第一章 思考题与习题
1.1. 半导体材料都有哪些特性？为什么电子有源器件都是由半导体材料制成
的？
1.2. 为什么二极管具有单向导电特性？如何用万用表判断二极管的好坏？ 1.3. 为什么不能将两个二极管背靠背地连接起来构成一个三极管？ 1.4. 二极管的交、直流等效电阻有何区别？它们与通常电阻有什么不同？ 1.5. 三极管的放大原理是什么？三极管为什么存在不同的工作状态？ 1.6. 如图P1-1(a)所示的三极管电路，它与图P1-1(b)所示的
二极管有何异同？
1.7.稳压二极管为何能够稳定电压？
1.8.三极管的交、直流放大倍数有何区别？共射和共基电
流放大倍数的关系是什么？
1.9.三极管的输入特性和输出特性各是什么？
1.10. 如图P1-2所示，设I S ＝10－11A ，U T ＝26mV ，试计算
u i =0，0.3V ，0.5V ，0.7V 时电流I 的值，以及u i =0.7V 时二极管的直流和交流等效电阻。 解：
由I= I S *(exp(U i / U T )-1) 当U i =0时，I=0；
当U i =0.3V 时，I=1.026×10－6A ； 当U i =0.5V 时，I=2.248×10－3A ； 当U i =0.7V 时，I=4.927A ； 直流等效电阻R= U i /I = 0.7V/4.927A = 0.142 Ω
∵exp(U i / U T )>>1
∴交流等效电阻R d = 26/I = 26/4927 = 5.277×10－3 Ω
(a)
(b)
图
P1-1
图P1-2
u i D
i
1.11. 电路如图P1-3所示，二极管导通电压U D ＝0.7V ，
U T ＝26mV ，电源U ＝3.3V ，电阻R ＝1k Ω，电容C 对交流信号可视为短路；输入电压u i 为正弦波，有效值为10mV 。试问二极管中流过的交流电流有效值为多少？
解：U ＝3.3V>>100mV ，
I ＝（U －U D ）/R ＝ (3.3－0. 7)/1k = 2.6 mA 交流等效电阻：R d = 26/I = 10 Ω 交流电流有效值：Id = Ui/Rd = 1 mA
1.1
2. 图P1-4(a)是由二极管D 1、D 2组成的电路，二极管的导通电压U D ＝0.3V 、
反向击穿电压足够大，设电路的输入电压u 1和u 1如图P1-4(b)所示，试画出输出u o 的波形。
解：
1.13. 如图P1-5
想二极管(U BR =∞ )解：
t
t
图P1-4(a)
图P1-4(b)
＋
u u o
u
图P1-3
u i D U
t
1.14. 如图P1-6所示电路，设稳压二极管导通电压U D =0.7V ，D 1稳压值U Z1＝
6.3V ，D 2稳压值U Z2＝3.3V ，试计算： 1. 当输入电压U i ＝
12V 时，输出U o 的值。 2. 当输入电压U i ＝6V 时，输出U o 的值。 3. 当输入电压U i ＝3V 时，输出U o 的值。
解：
(a) 1．D2反向导通，D1正向导通，U o = U Z2＋U D ＝ 4V
2. U o = U Z2＋U D ＝
4V
3. U i ＝3V 时，D2反向不导通，U o = 3V
(b) 1. D1、D2均反向导通，U o = U Z2＋U Z1 ＝ 9.6 V
2.
反向不导通，U o = 6V 3. U o = 3V
(c) 1. D1、D2均正向导通，U o = U D ＋U D ＝ 1.4 V 2. U o = U D
＋U D ＝ 1.4 V
3. U o = U D ＋U D ＝ 1.4 V
(d) 1. D2反向导通，D1 不导通， U o = 3.3 V 2. D2反向导通，D1 不导通，U o = 3.3 V
3．D1、D2均不导通，U o = 3V
1.15. 如图P1-7(a)所示电路，设稳压二极管导通电压U D =0.7V ，稳压值U Z ＝
3.3V ，输入电压波形如图P1-7(b)所示，试画出输出u o 的波形。
t R 图P1-6
R R R R (a) (d)
(c)
(b)
解：
1.16. 根据图P1-8各电路中所测的电压值判断三极管的工作状态（放大、饱和、
截止和损坏）。
解：(a)发射极正偏压，集电极反偏压，I C 不为零，是放大状态；
(b)发射极正偏压，集电极正偏压0.4V ，为饱和状态；
(c)发射极正偏压，集电极反偏压，I C 为零，而I E 和I B 不为零，损坏状态； (d)发射极正偏压，集电极反偏压，但I C 和I B 为零，损坏状态； (e)发射极无偏压，集电极反偏压，为截止状态； (f)发射极正偏压，集电极反偏压，为放大状态。 1.17. 某三极管的输出特性曲线如
图P1-9所示，试确定该三极管的直流和交流放大倍数。 解：直流放大倍数=I C /I B =100 交流放大倍数=i C /i B =100
(a)
图P1-8
(d)
(e) (f)
CE I (mA)
图P1-9
t
1.18. 根据图P1-10电路中所测的电压值，试分别计算三极管的基极电流I B 、集
电极电流I C 和放大倍数β值。 解： (a) I B = (2-0.7)V/43K =30 uA I C =(12-6)/2 =3 mA
β= I C /I B = 100
(b) I E = (0+1.01) /1 =1.01 mA
I C =(-5+10)/5 =1 mA
β= I C /I B = I C /(I E –I C ) =100
(a)
图P1-10
第二章 思考题与习题
2.1什么是放大？电子电路中为什么要放大？
2.2什么是共射、共基、共集放大电路？它们之间有何不同？ 2.3什么是直流等效电路？什么是交流等效电路？二者有何区别？
2.4什么是放大电路的图解分析法？什么是等效电路分析法？它们各适用何种情况？
2.5放大电路的分析原则是什么？为什么必须先分析放大电路的静态工作特性？
2.6放大电路的为什么要设置静态工作点？它对放大电路的特性有何影响？ 2.7 什么是直流负载线？什么是交流负载线？二者有何区别？
2.8什么是直接耦合放大电路？什么是阻容耦合放大电路？它们各有什么特点？
2.9什么是截止失真？什么是饱和失真？主要原因是什么？
2.10 图图P2-1(a)所示电路(β值、各电容足够大),当R b1=15.6k Ω、R b2=5k Ω、
R b3=3.4k Ω、R E =500Ω、R C =2.5k Ω时，其工作点如图P2-1(b)中Q 1所示，如何调整R b1和R C 使工作点由Q 1变到Q 2，调整后的R b1和R C 各为多少？
解：Q2: U EQ = R E *I E = 500Ω*4mA=2V
U BQ = U EQ +0.7V =2.7V
U BQ = 12V* R b3/ (R b1 +R b2 +R b3) =3.4*12/(R b1+5+3.4) = 2.7V 故R b1 = 6.7 k Ω
又U CEQ =6V=12-4*(R C +0.5) 得R C =1 (K Ω)
2.11基本阻容耦合放大电路及三极管输出特性曲线如图P2-2所示，三极管发
图P2-1(a)
图P2-1(b)
CE
射极的导通电压U D =0.7V 、β＝100，V CC =12V ，R b =282k ，R C =R L =1.5k ，各电容值足够大，试计算工作点、画出直、交流负载线。 解：I BQ ＝(V CC －U BE ) / R B = (12-0.7)/282k= 40 uA
I CQ =β*I BQ = 4 mA
U CEQ = V CC - I CQ * R C =12 – 4*1.5 = 6V 直流负载线: U CE = V CC - I C * R C 交流负载R 'L ＝R C ‖R L =1.5/2 =750Ω 交流负载线: u CE = U CEQ + I CQ * R 'L - i C * R 'L 如图，斜率大的为交流负载线。
2.12如图P2-3(a)所示的电路，试问
1. 如果观测到的输出电压波形如图(b)所示，则该失真为何种失真？主要由何种原因造成的？如何调整R b1来解决？
2. 如果观测到的输出电压波形如图(c)所示，则该失真为何种失真？主要由何种原因造成的？如何调整R b1来解决？
解：图(b)中电压顶部削平，相当于电流底部削平，是截止失真。原因是静态
工作点太低，应增大I B ，即减小R b1；
图(c)中电压底部削平，相当于电流顶部削平，是饱和失真。原因是静态工作点太高，应减小I B ，即增大R b1；
图P2-2
(a)
(b)
+u R L
CE i (mA)
2.13设如图P2-4(a)所示的放大电路，R b =200k Ω，R C =2k Ω，U D =0.7V ，β＝100，V CC =12V ，V BB =2.7V ，各电容值足够大，输入、输出特性曲线分别如图P2-4(c)、(d)所示，试
1. 计算静态工作点，画出负载线
2. 画出中频交流等效电路
3. 设输入电压u i 如图P2-4(b)所示，试用图解法画出输出u o 的波形
4. 输出主要产生何种失真，如何改善
解：1. I BQ ＝(V BB －U BQ ) / R b ＝(2.7－0.7) / 2 ＝10 uA
I CQ =β*I BQ = 1 mA
U CEQ = V CC - I CQ * R C =12 – 1*2 = 10V 2. 中频交流等效电路
图P2-3
CC
t
u
t
(a)
+u
图P2-4(a)
图P2-4(b)
+u
3.
