电子电路基础习题册参考答案-第一章
第一章常用半导体器件
§1-1 晶体二极管
一、填空题
1、物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体和半导体
三大类，最常用的半导体材料是硅和锗。
2、根据在纯净的半导体中掺入的杂质元素不同，可形成N 型半导体和 P 型半导体。
3、纯净半导体又称本征半导体，其内部空穴和自由电子数
相等。N型半导体又称电子型半导体，其内部少数载流子是
空穴；P型半导体又称空穴型半导体，其内部少数载流子是
电子。
4、晶体二极管具有单向导电性，即加正向电压时，二极管导通，加反向电压时，二极管截止。一般硅二极管的开启电
压约为 V，锗二极管的开启电压约为 V；二极管导通后，一般
硅二极管的正向压降约为 V,锗二极管的正向压降约为
V。
5.锗二极管开启电压小，通常用于检波电路，硅二极管反向电
流小，在整流电路
及电工设备中常使用硅二极管。
6.稳压二极管工作于反向击穿区，稳压二极管的动态电阻越小，其稳压性能好。
7在稳压电路中，必须串接限流电阻，防止反向击穿电流超过极限值而发生热击穿损坏稳压管。
8二极管按制造工艺不同，分为点接触型、面接触型和平面型。
9、二极管按用途不同可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、
开关、热敏、发光和光电二极管等二极管。
10、二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压、反
向饱和电流和最高工作频率。
11、稳压二极管的主要参数有稳定电压、稳定电流和动态电阻。
12、图1-1-1所示电路中，二极管V1、V2均为硅管，当开关S 与M 相接时，A点的电位为
无法确定 V,当开关S与N相接时，A点的电位为 0 V.
13图1-1-2所示电路中，二极管均为理想二极管，当开关S打开时，A点的电位为 10V 、
流过电阻的电流是 4mA ；当开关S闭合时，A点的电位为 0 V，流过电阻的电流为 2mA 。
14、图1-1-3所示电路中，二极管是理想器件，则流过二极管V1的电流为，流过V2的电流为 ,输出电压U0为 +5V。
15、光电二极管的功能是将光脉冲信号转换为电信号，发光二极管的功能是将
电信号转换为光信号。
16、用数字式万用表测量二极管，应将功能开关置于二极管挡，将黑表笔插入 com
插孔，接二极管的负极；红表笔插入V,Ω插孔，接二极管的正极，其显示的读数为二极管的正向压降。
一、判断题
1、在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。
（√）
2、P型半导体中，多数载流子是电子，少数载流子是空穴。（×）
3、晶体二极管有一个PN结，所以有单向导电性。（√）
4、晶体二极管的正向特性也有稳压作用。（√）
5、硅稳压管的动态电阻小，则稳压管的稳压性能愈好。（√）
6、将P型半导体和N型半导体用一定的工艺制作在一起，其交界处形成PN结。（√）
7、稳压二极管按材料分有硅管和锗管。（×）
8、用万用表欧姆挡的不同量程去测二极管的正向电阻，其数值是相同的。（×）
9、二极管两端的反向电压一旦超过最高反向电压，PN结就会击穿。（）
10、二极管的反向电阻越大，其单向导电性能越好。（×）
11、用500型万用表测试发光二极管，应选R×10K挡。（√）
三、选择题
1、当环境温度升高时，晶体二极管的反向电流将（A ）。
A．增大 B .减小 C. 不变
2、测量小功率晶体二极管性能好坏时，应把万用表欧姆档拨到（ A ）。
A .R×100或R×1K B. R ×1 C. R×10K
3、半导体中的空穴和自由电子数目相等，这样的半导体称为（ B ）。
A. P型半导体
B. 本征半导体 C、 N型半导体
4、稳压管的稳压性能是利用（ B ）实现的。
A．PN结的单向导电性 B .PN结的反向击穿特性
C．PN结的正向导通特性
5、电路如图1-1-4所示，已知两个稳压管的UZ1=7V，UZ2=5V 它们的正向压降均为，则输出电压U0为（ C ）
A. 12V
B.
C.
