第一章习题解答
题1.1 电路如题图1.1所示，试判断图中二极管是导通还是截止，并求出ＡＯ两端的电压Ｕ
ＡＯ。设二极管是理想的。
解：
分析：二极管在外加正偏电压时是导通，外加反偏电压时截止。正偏时硅管的导通压降为0.6～0.8V 。锗管的导通压降为0.2～0.3V 。理想情况分析时正向导通压降为零，相当于短路；反偏时由于反向电流很小，理想情况下认为截止电阻无穷大，相当于开路。
分析二极管在电路中的工作状态的基本方法为“开路法”，即：先假设二极管所在支路断开，然后计算二极管的阳极（P 端）与阴极（N 端）的电位差。若该电位差大于二极管的导通压降，该二极管处于正偏而导通，其二端的电压为二极管的导通压降；如果该电位差小于导通压降，该二极管处于反偏而截止。如果电路中存在两个以上的二极管，由于每个二极管的开路时的电位差不等，以正向电压较大者优先导通，其二端电压为二极管导通压降，然后再用上述“开路法”法判断其余二极管的工作状态。一般情况下，对于电路中有多个二极管的工作状态判断为：对于阴极（N 端）连在一起的电路，只有阳极（P 端）电位最高的处于导通状态；对于阳极（P 端）连在一起的二极管，只有阴极（N 端）电位最低的可能导通。
图（a ）中，当假设二极管的VD 开路时，其阳极（P 端）电位P U 为-6V ，阴极（N 端）电位
N U 为-12V 。VD 处于正偏而导通，实际压降为二极管的导通压降。理想情况为零，相
当于短路。所以
V U AO 6-=；
图（b ）中，断开VD 时，阳极电位V U P 15
-=，阴极的电位V U N 12-=， ∵ N P
U
U < ∴ VD 处于反偏而截止
∴ V
U AO 12-=； 图（c ），断开VD1,VD2时
∵ V U P 01= V U N 121
-= 11N P U U > V U P 152-= V U N 122-= 22
N P U
U < ∴ VD1处于正偏导通，VD2处于反偏而截止
V U AO 0=；
或，∵ VD1，VD2的阴极连在一起
∴ 阳极电位高的VD1就先导通，则A 点的电位
V U AO 0=，
而 A N P U U
V U =<-=22
15
∴ VD2处于反偏而截止 图（d ），断开VD1、VD2，
∵ V U P 121-= V U N 01
= 11N P U U < V U P 122-= V
U N 62-= 22N P U U <；
∴ VD1、VD2均处于反偏而截止。
题1.2 试判断题图1.2中的二极管是导通还是截止，为什么？
解：
分析：在本题的分析中应注意二个问题：
（1） 电位都是对固定的参考点之间的压差，参考点就是通常所称的接地点； （2） 求电位时注意各电压的方向。 图（a ），设图中电阻25K 与5K 的连接点为C ， 则，当假设VD 开路时，
V
U A 1151014010
=⨯+=
V
U U U BC C B 5.315.2102182
152555=+=⨯++⨯+=+= ∵ A
P U U =
B N U U =
N P U U <
∴ VD 处于反偏而截止 图（b ），同样设图中电阻25K 与5K 的连接点为C ，
假设VD 断开，
则： V
U A 1151014010
=⨯+=
V U U U BC C B 5.115.2102182
152555=-=⨯+-⨯+=
-=
∵ B A U U <
∴ VD 处于反偏而截止； 图（c ），设图中25K 与5K 的连接点为C ，假设VD 断开，
则：V
U A 1151014010
=⨯+=
V U U U BC C B 5.025.2202
182
152555=-=⨯+-⨯+=
+=
∵ B A U U >
∴ VD 处于正偏导通状态
题1.3 己知在题图1.3中，)(sin 10V t u I ω=,Ω=k R L 1，试对应地画出二极管的电流、电
压以及输出电压的波形，并在波形图上标出幅值。设二极管的正向压降和反向电流可以忽略。
CB CB —
解：
分析：二极管在外加正偏电压时导通，外加反偏电压时截止。如果忽略二极管正向导通
压降及反向漏电流，则二极管相当于一个理想的开关。即：正偏时相当于开关“闭合”，截止时相当于开关“断开”。
t u i ωsin 10=
(1). 在u i 正半周，二极管正偏而导通，
u D =0
u O =t u i ωsin 10=(V)
i D =t
R u L O
ωsin 10=(mA)
(2). 在u i 负半周，二极管反偏而截止，
i D =0 u O =0
u D =t u i ωsin 10-=-(V)
题 1.4 电路如题图 1.4所示，稳压管ＤＺ的稳定电压ＵＺ=8V ，限流电阻Ｒ=Ωk 3，设
)(sin 15V t u I ω=，试画出o u 的波形。
解：
分析：稳压管的工作是利用二极管在反偏电压较高使二极管击穿时，在一定的工作电流限制下，二极管两端的的电压几乎不变。其电压值即为稳压管的稳定电压Uz 。而稳压管如果外加正向偏压时，仍处于导通状态。
设稳压管具有理想特性，即反偏电压只有达到稳压电压时，稳压管击穿。
正偏时导通压降为零，则t u i ωsin 15=(V)
Uz=8V
当≥i u Uz 时，稳压管击穿而处于稳定状态，u O =Uz ；
而0
题1.5 在题图1.5中，已知电源电压V V 10=，Ω=200R ，Ω=k R L 1，稳压管的V U Z 6=，
试求∶
①稳压管中的电流=Z I ？
②当电源电压Ｖ升高到１２Ｖ时，Z I 将变为多少？ ③当Ｖ仍为１０Ｖ，但L R 改为Ωk 2时，Z I 将变为多少？
解：
分析：由稳压管的特性可知，在稳压管处于反向击穿时，流过的电流可以有较大的变化，而其两端电压几乎不变。
(1). ∵
V U U Z O 6==
∴
∵ V U U U Z R 4610=-=-=
∴ mA k R U I R R 200.24
===
∴
mA
I I I L R R Z 14620=-=-=
(2). 当U 升高至12V 时， ∵
V U U Z O 6==不变，
∴ 6mA
16
===L R R R U I L
V U U U Z R 6612=-=-=
∴ m A
k R U I R R 300.26===
∴
mA
I I I L R R Z 24630=-=-=
(3). 当Ω=K R L 2时，
3mA 26
===
L R R R U I L
∵ V U 10=
∴ mA k R U U I Z R 202.06
10=-=-=
∴mA
I I I L R R Z 17320=-=-=
6mA 1
6
= = =
L o R R U I L
题1.6 测得工作在放大电路中几个半导体三极管三个电极电位1U 、2U 、3U 分别为下列各
组数值，试判断它们是ＮＰＮ型还是ＰＮＰ型？是硅管还是锗管？并确定e 、b 、c 。
① V U 5.31=，V U 8.22=，V U 123=； ② V U 31=，V U 8.22=，V U 123=； ③ V U 61=，V U 3.112=，V U 123=； ④ V U 61=，V U 8.112=，V U 12
