob ib
CB EB
β=10
-100
-200
f=1MHz
I =0/I =0
E
C
T =25℃ a
Cib Cob
1 -0.1
750 625 500 375 250 125
0 0
-0.3
-1
-3
-10
-20
REVERSE BIAS VOLTAGE V (V)
P —— T
C
a
25
COLLECTOR POWER DISSIPATION P (mW)
C
CAPACITANCE C (pF)
BASE-EMMITTER SATURATION

三极管规格书

三极管规格书摘要：1.三极管概述2.三极管的分类3.三极管的主要参数4.三极管的结构和工作原理5.三极管的应用领域正文：一、三极管概述三极管，又称双极型晶体管（BJT），是一种常见的半导体器件。

它具有放大和开关等功能，被广泛应用于放大器、振荡器、脉冲发生器等电子电路中。

根据电流放大系数不同，三极管可以分为两类：NPN 型和PNP 型。

二、三极管的分类1.按照结构分类，三极管可以分为三极管晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）。

2.按照材料分类，三极管可以分为硅晶体管和锗晶体管。

3.按照电流放大系数分类，三极管可以分为NPN 型和PNP 型。

三、三极管的主要参数1.电流放大系数：三极管的电流放大系数是指在输入端施加微小信号时，输出端电流与输入端电流之比。

2.截止区：三极管的截止区是指当输入端电流为零时，输出端电流也等于零的区域。

3.放大区：三极管的放大区是指当输入端施加正向电压时，输出端电流正向增大的区域。

4.饱和区：三极管的饱和区是指当输入端施加足够大的正向电压时，输出端电流不再随输入端电压增大而增大的区域。

四、三极管的结构和工作原理三极管主要由三个区域组成：发射区、基区和集电区。

发射区和集电区由P 型半导体制成，基区由N 型半导体制成。

当在发射区施加正向电压时，电子和空穴分别从发射区和基区注入，形成电流。

这个电流经过基区后，再流入集电区，从而实现信号的放大。

五、三极管的应用领域1.信号放大：三极管在信号放大器中具有广泛应用，可以实现微小信号的放大。

2.开关控制：由于三极管具有高速开关特性，所以在脉冲电路、振荡器和开关电源等领域具有重要应用。

3.振荡和脉冲发生：三极管可以用于制作振荡器和脉冲发生器，实现特定频率的信号产生。

三极管规格书

三极管规格书
（最新版）
目录
1.三极管简介
2.三极管的结构
3.三极管的种类
4.三极管的参数
5.三极管的应用
正文
【三极管简介】
三极管，又称晶体管，是一种常用的半导体器件。

