三极管ib电流限制

三极管的主要参数1、直流参数(1)集电极一基极反向饱和电流Icbo,发射极开路(Ie=0)时,基极和集电极之间加上规定的反向电压Vcb时的集电极反向电流,它只与温度有关,在一定温度下是个常数,所以称为集电极一基极的反向饱和电流.良好的三极管,Icbo很小,小功率锗管的Icbo约为1~10微安,大功率锗管的Icbo可达数毫安,而硅管的Icbo则非常小,是毫微安级.(2)集电极一发射极反向电流Iceo(穿透电流)基极开路(Ib=0)时,集电极和发射极之间加上规定反向电压Vce时的集电极电流.Iceo大约是Icbo的β倍即Iceo=(1+β)Icbo o Icbo和Iceo受温度影响极大,它们是衡量管子热稳定性的重要参数,其值越小,性能越稳定,小功率锗管的Iceo比硅管大.(3)发射极---基极反向电流Iebo 集电极开路时,在发射极与基极之间加上规定的反向电压时发射极的电流,它实际上是发射结的反向饱和电流.(4)直流电流放大系数β1(或hEF) 这是指共发射接法,没有交流信号输入时,集电极输出的直流电流与基极输入的直流电流的比值,即:β1=Ic/Ib2、交流参数(1)交流电流放大系数β(或hfe) 这是指共发射极接法,集电极输出电流的变化量△Ic与基极输入电流的变化量△Ib之比,即:β= △Ic/△Ib一般晶体管的β大约在10-200之间,如果β太小,电流放大作用差,如果β太大,电流放大作用虽然大,但性能往往不稳定.(2)共基极交流放大系数α(或hfb) 这是指共基接法时,集电极输出电流的变化是△Ic与发射极电流的变化量△Ie之比,即:α=△Ic/△Ie因为△Ic<△Ie,故α<1.高频三极管的α>0.90就可以使用α与β之间的关系:α= β/(1+β)β= α/(1-α)≈1/(1-α)(3)截止频率fβ、fα当β下降到低频时0.707倍的频率,就是共发射极的截止频率fβ;当α下降到低频时的0.707倍的频率,就是共基极的截止频率fαo fβ、fα是表明管子频率特性的重要参数,它们之间的关系为:fβ≈(1-α)fα(4)特征频率fT因为频率f上升时,β就下降,当β下降到1时,对应的fT是全面地反映晶体管的高频放大性能的重要参数.3、极限参数(1)集电极最大允许电流ICM 当集电极电流Ic增加到某一数值,引起β值下降到额定值的2/3或1/2,这时的Ic值称为ICM.所以当Ic超过ICM时,虽然不致使管子损坏,但β值显著下降,影响放大质量.(2)集电极----基极击穿电压BVCBO 当发射极开路时,集电结的反向击穿电压称为BVEBO.(3)发射极-----基极反向击穿电压BVEBO 当集电极开路时,发射结的反向击穿电压称为BVEBO.(4)集电极-----发射极击穿电压BVCEO 当基极开路时,加在集电极和发射极之间的最大允许电压,使用时如果Vce>BVceo,管子就会被击穿.(5)集电极最大允许耗散功率PCM 集电流过Ic,温度要升高,管子因受热而引起参数的变化不超过允许值时的最大集电极耗散功率称为PCM.管子实际的耗散功率于集电极直流电压和电流的乘积,即Pc=Uce×Ic.使用时庆使PcPCM与散热条件有关,增加散热片可提高PCM.2、Cds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-源电容Cgs---漏-源电容Ciss---栅短路共源输入电容Coss---栅短路共源输出电容Crss---栅短路共源反向传输电容D---占空比（占空系数，外电路参数）di/dt---电流上升率（外电路参数）dv/dt---电压上升率（外电路参数）ID---漏极电流（直流）IDM---漏极脉冲电流ID(on)---通态漏极电流IDQ---静态漏极电流（射频功率管）IDS---漏源电流IDSM---最大漏源电流IDSS---栅-源短路时，漏极电流IDS(sat)---沟道饱和电流（漏源饱和电流）IG---栅极电流（直流）IGF---正向栅电流IGR---反向栅电流3、IGDO---源极开路时，截止栅电流IGSO---漏极开路时，截止栅电流IGM---栅极脉冲电流IGP---栅极峰值电流IF---二极管正向电流IGSS---漏极短路时截止栅电流IDSS1---对管第一管漏源饱和电流IDSS2---对管第二管漏源饱和电流Iu---衬底电流Ipr---电流脉冲峰值（外电路参数）gfs---正向跨导Gp---功率增益Gps---共源极中和高频功率增益GpG---共栅极中和高频功率增益GPD---共漏极中和高频功率增益ggd---栅漏电导gds---漏源电导K---失调电压温度系数Ku---传输系数L---负载电感（外电路参数）LD---漏极电感4、to(on)---开通延迟时间td(off)---关断延迟时间ti---上升时间ton---开通时间toff---关断时间tf---下降时间trr---反向恢复时间Tj---结温Tjm---最大允许结温Ta---环境温度Tc---管壳温度Tstg---贮成温度VDS---漏源电压（直流）VGS---栅源电压（直流）VGSF--正向栅源电压（直流）。