3= 解：
分析：工作在放大电路中的三极管应满足发射结正偏，集电结反偏的条件。且有PN 节正偏特性可知，其正偏结电压不会太大。硅管的5.0=BE U ～V 0.7，锗管的1.0=BE U ～
V 0.3。所以首先找出电位差在0.1～0.3V 或0.5～0.7V 的两个电极，则其中必定一个为发射
极，一个为基极，另一个电位相差较大的必定为集电极。由PN 结反偏特性可知，若集电极电位最高，则该管必定为NPN 型三极管；若集电极电位最低，则该管必定为PNP 型三极管。若为NPN 型三极管，则发射极电位必定为最低电位；若为PNP 型三极管，则发射极电位必定为最高电位。由此即可确定发射极。电位值处于中间的一个电极必定为基极。由此可知：
(1). ,5.31V U = V U 8.22=, V U 123
=，
结论：硅NPN 型三极管（V U U U 7.08.25.32112=-=-=）
b U →1， e U →2，
c U →3
(2). ,31V U = V U 8.22=, V U 123
=，
结论： 锗NPN 型三极管（V U U U 2.08.232112=-=-=）
b U →1， e U →2，
c U →3
(3). ,61V U = V U 3.112=， V U 123
=
结论：硅PNP 型三极管（
V U U U 7.0123.113223-=-=-=）
c U →1， b U →2， e U →3
(4). ,61V U = V U 8.112=， V U 123
=
结论：锗PNP 型三极管（
V U U U 2.0128.113223-=-=-=）
c U →1， b U →2， e U →3
题1.7 测得某电路中几个三极管的各极电位如题图1.7所示，试判断各三极管分别工作在放
大区、截止区还是饱和区。
解：
分析：根据不同的偏置特征，三机管将工作在不同的区域： 放大区：发射结正偏，集电结反偏；
饱和区：发射结正偏，集电结正偏 或者零偏；
截止区：发射结反偏或偏压小于开启电压，集电结反偏。
如以NPN 型三极管为例，其偏压方式与工作状态的关系如图所示： 对图（a ），NPN 型三极管
∵ 07.0>=V U BE ,
03.457.0<-=-=BC U
∴ 工作在放大区； 图（b ），NPN 管，
010122<-=-=V U BE ,
01212=-=BC U ，
∴ 工作在截止区 图（c ），
NPN
管
，
07.0)6(3.5>=---=V U BE ，
03.503.5<-=--=BC U
∴ 工作在放大区；
图（d ），NPN 管，075.01075.10>=-=V U BE ， 045.03.1075.10>=-=BC U
∴ 工作在饱和区；
图（e ），PNP 管，03.003.0>=-=V U BE ，
03.5)5(3.0>=--=BC U
∴ 工作在截止区
图（f ），PNP 管，,03.057.4<-=-=V U BE
7.47.4=-=BC U
∴工作在饱和区
图（g），PNP管，
3.0
)1
(
3.1<
-
=
-
-
-
=V
U
BE，
7.8
)
10
(
3.1>
=
-
-
-
=
BC
U
∴工作在放大区；
图（h），PNP管，
3.0
12
7.
11<
-
=
-
=V
U
BE
7.3
8
7.
11>
=
-
=
BC
U
∴工作在放大区；
题1.8 已知题图1.8 (a)—(f)中各三极管的β均为50，V U BE 7.0=，试分别估算各电路中
三极管的C I 和CE U ，判断它们各自工作在哪个区(放大区，截止区或饱和区)，并将各管子的工作点分别画在题图1.8(g)的输出特性曲线上。
解：
分析：三极管在发射结正偏时，管子可能工作在放大区或者饱和区，取决于其基极电流是否超过基极临界饱和电流
BS I ，若BS B I I >，则三极管工作在饱和区；若BS B I I <，则三
极管工作在放大区，且B C
I
I β=。 若三极管发射结反偏或者零偏，则该三极管一定工作在截止区。 对图（a ），发射结正偏，且
A mA K I
B μ65065.0207
.02==-=
∵ BS B
I
I < ∴ 三极管工作在放大区
且 mA I I B C 3.3065.050=⨯==β
V
K I U C CE 4.323.310210=⨯-=⨯-=A mA K U I CES BS μ β 100
1 . 0
2 50 10
2 10 = = ⨯ ≈ ⨯ - =
图（b ），∵
A
mA U I CES BS μβ1001.025010
210==⨯≈⨯-=
A mA I
B μ5.460465.02007
.010==-=
∵ BS B I I < ∴ 三极管工作在放大区 且：mA I I B C 3.20465.050≈⨯==β
V U CE 4.523.210=⨯-=
图（c ），∵ A
mA U I CES BS μβ1001.025010210==⨯≈⨯-=
A mA I
B μ465465.0207
.010==-=
∵ BS B I I > ∴ 三极管工作在饱和区
mA I I I BS CS C 5===β V U U CES CE 0≈=
图（d ），∵发射结反偏，∴三极管处于截止状态
V V U I CC CE C 100
===
图（e ），∵三极管发射结零偏，0=B I ∴ 三极管处于截止状态
V V U I CC CE C 100
===
图（f ），∵∞
→BS I , A mA I B μ5.460465.02007
.010==-=
∴ 三极管工作在放大区
且 V V U mA
I I CC CE B C 103.2====β
题1.9 一个ＪＦＥＴ的转移特性曲线如题图1.9所示，试问∶
① 它是Ｎ沟道还是Ｐ沟道的ＦＥＴ？
② 它的夹断电压
)(off GS U 和饱和漏极电流DSS I 各是多少？
解
分析：JFET 是一种耗尽型器件，在栅源之间没有外加电压时，其沟道已经存在，且此时加上一特定的外加漏源电源时，所形成的电流即为I DSS ，饱和漏极电流。当栅源加反偏电压时，沟道变窄，使同样的漏源电压而漏极电流变小。而当栅源反偏电压大到一特定值 U GS （off ）时，沟道夹断，漏源电流为零。
（1） 有图可以看出，转移特性曲线在U GS <0区域，而u GS 又处于反偏，所以栅极
一定为P 型材料，即该特性曲线描述的是N 沟道JFET 。
（2） U GS （off ）=-4V ，I DSS =3mA
题1.10 已知一个Ｎ沟道增强型Ｍ０Ｓ场效应管的漏极特性曲线如题图1.10所示，试作出
V U D S 15=时的转移特性曲线，并由特性曲线求出该场效应管的开启电压)
(th GS U 和DO I 值，以及当时的跨导m g 。
解