6、在图1-1-5所示的电路中，流过二极管的电流I1、I2分别是（ D ）。
=8mA , I2=0 B. I1=2mA C. I1=0, I2=6mA
D. I1=0, I2=8mA
7、二极管的正向电阻（B ）反向电阻。
A.大于
B. 小于
C.等于
8、电路如图1-1-6所示，V为理想二极管，则二极管的状态为（A ）。
A.导通
B.截止
C.击穿
9、上题中，A、B两端的电压为（ C ）。
B. -3V
10、某二极管反向击穿电压为140V，则它的最高反向工作电压为（ C ）。
A. 280V
B. 140V
C. 70V
D. 40V
11、二极管电路如图1-1-7所示，（1）处于导通状态的二极管是（ A ）。
A．只有V1导通B．只有V2导通C．V1、V2均导通D．V1、V2均不导通
（2）考虑二极管正向压降为时，输出电压U0为（B ）。A． B． C．-12V D．-15V
12、P型半导体中多数载流子是（D ），N型半导体中多数载流子是（ C ）。
A．正离子 B．负离子 C．自由电子 D.空穴
13、用万用表R×10和R×1K挡分别测量二极管的正向电阻，测量结果是（ C ）。
A．相同 B．R×10挡的测试值较小 C．R×1K挡的测试值较小
14、用万用表不同欧姆档测量二极管的正向电阻值时，测得的
阻值不相同，其原因是（ c ）。
A．二极管的质量差B．万用表不同欧姆档有不同的内阻C．二极管有非线性的伏安特性
1、什么是本征半导体？N型半导体？PN结？
答：本征半导体即纯净的单晶半导体，其内部存在数量相等的两种载流子，一种是负电的自由电子，另一种是带正电空穴。
N型半导体又称电子型半导体其内部自由电子数多于空穴数量，P 型半导体又称空穴型半导体其内部空穴多数载流子自由电子少数载流子。
PN结是采用掺杂工艺便硅和锗晶体的一边形成P型区，一边形成N型半导体。
五．分析、计算、作图题
1、判断图1-1-8中，理想二极管导通还是截止，若导通，则流
过二极管的电流是多少？
解：图a) V导通，I=5mA
图b) V截止,I=0
图c) V导通，I=10mA
2、在图1-1-9所示电路中，二极管为理想二极管，ui=10sin ωtV, 试画出输出电压波形。
3、在图1-1-10 所示电路中，二极管为硅管，求A点电位和流过二极管的电流。
4、在图1-1-11所示电路中，二极管是导通还是截止，输出电压U0是多少？
图1-1-11
解：
a)V导通，U0=
b)V导通，I0=15-12/3=2mA
U R=1×3=3V U O=U R-15=-12V
c)V导通， U O=
§1-2 晶体三极管
一、填空题
1、三极管有两个 PN 结，分别为发射结、集电结，三个
电极分别为发射极、
基极和基极，三极管按内部结构不同可分为 NPN 和 PNP 型。
2、晶体三极管实现电流放大作用的偏置条件是发射结正偏
和集电结反偏，
电流分配关系是 I E=I C+I B。
3、在模拟电子电路中，晶体管通常被用作电流控制
元件，工作在输出特性曲线上的放大区；在数字电子电路中，
晶体三极管通常被用作开关元件，工作在输出特性曲线上
区或饱和区或截止区。
4、在一块正常放大电路板上，测得三极管1、2、3脚对地电压分
别为-10V、、-14V，则该管为 PNP 型锗材料三极管，1脚
是发射极，2脚是基极，3脚是集电极。
5、NPN型三极管，挡U BE＞，U BE＞U CE时，工作在饱和状态；
当U BE＞，
U BE＜U CE时，工作在放大状态；当U BE＜0时，工作在截止状态。
6、当温度升高时，三极管的电流放大系数β将升高，穿透
电流I CEO将增加，
发射结电压U BE将增大。
7、衡量晶体三极管放大能力的参数是共射电流放大系数，三极管的主要极限参数有
集电极最大允许电流、集-发反向击穿电压、集电极最大允许耗散功率。
8、因为晶体三极管的穿透电流随温度的升高增大，而锗管的穿透电流比硅管大，
所以硅三极管的热稳定性好。
9、三极管的输出特性可分为三个区域，即截止区和放大区，当三极管工作在
饱和区时，I C=βI B才成立；当三极管工作在包河区时UCE= U
CES；
当三极管工作在截止区时，I C= O(I CEO) 。
10、I CEO称为三极管的穿透电流，它反映三极管的温度稳定性，
I CEO是I CBO的1+β倍，先选用管子时，希望I CEO尽量小。
11、测量晶体三极管3AX31的电流，当I B=20uA时，I C=2mA；当