它可以用来放大电信号、开关电路以及作为振荡器的元件等。

由于其具有很高的输入阻抗和较低的输出阻抗，因此被广泛应用于电路设计中。

【三极管的结构】
三极管主要由三个区域组成，分别是：发射区、基区和集电区。

发射区和集电区由 n 型半导体材料制成，而基区则由 p 型半导体材料制成。

这种结构使得三极管具有单向导通的特性。

【三极管的种类】
根据材料和结构不同，三极管可以分为两类：NPN 型和 PNP 型。

NPN 型三极管的结构是“N-P-N”，而 PNP 型三极管的结构是“P-N-P”。

这两种类型的三极管具有相同的工作原理，但在电路中的接线方式有所不同。

【三极管的参数】
三极管的主要参数有：电流放大系数、截止电流、饱和电流、发射极电阻等。

电流放大系数是衡量三极管放大能力的重要指标，它表示集电极
电流与基极电流的比值。

截止电流是指三极管在截止状态下的电流值。

饱和电流是指当基极电流增加到一定程度时，集电极电流不再继续增加的电流值。

发射极电阻是指发射极与基极之间的电阻值。

【三极管的应用】
三极管广泛应用于各种电子设备和电路中，例如：放大器、振荡器、稳压器、脉冲发生器等。

同时，三极管也是构成其他复杂半导体器件的基础，如场效应管、双极性晶体管等。

总之，三极管作为一种重要的半导体器件，在电子技术领域具有广泛的应用。

三极管规格书

三极管规格书
三极管（Transistor）规格书通常包含以下内容：
1. 器件型号：规定三极管的型号，例如2N3904、BC547等。

2. 电气参数：包括最大额定电流、最大额定功率、最大电压、最大频率等。

3. 特性参数：包括集电极饱和电压（Vce sat）、输出导通电阻（Rce）、集电极漏电流（Icbo）等。

4. 封装形式：规定三极管的封装形式，例如TO-92、SOT-23等。

5. 引脚排列：列出三极管的引脚排列图，包括基极（Base）、发射极（Emitter）和集电极（Collector）。

6. 使用范围：规定三极管的应用场合和使用条件，例如温度范围、湿度要求等。

7. 典型应用电路：给出一个或多个典型的电路示例，展示三极管在实际电子电路中的应用。

8. 标准符号：给出三极管在电路图中的标准符号。

这些内容可以帮助用户了解、选择和使用三极管，并确保其在电子设备中能够正常工作。

三极管规格书

三极管规格书
摘要：
一、三极管的基本概念与分类
二、三极管的主要参数与性能指标
三、三极管的应用领域
四、选择合适的三极管的技巧
五、三极管的采购与储存建议
正文：
一、三极管的基本概念与分类
三极管（Transistor）是一种常用的半导体器件，具有放大和开关等功能。

根据制造工艺和结构的不同，三极管可以分为NPN型、PNP型和双极型等几种类型。

其中，NPN型和PNP型三极管最为常见。

二、三极管的主要参数与性能指标
1.电流放大系数（β）：衡量三极管电流放大的能力。

2.输入电阻（Rin）：三极管输入端的等效电阻，影响信号传输效果。

3.输出电阻（Rout）：三极管输出端的等效电阻，影响负载驱动能力。

4.工作电压（Vceo）：三极管正常工作时的发射极与集电极之间的电压。

5.耗散功率（Pd）：三极管允许的最大功率消耗。

三、三极管的应用领域
三极管广泛应用于放大、开关、调制、稳压等电路，如音频放大器、无线通信设备、计算机硬件等。

四、选择合适的三极管的技巧
1.根据电路需求选择合适的类型（NPN、PNP等）。

2.确定电流放大系数（β）和工作电压（Vceo）等参数。

3.考虑输出电阻（Rout）和输入电阻（Rin）对电路性能的影响。

4.注意耗散功率（Pd）与散热设计的关系。

五、三极管的采购与储存建议
1.从正规渠道购买，确保产品质量和售后服务。

2.了解供应商的库存情况和交货期。

3.按照实际需求合理选购数量，避免过多库存。

4.储存时注意防潮、防震、避免高温，确保器件性能稳定。

PNP三极管S8550规格书

-0.1 ȝA -0.1 ȝA -0.1 ȝA
400
-0.6 V -1.2 V
150
MHz
J 300-400
C,Mar,2013
COLLECTOR CURRENT I (mA) C
-90 -80 -70 -60 -50 -40 -30 -20 -10 -0
-0
-1200
I ——
C
V CE
-400uA -360uA -320uA
hFE(2)
VCE= -1V, IC= -500mA
VCE(sat)
IC=-500mA, IB= -50mA
VBE(sat)
fT
IC=-500mA, IB= -50mA
VCE= -6V, IC= -20mA
f=30MHz
H 200-350
Min -40 -25 -5
120 50
Max Unit V V V
CE
-300
-600
-900
BASE-EMMITER VOLTAGE V (mV) BE
-1200
C /C —— V /V
ob ib
CB EB
C ib
C ob
-1
REVERSE VOLTAGE V (V)
f=1MHz
I =0/I =0
E
C
T =25 ć a
-10
-20
COLLECTOR POWER DISSIPATION P (mW)
pnp三极管s8550规格书 collectorsot-23 plastic-encapsulate transistors s8550 transistor (pnp) features collectorcurrent: =0.5amarking 2tymaximum ratings (ta=25 unless otherwise noted) symbol parameter value unit cbocollector-base voltage -40 ceocollector-emitter voltage -25 eboemitter-base voltage -5 collectorcurrent -continuous -0.5 collectorpower dissipation 0.3 junctiontemperature 150 stgstorage temperature -55-150 electricalcharacteristics (ta=25 unless otherwise specified) parameter symbol test conditions min max unit collector-base breakdown voltage collector-emitterbreakdown voltage emitter-basebreakdown voltage collectorcut-off current collectorcut-off current emittercut-off current -50ma120 400 dc current gain -500ma50 collector-emitter saturation voltage ce(sat) -50ma-0.6 base-emittersaturation voltage -50ma-1.2 transitionfrequency -20maf=30mhz 150 mhz classification range120-200 200-350 300-400 c,mar,2013 -0 -2 -4 -6 -8 -10 -12 -0 -300 -600 -900 -1200 -1 -10 -100 -1 -10 -100 10 100 -0.1 -1 -10 2550 75 100