分析：转移特性曲线是指在一定的U DS 下，u GS 与i D 的关系，只要在输出特性曲线上以U DS =15V 作一条垂线，与各条不同的u GS 值下的i D 曲线相交，对应的画在u GS 与i D 的坐标中。 由转移特性曲线可以看出，其开启电压U GS （th ）约为2V ，而I DO 表示U GS =2 U GS （off ）时的I D 值，即当U GS =4V 时的。所以I DO =2.5mA 。
由MOS 特性曲线
()2
1GS
D DO GS th u i I U ⎛⎫
⎪
=- ⎪⎝⎭ 跨导
th th 22 2.51222.512DS DO GS D
m u GS GS GS GS GS I u di g du U U u u =⎡⎤==⎢⎥
⎣⎦
⨯⎡⎤
=
-⎢⎥
⎣⎦⎛⎫=- ⎪
⎝⎭常数（）（）
()
()GS
GS th u
U ≥
不同的u GS 对应不同的g m 值。
题1.11 试根据题图1.11所示的转移特性曲线，分别判断各相应的场效应管的类型〔结型或
绝缘栅型，Ｐ沟道或Ｎ道沟，增强型或耗尽型〕。如为耗尽型，在特性上标注出其
夹断电压
)(off GS U 和饱和漏极电流DSS I ；如为增强型，标注出其开启电压)(th GS U 。
解
分析：根据场效应管的结构可总结出一些相关的特性 （a ）、因为u GS >0，i D >0，所以N-MOS 增强型
存在开启电压U GS （th ），I DO 为U GS ＝2 U GS （th ）时的i D 值 （b ）、因为u GS >0，i D <0，u GS =0时有i D ，一定为耗尽型器件P-JFET 存在夹断电压U GS （off ），I DSS 为U GS =0时的i D 。 （c ）、u GS 可正可负，且i D >0，所以该器件为N-MOS 耗尽型 存在夹断电压U GS （off ），且在U GS =0时的i D 即为I DSS （d ）、u GS <0,i D <0，且U GS =0时i D ＝0无沟道，所以该器件为P-MOS 增强型 存在开启电压U GS （th ），当U GS =2U GS （th ）时的i D 即为I DO 。
u GS u DS i D 开启 夹断 N-JFET <0 >0 >0 √ P-JFET
>0
<0 <0 √ N-MOS 增强型 >0 >0 >0 √ N-MOS 耗尽型 任意 >0 >0 √ P-MOS 增强型 <0 <0 <0 √ P-MOS 耗尽型 任意
<0
<0
√
题1.12 已知一个Ｎ沟道增强型Ｍ０Ｓ场效应管的开启电压
V U th GS 3)(=，mA I D O 4=，请
示意画出其转移特性曲线。
解
分析：N-MOS 管的特性曲线为一个平方率关系
即
()2
1GS
D
DO GS th u i I U ⎛⎫
⎪
=- ⎪⎝⎭ 当已知 U GS （th ）=3V ，I DO =4mA
2
413GS D u i ⎛⎫=- ⎪
⎝⎭ 其示意曲线
题1.13 已知一个Ｐ沟道耗尽型Ｍ０Ｓ场效应管的饱和漏极电流mA I D SS 5.2-=，夹断电压
V U off G S 4)(=，请示意画出其转移特性曲线。
解
分析：P-MOS 耗尽型特性曲线表达式为
()2
1GS D
DSS GS off u i I U ⎛⎫
⎪=-
⎪⎝⎭ 已知I DSS =-2.5mA,U GS(off)=4V
所以
2
2.514GS D u i ⎛⎫
=-- ⎪
⎝⎭ 其示意曲线为
.
第一章习题解答 题 电路如题图所示，试判断图中二极管是导通还是截止，并求出ＡＯ两端的电压ＵＡＯ。设二极管是理想的。 解： 分析：二极管在外加正偏电压时是导通，外加反偏电压时截止。正偏时硅管的导通压降为～。锗管的导通压降为～。理想情况分析时正向导通压降为零，相当于短路；反偏时由于反向电流很小，理想情况下认为截止电阻无穷大，相当于开路。 分析二极管在电路中的工作状态的基本方法为“开路法”，即：先假设二极管所在支路断开，然后计算二极管的阳极（P 端）与阴极（N 端）的电位差。若该电位差大于二极管的导通压降，该二极管处于正偏而导通，其二端的电压为二极管的导通压降；如果该电位差小于导通压降，该二极管处于反偏而截止。如果电路中存在两个以上的二极管，由于每个二极管的开路时的电位差不等，以正向电压较大者优先导通，其二端电压为二极管导通压降，然后再用上述“开路法”法判断其余二极管的工作状态。一般情况下，对于电路中有多个二极管的工作状态判断为：对于阴极（N 端）连在一起的电路，只有阳极（P 端）电位最高的处于导通状态；对于阳极（P 端）连在一起的二极管，只有阴极（N 端）电位最低的可能导通。 图（a ）中，当假设二极管的VD 开路时，其阳极（P 端）电位P U 为-6V ，阴极（N 端）电位 N U 为-12V 。VD 处于正偏而导通，实际压降为二极管的导通压降。理想情况为零，相当 于短路。所以 V U AO 6-=； 图（b ）中，断开VD 时，阳极电位V U P 15-=，阴极的电位V U N 12-=， ∵ N P U U < ∴ VD 处于反偏而截止 ∴ V U AO 12-=； 图（c ），断开VD1,VD2时 ∵ V U P 01= V U N 121 -= 11N P U U > V U P 152-= V U N 122-= 22N P U U < ∴ VD1处于正偏导通，VD2处于反偏而截止 V U AO 0=； 或，∵ VD1，VD2的阴极连在一起 ∴ 阳极电位高的VD1就先导通，则A 点的电位 V U AO 0=，
第一章数字电路基础 第一部分基础知识 一、选择题 1．以下代码中为无权码的为。 A. 8421BCD码 B. 5421BCD码 C.余三码 D.格雷码 2．以下代码中为恒权码的为。 A.8421BCD码 B. 5421BCD码 C.余三码 D.格雷码 3．一位十六进制数可以用位二进制数来表示。 A.１ B.２ C.４ D. 16 4．十进制数25用8421BCD码表示为。 A.10 101 B.0010 0101 C.100101 D.10101 5．在一个8位的存储单元中，能够存储的最大无符号整数是。 A.（256）10 B.（127）10 C.（FF）16 D.（255）10 6．与十进制数（53.5）10等值的数或代码为。 A.(0101 0011.0101)8421BCD B.(35.8)16 C.(110101.1)2 D.(65.4)8 7．矩形脉冲信号的参数有。 A.周期 B.占空比 C.脉宽 D.扫描期 8．与八进制数(47.3)8等值的数为： A. (100111.011)2 B.(27.6)16 C.(27.3 )16 D. (100111.11)2 9.常用的B C D码有。 A.奇偶校验码 B.格雷码 C.8421码 D.余三码 10．与模拟电路相比，数字电路主要的优点有。 A.容易设计 B.通用性强 C.保密性好 D.抗干扰能力强 二、判断题（正确打√，错误的打×） 1. 方波的占空比为0.5。（） 2. 8421码1001比0001大。（） 3. 数字电路中用“1”和“0”分别表示两种状态,二者无大小之分。（） 4．格雷码具有任何相邻码只有一位码元不同的特性。（） 5．八进制数（18）8比十进制数（18）10小。（） 6．当传送十进制数5时，在8421奇校验码的校验位上值应为1。（）