I B=60uA时，I C=，则该管的β为 85 ，I CEO= ,I CBO= 。
12、设三极管的P CM=150mW, I CM=100 mA, U(BR)CEO=30V,若
U CE=10V,I C允许的最大值为
15mA ；若U CE=1V, I C允许的最大值为 100mA ；若I C=3A,U CE 允许的最大值为 30v 。
13、复合管是由两个以上的三极管按一定方式连接而成，用复合管提高输出级的
电流放大倍数。
14、有二只三极管构成的复合管的类型，取决于输入管三极管的类型，其电流
放大系数β= β1×β2 。
二、判断题
1、晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体（N型或P型）构成的，所以发射极
和集电极可以相互调换使用。（×）
2、晶体三极管的放大作用具体体现在△I C=β△I B。（√）
3、晶体三极管具有能量放大作用。（×）
4、硅三极管的I CBO值要比锗三极管的小。（√）
5、如果集电极电流IC大于集电极最大允许电流ICM时，晶体三极管肯定损坏。（√）
6、晶体二极管和晶体三极管都是非线性器件。（√）
7、3CG21管工作在饱和状态时，一定是UBE＜UCE。（×）
8、某晶体三极管的I B=10uA时，I C=;I B=20u时，I C=,则它的
电流放大系数β=45。（√）
9、因为三极管有两个PN结，二极管有一个PN结，所以用两个二极管可以连接成
一个三极管。（×）
10、判断图1-2-1所示各三极管的工作状态（NPN型为硅管，PNP 型为锗管）。
11、复合管的共发射极电流放大倍数β等于两管的β1、β2之和。（×）
12、晶体三极管的主要性能是具有电压和电流放大作用。（√）
三、选择题
1、三极管的发射结正偏，集电结反偏时，三极管处于（A ）
A.放大状态
B.饱和状态
C.截止状态
2、三极管在饱和状态时，它的IC将（C ）。
A.随I B的增加而增加
B.随I B的增加而减小
C.与I B无关
3、三极管的特性曲线是指它的（C ）。
A.输入特性曲线
B.输出特性曲线
C.输入特性和输出特性曲线
4、在三极管的输出特性曲线中，每一条曲线与（C ）对应。
A.输入电压
B.基极电压
C.基极电流
5、当温度升高时，晶体三极管的参数将发生（C ）变化。
A. U BE增大，β增大，I CBO增大
减小，β增大，I CBO增大
增大，β减小，I CBO增大
6、用万用表测得电子线路中的晶体管U E=-3V,U CE=6V,U BC=,则该晶体管是（ C ）。
型，处于放大状态型，处于截止状态
型，处于放大状态型，处于截止状态
7、已知某晶体管的P CM=100mW I CM=20mA U(BR)=15V在下列工作条件下，正常工作的是（B ）。
=2V,I C=40mA =3V,I C=10mA
=4V,I C=30mA =6V,I C=20mA
8、3DG6型晶体管是（ A ）。
A.高频小功率硅NPN型三极管
B.高频小功率锗NPN型三极管
C.高频小功率锗PNP型三极管
9、在三极管的输出特性曲线中，当IB=0时，IC是( C )。
A. I CM
10、某晶体三极管的发射极电流等于1ma,基极电流等于20uA,正
常工作时它的集电极
电流等于（ A ）。
、图1-2-2所示电路中，三极管处于（ A ）状态（V为硅管）。
A. 截止
B.饱和
C.放大
12、在图1-2-3所示各复合管中，连接不正确的是（C ）。
四、简答题
1、什么是三极管的输出特性？画出硅三极管在共发射极组态时的输出特性曲线，
并标出它的三个工作区。
答：它是指三极管基极电流I B一定时，三极管的集电极电流I C 与集电极和发射极之间
的电压U CE之间的关系曲线。
2、三极管有哪三种连接方式？画出示意图。
答：共发射极接法，共集电极接法，共基极接法。
3、三极管有哪三种工作状态？其外部条件（偏执条件）是什么？答：放大状态、截止状态、饱和状态。其外部条件
（1）放大状态时，三极管发射结正偏，集电结反偏时，ic受ib 控制，具有电流放大作用。同时ic的大小和uce基本无关。记住三极管放大状态时的硅管U BE约为，锗管的U BE约为。
（2）截止状态时:一般把I B=0时，这时的三极管发射结和集电结均反偏，三极管处于截止状态，相当于开关断开。这时只有很小的集电极电流穿透电流存在。