三极管参数三极管的主要参数有电流放大系数、耗散功率、频率特性、集电极最大电流、最大反向电压、反向电流等。

※电流放大系数电流放大系数也称电流放大倍数，用来表示三极管放大能力。

根据三极管工作状态的不同，电流放大系数又分为直流电流放大系数和交流电流放大系数。

1．直流电流放大系数直流电流放大系数也称静态电流放大系数或直流放大倍数，是指在静态无变化信号输入时，三极管集电极电流IC与基极电流IB的比值，一般用hFE或β表示。

2．交流电流放大系数交流电流放大系数也称动态电流放大系数或交流放大倍数，是指在交流状态下，三极管集电极电流变化量△IC与基极电流变化量△IB的比值，一般用hfe或β表示。

hFE或β既有区别又关系密切，两个参数值在低频时较接近，在高频时有一些差异。

※耗散功率耗散功率也称集电极最大允许耗散功率PCM，是指三极管参数变化不超过规定允许值时的最大集电极耗散功率。

耗散功率与三极管的最高允许结温和集电极最大电流有密切关系。

三极管在使用时，其实际功耗不允许超过PCM值，否则会造成三极管因过载而损坏。

通常将耗散功率PCM小于1W的三极管称为小功率三极管，PCM等于或大于1W、小于5W的三极管被称为中功率三极管，将PCM等于或大于5W的三极管称为大功率三极管。

※频率特性三极管的电流放大系数与工作频率有关。

若三极管超过了其工作频率范围，则会出现放大能力减弱甚至失去放大作用。

三极管的频率特性参数主要包括特征频率fT和最高振荡频率fM等。

1．特征频率fT三极管的工作频率超过截止频率fβ或fα时，其电流放大系数β值将随着频率的升高而下降。

特征频率是指β值降为1时三极管的工作频率。

通常将特征频率fT小于或等于3MHZ的三极管称为低频管，将fT大于或等于30MHZ的三极管称为高频管，将fT大于3MHZ、小于30MHZ的三极管称为中频管。

2．最高振荡频率fM最高振荡频率是指三极管的功率增益降为1时所对应的频率。

通常，高频三极管的最高振荡频率低于共基极截止频率fα，而特征频率fT 则高于共基极截止频率fα、低于共集电极截止频率fβ。

三极管参数β（传输倍数）三极管参数β，也称为传输倍数或电流放大倍数，是三极管的一项重要参数。

它代表了三极管输入电流和输出电流之间的比例关系。

在电子电路设计中，β值的正确选择对于确保电路的稳定性和可靠性非常重要。

三极管概述三极管是一种常见的电子器件，用于放大和开关电信号。

它由三个区别明显的材料构成，通常被称为发射极（Emitter）、基极（Base）和集电极（Collector）。

它的主要功能是根据基极电流控制集电极电流。

β的定义与计算三极管参数β是指三极管集电极电流（IC）与基极电流（IB）之间的比值。

一般情况下，β的数值很大，常以千为单位，因此β的计算公式为：Beta Formula其中，ΔIC是集电极电流的变化量，ΔIB是基极电流的变化量。

β的特性β值的大小对三极管的放大能力和性能具有重要影响。

以下是关于β值的一些特性：1.高增益特性：β值越大，输出电流对输入电流的放大倍数就越高。

这使得三极管可以用于放大电路，使弱信号变得更强大。

2.传输不稳定性：β值受到温度、电源电压和制造过程的影响。

这导致β值在不同的工作条件下可能会有所变化，从而使得三极管的放大特性不稳定。

3.输入电阻特性：β值较大的三极管具有较高的输入电阻，这将导致输入电流的变化对输出电流产生较小的影响。

这对于避免电路中的负反馈和提高电路的稳定性很有帮助。

4.饱和区特性：在三极管工作在饱和区时，β值会下降。

因此，在设计电路时，要考虑β值的变化范围，以确保在各种工作情况下都能获得所需的放大倍数。

β的选择与应用正确选择适当的β值对于电路性能和稳定性非常重要。

以下是一些选择β值的建议：1.固定偏置电流：通过适当的集电极和基极电阻来确定固定偏置电流，并控制β值在合适的范围内。

2.设计应用的放大需求：根据应用的特性和需求，选择适当的β值。

如果需要高放大倍数，选择β值较大的三极管，反之亦然。

3.考虑温度变化：由于β值受温度影响较大，应在设计中考虑温度变化。

三极管的主要参数三极管的参数反映了三极管各种性能的指标，是分析三极管电路和选用三极管的依据。

一、电流放大系数1．共发射极电流放大系数（1）共发射极直流电流放大系数，它表示三极管在共射极连接时，某工作点处直流电流I C与I B的比值，当忽略I CBO时（2）共发射极交流电流放大系数β它表示三极管共射极连接、且U CE恒定时，集电极电流变化量ΔI C与基极电流变化量ΔI B之比，即管子的β值大小时，放大作用差；β值太大时，工作性能不稳定。

因此，一般选用β为30～80的管子。

2．共基极电流放大系数共基极直流电流放大系数它表示三极管在共基极连接时，某工作点处I C 与I E的比值。

在忽略I CBO的情况下（2）共基极交流电流放大系数α，它表示三极管作共基极连接时，在U CB恒定的情况下，I C和I E的变化量之比，即：通常在I CBO很小时，与β，与α相差很小，因此，实际使用中经常混用而不加区别。