第一章 电路的基本概念和基本定律 习题解答 1-1 题1-1图所示电路，求各段电路的电压U ab 及各元件的功率，并说明元件是消耗功 率还是对外提供功率 解 根据功率计算公式及题给条件，得 （a ）U ab =6V, P =6×2= 12W 消耗功率 （b ）U ab =-8V ，P =1×(-8)=-8W 提供功率 （c ）U ab =-10V, P =-(-8)?(-10)=-80W 提供功率 （d ）U ab =-8V, P =-(-2)?(-8)=-16W 提供功率 （e ）U ab =-(-6)=6V, P =-(-1)?(-6)=-6W 提供功率 （f ）U ab =-16V, P =(-2)?16=-32W 提供功率 1-2 在题1-2图所示各元件中，已知：元件A 吸收66W 功率，元件B 发出25W 功率；元 件C 吸收负68W 功率，求i A 、u B 和i C 。 解 根据题意，对元件A ，有 P A =6i A =66, i A ==11A 对元件B ，有 P B =-5u B =-25, u B ==5V 对元件C ，有 P C =-4i C =-68, i C ==17A 1-3 题1-3图所示电路中，5个元件代表电源或负载。通过实验测量得知：I 1=-2A ，I 2=3A ， I 3=5A ，U 1=70V ，U 2=-45V ，U 3=30V ，U 4=-40V ，U 5=-15V 。 （１）试指出各电流的实际方向和各电压的实际极性 （２）判断那些元件是电源；那些元件是负载 （３）计算各元件的功率，验证功率平衡 (a) (b) (d) (e) (f) a 6V b a -8V b a -10V b (c) a -8V b a 16V b a -6V b 题1-1图 题1-2图 6V B -4V
第1章直流电路习题解答 1.1 求图1.1中各元件的功率，并指出每个元件起电源作用还是负载作用。 图1.1 习题1.1电路图 解 W 5.45.131=?=P （吸收） ；W 5.15.032=?=P （吸收） W 15353-=?-=P （产生） ；W 5154=?=P （吸收）； W 4225=?=P （吸收）;元件1、2、4和5起负载作用，元件3起电源作用。 1.2 求图1.2中的电流I 、电压U 及电压源和电流源的功率。 图1.2 习题1.2电路图 解 A 2=I ； V 13335=+-=I I U 电流源功率：W 2621-=?-=U P （产生），即电流源产生功率6W 2。 电压源功率：W 632-=?-=I P （产生），即电压源产生功率W 6。 1.3 求图1.3电路中的电流1I 、2I 及3I 。 图1.3 习题1.3电路图
解 A 1231=-=I ;A 1322-=-=I 由1R 、2R 和3R 构成的闭合面求得：A 1223=+=I I 1.4 试求图1.4所示电路的ab U 。 图1.4 习题1.4电路图 解 V 8.139 66 518ab -=?++ +?-=U 1.5 求图1.5中的I 及S U 。 图1.5 习题1.5电路图 解 A 71 5 2)32(232=?+-?+-=I V 221021425)32(22S =+-=?+-?+=I U 1.6 试求图1.6中的I 、X I 、U 及X U 。 图1.6 习题1.6电路图 解 A 213=-=I ；A 31X -=--=I I ; V 155X -=?=I U V 253245X X -=?--?=I U
电子电路基础习题册参考答案（第三版）全国中等职业技术 第一章常用半导体器件 §1-1 晶体二极管 一、填空题 1、物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体和半导体三大类，最常用的半导体材料是硅和锗。 2、根据在纯净的半导体中掺入的杂质元素不同，可形成N 型半导体和P 型半导体。 3、纯净半导体又称本征半导体，其内部空穴和自由电子数相等。N型半导体又称电子型半导体，其内部少数载流子是空穴；P型半导体又称空穴型半导体，其内部少数载流子是电子。 4、晶体二极管具有单向导电性，即加正向电压时，二极管导通，加反向电压时，二极管截止。一般硅二极管的开启电压约为0.5 V，锗二极管的开启电压约为0.1 V；二极管导通后，一般硅二极管的正向压降约为0.7 V,锗二极管的正向压降约为0.3 V。 5.锗二极管开启电压小，通常用于检波电路，硅二极管反向电流小，在整流电路 及电工设备中常使用硅二极管。 6.稳压二极管工作于反向击穿区，稳压二极管的动态电阻越小，其稳压性能好。
7在稳压电路中，必须串接限流电阻，防止反向击穿电流超过极限值而发生热击穿损坏稳压管。 8二极管按制造工艺不同，分为点接触型、面接触型和平面型。 9、二极管按用途不同可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、 开关、热敏、发光和光电二极管等二极管。 10、二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压、反向饱和电流和最高工作频率。 11、稳压二极管的主要参数有稳定电压、稳定电流和动态电阻。 12、图1-1-1所示电路中，二极管V1、V2均为硅管，当开关S与M 相接时，A点的电位为 无法确定V,当开关S与N相接时，A点的电位为0 V. 13图1-1-2所示电路中，二极管均为理想二极管，当开关S打开时，A点的电位为10V 、 流过电阻的电流是4mA ；当开关S闭合时，A点的电位为0 V，流过电阻的电流为2mA 。 14、图1-1-3所示电路中，二极管是理想器件，则流过二极管V1的电流为0.25mA ，流过V2的电流为0.25mA ,输出电压U0为+5V。
总复习题及解
总复习题及解 一、问 答 第一章答题 1. 电流与电压为关联参考方向是指什么？ 答：电流参考方向（箭头方向）与电压降参考方向（“+”到“-”的方向）一致的方向。 第二章答题 1. 应用叠加定理时，理想电压源不作用时视为短路，理想电流源不作用时视为 开路。 2、求含有受控源单口网络的戴维南（诺顿）等效电路的内阻时，屏蔽掉电源后须用 外施电压、电流 法求得。 第三章答题 1、对于电容C 和电感L ，电压和电流间的关系为： ， 2、换 路定律是指： 3 、全响应解的两种表达式： （1）全响应=（零输入响应）+（零状态响应） （2）三要素法： 第四章答题 1、直流电路中，感抗为0，容抗为无穷大。