4. 输出主要产生截止失真，
应增大静态工作电流I BQ ，即增大V BB ，或减小R b 。
2.14设在图P2-5(a)所示电路中，三极管的输出特性曲线如P2-5(b)所示，R S =500Ω，R b1=9.3k ，R b2=2.7k ，r bb ' =100Ω，V CC =12V ，R E1=100Ω，R E =400Ω，R C =1.5k ；三极管的导通电压U D =0.7V 、β=100。试 1. 计算静态工作点、画出直、交流负载线。 2. 画出该电路的h 参数等效电路
3. 计算电压放大倍数A u 、源电压放大倍数A
S 、输入电阻R i 、输出电阻R o
解：1. U BQ ＝V CC * R b2/( R b1+R b2) ＝12 * 2.7/( 9.3+2.7)＝2.7 V
U EQ ＝U BQ －U BEQ ＝2 V
I CQ ≈I EQ = U EQ / ( R E1+R E2) = 2 / ( 100+400) = 4mA I BQ ＝I CQ /β=40uA
图P2-5(a) 图P2-5(b)
R L
CE i (mA)
U CEQ ＝V CC －I CQ * R C －U EQ = 12－4*1.5－2 = 4V 直流负载线: U CE = V CC - I C * (R E1 +R E2 +R C ) 交流负载R 'L ＝R C +R E1 =1.5+0.1 =1.6k Ω 交流负载线: u CE = U CEQ + I CQ * R 'L - i C * R 'L
如图，斜率大的为交流负载线。
2. h 参数等效电路
3. R b = R b1|| R b2=9.3|| 2.7≈2.09 k Ω r be = r bb ' + 26/ I BQ =100+26/0.04 = 750Ω
R i = R b ||{r be +(1+β) R E1} = 2.09||{0.75+101*0.1} =1.75k Ω R o = R C = 1.5k
A u = u o /u i = －βR C /[r be +(1+β) R E1] = －100*1.5/10.85 ≈-13.8 u i = u S * Ri / (Rs + Ri )
A S =u o /u S = u o /u i * u i /u S =A u * Ri / (Rs+
Ri )=-13.8*1.75/(0.5+1.75)=-10.75 2.15 在图图P2-6所示的直接耦合
放大电路中，三极管发射极的导通 电压U D =0.7V 、β＝100，r bb ' =100Ω， V CC =12V ，R b1=15.91k ，R b2=1k Ω， R C =4k Ω，R L =12k Ω，试 1. 计算静态工作点
2. 画出该电路的h 参数等效电路
3. 计算电压放大倍数A u 、输入电阻R i 、 输出电阻R o
图P2-6
R L
i B
u o
＋
－
o i C
解：1. U BEQ ＝U D ＝0.7 V
I BQ ＝(V CC －U BEQ ) / R b1 －U BEQ / R b2＝(12－0.7)/15.91－0.7/1 =10 uA I CQ = I BQ *β= 1 mA
U CEQ ＝V CC －I CQ * R C ＝6 V 2. h 参数等效电路
3. r be = r bb ' + 26/ I BQ =100+26/0.01 = 2700 Ω A u = u o /u i = －β(R C ‖R L ) /r be = 100*3/2.7 ≈－111 R i = r be ‖R b1 = 2.7‖15.91 ≈ 2.3 k Ω
R o = R C = 4 k Ω
2.16##在图图P2-7所示的直接耦合共集放大电路中，三极管发射极的导通电压U D =0.7V 、β＝99，R bb ' =100Ω，V CC =12V ，R b1=4k ，R b2=5k Ω，R E =100Ω，R L =1.4k ，试 1. 计算静态工作点
2. 画出该电路的h 参数等效电路
3. 计算电压放大倍数A u 、输入电阻R i 、 输出电阻R o
解：1. U BEQ ＝U D ＝0.7 V
U B ＝(V CC －U BEQ )/( R b2 /( R b1+ R b2) ) ＝(12－0.7)/(12.6/(10+12.6)) ≈6.7V
I EQ = (U B －U BEQ )/ (R E +R L ) = 4 mA I BQ ＝I EQ /(1+β) ＝4/(1+99) ＝0.04mA
U CEQ ＝V CC －I EQ * (R E +R L )＝12－4*1.5 = 6V
图P2-7
CC
R L
i B
u o
－
＋
i
o
i C
2. h 参数等效电路
3. r be = r bb ' + 26/ I BQ =100+26/0.04 = 750 Ω R i = R b1‖[ r be +(1+β)*( R L + R E )] = 10‖(0.75+100*1.5) =9.38 k Ω A u = u o /u i = (1+β)*R L /[r be +(1+β)*( R L + R E )]=101*1.4/(0.75+100*1.5) =0.93
R o = R E +( r be + R b1‖R b2) /(1+β) = 0.1+(0.75+4‖5) /100≈130 Ω
2.17 图P2-8所示的阻容耦合共集放大电路中，
V CC =12V ，R S =1k Ω，R b =530k Ω，R E
R L =6k Ω；三极管的导通电压U D =0.7V ，r bb '=400Ω，β=99。试 1. 计算静态工作点
2. 画出该电路的h 参数等效电路
3. 计算电压放大倍数A u 、源电压放大倍数A S 、输入电阻R i 、输出电阻R o 解：1. V CC ＝I BQ * R B +U BEQ +(1+β) *I BQ * R E
I BQ = (Vcc-U BEQ )/{ R B +(1+β) R E }＝(12－0.7) / (100*6+530) ＝10 uA I EQ = I BQ *(β+1)≈1 mA
U CEQ ＝V CC －I EQ * R
E ＝12－1*6 = 6 V 2. h 参数等效电路
3. r be = r bb ' + 26/ I BQ =400 + 26/0.01 = 3 k Ω
R 'i = r be +(1+β)*( R L ‖R E ) = 3 + 100*(6‖6) =303 k Ω
图P2-8
R L
i B
r be i
o
i R E
i B
r be
i
o
R i = R b ||R 'i = 530||303 k Ω≈193 k Ω
A u = u o / u i = (1+β)*( R L ‖R E ) / R 'i = 100*3 / 303 = 0.99
A s = u o /u S = u o /u i *u i /u S = A u * R i /(R S + R i ) = 0.99 *193/(1+193) =0.985
R o = R E ||(r be + R b ‖R S ) /(1+β) =6||(3 + 530‖1)/101≈40Ω
2.18 图P2-9所示的共基放大电路中，V CC =12V ，稳压管D 1的稳压值U Z1=3V ，
D 2的稳压值U Z2=3.9V ，设稳压管的交流等效电阻为0，R
E =200Ω，R C =3k Ω，r be =1.3k Ω，β=100。试 1. 计算静态工作点
2. 画出该电路的h 参数等效电路
3.计算电压放大倍数A u 、输入电阻R i 、输出电阻R o
解：1. U BQ = U Z2 ＝3.9 V
U EQ = U BQ －U BEQ ＝3.2 V I EQ ＝(U EQ －U Z1)/R E ＝(3.2－3)/0.2 =1 mA I BQ ≈ I EQ /β= 10 uA
U CQ = V CC －I CQ * R C ≈12－1*3 = 9 V
U CEQ ＝U CQ －U EQ ＝9－3.2 = 5.8 V 2. h 参数等效电路
3. r eb = r be / (1+β) = 1.3/ 101 = 12.9 Ω R i = R E + r eb = 212.9 Ω R o = R C = 3 k Ω
A u = u o /u i =β* R C /[ r be +(1+β) *R E ] = 100*3000 / [1.3+101*212.9] ≈
14
图P2-9
+
－ u i
CC
D
i o
第三章思考题与习题
3.1.什么是低通电路？什么是高通电路？如何用波特图来描述它们的频率特
性？
3.2.三极管的高频放大倍数下降的原因是什么？
3.3.什么是三极管的截止频率？什么是三极管特征频率？二者有何关系？
3.4.高频混合π等效电路各参数的物理意义是什么？它们与三极管的工作电压、
电流有何关系？
3.5.影响放大电路的高频特性的因素是什么？影响放大电路的低频特性的因素
是什么？
3.6.放大电路如图P3-1所示，设三极管VT的r bb’=100
Ω、β0＝100、fβ=4.5MHz、C ob=3pF、导通电压
U D＝0.7V，V CC＝12V，R b1=15.69kΩ、R b2=1kΩ、
R
C
=3kΩ，试
1. 计算静态点
2. 画出单向化后高频混合π等效电路
3. 计算该电路的频率特性、画出波特图
解：1. I BQ =(V CC- U D)/R b1- U D * R b2=(12-0.7)/15.69-0.7=20 uA
I CQ =β0*I BQ=2 mA
U CEQ=V CC-I CQ*R C=12-2*3=6V
