物理 电磁学 第25讲课件 磁场的高斯定理和安培环路定理
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第25 讲磁场的高斯定理安培环路定理的应用一、通过磁场中任一曲面S 的磁通量为二、磁场的高斯定理三、安培环路定理d SB SΦ=⋅⎰0d =⋅⎰SS B四、利用安培环路定理求解的典型电流的磁场(1) 电流均匀分布的无限长金属柱面02πI B rμ=)(R r >0=B (2) 电流均匀分布的无限长金属柱体02πI B rμ=022πIrB Rμ=()r R <)(R r >()r R <(3) 无限大平面电流20jB μ=(4) 载流无限长均匀密绕直螺线管0=B (管内)(管外)(5) 载流螺绕环=B (管内)(管外)0B nI μ=02πNIB rμ=Olxyz解:(1)立方体阴影面积2222(015m)22510mS l ..-===⨯[Q7.25.1]一边长为l =0.15m 的正立方体如图所示,有一均匀磁场通过立方体所在区域,求(1)通过立方体阴影面积的磁通量;(2)通过立方体六个面的总磁通量。
()6315T B i j .k =++O lxyz阴影面积的法线方向单位矢量通过阴影面积的磁通量为(2)根据磁场的高斯定理,通过立方体六个面的总磁通量n e i =ΦB S=⋅()()226315T 22510m 0135Wbi j .k .i .-=++⋅⨯=dI1r2r3rIld[Q7.25.2]如图所示,两平行长直导线相距d=40cm,每根导线载有电流I=20A。
求(1)两导线所在平面内与两导线等距离的一点处的磁感应强度;(2)通过图中阴影面积的磁通量。
(r1=r3=10cm,l=25cm)I1r 2r 3r Ild解:(1)两导线所在平面内与两导线等距离处的磁感应强度大小为⊗022π2μIB d /=722(4π10N/A )(20A)π(04m).-⨯⨯⨯=⨯54010T-.=⨯I1r 2r 3r IldOr(2)通过图中阴影面积的磁通量为2d ΦB S=⋅⎰121001212d ln 2ππr r r μI μIl r r l r r r ++==⎰72(025m)(4π10N/A )(20A)010m 020mlnπ010m ....-⨯⨯⨯+=62210Wb-.=⨯[Q7.25.3]一无限长圆柱形铜导体(磁导率μ0),半径为R ,通有均匀分布的电流I 。