2、正弦电压u(t) =2U cos (?t + ? u )对应的相量表示为u U Uθ ∠ = ? 。 3、任意一个相量乘以j相当于该相量逆时针旋转90o 。 4、三相对称电源星型联结，相、线电压的关系为相电压是线电压的 3 1倍，且相电压滞后对应线电压30°。 对称电源△接线时，线电流、相电流之间关系为线电流等于3倍相电流，相位滞后对应相电流30°。 5、电阻元件的电压电流的有效值满足：U=IR，关联参考方向下电压和电流同相位，即 第五章答题 无 第六章答题 1、本征半导体电子浓度等于空穴浓度；N型半导体的电子浓度大于空穴浓度；P型半导体的电子浓度小于空穴浓度。 2、场效应管属于电压控制型器件，晶体三极管则属于电流控制器件。 3、晶体三极管工作在放大状态时，应使发射结正向偏置；集电结反向偏置。 4、稳定二极管稳压时是处于反向偏置状态，而二极管导通时是处于正向偏置状态。 5、 PN结的单向导电性，就是PN结正偏时导通，反偏时截止。 6、当温度升高时，三极管的集电极电流Ic 增加，发射结压降U BE减小。 第七章答题
第1章 模拟集成运放及其应用 1.1 当负载开路（L R =∞）时测得放大电路的输出电压o u'=2V ；当输出端接入 L R =5.1K Ω的负载时，输出电压下降为o u =1. 2V ，求放大电路的输出电阻o R 。 解：'L o o L o R u u R R = ?+ ∴' (1) 3.4(K Ω)o o u o L u R R =-= 1.2 当在放大电路的输入端接入信号源电压s u =15mV ，信号源电阻s R =1K Ω时，测得电路的输入端的电压为i u =10mV ，求放大电路的输入电阻i R 。 解：i i s i s R u u R R = ?+ ∴( )2(K Ω)i i s s i u R R u u ==- 1.3 当在电压放大电路的输入端接入电压源s u =15mV ，信号源内阻s R =1K Ω时，测得电路的输入端的电压为i u =10mV ；放大电路输出端接L R =3K Ω的负载，测得输出电压为 o u =1.5V ，试计算该放大电路的电压增益u A 和电流增益i A ,并分别用dB(分贝)表示。 解：150==o u i u A u , ()u u d B 20lg 435dB ().==A A o o L i i s i s 100()== =-I u R A I u u R , i i dB 20lg 40(dB)()==A A 1.4 某放大电路的幅频响应特性曲线如图1.1所示，试求电路的中频增益um A 、下限 截止频率L f 、上限截止频率H f 和通频带BW f 。 f/Hz 图1.1 习题1.4电路图 图1.2 习题1.5电路图 解：um (dB)40(dB)=A ∴um 100=A 5 H 10(Hz)=f L 20(Hz)=f ∴5 BW H L H 10(Hz)=-≈=f f f f 1.5 电路如图1.2所示，当输入电压为0.4V 时，要求输出电压为4V ，试求解R 1和R 2的阻值。 解：f i 11 100k 0.44o R u u R R Ω=- =-?=- 110k R =Ω 21f //100//109.1k R R R ===Ω
1 习 题 1.1 分别计算本征硅和本征锗在T=500K 时的载流子浓度值,并与常温下的载流子浓度值作比较。 解：本征半导体内的载流子浓度可用下式表示302 0exp 2G i i E n p A T kT ?? ==- ??? 上式中硅A o =3.88×1016cm -3K -3/2,锗A o =1.76×1016cm -3K -3/2。 K 是波耳兹曼常数，k=8.63×10-5eV/K=1.38×10-23J/K 。 T 为热力学温度。 E g0是T=0K 时的禁带宽度,硅E g0为1.21eV ,锗为0.785eV 。 按照上式T=500K 时， 本征硅：3163/2143 02 05 1.21exp 3.8810500exp 3.610228.6310500G i i E n p A T cm kT --????==- =???-=? ? ???????? 本征锗：3 163/2 1630205 0.785exp 1.7610500exp() 2.210228.6310500G i i E n p A T cm kT --??==- =???-=? ?????? 而常温下(T=300K),本征硅和锗热平衡载流子浓度分别约为1.5×1010cm –3和2.4×1013 cm –3。 结论：T=500K 同T=300K 相比，本征硅载流子浓度高4个数量级，本征锗载流子浓度高3个数量级，即表明温度对本征半导体载流子浓度影响极大，随着温度升高，本征半导体载流子浓度急剧升高。 1.2 在本征硅中掺入浓度为1431.010/cm ?的五价元素砷。试分别计算T=300K 和T=500K 时的自由电子和空穴的热平衡浓度值,并指出相应的半导体类型。 1) T=300K ，本征硅载流子浓度为103=1.510i n cm -?，掺入浓度1431.010d N cm -=?，满足d i N n >>； 故 143 210214 63 1.010//(1.510)/1.010 2.2510/ N d i d N i N n N n N c m p n n c m ?=+≈= ???==??=??? 由于N N n p >>，属于N 型半导体； 2) T=500K ，本征硅载流子浓度143=3.610i n cm -?，掺入浓度1431.010d N cm -=?，不满足d i N n >>； 故 2 N d N N N i n N p p n n =+? ?=? 求解得到 143 143 3.1310/ 4.1310/N N p cm n cm ?=? =?? 由于N N n p ≈，故属于本征半导体。 1.3 在本征硅中先掺入浓度为N d =8×1016/cm 3的砷原子组成N 型半导体,再掺入浓度为N a =5×1017/cm 3的硼原子。试问它构成何种杂质半导体？常温下两种载流子的浓度各为多少？ 解：由于受主杂质(硼元素)浓度N a 高于施主杂质(砷元素)浓度N d ，故杂质半导体由原先的N 型应转
第1章电路的基本定律与分析方法 【思1.1.1】(a) 图U ab＝IR＝5×10＝50V，电压和电流的实际方向均由a指向b。 (b) 图U ab＝－IR＝－5×10＝－50V，电压和电流的实际方向均由b指向a。 (c) 图U ab＝IR＝－5×10＝－50V，电压和电流的实际方向均由b指向a。 (d) 图U ab＝－IR＝－(－5)×10＝50V，电压和电流的实际方向均由a指向b。 【思1.1.2】根据KCL定律可得 (1) I2＝－I1＝－1A。 (2) I2＝0，所以此时U CD＝0，但V A和V B不一定相等，所以U AB不一定等于零。 【思1.1.3】这是一个参考方向问题，三个电流中必有一个或两个的数值为负，即必有一条或两条支路电流的实际方向是流出封闭面内电路的。 【思1.1.4】(a) 图U AB＝U1＋U2＝－2V，各点的电位高低为V C＞V B＞V A。 (b) 图U AB＝U1－U2＝－10V，各点的电位高低为V B＞V C＞V A。 (c) 图U AB＝8－12－4×(－1)＝0，各点的电位高低为V D＞V B(V A＝V B)＞V C。 【思1.1.5】电路的电源及电位参考点如图1-1所示。当电位器R W的滑动触点C处于中间位置时，电位V C＝0；若将其滑动触点C右移，则V C降低。 【思1.1.6】(a) 当S闭合时，V B＝V C＝0，I＝0。 当S断开时，I＝ 12 33 +＝2mA，V B＝V C＝2×3＝6V。 (b) 当S闭合时，I＝－6 3 ＝－2A，V B＝－ 3 21 + ×2＝－2V。 当S断开时，I＝0，V B＝6－ 3 21 + ×2＝4V。 【思1.1.7】根据电路中元件电压和电流的实际方向可确定该元件是电源还是负载。当电路元件上电压与电流的实际方向一致时，表示该元件吸收功率，为负载；当其电压与电流的实际方向相反时，表示该元件发出功率，为电源。 可以根据元件电压与电流的正方向和功率的正、负来判别该元件是发出还是吸收功率。例如某元件A电压、电流的正方向按关联正方向约定，即将其先视为“负载模型”，