2. g m=I CQ/26=0.077 S
r b'e=26β0/ I CQ =2600/2=1300Ω
r be= r b'e + r bb' =1400Ω
略去U CEQ对C b'c的影响得C b'c = C ob=3pF
C b'e = g m/2πβ0*fβ- C b'c =770/2π*4.5-3=24.23 pF
C M =(1+ g m*R C)* C b'c =(1+0.077*3000)*3=695 pF
单向化后高频混合π等效电路图P3-1
CC
i C
r bb'
i
3. R i = R b1//r be = 15.69//1.4 =1.285 k Ω
A usm = u o /u S = u o /u i * u i /u S =- R i /( R b1+R i ) β0 *R C / r be =-1.285 100 * 3/1.4/2.285=-120
R '= r b 'e //(r bb '+ R b1//R b2) = 1.3//(0.1+1||15.69) =578Ω
f H = 1/2π R '( C b 'e +C M )= 383 kHz
A uS = A usm /(1+jf/f H )
3.7. 放大电路如图P3-2所示，设三极管的r bb ’=100
Ω、r b 'e =1.3k Ω、C '=C b 'e +C M =240pF 、β0＝100导通电压U D ＝0.7V ，V CC ＝12V ，C=10uF ，R B =15.69k Ω，R S =1k Ω，R C =R L =3k Ω，试 1. 计算静态点
2. 画出该电路的单向化后高频混合π等效电路
3. 计算该电路的低频放大倍数、频率特性，画出波特图
解：1. I BQ =(V CC - U D )/R b - U D / R S =(12-0.7)/15.69-0.7=20 uA
I CQ =β0*I BQ =2 mA
U CEQ =V CC -I CQ *R C =12-2*3=6V
2. g m =I CQ /26=0.077s r be = r b 'e + r bb ' =1.4 k Ω
单向化后高频混合π等效电路
－
+
-
u o
图
P3-2
20lg|A uS | (dB)
3. R i = R b ‖r be = 15.69||1.4 =1.285 k Ω
A usm = u o /u S = u o /u i * u i /u S =- R i /( R S +R i ) β0 * R L //R C / r be =-1.285 100 * 3//3/1.4/2.285=-60
R '= r b 'e ‖(r bb '+ R S ||R b ) = 1.3‖(0.1+1||15.69) =578 Ω f H = 1/2π R ' C '= 1/2π 578*240*10-12 = 1.147 MHz f L = 1/2π (R C + R L ) C= 1/2π 6k*10*10-6 = 2.65 Hz
A uS = A usm /[(1+jf/f H ) (1+jf L /f)]
3.8. 在如图P3-3所示的阻容耦合放大电路中，三极
管发射极的导通电压U D =0.7V 、r bb '=200Ω、β
0＝100、C ob =4pF 、f T =100MHz ，V CC =12V ，
R b =565k ，R S =1k ，R C =3k ，电容C ＝10uF ，试:
1. 计算工作点
2. 计算截止频率f L 、f H 及源电压放大倍数A S ，画出波特图
+u
图P3-3
r bb '
i
i C
f
φ f
20lg|Au S | (dB)
41.5
3. 计算通频带B w
解：1. I BQ =(V CC - U D)/R b=(12-0.7)/565=20 uA
I CQ =β0*I BQ=2 mA
U CEQ=V CC -I CQ*R C=12-2*3=6V
2. r b'e=26β0/ I CQ =2600/2=1.3 kΩ
g m=I CQ/26=0.077s
C b'e = g m/2πf T - C b'c =770/2π-4=120 pF
C M =(1+ g m*R C) * C b'c =(1+0.077*3000)*4=928 pF
R i = R b‖r be = 565||1.4 =1.4 kΩ
A usm= u o/u S= u o/u i* u i/u S=- R i/( R S+R i) β0 *R C/ r be
=-1.4 100 * 3/1.4/2.4=-125
R'= r b'e‖(r bb'+ R S||R b) = 1.3‖(0.1+1||565) =596 Ω
f H = 1/2π R' (C b'e+ C M) = 1/2π 596*1048*10-12 = 255 kHz
f L = 1/2π (R S+ R i) C= 1/2π 2.4k*10*10-6 = 6.63 Hz
A uS= A usm/[(1+jf/f H) (1-jf L/f)]
3. B w = f H - f L=255kHz f
φf
20lg|A S| (dB) 42
第四章 思考题与习题
4.1. 结型场效应管和MOS 场效应管的转移特性的特点是什么？与晶体三极管
的转移特性的主要区别是什么？
4.2. 场效应管放大电路为什么可以自生偏置？ 4.3. 如图P4-1所示的结型场效应管电路
中，R g ＝1M Ω、R S ＝R SI ＝1k Ω、R D ＝5k Ω、R L ＝10k Ω、V DD ＝12V 、U GS(off)=-4V 、I DSO =3mA ，试 1. 分析静态工作特性
2. 计算该电路的电压放大倍数、输入和输出电阻
解：1. I D =I DSO (1-U GS /U GS(off))2 U GS = -I D *R S
= -I D
.I D =3*(1- I D /4)2
I D1=4/3mA ，I D2=12mA （舍去） 得I DQ =4/3mA
U GSQ = - I DQ *R S = -4/3V
U DSQ =V DD -I DQ (R D +R S )=12-8=4V
2. g m = -2 I DSO (1-U GSQ /U GS(off))/ U GS(off)= 2*3(1-1/3)/ 4=1mA/V A u =u o /u i =-g m (R D ║R L ) =-10/3=-
3.33 Ri= R g ＝1M Ω
Ro= R D ＝5k Ω
4.4. 如图P4-2所示的结型场效应管电路中，R g
＝1M Ω、R S ＝400Ω、V DD ＝12V 、U GS(off)=-4V 、I DSO =10mA ，试 1. 分析静态工作特性
2. 计算该电路的电压放大倍数、输入和输出电阻
解：1. I D =I DSO (1-U GS /U GS(off))2
U GS =-I D *R S = -0.2I D
图P4-1
+
o 图P4-2
.I D =10*(1 - I D /10)2
I D1=3.82 mA ，I D2=26.2 mA （舍去） 得I DQ =3.82 mA
U GSQ = - I DQ *R S =-3.82 *0.4=-1.53V U DSQ =V DD -I DQ *R S =12-1.53=10.47V
2. g m =-2 I DSO (1-U GSQ /U GS(off))/ U GS(off)= 2*10(1-1.53/4)/4=
3.09mA/V A u =u o /u i =-g m *U GS *R S /( U GS + g m *U GS *R S )=3.09*0.4/(1+3.09*0.4)=0.55 R i = R g ＝1M Ω R o = R S ║1/g m ＝179Ω
4.5. 在图P4-3所示的放大电路中，设R g1
＝14k Ω、R g2＝10k Ω、R g3＝3M Ω、R S ＝1k Ω、R D ＝5k Ω、R L ＝10k Ω、V DD ＝12V 、U GS(th)=2V 、U GSX =6V 、I DSX =4mA ，各电容值足够大，试 1. 分析静态工作特性
2. 计算该电路的电压放大倍数、输入和输出电阻
解：1. I D =I DSX {1-(U GSX -U GS ) /( U GSX -U GS(th))}2 U GS =U G -I D *R S
U G = R g2/ (R g1 +R g2)*V DD = 10/ (10 +14)*12=5V I D =4{1- (1+I D )/4}2
I D1=1 mA I D2=9 mA （舍去） 得I DQ =1 mA
U GSQ = U G - I DQ *R S = 5 - 1=4 V U DSQ =V DD -I DQ (R D +R S )=12-6=6 V
2. g m =2I DSX {1-(U GSX -U GSQ )/( U GSX -U GS(th))}/(U GSX -U GS(th)) =2*4{1-2/4}/4=1mA/V
A u =u o /u i =-g m (R D ║R L ) =- 5║10=3.33
Ri= R g3+ R g1║R g2=3 M Ω
R o = R D ＝5k Ω
图P4-3
第五章 思考题与习题
5.1. 什么是放大电路的开环增益和闭环增益？ 5.2. 什么是反馈？什么是正反馈？什么是负反馈？ 5.3. 放大电路的有哪四种组态？如何判断？
5.4. 串联和并联负反馈对放大电路的输入电阻有何影响？它们各适合哪种输
入信号形式？
5.5. 电压和电流负反馈对输出电阻有何影响？它们稳定了什么输出量？ 5.