2SC2983三极管规格书

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTDTO-252-2L Plastic-Encapsulate Transistors2SC2983 TRANSISTOR (NPN) FEATURES z High Transition FrequencyMAXIMUM RATINGS (T a =25℃ unless otherwise noted)ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T a =25℃ unless otherwise specified)ParameterSymbol Test conditions Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltageV (BR)CBO I C =1mA,I E =0 160 V Collector-emitter breakdown voltageV (BR)CEO * I C =10mA,I B =0 160 V Emitter-base breakdown voltageV (BR)EBO I E =1mA,I C =0 5 V Collector cut-off currentI CBO V CB =160V,I E =0 1 μA Emitter cut-off currentI EBO V EB =5V,I C =0 1 μA DC current gainh FE V CE =5V, I C =100mA 70 240 Collector-emitter saturation voltageV CE(sat) I C =500mA,I B =50mA 1.5 V Base-emitter voltageV BE V CE =5V, I C =500mA 1 VCollector output capacitanceC ob V CB =10V,I E =0, f=1MHz 25 pF Transition frequencyf T V CE =10V,I C =100mA, 100 MHz *Pulse testCLASSIFICATION OF h FERANK OY RANGE 70-140 120-240Symbol Parameter Value Unit V CBOCollector-Base Voltage 160 V V CEOCollector-Emitter Voltage 160 V V EBOEmitter-Base Voltage 5 V I CCollector Current 1.5 A P CCollector Power Dissipation 1 W R θJAThermal Resistance From Junction To Ambient 125 ℃/W T jJunction Temperature 150 ℃ T stg Storage Temperature -55~+150 ℃ B,Aug,2012【南京南山半导体有限公司 — 长电三极管选型资料】20040060080010000.11101101001000050100150200B A S E -E M I T T E R S A T U R A T I O NVOL TAG EV BE sa t(m V )AMBIENT TEMPERATURE T a ()℃ 2SC2983Typical Characteristics I h —— REVERSE VOLTAGE V (V)CA P A C I T AN C E C (pF )CO L L E C T O R C U R R E N T I C(m A )Static Characteristic C O L L E C T O R C U R R E N T I C(m A )B,Aug,2012 【南京南山半导体有限公司 — 长电三极管选型资料】Inner Box: 340 mm×336mm×29mm Outer Box: 353 mm× 346mm× 365mmLabel on the Reel Label on the Inner BoxLabel on the Outer BoxQA LabelSeal the boxwith the tapeStamp “EMPTY” on the empty boxLabel on the Inner Box Label on the Outer BoxQA LabelSeal the box with the tape Stamp “EMPTY” on the empty box Blue nail White nail Bubble paperOuter Box: 594 mm × 292mm × 185mm Inner Box: 577 mm ×162mm ×53mmLabel on the Inner Box Label on the Outer Box QA LabelSeal the box with the tape Stamp “EMPTY” on the empty box Blue nail White nailOuter Box: 585 mm × 385mm × 220mm Inner Box: 560 mm ×１７８mm ×３５mm。

78L05三极管规格书

78L05
＊三－端稳压器
三端正电压稳压器
＊输出电流可达到１００ｍＡ
＊无需外接元件＊内部热过载保护
＊内部短路电流限制
输出
＊直接可以替代仙童公司ｕＡ７８Ｌ０５
公共端输入
TO-92
78L05ACZ
描述
输入公共端输出
７８Ｌ０５是一种固定电压（５Ｖ）三端集成稳压器，其适用于很多应用场合．象牵涉到单点稳压场合需要限制噪声和解决分布问题的在－卡调节．此外它们还可以和其它功率转移器件一起构成大电流的稳压电源，如可驱动输出电流高达１００毫安的稳压器．其卓越的内部电流限制和热关断特性使之特别适用于过载的情况．当用于替代传统的齐纳二极管－电阻组的时候，其输出阻抗得到有效的改善，其偏置电流大大减少
公共端
２
３
推荐工作条件
参数
输入电压输出电流工作温度范围
应用须知
输入
Cin* 0.33µF
公共端
不接
公共端
４
５
不接
符号
Ｖｉ
数值
７至２０
单位
SO-8
78L05ACM
ＩｏＴｊ
１０００至７０
ＶｍＡ ℃
封装形式及采购编号
７８Ｌ０５
输出
CO** ０．０１ｕＦ
＊如果稳压器离电源滤波器有一段距离，Ｃｉｎ是必需的＊＊Ｃｏ对稳定性而言是可有可无的，但的确能够改善瞬态响应
最大额定值（在全部工作温度范围内，除非另有说明）
输出公共端输入
参数
最大输入电压
符号
数值
单位
Ｖ ℃
SOT-89
78L05CPK
Ｖｉ