第1章 电路的基本概念和基本定律 本章的主要任务是学习电路的基本概念、基本物理量和基本定律，为掌握电路的分析计算方法奠定必要的基础。 本章基本要求 (1) 正确理解理想电路元件、电路模型的概念； (2) 正确理解电流、电压的参考方向的概念，并掌握电流、电压参考方向的使用； (3) 计算元件或电路的功率，并判别元件或电路是吸收功率还是发出功率； (4) 掌握理想元件的电压与电流关系式； (5) 掌握基尔霍夫定律（KCL 和KVL ）的应用； (6) 了解电路的三种工作状态：额定工作状态、过载工作状态和欠载工作状态。理解电气器件、设备的额定值。 本章习题解析 1－1 试求图1－1所示电路的电压U ab 和U ba 。 图1－1 解 (a)电压U 的参考方向如图所示，已知U ＝10V ，故有 10==U U ab V 10-=-=-=U U U ab ba V (b)直流电压源的电压参考方向如图所示，故有 5=ab U V 5-=-=ab ba U U V 1－2 根据图1－2所示的参考方向和电压、电流的数值确定各元件电流和电压的实际方向，并计算各元件的功率，说明元件是吸收功率还是发出功率。 (a) (b) (c) (d)
图1－2 解 (a)因为电流为＋2mA ，电压为＋5V ，所以电流、电压的实际方向与参考方向相同。电阻元件的功率为 101010102533=⨯=⨯⨯==--UI P mW 电阻元件的电压与电流取关联参考方向，计算结果P >0，说明电阻元件吸收功率。 (b)因为电流、电压随时间t 按照正弦规律变化，所以当电流i >0、电压u >0时，它们的实际方向与参考方向一致；当电流i <0、电压u <0时，它们的实际方向与参考方向相反。电阻元件的功率为 )(sin )sin()sin(t t t ui p ωωω255=⨯==W 电阻元件的电压与电流取关联参考方向，计算结果p >0，说明电阻元件吸收功率。 (c)因为电流为－2mA ，所以电流的实际方向与参考方向相反；电压为＋5V ，所以电压的实际方向与参考方向相同。直流电压源的功率为 101010102533-=⨯-=⨯-⨯==--)(UI P mW 直流电压源的电压与电流取关联参考方向，计算结果P <0，说明直流电压源发出功率。 (d)因为电流为＋2A ，电压为＋6V ，所以电流、电压的实际方向与参考方向相同。直流电流源的功率为 1226=⨯==UI P W 直流电流源的电压与电流取非关联参考方向，计算结果P >0，说明直流电流源发出功率。 1－3 在图1－3所示电路中，试求： (1)若元件A 吸收10W 功率，求其电压U A ； (2)若元件B 吸收－10W 功率，求其电流I B ； (3)若元件C 发出10W 功率，求其电流I C ； (4)若元件D 发出10mW 功率，求其电流I D 。 图1－3 解 (1)元件A 的电流与电压取关联参考方向，其吸收功率为 104=⨯=A A U P W 故其电压U A 为 U A 10V B 6V C 10V D
电路分析基础练习题及答案 第1章 习题 一、填空题 1-1.通常，把单位时间内通过导体横截面的电荷量定义为 。 1-2.习惯上把 运动方向规定为电流的方向。 1-3.单位正电荷从a 点移动到b 点能量的得失量定义为这两点间的 。 1-4.电压和电流的参考方向一致，称为 方向。 1-5.电压和电流的参考方向相反，称为 方向。 1-6.电压和电流的负值，表明参考方向与实际方向 。 1-7.若P>0（正值），说明该元件 功率，该元件为 。 1-8.若P<0（负值），说明该元件 功率，该元件为 。 1-9. 定律体现了线性电路元件上电压、电流的约束关系，与电路的连接方式无关； 定律则是反映了电路的整体规律，其中 定律体现了电路中任意结点上汇集的所有 的约束关系， 定律体现了电路中任意回路上所有 的约束关系，具有普遍性。 1-10.基尔霍夫电流定律（KCL ）说明在集总参数电路中，在任一时刻，流出（或流出）任一节点或封闭面的各支路电流的 。 1-11.基尔霍夫电压定律（KVL ）说明在集总参数电路中，在任一时刻，沿任一回路巡行一周，各元件的 代数和为零。 二、选择题 1-1．当电路中电流的参考方向与电流的真实方向相反时，该电流 A 、一定为正值 B 、一定为负值 C 、不能肯定是正值或负值 1-2．已知空间有a 、b 两点，电压U ab =10V ，a 点电位为V a =4V ，则b 点电位V b 为 A 、6V B 、－6V C 、14V 1-3．当电阻R 上的u 、i 参考方向为非关联时，欧姆定律的表达式应为 A 、Ri u = B 、Ri u -= C 、 i R u = 1-4．一电阻R 上u 、i 参考方向不一致，令u =－10V ，消耗功率为0.5W ，则电阻R 为 A 、200Ω B 、－200Ω C 、±200Ω 1-5．两个电阻串联，R 1：R 2=1：2，总电压为60V ，则U 1的大小为 A 、10V B 、20V C 、30V 1-6．已知接成Y 形的三个电阻都是30Ω，则等效Δ形的三个电阻阻值为
二、判断题 1．导体中的电流由电子流形成，故电子流动的方向就是电流的方向。 (×) 2．电源电动势的大小由电源本身性质所决定，与外电路无关。 (√) 3．电压和电位都随参考点的变化而变化。 (×) 4．我们规定自负极通过电源内部指向正极的方向为电动势的方向。 (√) 三、问答题 1．电路主要由哪些部分组成?它们的主要功能是什么? 答：电路主要由电源、负载、导线和开关组成。电源是提供电能的装置；负载是实现电路功能的装置。导线是在电路中起连接作用。开关是控制装置。 2．简述电压、电位、电动势的区别。电源内部电荷移动和电源外部电荷移动的原因是否一样? 答：电压反映的是电场力在两点之间做功的多少，与参考点的位置无关。电位反映的是某点与参考点的电压，与参考点的位置有关。电动势反映的是其他形式的能转换为电能的能力。电源内部电荷移动和电源外部电荷移动的原因不一样。