6. 什么是放大电路的虚短路和虚开路？条件是什么？
5.7. 负反馈放大电路满足深负反馈条件时，闭环放大倍数有何特点？ 5.8. 负反馈对放大电路的性能都有何影响？
5.9. 试判断图P5-1中各电路所引入的反馈组态，设各电容对交流信号视为短
路。
答：(a) 电压串连负反馈 .(b) 电流并联负反馈 (c) 电流串连负反馈 (d) 电压并联负反馈 (e) 电流串连负反馈
(a) +u R R
V CC +
o
(b) +u R V CC
+
o －
(c) V CC
o +
－
图P5-1
(d) +
u R V CC
o +
(e)
CC o
+ －
. 数字电子技术基础期末考试试卷 一、填空题 1. 时序逻辑电路一般由 和 两分组成。 2. 十进制数（56）10转换为二进制数为 和十六进制数为 。 3. 串行进位加法器的缺点是 ，想速度高时应采用 加法器。 4. 多谐振荡器是一种波形 电路，它没有稳态，只有两个 。 5. 用6个D 触发器设计一个计数器，则该计数器的最大模值M= 。 二、化简、证明、分析综合题： 1．写出函数F (A,B,C,D) =A B C D E ++++的反函数。 2．证明逻辑函数式相等：()()BC D D B C AD B B D ++++=+ 3．已知逻辑函数F= ∑（3,5,8,9，10，12）+∑d(0,1,2) （1）化简该函数为最简与或式： （2）画出用两级与非门实现的最简与或式电路图： 4．555定时器构成的多谐振动器图1所示，已知R 1=1K Ω，R 2=8.2K Ω，C=0.1μF 。试求脉冲宽度 T ，振荡频率f 和占空比q 。 ………………………密……………………封…………………………装…………………订………………………线……………………… 系别 专业（班级） 姓名 学号
图1 5．某地址译码电路如图2所示，当输入地址变量A7-A0的状态分别为什么状态 时，1Y 、6Y 分别才为低电平（被译中）。 图2 6．触发器电路就输入信号的波形如图3所示，试分别写出D 触发器的Q 和Q1的表达式，并画出其波形。 图3 ………………封…………………………装…………………订………………………线………………………
D= Q n+1= Q1= 7. 已知电路如图4所示，试写出: ①驱动方程； ②状态方程； ③输出方程； ④状态表； ⑤电路功能。图4 三、设计题：（每10分，共20分） 1．设计一个三变量偶检验逻辑电路。当三变量A、B、C输入组合中的“1”的个数为偶数时F=1，否则F=0。选用8选1数选器或门电路实现该逻辑电路。要求： （1）列出该电路F(A,B,C)的真值表和表达式； （2）画出逻辑电路图。 2．试用74161、3-8译码器和少量门电路，实现图5所示波形VO1、VO2，其中CP为输入波形。要求： （1）列出计数器状态与V01、V02的真值表；
电子电路基础知识 电路基础知识(一) 电路基础知识（1）——电阻 导电体对电流的阻碍作用称着电阻，用符号R表示，单位为欧姆、千欧、兆欧，分别用Ω、KΩ、MΩ表示。 一、电阻的型号命名方法： 国产电阻器的型号由四部分组成（不适用敏感电阻） 第一部分：主称，用字母表示，表示产品的名字。如R表示电阻，W表示电位器。 第二部分：材料，用字母表示，表示电阻体用什么材料组成，T-碳膜、H-合成碳膜、S-有机实心、N-无机实心、J-金属膜、Y-氮化膜、C-沉积膜、I-玻璃釉膜、X-线绕。 第三部分：分类，一般用数字表示，个别类型用字母表示，表示产品属于什么类型。1-普通、2-普通、3-超高频、4-高阻、5-高温、6-精密、7-精密、8-高压、9-特殊、G-高功率、T-可调。 第四部分:序号，用数字表示，表示同类产品中不同品种，以区分产品的外型尺寸和性能指标等例如：R T 1 1型普通碳膜电阻a1} 二、电阻器的分类 1、线绕电阻器：通用线绕电阻器、精密线绕电阻器、大功率线绕电阻器、高频线绕电阻器。 2、薄膜电阻器：碳膜电阻器、合成碳膜电阻器、金属膜电阻器、金属氧化膜电阻器、化学沉积膜电阻器、玻璃釉膜电阻器、金属氮化膜电阻器。 3、实心电阻器：无机合成实心碳质电阻器、有机合成实心碳质电阻器。
4、敏感电阻器：压敏电阻器、热敏电阻器、光敏电阻器、力敏电阻器、气敏电阻器、湿敏电阻器。 三、主要特性参数 1、标称阻值：电阻器上面所标示的阻值。 2、允许误差：标称阻值与实际阻值的差值跟标称阻值之比的百分数称阻值偏差，它表示电阻器的精度。 允许误差与精度等级对应关系如下：±0.5%-0.05、±1%-0.1(或00)、±2%-0.2(或0)、±5%-Ⅰ级、±10%-Ⅱ级、±20%-Ⅲ级 3、额定功率：在正常的大气压力90-106.6KPa及环境温度为－55℃～＋70℃的条件下，电阻器长期工作所允许耗散的最大功率。 线绕电阻器额定功率系列为（W）：、、、、1、2、4、8、10、16、25、40、50、75、100、150、250、500 非线绕电阻器额定功率系列为（W）：、、、、1、2、5、10、25、50、1004、额定电压：由阻值和额定功率换算出的电压。 5、最高工作电压：允许的最大连续工作电压。在低气压工作时，最高工作电压较低。 6、温度系数：温度每变化1℃所引起的电阻值的相对变化。温度系数越小，电阻的稳定性越好。 阻值随温度升高而增大的为正温度系数，反之为负温度系数。 7、老化系数：电阻器在额定功率长期负荷下，阻值相对变化的百分数，它是表示电阻器寿命长短的参数。 8、电压系数：在规定的电压范围内，电压每变化1伏，电阻器的相对变化量。
《数字信号处理》课程教学大纲 一、课程编号：1100020 二、课程名称：数字信号处理 ( 64学时) Digital Signal Processing 三、课程教学目的 数字信号处理是现代信息处理和传输的基础课程之一，已经成为信号和信息处理、通信和电子、计算机科学和技术等专业的学生需要学习和掌握的基本知识。 本课程以离散时间信号与系统作为对象，在介绍经典理论的基础上，适当引入了现代信号处理的理论与方法以及Matlab仿真分析软件。通过本课程的学习，使得学生能够掌握确定性离散时间信号的频谱分析原理及快速实现方法，数字滤波器的设计及实现方法。使学生能够利用计算机技术来进行数字信号的处理，并根据实际需要分析、设计数字滤波系统。 本课程是进一步学习数字通信、图像处理、随机数字信号处理、无线通信、多媒体通信等专业课程的先修课程。 四、课程教学基本要求 1．掌握离散时间信号和系统的基本标识方法 2．掌握离散时间系统的基本特性、Z变换以及离散时间信号的傅立叶变换（DTFT） 3．掌握离散傅立叶变换（DFT）以及离散傅立叶变换的快速算法（FFT） 4．掌握数字滤波器的设计方法和结构 5．了解多速率信号处理的基本内容 五、教学内容及学时分配（含实验） 理论教学（56学时） 1．绪论2学时数字信号处理的特点、实现和应用 Matlab简介 2．离散时间系统的基本特性及流图10学时抽样与重建 离散系统及其普遍关系 信号流图及Mason公式 离散时间信号的傅立叶变换 Z变换及Z反变换（留数法）
Z变换与拉普拉斯、傅立叶变换的关系 离散系统的频域分析 3．离散傅立叶变换及其快速实现14学时DFS的定义及性质 DFT的定义、性质及应用 基2时间抽选法FFT 基2频率抽选法FFT 基4时间抽选法FFT IDFT的快速算法 FFT应用（线性卷积的快速计算、CZT变换） 4．IIR数字滤波器的设计和实现12学时滤波器概述 模拟滤波器的设计 模拟滤波器的数字仿真 冲激响应不变法和双线性变换法的设计 IIR滤波器的频率变换设计 IIR数字滤波器的计算机辅助设计 IIR 滤波器的实现结构 5．FIR数字滤波器的设计10学时线性相位FIR滤波器的条件和特性概述 窗函数法 频率取样法 FIR数字滤波器的优化设计 FIR数字滤波器的实现结构 6．多速率信号的处理基础8学时抽取和内插的时域和变换域描述 抽取滤波器和内插滤波器 多相分解 正交镜像滤波器组 双通道滤波器组 实验教学（8学时）
电子电路基础知识点总结 1、 纯净的单晶半导体又称本征半导体，其内部载流子自由电子空 穴的数量相等的。 2、 射极输出器属共集电极放大电路，由于其电压放大位数约等于 1，且输出电压与输入电压同相位，故又称为电压跟随器 （ 射极跟随器 ）。 3、理想差动放大器其共模电压放大倍数为 0,其共模抑制比为乂。 般情况下，在模拟电器中，晶体三极管工作在放大状态，在 数字电器中晶体三极管工作在饱和、截止状态。 限幅电路是一种波形整形电路， 因它削去波形的部位不同分为 4、 5、 上限幅、 下限幅和双向限幅电路。 6、 主从 JK 触发器的功能有保持、计数、置 0、置 1 。 7、 多级放大器的级间耦合有阻容耦合、直接耦合、变压器耦合。 8、 带有放大环节串联稳压电路由调整电路、基准电路、取样电路 和比较放大电路分组成。 9、 时序逻辑电路的特点是输出状态不仅取决于当时输入状态，还 与输出端的原状态有关。 10、 当PN 结外加反向电压时，空间电荷区将变宽。反向电流是由 少数载流子形成的。