二、极间反向电流1．集-基反向饱和电流I CBOI CBO是指发射极开路，在集电极与基极之间加上一定的反向电压时，所对应的反向电流。

它是少子的漂移电流。

在一定温度下，I CBO是一个常量。

随着温度的升高I CBO将增大，它是三极管工作不稳定的主要因素。

在相同环境温度下，硅管的I CBO比锗管的I CBO小得多。

2．穿透电流I CEOI CEO是指基极开路，集电极与发射极之间加一定反向电压时的集电极电流。

I CEO与I CBO的关系为：I CEO= I CBO＋I CBO＝（1＋）I CBO GS0125该电流好象从集电极直通发射极一样，故称为穿透电流。

I CEO和I CBO一样，也是衡量三极管热稳定性的重要参数。

三、频率参数频率参数是反映三极管电流放大能力与工作频率关系的参数，表征三极管的频率适用范围。

1．共射极截止频率fβ三极管的β值是频率的函数，中频段β=βo几乎与频率无关，但是随着频率的增高，β值下降。

谈谈三极管的开关功能三极管的工作机理本质上就是通过be之间的电流来控制ce之间的电流。

所以b极叫基极也叫控制极。

本科生们关于三极管的一个粗糙的印象是三极管有放大作用，至于放大什么东西，可能有相当一部分人也含糊不清。

我们这里说的放大，当然是指be间的电流来控制gemfield倍于它的流经ce之间的电流，这个gemfield，通常是100左右。

形象的说，Ic就是将Ib放大100倍所得的电流。

三极管的工作有三种状态，即截止状态、线性放大状态、饱和状态。

其实我本人是非常不喜欢这三个名字的。

只是另起炉灶的话，会浪费更多的精力，也就罢了。

不过深刻了解了这三种工作状态，以后便可以真正做到胸有成竹，从而看透电路中万变不离其宗的三级管用法。

那就先说截止状态吧。

在描述三极管工作条件时，经常会蹦出正偏或者反偏这类词语，比如集电结反偏。

这些词语也是令我很讨厌的一类词语，仿佛就是一个个骗子，将初始时我们对于森林的好奇最终引向了弥漫着雾气的杂草丛生的沼泽地带。

所以我先费些笔墨来解释一下这个词语。

所谓正偏，即两极间加的电压与PN结的导通方向一致，如本例中的2n5550 安森美NPN硅管，对于b、e构成的发射结来说，b极电位高于e极电位，就叫发射结正偏，相反则叫反偏！而对于b、c构成的集电结来说，b极电位高于c极电位，就叫集电结正偏，相反就叫反偏。

那么这个2n5550三极管什么时候处于截止状态呢？我们说当我们打开三极管的钥匙——be间的电压，有一个开启的电压，大约在0.5到0.6v之间。

注意是b比e高0.5到0.6v，也就是说当b的电位比e 的电位高不出这个电压时，比如是0.4v或者0.1v或者-0.1v，我们就说三极管陷入了截止状态。

这个时候，从c流向e的电流很小——只有1微安以下，因为我们还不具备开启三极管的钥匙。