3．什么是电流?电路中存在持续电流的条件是什么? 答：电流是电荷定向移动形成的。电路中存在持续电流的条件是：电源电动势不为〇，且电路闭合。 4．用电流表测量电流时，有哪些注意事项? 答：（1）对交、直流电流应分别使用交流电流表和直流电流表测量。 （2）电流表必须串接到被测量的电路中。 （3）电流必须从电流表的正端流入负端流出。 （4）选择合适的量程。 四、计算题 1．在5 min内，通过导体横截面的电荷量为3．6 C，则电流是多少安?合多少毫安? 解: I=Q/t=3.6/(5×60)=0.012（A）=12mA 答：电流是0.012安，合12毫安。 2．在图1--2中，当选c点为参考点时，已知：U a=-6 V，U b=-3 V，U d=-2 V，U e=-4 V。求U ab、U cd各是多少?若选d点为参考点，则各点电位各是多少? 解：选c点参考点时Uc=0V Uab= Ua- Ub=（-6）-（-3）=-3V Ucd= Uc – Ud =0-（-2）=2V Ubd= Ub – Ud =（-3）-（-2）=-1V Ued= Ue – Ud =（-4）-（-2）=-2V 选d点为参考点 Ud=0 运用电压不随参考点变化的特点 Ucd= Uc – Ud = Uc –0=2V Uc=2V ∵Ubd= Ub – Ud = Ub –0=-1V ∴Ub=-1V ∵Ued= Ue – Ud = Ue –0=-2V ∴Ue=-2V ∵Uab= Ua – Ub = Ua –（-1）=-3V ∴Ua=-4V 答： Uab=-3V，Ucd=2V当选d点为参考点时Ua=-4V，Ub=-1V，Uc=2V，Ud=0，Ue=-2V。
习题一 1-1 一个继电器的线圈，电阻为48Ω，当电流为0.18A 时才能动作，问线圈两端应施加多大的电压？ 答：根据欧姆定律可得：U =IR =0.18*48=8.64V 1-2 一个1000W 的电炉，接在220V 电源使用时，流过的电流有多大？ 答：由电路的功率计算公式可知：P =UI ，所以A 55.4220 1000===U P I 1-3 求题图1-1(a)、(b)电路得U ab 。 解：（1）图(a)，由a 到b 的电压降U ab =U ac +U cb ，假定电流方向如图所示，沿a —电池—c —a 回路逆时针方向绕行一周，电压方程式为： -6+4I +2I =0 即得：I =1A 则U ac =2(-I )=-2V （或者U ac =-6+4I =-2V ） 对于cb 支路：因为构不成回路，所以电流为零。故：U cb =4V # 所以：U ab =U ac +U cb =-2+4=2V # （2）图(b)，由a 到b 的电压降U ab =U ac +U cb ，假定电流方向如图所示，与(a)同理在回路中列出电压方程为： -3+1I +2I =0 即得：I =1A 则U ac =1(-I )=-1V （或者U ac =-3+2I =-1V ） 对于cb 支路：因为构不成回路，所以电流为零。故：U cb =8V 所以：U ab =U ac +U cb =-1+8=7V # 1-7 电路如题图1-2所示，求 （1）列出电路得基尔霍夫电压定律方程； （2）求出电流 （3）求U ab 及U cd 解：（1）假设电流的参考方向如图所示，对于db 支路，因为不构成回路，支路电流等于零，U db =10V 由a 点出发按顺时针方向绕行一周的KVL 电压方程式为：2I +12+1I +2I +2I +1I -8+2I =0 得：10I +4=0 # （2）求电流 由上面得回路电压方程式得： )A (4.010 4 -=- =I # 负号表示电流的实际方向与参考方向相反。 a 4Ω b (a) a Ω b (b) 题图1-1 习题1-3电路图 1Ω 2Ω2Ω 2Ω2Ω 1Ω 题图1-2 习题1-7电路图
电子电路基础习题册参考答案-第一章
电子电路基础习题册参考答案（第三版）全国中等职业技术 第一章常用半导体器件 §1-1 晶体二极管 一、填空题 1、物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体和半导体三大类，最常用的半导体材料是硅和锗。 2、根据在纯净的半导体中掺入的杂质元素不同，可形成N 型半导体和P 型半导体。 3、纯净半导体又称本征半导体，其内部空穴和自由电子数相等。N型半导体又称电子型半导体，其内部少数载流子是空穴；P型半导体又称空穴型半导体，其内部少数载流子是电子。 4、晶体二极管具有单向导电性，即加正向电压时，二极管导通，加反向电压时，二极管截止。一般硅二极管的开启电压约为0.5 V，锗二极管的开启电压约为0.1 V；二极管导通后，一般硅二极管的正向压降约为0.7 V,锗二极管的正向压降约为0.3 V。 5.锗二极管开启电压小，通常用于检波电路，硅二极管反向电流小，在整流电路 及电工设备中常使用硅二极管。
6.稳压二极管工作于反向击穿区，稳压二极管的动态电阻越小，其稳压性能好。 7在稳压电路中，必须串接限流电阻，防止反向击穿电流超过极限值而发生热击穿损坏稳压管。 8二极管按制造工艺不同，分为点接触型、面接触型和平面型。 9、二极管按用途不同可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、 开关、热敏、发光和光电二极管等二极管。 10、二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压、反向饱和电流和最高工作频率。 11、稳压二极管的主要参数有稳定电压、稳定电流和动态电阻。 12、图1-1-1所示电路中，二极管V1、V2均为硅管，当开关S与M 相接时，A点的电位为 无法确定V,当开关S与N相接时，A点的电位为0 V. 13图1-1-2所示电路中，二极管均为理想二极管，当开关S打开时，A点的电位为10V 、 流过电阻的电流是4mA ；当开关S闭合时，A点的电位为0 V，流过电阻的电流为2mA 。
第1章 电路的基本概念和定律 习题参考解答 1-1 由4个元件构成的电路如图1-32所示。已知元件1是电源，产生功率600W ；元件2、3和4是消耗电能的负载，元件3和4的功率分别为400W 和150W ，电流I =2A 。 （1）求元件2的功率； （2）求各元件上的电压，并标出电压的真实极性； （3）用电源符号和电阻符号画出电路模型，并求出各电阻值。 R 3 图1-32习题1-1图 解题1-1图（a ） 解题1-1图（b ） 解：（1）求元件2的功率 13412342134600W,400W,150W 60040015050W P P P P P P P P P P P =-==+++=⇒=---=--= （2）求各元件上的电压 ①元件1产生功率，设其电压极性为上正下负， 此时电压和电流为非关联方向，所以 1 111600300V 2 P P U I U I -=-⇒=- =-= 电压值为正，故所设极性即为真实极性； ②元件2消耗功率，设其电压极性为左正右负，此时电压和电流为关联方向，所以 22225025V 2 P P U I U I =⇒= ==，电压值为正，故所设极性即为真实极性； ③元件3消耗功率，设其电压极性为上正下负，此时电压和电流为关联方向，所以 3333400200V 2 P P U I U I =⇒= ==，电压值为正，故所设极性即为真实极性； ④元件4消耗功率，设其电压极性为右正左负，此时电压和电流为关联方向，所以 444415075V 2 P P U I U I =⇒= ==，电压值为正，故所设极性即为真实极性； 电压的真实极性见解题1-1图（a ）所示。 （3）画电路模型 元件2，元件3，元件4为电阻，且电压和电流方向为关联方向，所以有：