11、 半导体具有热敏性、光敏性、力敏性和掺杂性等独特的导电 特性。 12、 利用二极管的单向导电性，可将交流电变成脉动的直流电。 13、 硅稳压管正常工作在反向击穿区。在此区内，当流过硅稳压 管的电流在较大范围变化时，硅稳压管两端的电压基本不变。 电容滤波只适用于电压较大，电流较小的情况，对半波整流 电路来说，电容滤波后，负载两端的直流电压为变压级次级电压的 倍，对全波整流电路而言较为倍。 15、处于放大状态的NPN 管，三个电极上的电位的分布必须符合 UC>UB>UE 而PNP 管处于放大状态时，三个电极上的电位分布须符合 UE>UE>UC 总之，使三极管起放大作用的条件是：集电结反偏，发射 结正偏。 16、 在 P 型半导体中，多数载流子是空穴，而 N 型半导体中，多 数载流子是自由电子。 晶体管放大器设置合适的静态工作点，以保证放大信号时， 三极管应始终工作在放大区。 般来说，硅晶体二极管的死区电压大于锗管的死区电压。 14、 17、 二极管在反向截止区的反向电流基本保持不变。 18、 当环境温度升高时，二极管的反向电流将增大。 19、 20、
《数字电子技术》习题 一. 单项选择题： 1．十进制数128的8421BCD码是（）。 A.10000000 B. 000100101000 C.100000000 D.100101000 2.已知函数F的卡诺图如图1-1, 试求其最简与或表达式 3. 已知函数的反演式为 ，其原函数为（）。 A． B． C． D． 4．对于TTL数字集成电路来说，下列说法那个是错误的：（A）电源电压极性不得接反，其额定值为5V； （B）不使用的输入端接1； （C）输入端可串接电阻，但电阻值不应太大； （D）OC门输出端可以并接。 5．欲将正弦信号转换成与之频率相同的脉冲信号，应用 A.T，触发器 B.施密特触发器 C.A/D转换器 D.移位寄存器 6．下列A/D转换器中转换速度最快的是（）。 A.并联比较型 B.双积分型 C.计数型 D.逐次渐近型 7. 一个含有32768个存储单元的ROM，有8个数据输出端，其地址输入端有（）个。 A. 10 B. 11 C. 12 D. 8
8.如图1-2，在TTL门组成的电路中，与非门的输入电流为I iL≤–1mA?I iH≤20μA。G1输出低电平时输出电流的最大值为 I OL(max)=10mA，输出高电平时最大输出电流为 I OH(max)=–0.4mA 。门G1的扇出系数是（）。 A. 1 B. 4 C. 5 D. 10 9.十数制数2006.375转换为二进制数是： A. 11111010110.011 B. 1101011111.11 C. 11111010110.11 D. 1101011111.011 10. TTL或非门多余输入端的处理是: A. 悬空 B. 接高电平 C. 接低电平 D.接”1” 二.填空题(每小题2分，共20分) 1.CMOS传输门的静态功耗非常小，当输入信号的频率增加时，其功耗将______________。 2. 写出四种逻辑函数的表示方法： __________________________________________________________ _____; 3.逻辑电路中,高电平用1表示,低电平用0表示,则称为___逻辑; 4. 把JK触发器改成T触发器的方法是_____________。 5. 组合逻辑电路是指电路的输出仅由当前的_____________决定。 6. 5个地址输入端译码器，其译码输出信号最多应有 _____________个。 7. 输入信号的同时跳变引起输出端产生尖峰脉冲的现象叫做 _____________。 8．一片ROM有10根地址线，8根数据输出线，ROM共有________个存储单元。 9．N个触发器组成的计数器最多可以组成_____________进制的计数器。 8. 基本RS触发器的约束条件是_____________。 三．电路分析题（36分）
电子电路基础知识 () 电平标准 下面总结一下各电平标准。和新手以及有需要的人共享一下^_^. 现在常用的电平标准有TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL、RS232、RS485等，还有一些速度比较高的LVDS、GTL、PGTL、CML、HSTL、SSTL 等。下面简单介绍一下各自的供电电源、电平标准以及使用注意事项。 TTL：Transistor-Transistor Logic 三极管结构。 VCC：5V；VOH>=2.4V；VOL<=0.5V；VIH>=2V；VIL<=0.8V。 因为2.4V与5V之间还有很大空闲，对改善噪声容限并没什么好处，又会白白增大系 统功耗，还会影响速度。所以后来就把一部分“砍”掉了。也就是后面的LVTTL。 LVTTL又分3.3V、2.5V以及更低电压的LVTTL(Low Voltage TTL)。 3.3V LVTTL： VCC：3.3V；VOH>=2.4V；VOL<=0.4V；VIH>=2V；VIL<=0.8V。 2.5V LVTTL： VCC：2.5V；VOH>=2.0V；VOL<=0.2V；VIH>=1.7V；VIL<=0.7V。 更低的LVTTL不常用就先不讲了。多用在处理器等高速芯片，使用时查看芯片手册就 OK了。 TTL使用注意：TTL电平一般过冲都会比较严重，可能在始端串22欧或33欧电阻；
TTL电平输入脚悬空时是内部认为是高电平。要下拉的话应用1k以下电阻下拉。TTL输出不能驱动CMOS输入。 CMOS：Complementary Metal Oxide Semiconductor PMOS+NMOS。 VCC：5V；VOH>=4.45V；VOL<=0.5V；VIH>=3.5V；VIL<=1.5V。 相对TTL有了更大的噪声容限，输入阻抗远大于TTL输入阻抗。对应3.3V LVTTL，出现了LVCMOS，可以与3.3V的LVTTL直接相互驱动。 3.3V LVCMOS： VCC：3.3V；VOH>=3.2V；VOL<=0.1V；VIH>=2.0V；VIL<=0.7V。 2.5V LVCMOS： VCC：2.5V；VOH>=2V；VOL<=0.1V；VIH>=1.7V；VIL<=0.7V。 CMOS使用注意：CMOS结构内部寄生有可控硅结构，当输入或输入管脚高于VCC 一定值(比如一些芯片是0.7V)时，电流足够大的话，可能引起闩锁效应，导致芯片的烧毁。 ECL：Emitter Coupled Logic 发射极耦合逻辑电路(差分结构) VCC=0V；Vee：-5.2V；VOH=-0.88V；VOL=-1.72V；VIH=-1.24V；VIL=-1.36V。 速度快，驱动能力强，噪声小，很容易达到几百M的应用。但是功耗大，需要负电源。 为简化电源，出现了PECL(ECL结构，改用正电压供电)和LVPECL。 PECL：Pseudo/Positive ECL VCC=5V；VOH=4.12V；VOL=3.28V；VIH=3.78V；VIL=3.64V LVPELC：Low Voltage PECL VCC=3.3V；VOH=2.42V；VOL=1.58V；VIH=2.06V；VIL=1.94V ECL、PECL、LVPECL使用注意：不同电平不能直接驱动。中间可用交流耦合、电阻网
电子电路基础知识点总结 1、纯净的单晶半导体又称本征半导体，其内部载流子自由电子空穴的数量相等的。 2、射极输出器属共集电极放大电路，由于其电压放大位数约等于1，且输出电压与输入电压同相位，故又称为电压跟随器（射极跟随 器）。 3、理想差动放大器其共模电压放大倍数为0,其共模抑制比为 4、一般情况下，在模拟电器中，晶体三极管工作在放大状态，在数字电器中晶体三极管工作在饱和、截止状态。 5、限幅电路是一种波形整形电路，因它削去波形的部位不同分为上限幅、下限幅和双向限幅电路。 6、主从JK 触发器的功能有保持、计数、置0、置 1 。 7、多级放大器的级间耦合有阻容耦合、直接耦合、变压器耦合。 8、带有放大环节串联稳压电路由调整电路、基准电路、取样电路和比较放大电路分组成。 9、时序逻辑电路的特点是输出状态不仅取决于当时输入状态，还与输出端的原状态有关。 10、当PN结外加反向电压时，空间电荷区将变宽。反向电流是由 少数载流子形成的