（3）饱和状态时:三极管的Uce＜Ube时，在发射结和集电结均正偏时，此时ic不受ib控制，却随着U CE的增大而增大，这时处于饱和状态，相当于开关闭合。这时的只剩下三极管的饱和压降存在。
5、标出下列复合管的等效管型和管脚。
6、三极管的集电极最大允许电流是怎样定义的？
答：三极管集电极最大允许电流Icm，集电极电流过大时，三极管的β值要降低，
一般规定β下降到其正常值的三分之二时的集电极电流。
五、分析、计算、画图题
1、一个晶体三极管在工作时，测得其发射极电流I E=10mA，基极电流I B=400uA，
求其基极电流I C和直流电流放大系数β。
2、用万用表测量三极管各级间电压得到下列三组数值：
（1）UBE=, UCE=; (2)UBE=,UCE=4V;
(3)UBE=,UCE=。试分析每只管子的类型，是硅管还是锗管，并说明
工作状态。
答： (1) UBE=是硅管，UCE=工作在饱和状态。
（2） UBE=是硅管，UCE=4V工作在放大状态。
（3）UBE=是锗管，UCE=工作在饱和状态。
3、画出PNP管和NPN管的符号，并标出放大状态时各极电流方
向和各极间电压的极性。
§1-3 场效应管
一、填空题
1、晶体三极管是电流控制器件，是通过较小的基极电流
变化去控制较大的集电极电流的变化。
2、场效应管是一种电压控制器件，是用栅源电压控制
漏极电流，具有转移特性和输出特性特点。
3、场效应管按其结构不同分为结型和绝缘栅型两大类，每类有P 沟道和N 沟道两种，绝缘栅场效应管按其工作状态又可分为增强型和耗尽型两种。
4、场效应管的三个电极分别是栅极、源极、和漏极。
5、场效应管的输出特性曲线是UGS为定值时漏极电流 iD
与漏源电压UDS 的关系曲线，输出特性曲线分为可变电阻区、放大饱和区和击穿区。
6、某耗尽型MOS管的转移特性曲线如图1-3-1所示由图可知IDSS= ，UP= -4V 。
7、图1-3-2是增强型MOS的一条输出特性曲线，当UDS=10V 时，该管的ID= 。
8、用N沟道增强型和P沟道增强型MOS管组成互补电路，称
COMS 管，该管输入电流小、功耗小和工作电源范围宽，目前广泛应用于集成电路中。
9、VMOS管和UMOS管的最大特点是耗散功率大、工作速度快、
耐压高和转移特性的线性度好，是理想的大功率器件。
10、场效应管用于放大时，工作在放大区，三极管用于放大时，工作在放大区。
11、场效应管的主要参数有开启电压UT 、夹断电压UP 、饱和漏极电流IDSS 、跨导gm 和漏极击穿电压U(BR)DS 。
二、判断题
1、晶体三极管是单极型器件，场效应管是双极型器件。（×）
2、通常场效应管的性能用转移特性曲线、输出特性曲线和跨到表
示。（×）
3、场效应管的源极和漏极均可以互换使用。（×）
4、场效应管具有电流放大和电压放大能力。（×）
5、跨到是表征输入电压对输出电流控制作用的一个参数。（√）
6、结型场效应管有增强型和耗尽型。（×）
7、绝缘栅场效应管通常称为MOS管。（√）
8、P沟道增强型绝缘栅场效应管正常工作时UDS和UGS都必须为负。（√）
9、绝缘栅场效应管可以用万用表检测。（×）
10、存放绝缘栅场效应管应将三个电极短路。（√）
三、选择题
1、绝缘栅场效应管有（B ）个PN结。
D. 0
2、场效应管的转移特性曲线是（ A ）。
3、结型场效应管属于( B )。
A.增强型
B.耗尽型
C.不确定
4、表征场效应管放大能力的重要参数是（ B ）。
5、N沟道增强型MOS管栅源电压UGS是（A ）。
A.正值
B.负值
C.零
6、N沟道增强型MOS管放大作用时，工作在（ A ）。
A.恒流区
B.夹断区
C.可变电阻区
四、1、什么是场效应管？它有哪三个电极？分为哪些类型？画出N沟道MOS管增强型和耗尽型图形符号.
答：是一种电压控制器件，它是利用输入电压产生的电场效应来
控制输出电流的器件。源极S、漏极D、控制极（栅极)G。它分为增强型（EMOS）和耗尽型（DMOS）两大类。各类又有P（PMOS）沟道和N（NMOS）沟道两种。
2、画出增强型NMOS管的转移特性和输出特性曲线，并在输出曲线上标出她的三个区域。
3、什么是增强型MOS管？什么是耗尽型MOS管？
答：增强型：在漏源极间加正向电压UDS,UGS依靠加上电压才产生导电沟道的场效应管称为增强型mos管。
耗尽型：只要加上UDS电压，即使UGS=0管子也能导通形成漏电电流，称为耗尽型mos管。
4、能否用万用表来检测场效应管?