《电路与模拟电子技术基础 习题及实验指导答案 第二版》 第1章 直流电路 一、填 空 题 1.4.1 与之联接的外电路； 1.4.2 1-n ，)1(--n b ； 1.4.3 不变； 1.4.4 21W ，负载； 1.4.5 Ω1.65A ， ； 1.4.6 1A 3A ， ； 1.4.7 3 213212)(3)23(R R R R R R R +++=； 1.4.8 1A ； 1.4.9 Ω4.0，A 5.12； 1.4.10 电压控制电压源、电压控制电流源、电流控制电压源、电流控制电流源； 1.4.11 3A ； 1.4.12 3A ； 1.4.13 Ω2； 1.4.14 15V ，Ω5.4； 1.4.15 V 6S =U 。 二、单 项 选 择 题 1.4.16 C ； 1.4.17 B ； 1.4.18 D ； 1.4.19 A ； 1.4.20 A ； 1.4.21 C ； 1.4.22 B ； 1.4.23 D 。 第2章 一阶动态电路的暂态分析 一、填 空 题 2.4.1 短路，开路； 2.4.2 零输入响应； 2.4.3 短路，开路； 2.4.4 电容电压，电感电流； 2.4.5 越慢；
2.4.6 换路瞬间； 2.4.7 三角波； 2.4.8 s 05.0，k Ω25； 2.4.9 C R R R R 3 232+； 2.4.10 mA 1,V 2。 二、单 项 选 择 题 2.4.11 B ； 2.4.12 D ； 2.4.13 B ； 2.4.14 D ； 2.4.15 B ； 2.4.16 C 。 第3章 正弦稳态电路的分析 一、填 空 题 3.4.1 ︒300.02s A 10， ， ； 3.4.2 V )13.532sin(25)(︒+=t t u ； 3.4.3 容性， A 44； 3.4.4 10V ，2V 3.4.5 相同； 3.4.6 V 30，20V ； 3.4.7 A 44，W 7744； 3.4.8 A 5； 3.4.9 减小、不变、提高； 3.4.10 F 7.87μ； 3.4.11 20kVA ，12kvar -； 3.4.12 不变、增加、减少； 3.4.13 电阻性，电容性； 3.4.14 LC π21 ，阻抗，电流； 3.4.15 1rad/s ，4； 3.4.16 Ω10； 3.4.17 P L U U =，P L 3I I = ，︒-30； 3.4.18 P L 3U U = ，P L I I =，超前。
第一章电路模型和电路定律 电路理论主要研究电路中发生的电磁现象，用电流、电压和功率等物理量来描述其中的过程。因为电路是由电路元件构成的，因而整个电路的表现如何既要看元件的联接方式，又要看每个元件的特性，这就决定了电路中各支路电流、电压要受到两种基本规律的约束，即： （1）电路元件性质的约束。也称电路元件的伏安关系（VCR），它仅与元件性质有关，与元件在电路中的联接方式无关。 （2）电路联接方式的约束（亦称拓扑约束）。这种约束关系则与构成电路的元件性质无关。基尔霍夫电流定律（KCL）和基尔霍夫电压定律（KVL）是概括这种约束关系的基本定律。 掌握电路的基本规律是分析电路的基础。 1-1说明图（a）,（b）中,（1）的参考方向是否关联？（2）乘积表示什么功率？（3）如果在图（a）中；图（b）中，元件实际发出还是吸收功率？ 解：（1）当流过元件的电流的参考方向是从标示电压正极性的一端指向负极性的一端，即电流的参考方向与元件两端电压降落的方向一致，称电压和电流的参考方向关联。所以（a）图中的参考方向是关联的；（b）图中的参考方向为非关联。 （2）当取元件的参考方向为关联参考方向时，定义为元件吸收的功率；当取元件的参考方向为非关联时，定义为元件发出的功率。所以（a）图中的乘积表示元件吸收的功率；（b）图中的乘积表示元件发出的功率。 （3）在电压、电流参考方向关联的条件下，带入数值，经计算，若，表示元件确实吸收了功率；若，表示元件吸收负功率，实际是发出功率。（a）图中，若，则，表示元件实际发出功率。 在参考方向非关联的条件下，带入数值，经计算，若，为正值，表示元件确实发出功率；若，为负值，表示元件发出负功率，实际是吸收功率。所以（b）
第1章 直流电路习题解答 在图所示电路中，（1）选d 为参考点，求a V 、b V 和c V ；（2）选c 为参考点，求a V 、 b V 和d V 。 图 习题电路图 解 （1） 被选d 为参考点时， V 3ad a ==u V V 112cd bc bd b =-=+==u u u V ；V 1cd c -==u V （2） 被选c 为参考点时， 4V 13dc ad a =+=+=u u V V 2bc b ==u V ；V 1dc d ==u V 求图中各元件的功率，并指出每一个元件起电源作用仍是负载作用。 图 习题电路图 解 W 5.45.131=⨯=P （吸收） ； W 5.15.032=⨯=P （吸收） W 15353-=⨯-=P （产生）； W 5154=⨯=P （吸收）； W 4225=⨯=P （吸收） 元件一、二、4和5起负载作用，元件3起电源作用。
求图中的电流I 、电压U 及电压源和电流源的功率。 图 习题电路图 解 A 2=I ； V 13335=+-=I I U 电流源功率：W 2621-=⋅-=U P （产生），即电流源产生功率6W 2。 电压源功率：W 632-=⋅-=I P （产生），即电压源产生功率W 6。 求图电路中的电流1I 、2I 及3I 。 图 习题电路图 解 A 1231=-=I A 1322-=-=I 由1R 、2R 和3R 组成的闭合面求得：A 1223=+=I I 试求图所示电路的ab U 。 图 习题电路图 解 V 8.139 66 518ab -=⨯++ +⨯-=U
求图所示电路的a 点电位和b 点电位。 图 习题电路图 解 V 4126b =⨯-=V V 13b a =+-=V V 求图中的I 及S U 。 图 习题电路图 解 A 71 5 2)32(232=⨯+-⨯+-=I V 221021425)32(22S =+-=⨯+-⨯+=I U 试求图中的I 、X I 、U 及X U 。 图 习题电路图 解 A 213=-=I ； A 31X -=--=I I V 155X -=⋅=I U V 253245X X -=⨯--⋅=I U