三极管A1SHB单PMOS规格书-PW2301A

GENERAL DESCRIPTIONThe PW2301A uses advanced trench It utilizes the latest processing techniques to achieve the high cell density and reduces the on-resistance with high repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in power switching application and a wide variety of other applications .FEATURESVDS = -20V, ID = -3ARDS(ON) < 110mΩ @ VGS=4.5VAvailable in a 3-Pin SOT23-6 PackageAbsolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted)ParameterSymbol LimitUnitDrain-Source Voltage V DS -20 V Gate-Source Voltage V GS ±12 VDrain Current-Continuous ID -3 ADrain Current -Pulsed (Note 1) IDM -10 A Maximum Power DissipationP D 1 W Operating Junction and Storage Temperature RangeT J ,T STG-55 To 150℃Thermal CharacteristicThermal Resistance,Junction-to-Ambient (Note 2)R θJA125℃/WSOT-23-3L (TOP VIEW)DGSDGS深圳夸克微科技ELECTRICAL CHARACTERISTICS(TA = 25°C, unless otherwise noted.)Parameter Symbol Condition Min Typ Max UnitOff CharacteristicsDrain-Source Breakdown Voltage BV DSS V GS=0V I D=-250μA -20 -24 - V Zero Gate Voltage Drain Current I DSS V DS=-20V,V GS=0V - - -1 μA Parameter Symbol Condition Min Typ Max Unit Gate-Body Leakage Current I GSS V GS=±12V,V DS=0V - - ±100 nA On Characteristics (Note 3)Gate Threshold Voltage V GS(th) V DS=V GS,I D=-250μA -0.4 -0.7 -1 VDrain-Source On-State Resistance R DS(ON)V GS=-4.5V, I D=-3A - 64 110 mΩV GS=-2.5V, I D=-2A89140mΩForward Transconductance g FS V DS=-5V,I D=-2A 5 - - S Dynamic Characteristics (Note4)Input Capacitance C lssV DS=-10V,V GS=0V,F=1.0MHz - 405 - PFOutput Capacitance C oss -75-PF Reverse Transfer Capacitance C rss -55 -PF Switching Characteristics (Note 4)Turn-on Delay Time t d(on)V DD=-10V,I D=-1AV GS=-4.5V,R GEN=10Ω- 11 - nSTurn-on Rise Time t r - 35 - nS Turn-Off Delay Time t d(off) - 30 - nS Turn-Off Fall Time t f - 10 - nSTotal Gate Charge Q gV DS=-10V,I D=-3A,V GS=-2.5V - 3.3 12 nCGate-Source Charge Q gs - 0.7 - nCGate-Drain Charge Q gd - 1.3 - nCDrain-Source Diode CharacteristicsDiode Forward Voltage (Note 3) V SD V GS=0V,I S=1.3A - - -1.2 VDiode Forward Current (Note 2) I S - - - -3ANotes:1. Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature.2. Surface Mounted on FR4 Board, t ≤ 10 sec.3. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300μs, Duty Cycle ≤ 2%.4. Guaranteed by design, not subject to productionTHIS PRODUCT HAS BEEN DESIGNED AND QUALIFIED FOR THE CONSUMER MARKET. APPLICATIONS OR USES AS CRITICAL COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS ARE NOT AUTHORIZED. PINGWEI DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISING OUT OF SUCH APPLICATIONS OR USES OF ITS PRODUCTS. PINGWEI RESERVES THE RIGHT TO IMPROVE PRODUCT DESIGN, FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT NOTICE.Typical Electrical and Thermal CharacteristicsFigure 1:Switching Test CircuitFigure 2:Switching WaveformsFigure 3 Power DissipationFigure 4 Drain CurrentFigure 5 Output CharacteristicsFigure 6 Drain-Source On-Resistance V INV OUT 10 %10 %50 % %50 PULSE WIDTHINVERTEDt d(on) %90 t rt on90 % 10 % t offt d(off)t f90 %T J -Junction Temperature(℃)T J - J unction Temperature ( ℃ )Vds Drain-Source Voltage (V)I D - D r a i n C u r r e n t (A )I D - Drain Current (A)Figure 7 Transfer CharacteristicsFigure 8 Drain-Source On-ResistanceFigure 9 Rdson vs Vgs Figure 10 Capacitance vs VdsFigure 11 Gate ChargeFigure 12 Source- Drain Diode ForwardVgs Gate-Source Voltage (V)T J -J unction Temperature ( ℃ )Vgs Gate-Source Voltage (V)Vds Drain-Source Voltage (V)Qg Gate Charge (nC)Vsd Source-Drain Voltage (V)Figure 13 Safe Operation AreaFigure 14 Normalized Maximum Transient Thermal ImpedanceVds Drain-Source Voltage (V)Square Wave Pluse Duration(sec)Reflow Soldering:The choice of heating method may be influenced by plastic QFP package). If infrared or vapor phase heating is used and the package is not absolutely dry (less than 0.1% moisture content by weight), vaporization of the small amount of moisture in them can cause cracking of the plastic body. Preheating is necessary to dry the paste and evaporate the binding agent. Preheating duration: 45 minutes at 45 °C.Reflow soldering requires solder paste (a suspension of fine solder particles, flux and binding agent) to be applied to the printedcircuit board by screen printing, stenciling or pressure-syringe dispensing before package placement. Several methods exist for reflowing; for example, convection or convection/infrared heating in a conveyor type oven. Throughput times (preheating, soldering and cooling) vary between 100 and 200 seconds depending on heating method.Typical reflow peak temperatures range from 215 to 270 °C depending on solder paste material. The top-surface temperature of the packages should preferable be kept below 245 °C for thick/large packages (packages with a thickness 2.5 mm or with a volume 350 mm3 so called thick/large packages). The top-surface temperature of the packages should preferable be kept below 260 °C for thin/small packages (packages with a thickness < 2.5 mm and a volume < 350 mm3 so called thin/small packages).Stage Condition Duration1’st Ram Up Rate max3.0+/-2 /sec -Preheat 150 ~200 60~180 sec2’nd Ram Up max3.0+/-2 /sec -Solder Joint 217 above 60~150 secPeak Temp 260 +0/-5 20~40 secRam Down rate 6 /sec maxWave Soldering:Conventional single wave soldering is not recommended for surface mount devices (SMDs) or printed-circuit boards with a highcomponent density, as solder bridging and non-wetting can present major problems.Manual Soldering:Fix the component by first soldering two diagonally-opposite end leads. Use a low voltage (24 V or less) soldering iron applied tothe flat part of the lead. Contact time must be limited to 10 seconds at up to 300 °C. When using a dedicated tool, all other leadscan be soldered in one operation within 2 to 5 seconds between 270 and 320 °C.Notes1. All dimensions are in millimeters.2. Tolerance ±0.10mm (4 mil) unless otherwise specified3. Package body sizes exclude mold flash and gate burrs. Mold flash at the non-lead sides should be less than 5 mils.4. Dimension L is measured in gauge plane.5. Controlling dimension is millimeter, converted inch dimensions are not necessarily exact.。

HT30,HT33,HT50三极管芯片规格书

4V≤VIN≤18V， IOUT＝ 1mA
－
0.2
－
－
－
VIN＝ 5V， IOUT＝ 10mA，
－
±0.45
0℃ ≤Ta≤70℃
最大值
3.09 － 150 － 3
单位
V mA mV mV µA
－
％/ V
18
V
－
mV/℃
PW6218_1.4
Wuxi PWChip Semi Technology CO., LTD
PW assumes no liability for applications assistance or customer product design. Customers are responsible for their products and applications using PW components.
PW6218_1.4
Wuxi PWChip Semi Technology CO., LTD
3
PW6218A50
符号
VOUT IOUT △VOUT VDIF ISS ΔVOUT /(ΔVIN * VOUT) VIN
ΔVOUT /ΔTa
参数
输出电压输出电流负载调节跌落电压静态电流 Line Regulation 输入电压
PW6218
3
VIN
G ND
VOUT
1
2
SOT-23-3L (TOP VIEW)
引脚号 1 2 3
符号 GND VOUT VIN
引脚说明接地端输出端输入端
绝对最大额定值
项目
符号
值
单位
输入电压
VIN