在multisim 10的电路仿真中，当ce间的电压为5v，Vbe钥匙电压为0.4v时，流经ce电流（Ic）为800多纳安。

三极管饱和区、放大区和截止区的理解方法图解三极管的三种状态三极管的三种状态也叫三个工作区域，即：截止区、放大区和饱和区。

（1）、截止区：三极管工作在截止状态，当发射结电压Ube小于0.6—0.7V的导通电压，发射结没有导通集电结处于反向偏置，没有放大作用。

（2）、放大区：三极管的发射极加正向电压，集电极加反向电压导通后，Ib控制Ic，Ic与Ib近似于线性关系，在基极加上一个小信号电流，引起集电极大的信号电流输出。

（3）、饱和区：当三极管的集电结电流IC增大到一定程度时，再增大Ib，Ic也不会增大，超出了放大区，进入了饱和区。

饱和时，Ic最大，集电极和发射之间的内阻最小，电压Uce只有0.1V~0.3V，Uce《Ube，发射结和集电结均处于正向电压。

三极管没有放大作用，集电极和发射极相当于短路，常与截止配合于开关电路。

作为电子初学者来说，模拟电路非常重要,模拟电路的三极管的应用是重中之重,能正确理解三极管的放大区、饱和区、截止区是理解三极管的标志。

很多初学者都会认为三极管是两个 PN 结的简单凑合，如下图：这种想法是错误的，两个二极管的组合不能形成一个三极管，我们以 NPN 型三极管为例，如下图：两个PN 结共用了一个P 区（也称基区），基区做得极薄，只有几微米到几十微米，正是靠着它把两个PN 结有机地结合成一个不可分割的整体，它们之间存在着相互联系和相互影响，使三极管完全不同于两个单独的PN 结的特性。

三极管在外加电压的作用下，形成基极电流、集电极电流和发射极电流，成为电流放大器件。

三极管的电流放大作用与其物理结构有关，三极管内部进行的物理过程是十分复杂的，初学者暂时不必去深入探讨。

从应用的角度来讲，可以把三极管看作是一个电流分配器。

一个三极管制成后，它的三个电流之间的比例关系就大体上确定了，如下图所示：β 和α 称为三极管的电流分配系数，其中β 值大家比较熟悉，都管它叫电流放大系数。

三个电流中，有一个电流发生变化，另外两个电流也会随着按比例地变化。

三极管工作状态的判定探讨摘要：对三极管放大作用的理解，切记一点：能量不会无缘无故的产生，所以，三极管一定不会产生能量。

三极管是一个电流控制元件：它可以通过小电流控制大电流。

根据其电流的大小可以判定不同的工作状态。

关键词：三极管；电流控制；工作状态1 三种工作状态的特点1.1 三极管饱和状态下的特点要使三极管处于饱和状态，必须基极电流足够大，即Is≥IBs。

三极管在饱和时，集电极与发射极间的饱和电压(Uces)很小，根据三极管输出电压与输出电流关系式三极管饱和时，基极电流很大，对硅管来说，发射结的饱和压降U BEC =0.7V(锗管U BEC=-0.3V)，而U CES=0见，U BE>0,U BC >0,也就是说，发射结和集电结均为正偏。