11、半导体具有热敏性、光敏性、力敏性和掺杂性等独特的导电 特性。 12、利用二极管的单向导电性，可将交流电变成脉动的直流电。 13、硅稳压管正常工作在反向击穿区。在此区内，当流过硅稳压管的电流在较大范围变化时，硅稳压管两端的电压基本不变。 14、电容滤波只适用于电压较大，电流较小的情况，对半波整流电路来说，电容滤波后，负载两端的直流电压为变压级次级电压的 1 倍，对全波整流电路而言较为 1.2 倍。 15、处于放大状态的NPN管，三个电极上的电位的分布必须符合UC>UB>UE而PNP管处于放大状态时，三个电极上的电位分布须符合 UE>UE>UC总之，使三极管起放大作用的条件是：集电结反偏，发射结正偏。 16、在P型半导体中，多数载流子是空穴，而N型半导体中，多数载流子是自由电子。 17、二极管在反向截止区的反向电流基本保持不变。 18、当环境温度升高时，二极管的反向电流将增大。 19、晶体管放大器设置合适的静态工作点，以保证放大信号时，三极管应始终工作在放大区。 20、一般来说，硅晶体二极管的死区电压大于锗管的死区电压。
Q 1 CP Q 1 Q 0 &&D 1D 0第一组： 计算题 一、（本题20分） 试写出图示逻辑电路的逻辑表达式，并化为最简与或式。 解：C B A B A F ++=C B A B A F ++= 二、（本题25分） 时序逻辑电路如图所示，已知初始状态Q 1Q 0＝00。 （1）试写出各触发器的驱动方程； （2）列出状态转换顺序表； （3）说明电路的功能； 解：（1）100Q Q D =，101Q Q D =； （2）00→10→01 （3）三进制移位计数器
三、（本题30分） 由集成定时器555组成的电路如图所示，已知：R 1＝R 2＝10 k Ω，C ＝5μF 。 （1）说明电路的功能； （2）计算电路的周期和频率。 解：（1）多谐振荡器电路 （2）T 1＝7s ， T 2＝3.5s 四、（本题25分） 用二进制计算器74LS161和8选1数据选择器连接的电路如图所示， （1）试列出74LS161的状态表； （2）指出是几进制计数器； （3）写出输出Z 的序列。 "1" 解： （1）状态表如图所示 （2）十进制计数器 C R R CC u o
（3）输出Z的序列是0010001100 第二组： 计算题 一、（本题20分） 逻辑电路如图所示，试答：1、写出逻辑式并转换为最简与或表达式，2、画出用“与”门及“或”门实现的逻辑图。 B 二、（本题25分） 试用与非门设计一个三人表决组合逻辑电路(输入为A、B、C，输出为F)，要求在A有一票决定权的前提下遵照少数服从多数原则，即满足：1、A=1时，F一定等于1，2、A、B、C中有两2个以上等于1，则输出F=1。 试：（1）写出表决电路的真值表； （2）写出表决电路的逻辑表达式并化简； （3）画出用与非门设计的逻辑电路图。
数字信号处理软件实验 MATLAB 仿真 2015年12月16日
实验一：数字信号的 FFT 分析 ● 实验目的 通过本次实验，应该掌握： (a) 用傅立叶变换进行信号分析时基本参数的选择。 (b) 经过离散时间傅立叶变换（DTFT ）和有限长度离散傅立叶变换（DFT ）后信号频谱上的区别，前者 DTFT 时间域是离散信号，频率域还是连续的，而 DFT 在两个域中都是离散的。 (c) 离散傅立叶变换的基本原理、特性，以及经典的快速算法（基2时间抽选法），体会快速算法的效率。 (d) 获得一个高密度频谱和高分辨率频谱的概念和方法，建立频率分辨率和时间分辨率的概念，为将来进一步进行时频分析（例如小波）的学习和研究打下基础。 (e) 建立 DFT 从整体上可看成是由窄带相邻滤波器组成的滤波器组的概念，此概念的一个典型应用是数字音频压缩中的分析滤波器，例如 DVD AC3 和MPEG Audio 。 ● 实验内容及要求 ? 离散信号的频谱分析 设信号 此信号的0.3pi 和 0.302pi 两根谱线相距很近，谱线 0.45pi 的幅度很小，请选择合适的序列长度 N 和窗函数，用 DFT 分析其频谱，要求得到清楚的三根谱线。 ? DTMF 信号频谱分析 用计算机声卡采用一段通信系统中电话双音多频（DTMF ）拨号数字 0～9的数据，采用快速傅立叶变换（FFT ）分析这10个号码DTMF 拨号时的频谱。 00010450303024().*cos(.)sin(.)cos(.)x n n n n ππππ=+--
●MATLAB代码及结果 ?离散信号的频谱分析 clf; close all; N=1000; n=1:1:N; x=0.001*cos(0.45*n*pi)+sin(0.3*n*pi)-cos(0.302*n*pi-pi/4); y=fft(x,N); mag=abs(y); w=2*pi/N*[0:1:N-1]; stem(w/pi,mag); axis([0.25 0.5 0 2]); xlabel('频率'); ylabel('X(k)'); grid on;
知识| 电子电路基础知识点总结 1、纯净的单晶半导体又称本征半导体，其内部载流子自由电子空穴的数量相等的。 2、射极输出器属共集电极放大电路，由于其电压放大位数约等于1，且输出电压与输入电压同相位，故又称为电压跟随器(射极跟随器)。 3、理想差动放大器其共模电压放大倍数为0，其共模抑制比为∞。 4、一般情况下，在模拟电器中，晶体三极管工作在放大状态，在数字电器中晶体三极管工作在饱和、截止状态。 5、限幅电路是一种波形整形电路，因它削去波形的部位不同分为上限幅、下限幅和双向限幅电路。 6、主从JK触发器的功能有保持、计数、置0、置1 。 7、多级放大器的级间耦合有阻容耦合、直接耦合、变压器耦合。 8、带有放大环节串联稳压电路由调整电路、基准电路、取样电路和比较放大电路分组成。 9、时序逻辑电路的特点是输出状态不仅取决于当时输入状态，还与输出端的原状态有关。 10、当PN结外加反向电压时，空间电荷区将变宽。反向电流是由少数载流子形成的。 11、半导体具有热敏性、光敏性、力敏性和掺杂性等独特的导电特性。 12、利用二极管的单向导电性，可将交流电变成脉动的直流电。 13、硅稳压管正常工作在反向击穿区。在此区内，当流过硅稳压管的电流在较大范围变化时，硅稳压管两端的电压基本不变。 14、电容滤波只适用于电压较大，电流较小的情况，对半波整流电路来说，电容滤波后，负载两端的直流电压为变压级次级电压的1倍，对全波整流电路而言较为1.2倍。15、处于放大状态的NPN管，三个电极上的电位的分布必须符合UC>UB>UE，而PNP 管处于放大状态时，三个电极上的电位分布须符合UE>UE>UC。 总之，使三极管起放大作用的条件是：集电结反偏，发射结正偏。
电子电路基础习题册参考答案（第三版）全国中等职业技术 第一章常用半导体器件 §1-1 晶体二极管 一、填空题 1、物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体和半导体 三大类，最常用的半导体材料是硅和锗。 2、根据在纯净的半导体中掺入的杂质元素不同，可形成 N 型半导体和 P 型半导体。 3、纯净半导体又称本征半导体，其内部空穴和自由电子数 相等。N型半导体又称电子型半导体，其内部少数载流子是 空穴；P型半导体又称空穴型半导体，其内部少数载流子是 电子。 4、晶体二极管具有单向导电性，即加正向电压时，二极管导通，加反向电压时，二极管截止。一般硅二极管的开启电 压约为 0.5 V，锗二极管的开启电压约为 0.1 V；二极管导通后， 一般硅二极管的正向压降约为 0.7 V,锗二极管的正向压降约为 0.3 V。 5.锗二极管开启电压小，通常用于检波电路，硅二极管反向电 流小，在整流电路 及电工设备中常使用硅二极管。 6.稳压二极管工作于反向击穿区，稳压二极管的动态电阻越小，其稳压性能好。