二三极管规格书

达林顿管
2SD1626 2SD2170 BCV26 BCV27 BCV46 BST50 BST51 M M B TA 1 3 LT 1 M M B TA 1 4 LT 1 M M B TA 6 3 LT 1 M M B TA 6 4 LT 1 M M B TA 9 2 M M B TA 4 2 MMBT4403 MMBT4401 M M B TA 5 5 M M B TA 5 6 MMBT9013
复合三极管
1MD3A 1MX1 1MX2 1MX3 1MX4 1MX5 1MX6 1MX7 1MX8 1MX6 1MZ1A UMX1N UMX2N Rn1502 UMG6 UMG8 Xn2501 Xn4300 Xn4401 Xn4501 Xn4601 ……
带电阻三极管
D TA 11 4 E K A D TA 11 4 T K A D TA 1 4 3 E K A D TA 1 4 3 T K A D TA 1 4 3 X K A D TA 1 4 4 E K A D TA 1 4 4 T K A D TA 1 4 4 K X A D T C 11 4 E K A D T C 11 4 T K A D T C 11 4 E K A OTC124EKA DTK124TKA OTK143EKA DTK143TKA DTK143XKA DTK144EKA DTK144TKA DTK144XKA D TA 1 2 4 E K A D TA 1 2 4 T K A D TA 1 2 4 X K A D T B 11 4 E K A OTB123YKA O T D 11 4 E K A DTD123TKA DTD143TKA ……
PHILIPS
B B… B C V… B F… P M B T… B Z X 8 4… B A T… 系列

8050三极管规格书

μA μA μA
IC=1mA, IB V(BR)CEO = 0 V(BR)EBO ICBO ICEO IEBO HFE(1) IE=100μA, IC=0 VCB=40 V , IE 0 = = 0 VCB= 20V , I E = 0 VEB= 5V , IC VCE= 1V, I C= 50mA VCE= 1V, I C= 500mA I=500 mA, IB= 50mA IC=500 mA, IB= 50mA VCE= 6V, I C= 20mA
DC CURRENT GAIN
Ta=25℃
100
40
150uA 100uA
20
IB=50uA
0 0 4 8 12 16 20 10 1 3 10 30 100 500
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
VCE
(V)
COLLECTOR CURRENT
Hale Waihona Puke IC(mA)500
VCEsat
——
IC
100
S8050
hFE —— IC
COMMON EMITTER VCE=1V Ta=100℃
Static Characteristic
400uA COMMON EMITTER Ta=25℃ hFE
1000
(mA)
80
350uA 300uA
IC
COLLECTOR CURRENT
60
250uA 200uA
VCE=6V Ta=25℃ COLLECTOR POWER DISSIPATION PC (mW)
400
PC ——
Ta
(MHz)
300
TRANSITION FREQUENCY