三极管饱和后，C、E间的饱和电阻RcEs=UcEs／Ics，UcEs很小，Ics最大，故饱和电阻RcEs很小。

所以说三极管饱和后C、E问视为短路，饱和状态的NPN型三极管等效电路如图1所示。

1.2 三极管截止状态下的特点要使三极管处于截止状态，必须基极电流IS=0,此时集电极IC=I CEO≈0(I CEO穿透电流，极小)，根据三极管输出电压与输出电流关系式U CE=EC-ICRC,集电极与发射极间的电压U CE EC。

三极管截止时，基极电流IB=0，而集电极与发射极间的电压U CEEc。

可见，U BE0,U BC<0,也就是说，发射结和集电结均为反偏。

三极管截止后，C、E间的截止电阻Rce＝UcE／Ic，UcEs很大，等于电源电压，Ics极小，C、E间电阻RcE很大，所以，三极管截止后C、E间视为开路，截止状态的NPN型三极管等效电路如图1b。

1.3 三极管放大状态下的特点要使三极管处于放大状态，基极电流必须为：0<IBU BE=0.7V(绪管)U BE=-0.3V,三极管在放大状态时，集电极与发射极间的电压U CE>1以上，U BE>0,U BC<0,也就是说，发射结正偏，集电结反偏。

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1、三极管的正偏与反偏：给PN结加的电压和PN结的允许电流方向一致的叫正偏，否那么就是反偏。

即当P区〔阳极〕电位高于N区电位时就是正偏，反之就是反偏。

例如NPN型三极管，位于放大区时，Uc>Ub集电极反偏，Ub>Ue发射极正偏。

总之，当p型半导体一边接正极、n型半导体一边接负极时，那么为正偏，反之为反偏。

NPN和PNP主要是电流方向和电压正负不同。

NPN是用B—E的电流〔IB〕控制C—E的电流〔IC〕，E极电位最低，且正常放大时通常C极电位最高，即VC>VB>VE。

PNP是用E—B的电流〔IB〕控制E—C的电流〔IC〕，E极电位最高，且正常放大时通常C极电位最低，即VC<VB<VE。

2、三极管的三种工作状态：放大、饱和、截止〔1〕放大区：发射结正偏，集电结反偏。

对于NPN管来说，发射极正偏即基极电压Ub>发射极电压Ue，集电结反偏就是集电极电压Uc>基极电压Ub。

放大条件：NPN管：Uc>Ub>Ue；PNP管：Ue>Ub>Uc。

〔2〕饱和区：发射结正偏、集电结正偏--BE、CE两PN结均正偏。

即饱和导通条件：NPN管：Ub>Ue,Ub>Uc，PNP型管：Ue>Ub,Uc>Ub。

饱合状态的特征是：三极管的电流Ib、Ic 都很大，但管压降Uce 却很小，Uce≈0。

这时三极管的c、e 极相当于短路，可看成是一个开关的闭合。

饱和压降，一般在估算小功率管时，对硅管可取0.3V，对锗管取0.1V。

此时的，iC几乎仅决定于Ib，而与Uce无关，表现出Ib对Ic的控制作用。

〔3〕截止区：发射结反偏，集电结反偏。

由于两个PN 结都反偏，使三极管的电流很小，Ib≈0，Ic≈0，而管压降Uce 却很大。

这时的三极管c、e 极相当于开路。

可以看成是一个开关的断开。

3、三极管三种工作区的电压测量如何判断电路中的一个NPN硅晶体管处于饱和,放大,截止状态？用电压表测基极与射极间的电压Ube。

三极管电流增益
三极管电流增益是指在输入电流变化时，输出电流的变化比例。

它是三极管的重要参数之一，通常用H参数或β参数来表示。

H参数是指：hfe=Ic/Ib，其中Ic是三极管的集电极电流，Ib是三极管的基极电流。

β参数是指：β=Ic/Ib，它也称为直流电流增益。

三极管的电流增益与其工作状态有关，一般情况下，它随着工作点的改变而变化。

在三极管放大电路中，电流增益的大小直接影响到放大倍数的大小，因此，合理选择三极管的电流增益对于电路设计是十分重要的。

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三极管驱动led灯限流电阻计算摘要：1.三极管驱动LED 灯的基本原理2.限流电阻的计算方法3.基极电阻的选取4.实际应用举例5.结论正文：一、三极管驱动LED 灯的基本原理三极管是一种常见的半导体器件，具有放大和开关等功能。