7在稳压电路中，必须串接限流电阻，防止反向击穿电流超过极限值而发生热击穿损坏稳压管。 8二极管按制造工艺不同，分为点接触型、面接触型和平面型。 9、二极管按用途不同可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、 开关、热敏、发光和光电二极管等二极管。 10、二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压、反向饱和电流和最高工作频率。 11、稳压二极管的主要参数有稳定电压、稳定电流和动态电阻。 12、图1-1-1所示电路中，二极管V1、V2均为硅管，当开关S与M 相接时，A点的电位为 无法确定 V,当开关S与N相接时，A点的电位为 0 V. 13图1-1-2所示电路中，二极管均为理想二极管，当开关S打开时，A点的电位为 10V 、 流过电阻的电流是 4mA ；当开关S闭合时，A点的电位为 0 V，流过电阻的电流为 2mA 。 14、图1-1-3所示电路中，二极管是理想器件，则流过二极管V1的电流为 0.25mA ，流过V2的电流为 0.25mA ,输出电压U0为+5V。
数字电子技术基础考题 一、填空题：（每空3分，共15分） 1．逻辑函数有四种表示方法，它们分别是（真值表）、（逻辑图）、（逻辑表达式）和（卡诺图）。 2．将2004个“1”异或起来得到的结果是（0 ）。 3．由555定时器构成的三种电路中，（）和（）是脉冲的整形电路。4．TTL器件输入脚悬空相当于输入（高）电平。 5．基本逻辑运算有: （and ）、（not ）和（or ）运算。 6．采用四位比较器对两个四位数比较时，先比较（最高）位。 7．触发器按动作特点可分为基本型、（同步型）、（主从型）和边沿型；8．如果要把一宽脉冲变换为窄脉冲应采用（积分型单稳态）触发器 9．目前我们所学的双极型集成电路和单极型集成电路的典型电路分别是（TTL ）电路和（CMOS ）电路。 10．施密特触发器有（2）个稳定状态.，多谐振荡器有（0 ）个稳定状态。 11．数字系统按组成方式可分为功能扩展电路、功能综合电路两种；12．两二进制数相加时，不考虑低位的进位信号是（半）加器。 13．不仅考虑两个_______本位_____相加，而且还考虑来自___低位进位____相加的运算电路，称为全加器。 14．时序逻辑电路的输出不仅和___该时刻输入变量的取值______有关，而且还与_电路原来的状态_______有关。 15．计数器按CP脉冲的输入方式可分为__同步计数器和____异步计数器_。 16．触发器根据逻辑功能的不同，可分为_____rs______、______jk_____、___t________、___d________、___________等。 17．根据不同需要，在集成计数器芯片的基础上，通过采用__反馈归零法_________、__预置数法_________、__进位输出置最小数法__等方法可以实现任意进制的技术器。 18．4. 一个JK 触发器有 2 个稳态，它可存储 1 位二进制数。 19．若将一个正弦波电压信号转换成同一频率的矩形波，应采用多谐振荡器电路。20．把JK触发器改成T触发器的方法是 j=k=t 。 21．N个触发器组成的计数器最多可以组成2n 进制的计数器。 22．基本RS触发器的约束条件是rs=0 。
数字电子技术基础考题 」、填空题：（每空3分，共15分） 辑表达式 ）和（ 卡诺图 路，称为全加器。 等° 17. 根据不同需要，在集成计数器芯片的基础上，通过采用 进位输出置最小数法 等方法可以实现任意进制的技术器。 18. 4. 一个JK 触发器有_2_个稳态，它可存储_J — 位二进制数。 19. 若将一个正弦波电压信号转换成 同一频率的矩形波，应采用 多谐振荡器 _______ 电路。 20. __________________________________________ 把JK 触发器改成T 触发器的方法是J=k=t __________________________________________________ 。 21. N 个触发器组成的计数器最多可以组成 _^n 进制的计数 器。 1逻辑函数有四种表示方法，它们分别是（ 真值表 ）、（ 逻辑图 2. 将2004个“ 1 ”异或起来得到的结果是（ 3. 由555定时器构成的三种电路中, ）和（ 是脉冲的整形电路。 4. TTL 器件输入脚悬空相当于输入（ 电平。 5. 基本逻辑运算有：（and not ）和（or ）运算。 6. 采用四位比较器对两个四位数比较时, 先比较 最咼 位。 7. 触发器按动作特点可分为基本型、 （同步型 主从型 ）和边沿型; 如果要把一宽脉冲变换为窄脉冲应采用 积分型单稳态 触发器 9. 目前我们所学的双极型集成电路和单极型集成电路的典型电路分别是 TTL ）电路和 CMOS ）电路。 10. 施密特触发器有（ 2 ）个稳定状态?，多谐振荡器有（0 ）个稳定状态。 11.数字系统按组成方式可分为 功能扩展电路、功能综合电路 两种; 12?两二进制数相加时，不考虑低位的进位信号是 加器。 13?不仅考虑两个 本位 .相加，而且还考虑来自 低位进位 _______ 相加的运算电 14.时序逻辑电路的输出不仅和 该时刻输入变量的取值 有关，而且还与_电路原来 的状态 有关。 15?计数器按CP 脉冲的输入方式可分为 同步计数器和 异步计数器。 16?触发器根据逻辑功能的不同，可分为 rs jk 反馈归零法 置数法
电子技术基础试题(八) 一、填空题(每题3分，共30分) 1、PN结具有单向导电特性性能。 2、一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而_增大_。 3、射极输出器放在中间级是兼用它的输入电阻大和输出电阻小的特点，起阻抗变换作用。 4、只有当负载电阻R L和信号源的内阻r s 相等时，负载获得的功率最大，这种现象称为阻抗匹配。 5、运算放大器的输出是一种具有深度负反馈高增益的多级直流放大器。 6、功率放大器按工作点在交流负载线上的位置分类有：甲类功放，乙类功放和甲乙类功放电路。 7、甲乙推挽功放电路与乙类功放电路比较，前者加了偏置电路向功放管提供少量偏流I BQ，以减少交越失真。 带有放大环节的串联型晶体管稳压电路一般由采样电路、基准电源、比较放大电路和_调整元件_四个部分组成。 9、逻辑代数的三种基本运算是逻辑乘、_逻辑加和_逻辑非_。 10、主从触发器是一种能防止空翻现象的实用触发器。 二、选择题(每题3分，共30分) 1．晶体管二极管的正极的电位是－10V，负极电位是－5V，则该晶体二极管处于：( C)。 A.零偏 B.反偏 C.正偏 2．若晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏则当基极电流减小时，使该三极管：( A)。 A.集电极电流减小 B.集电极与发射极电压V CE上升 C.集电极电流增大3．某三级放大器中，每级电压放大倍数为Av，则总的电压放大倍数：( B )。 A.3A V B.A3V C.A V3/3 D.A V 4．正弦波振荡器中正反馈网络的作用是：( A)。 A.保证电路满足振幅平衡条件 B.提高放大器的放大倍数，使输出信号足够大 C.使某一频率的信号在放大器工作时满足相位平衡条件而产生自激振荡 5．甲类单管功率放大电路中结构简单，但最大的缺点是：( C)。 A.有交越失真 B.易产生自激 C.效率低 6．有两个2CW15稳压二极管，其中一个稳压值是8V，另一个稳压值为7.5V，若把两管的正极并接，再将负极并接，组合成一个稳压管接入电路，这时组合管的稳压值是：( B)。 A.8V B.7.5V C.15.5V 7．为了减小开关时间，常在晶体管的基极回路中引入加速电容，它的主要作用是：( A )。 A.在开启时提供很大的正向基极电流，并在关闭时提供很大的反向基极电流 B.在开启时提供很大的反向基极电流 C.隔开直流电压 8．逻辑函数式E F+E F+EF，化简后答案是：( C)。 A.EF B.F E+E F C.E+F