三极管手册

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晶体管型号反压 Vbeo 2SB649 180V 2SB647 120V 2SB449 50V 2SA1943 230V 2SA1785 400V 2SA1668 200V 2SA1516 180V 2SA1494 200V 2SA1444 100V 2SA1358 120V 2SA1302 200V 2SA1301 200V 2SA1295 230V 2SA1265 140V 2SA1216 180V 15000 * 2SB1243 40V 2SB1240 40V 2SB1238 80V 2SB1185 60V 2SB1079 100V 2SB1020 100V 2SB834 60V 2SB817 160V 2SB772 40V 2SB744 70V 2SB734 60V 2SB688 120V 2SB675 60V 2SB669 70V 2SA1162 50V 2SA1123 150V 2SA1020 50V 2SA1009 350V 2N6678 650V 2N5685 60V 2N6277 180V 2N5551 160V 2N5401 160V 2N3773 160V 2N3440 450V
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MJ15024 MJ13333 MJ11033 MJ11032 MJ10025 MJ10016 BUS13A BUH515 BU2532 BU2527 BU2525 BU2522 BU2520 BU2508 BU2506 BU932R BU806 BU406 BU323 BF458 BD682 MJ10015 MJ10012 MJ4502 MJ3055 MJ2955 MN650 BUX98A BUX84 BUW13A BUV48A BUV28A BUV26 BUT12A BUT11A BUS14A BD681 BD244 BD243 BD238 BD237 BD138 BD137 BD136 400V 400V 120V 120V 850V 500V 1000V 1500V 1500V 1500V 1500V 1500V 800V 700V 1500V 500V 400V 400V 450V 250V 100V 400V 400V 90V 60V 60V 1500V 400V 800V 1000V 450V 225V 90V 450V 1000V 1000V 100V 45V 45V 100V 100V 60V 60V 45V 16A 20A 50A 50A 20A 50A 15A 10A 15A 15A 12A 11A 10A 8A 7A 15A 8A 7A 10A 0.1A 4A 50A 10A 30A 15A 15A 6A 30A 2A 15A 15A 10A 14A 10A 5A 30A 4A 6A 6A 2A 2A 1.5A 1.5A 1.5A 250W 175W 300W 300W 250W 200W 175W 80W 150W 150W 150W 150W 150W 125W 50W 150W 60W 60W 125W 10W 40W 200W 175W 200W 115W 115W 80W 210W 40W 150W 150W 65W 65W 125W 100W 250W 40W 65W 65W 25W 25W 12.5W 12.5W 12.5W * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * *

FOSAN富信电子三极管 C945-产品规格书

安徽富信半导体科技有限公司ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.C945 SOT-23Bipolar Transistor双极型三极管▉Features特点NPN General Purpose通用▉Absolute Maximum Ratings最大额定值Characteristic特性参数Symbol符号Rat额定值Unit单位Collector-Base Voltage集电极基极电压V CBO60V Collector-Emitter Voltage集电极发射极电压V CEO50V Emitter-Base Voltage发射极基极电压V EBO5V Collector Current集电极电流I C150mA Power dissipation耗散功率P C(T a=25℃)200mW Thermal Resistance Junction-Ambient热阻RΘJA625℃/WJunction and Storage TemperatureT J,T stg-55to+150℃结温和储藏温度■Device Marking产品打标H FE120-240200-400Marking CRANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.C945■ElectricalCharacteristics 电特性(T A =25℃unless otherwise noted 如无特殊说明，温度为25℃)Characteristic 特性参数Symbol 符号Min 最小值Type 典型值Max 最大值Unit 单位Collector-Base Breakdown V oltage 集电极基极击穿电压(I C =100uA ，I E =0)BV CBO60——VCollector-Emitter Breakdown Voltage 集电极发射极击穿电压(I C =1mA ，I B =0)BV CEO 50——VEmitter-Base Breakdown V oltage 发射极基极击穿电压(I E =100uA ，I C =0)BV EBO 5——VCollector-Base Leakage Current 集电极基极漏电流(V CB =60V ，I E =0)I CBO ——100nAEmitter-Base Leakage Current 发射极基极漏电流(V EB =5V ，I C =0)I EBO ——100nADC Current Gain 直流电流增益(V CE =6V ，I C =2mA)H FE 120—400Collector-Emitter Saturation Voltage 集电极发射极饱和压降(I C =100mA ，I B =10mA)V CE(sat)——0.25VBase-Emitter Saturation V oltage 基极发射极饱和压降(I C =100mA ，I B =10mA)V BE(sat)——1V Transition Frequency 特征频率(V CE =10V ，I C =1mA)f T80——MH ZOutput Capacitance 输出电容(V CB =6V ，I E =0,f=1MH Z )C ob—3—pFANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.C945■Typical Characteristic Curve典型特性曲线ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.C945■Dimension外形封装尺寸Symbol Dimensions In Millimeters Dimensions In Inches Min Max Min Max A 0.900 1.1500.0350.045A10.0000.1000.0000.004A20.900 1.0500.0350.041b 0.3000.5000.0120.020c 0.0800.1500.0030.006D 2.800 3.0000.1100.118E 1.200 1.4000.0500.055E1 2.2502.5500.0890.100e 0.950TYP0.037TYPe1 1.8002.0000.0710.079L 0.550REF0.022REFL10.3000.5000.0120.020θ0o8o 0o8o。