在驱动LED 灯的电路中，三极管主要用于放大电流，从而实现对LED 灯的控制。

在三极管驱动LED 灯的电路中，需要选取合适的限流电阻和基极电阻，以保证电路的正常工作和LED 灯的寿命。

二、限流电阻的计算方法限流电阻的作用是限制通过LED 灯的电流，以保证LED 灯的安全使用。

限流电阻的计算方法如下：1.首先，根据LED 灯的正向电压和正向电流确定其额定电流。

通常情况下，LED 灯的正向电压约为2-3V，正向电流约为20-30mA。

2.计算限流电阻的阻值。

根据欧姆定律，限流电阻的阻值等于电源电压减去LED 灯的正向电压，再除以LED 灯的额定电流。

例如，如果电源电压为5V，LED 灯的正向电压为2V，则限流电阻的阻值约为13.3Ω。

三、基极电阻的选取在三极管驱动LED 灯的电路中，基极电阻的选取至关重要。

选取合适的基极电阻可以保证三极管处于饱和状态，从而实现对LED 灯的有效控制。

通常情况下，基极电阻的选取参考公式为：Rbase = (Vcc - Vbe) / Ib，其中Vcc 为电源电压，Vbe 为三极管的基极电压，Ib 为三极管的基极电流。

在实际应用中，为了保证电路的稳定性，基极电阻的选取通常要比计算值稍大。

四、实际应用举例以一个典型的三极管驱动LED 灯的电路为例，假设电源电压为5V，LED 灯的正向电压为2V，LED 灯的额定电流为20mA。

根据上述计算方法，可得到限流电阻的阻值为13.3Ω。

为了保证三极管处于饱和状态，假设基极电流为40mA，则根据基极电阻的选取公式，可得到基极电阻的阻值约为10K。

五、结论在三极管驱动LED 灯的电路中，限流电阻和基极电阻的选取至关重要。

三极管集电极电流三极管是一种重要的电子元件，广泛应用于各种电子设备中，如放大器、开关等。

其中，三极管的集电极电流是其重要特性之一。

以下是关于三极管集电极电流的详细介绍：1. 什么是三极管集电极电流？三极管是一种由三个区域组成的半导体器件，分别是发射区、基区和集电区。

而集电极电流就是指从三极管的集电极流出的电流，通常用符号IC表示。

2. 三极管集电极电流的作用三极管集电极电流是影响三极管工作状态和性能的重要因素之一。

在三极管放大器中，集电极电流的大小决定了放大器的放大倍数，即电流放大系数。

在三极管开关中，集电极电流的大小决定了承载能力和开关速度。

3. 三极管集电极电流的测量方法三极管集电极电流的测量可以使用多种方法，其中最常用的方法是通过万用表来测量。

将万用表的正负极分别连接三极管的集电极和电源的正极，设置电流档位，即可测量出三极管的集电极电流大小。

4. 三极管集电极电流的计算公式三极管集电极电流的大小可以通过计算得出。

在直流电路中，三极管集电极电流的计算公式为IC=βIB，其中β表示三极管的电流放大系数，而IB为三极管的基极电流。

5. 影响三极管集电极电流的因素三极管集电极电流受到多种因素的影响，如电路中的电源电压、电阻大小等，其中最重要的因素之一就是三极管的电流放大系数β。

不同型号的三极管具有不同的β值，对应的集电极电流大小也会有所不同。

总之，三极管集电极电流是三极管的重要特性之一，它的大小决定了三极管在电路中的工作状态和性能表现。

在实际应用中，我们需要根据具体的电路要求来选择合适的三极管型号和电路设计方案，以确保电路的正常运行和稳定性能。