电子电路基础知识--测试 第一篇电子电路基础知识 一、判断题（正确的打√，错误的打×） 1、射极输出器不具有电压放大作用。（√） 2、普通二极管反向击穿后立即损坏，因为击穿是不可逆的。（√） 3、在三种功率放大电路中，效率最高是的甲类功放。（×） 说明：效率最高是的乙类功放. 4、逻辑电路中“1”比“0”大。（×） 说明：逻辑电路中“1”与“0”不存在大小之分。 5、石英晶体振荡器的主要优点是振荡频率稳定性高。（√） 6、直流放大器只能放大直流信号。（√） 7、在基本放大电路中，若静态工作点选择过高，容易出现饱和失真。（√） 8、振荡器的负载变动将影响振荡频率稳定性（×） 9、直流放大器是放大直流信号的，它不能放大交流信号（√） 10、差动放大器如果注意选择元件，使电路尽可能对称，可以减小零点漂移（√） 11、放大器具有正反馈特性时，电路必然产生自激振荡（×） 12、多级放大器的通频带比组成它的各级放大器的通频带窄，级数愈少，通频带愈窄（×）说明：级数愈少，通频带愈宽。 13、晶体三极管的发射区和集电区是由同一类型半导体构成的，所以e极和c极可以互换使用（×） 14、在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。（×） 15、少数载流子是自由电子的半导体称为P型半导体。（×） 16、晶体二极管击穿后立即烧毁。（×） 17、用万用表测二极管正向电阻，插在万用表标“+”号插孔的测试棒（通常是红色棒）所连接的二极管的管脚是二极管正极，另一为负极。（×） 18、晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体（P型或N型）构成的，所以极e和c极可以互换使用。（×） 19、PNP三极管处于截止状态时，发射结正偏（×） 20、晶体三极管具有能量放大功能。（×） 21、当集电极电流值大于集电极最大允许时，晶体三极管一定损坏。（√） 22、一个完全对称的差分式放大器，其共模放大倍数为零。（×） 23、一个理想的差分放大电路，只能放大差模信号，不能放大共模信号。（√） 24、Ｎ型半导体是在本征半导体中加入少量的三价元素构成的杂质半导体。（×） 25、在Ｎ型半导体中，自由电子的数目比空穴数目多得多。故自由电子称为多数载流子，空穴称为少数载流子。（√） 26、运算放大器的输入电流接近于零，因此，将输入端断开，运算放大器仍可以正常工作。（×） 27、运算放大器的输入失调电压Ui0是它的两个输入端电压之差。（×） 28、Ｐ型半导体是在本征半导体中加入少量的五价元素构成的杂质半导体。（×） 29、运算放大器的输入电压接近于零，因此，将输入端短路，运算放大器仍可以正常工作。（×）
数字电子技术基础1 一．1．（1５分） 试根据图示输入信号波形分别画出各电路相应的输出信号波形L1、L2、L3、L4、和L5。设各触发器初态为“0”。 A B 二．（15分） 已知由八选一数据选择器组成的逻辑电路如下所示。试按步骤分析该电路在M1、M2取不同值时（M1、M2取值情况如下表所示）输出F的逻辑表达式。 八选一数据选择器输出端逻辑表达式为：Y=Σm i D i,其中m i是S2S1S0最小项。 F M2M1 F 0 0 0 1 1 1 1 三．（8分） 试按步骤设计一个组合逻辑电路，实现语句“A>B”，A、B均为两位二进制数，即A（A1、A0），B（B1、B0）。要求用三个3输入端与门和一个或门实现。 四．（12分） 试按步骤用74LS138和门电路产生如下多输出逻辑函数。
123Y AC Y ABC ABC BC Y BC ABC =?? =++?? =+? 74LS138逻辑表达式和逻辑符号如下所示。 五．（15分） 已知同步计数器的时序波形如下图所示。试用维持-阻塞型D 触发器实现该计数器。要求按步骤设计。 六．（18分） 按步骤完成下列两题 1．分析图5-1所示电路的逻辑功能：写出驱动方程，列出状态转换表，画出完全状态转换图和时序波形，说明电路能否自启动。 2．分析图5-2所示的计数器在M=0和M=1时各为几进制计数器，并画出状态转换图。 图5-1
B C CP A Ep E T LD D Q0 Q1 Q3Q2 74LS163 Rd 1 M & 1 计数脉冲 00 1 图5-2 七． 八．（10分）电路下如图所示，按要求完成下列问题。 1．指出虚线框T1中所示电路名称. 2．对应画出V C、V01、A、B、C的波形。并计算出V01波形的周期T=？。 15 7 6 84 2 R1 NE555 3 R2 C1 Vc + 0.01u J K 1 Q Q & & V CC V01 A B C C 10K 10K T1T2
电子电路单元分布一般规律 电源电路在图右下方，信号源电路在电路图左侧，负载电路在右侧。 各级放大器电路从左向右排列，双声道电路中的左右声道是上下排列的 产生电流的两个条件 1.闭合回路 2.电源 电平概念解说 其是表示电功率、电压和电流相对大小的量 电平用分贝(dB) 分贝=10lgP2/P1=20lgU2/U1=20lgI2/I1 其中： P2为放大器输出功率，P1为放大器输入功率 U2为放大器输出信号电压，U1为放大器输入信号电压 I2为放大器输出信号电流，I1为放大器输入信号电流 电阻在电路中的作用 1.给电路中某点加上电压 2.降低电路中某点电压 3.将电路中的两点隔离 4.将电流转换成电压 5.分压 6.分流 7.阻尼 8.限流保护 电位器参数标注解说 某电位器外壳上标出：51K-0.25/X 其中， 51K是标称阻值51k欧姆，0.25表示额定功率为0.25瓦。X表示X型电位器电位器共分三种： X型-----线性变化，可以用于音响电路，构成立体声平衡控制器 Z型-----指数特性变化，可用来构成音响控制其电路 D型-----对数特性变化，用于一些音调控制器电路，作为音调电位器 电容电路解说 1.耦合电容 2.滤波电容 3.退耦电容 4.高频削震电容
5.谐振电容 6.旁路电容 7.积分电容8.微分电容9小火花电容10.分频电容 电解电容故障 击穿、漏电大故障、容量减小故障、开路故障、爆炸故障 需要注意的是： 爆炸故障：此种情况只出现在有极性电解电容器在跟换新电容器之后，由于正负脚接反而发生爆炸 电容并联解析 1.一大一小电容并联 主要出现在电源滤波电路中，并且在大电容的容量很大很大时才出现这种情况 如果容量不是很大，感抗不明显，则没有必要再接一个小电容 作用： 大电容为电源滤波电容 小电容为高频滤波电容 2.两个大电容并联 用于电源滤波电路或者是OTL功放电路输出回路作为输出端耦合电容 作用：高频滤波电容 3.两个等容量小电容并联 这是彩色电视机行震荡器电路中的行定时电容电路 其中： 一个为聚酯电容，是正温度系数电容 一个为聚丙烯电容，师负温度系数电容主要是为了实现温度的互补！！ RC电路分析 1.RC串联 RC串联电路总的阻抗是随频率变化而变化的 总的阻抗=电阻+C容抗 转折频率公式: f=1/2∏RC 2.RC并联 转折频率公式: f=1/2∏RC 3.RC串并联
北京交通大学远程与继续教育学院2016——2017学年第一学期网络教育期末考试年级2015专业层次 《数字电子电路基础》答案（闭卷）C卷姓名学号 一、填空题（每空2分，共20分） 1.45、8FA.C6 2.10000111、000100110101 3.基本触发器、同步触发器、边沿触发器 4.2n>N 5. F = A · B、F = A ＋B 二、判断题（每题2分，共10分） 1.（√） 2.（×） 3.（×） 4.（×） 5.（√） 三、选择题（每空2分，共10分） A C C B C 四、名词解释（每题4分，共20分）
1.门电路 实现基本和常用逻辑运算的电子电路，成为逻辑门电路。 2.D/A转换器 将数字量转换成模拟量的电路成为数/模转换器，简称D/A转换器。 3.BCD码 把十进制数的十个数码0~9用二进制数码来表示，称为BCD码，即二—十进制编码。 4.逻辑与 只有决定事物的所有条件都具备时，结果才发生，这种逻辑关系成为逻辑与。 5.同步触发器 输入信号经过控制门输入，管理控制们的信号为时钟脉冲信号CP，只有在CP信号到来时，输入信号才能进入触发器，否则就会被拒之门外，对电路不起作用。 五、简答题（每题10分，共40分） 1.试用公式法证明逻辑代数基本定律中的分配率A +B· C=(A+B) ·(A +C) 证明：(A+B) ·(A +C)=A· A+A· B+A· C+B· C =A+AB+ AC+BC =A(1+B+C)+BC =A +BC 2.在数字电路中，基本的工作信号是二进制数字信号和两种状态逻辑信号， 而触发器就是存放这些信号的单元电路，那么触发器需要满足哪些基本要求？何为触发器的现态和次态？ 答：触发器需要满足：
2011级数字信号处理实验报告 实验名称：实验一数字信号的产生和基本运算 1．实验要求 因为现实世界里存在的是模拟信号，因此数字信号处理的第一个问题是将信号离散化，得到一个数字信号，然后再进行数字处理。 (1) 常用数字信号序列的产生： 熟悉Matlab 产生数字信号的基本命令，加深对数字信号概念的理解，并能够用Matlab 产生和绘制出一些常用离散信号序列。请用Matlab 画出下列序列的波形（-10
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