答：对绝缘栅场效应管不允许用万用表检测，以防止静电高压将管子击穿，对结型场效应管可用判断晶体三极管方法来判断PN 结。
5、已经某场效应管输出特性曲线如图1-3-4所示。试分析：（1）是哪种类型的场效应管？（2）Ur（或UP）、IDSS是多少？（3）跨导Gm是多少？
答：（1）N沟道耗尽型
（2）（夹断电压）UP=-4v ，（饱和漏极电流）I DSS=8mA
（3）跨导Gm=△I D/△U GS=8m/v
第一章习题解答 题 电路如题图所示，试判断图中二极管是导通还是截止，并求出ＡＯ两端的电压ＵＡＯ。设二极管是理想的。 解： 分析：二极管在外加正偏电压时是导通，外加反偏电压时截止。正偏时硅管的导通压降为～。锗管的导通压降为～。理想情况分析时正向导通压降为零，相当于短路；反偏时由于反向电流很小，理想情况下认为截止电阻无穷大，相当于开路。 分析二极管在电路中的工作状态的基本方法为“开路法”，即：先假设二极管所在支路断开，然后计算二极管的阳极（P 端）与阴极（N 端）的电位差。若该电位差大于二极管的导通压降，该二极管处于正偏而导通，其二端的电压为二极管的导通压降；如果该电位差小于导通压降，该二极管处于反偏而截止。如果电路中存在两个以上的二极管，由于每个二极管的开路时的电位差不等，以正向电压较大者优先导通，其二端电压为二极管导通压降，然后再用上述“开路法”法判断其余二极管的工作状态。一般情况下，对于电路中有多个二极管的工作状态判断为：对于阴极（N 端）连在一起的电路，只有阳极（P 端）电位最高的处于导通状态；对于阳极（P 端）连在一起的二极管，只有阴极（N 端）电位最低的可能导通。 图（a ）中，当假设二极管的VD 开路时，其阳极（P 端）电位P U 为-6V ，阴极（N 端）电位 N U 为-12V 。VD 处于正偏而导通，实际压降为二极管的导通压降。理想情况为零，相当 于短路。所以 V U AO 6-=； 图（b ）中，断开VD 时，阳极电位V U P 15-=，阴极的电位V U N 12-=， ∵ N P U U < ∴ VD 处于反偏而截止 ∴ V U AO 12-=； 图（c ），断开VD1,VD2时 ∵ V U P 01= V U N 121 -= 11N P U U > V U P 152-= V U N 122-= 22N P U U < ∴ VD1处于正偏导通，VD2处于反偏而截止 V U AO 0=； 或，∵ VD1，VD2的阴极连在一起 ∴ 阳极电位高的VD1就先导通，则A 点的电位 V U AO 0=，
二、判断题 1．导体中的电流由电子流形成，故电子流动的方向就是电流的方向。(×) 2．电源电动势的大小由电源本身性质所决定，与外电路无关。(√) 3．电压和电位都随参考点的变化而变化。(×) 4．我们规定自负极通过电源内部指向正极的方向为电动势的方向。(√) 三、问答题 1．电路主要由哪些部分组成它们的主要功能是什么 答：电路主要由电源、负载、导线和开关组成。电源是提供电能的装置；负载是实现电路功能的装置。导线是在电路中起连接作用。开关是控制装置。 2．简述电压、电位、电动势的区别。电源内部电荷移动和电源外部电荷移动的原因是否一样 答：电压反映的是电场力在两点之间做功的多少，与参考点的位置无关。电位反映的是某点与参考点的电压，与参考点的位置有关。电动势反映的是其他形式的能转换为电能的能力。电源内部电荷移动和电源外部电荷移动的原因不一样。
3．什么是电流电路中存在持续电流的条件是什么 答：电流是电荷定向移动形成的。电路中存在持续电流的条件是：电源电动势不为〇，且电路闭合。 4．用电流表测量电流时，有哪些注意事项 答：（1）对交、直流电流应分别使用交流电流表和直流电流表测量。 （2）电流表必须串接到被测量的电路中。 （3）电流必须从电流表的正端流入负端流出。 （4）选择合适的量程。 四、计算题 1．在5 min内，通过导体横截面的电荷量为3．6 C，则电流是多少安合多少毫安 解: I=Q/t=(5×60)=（A）=12mA 答：电流是安，合12毫安。 2．在图1--2中，当选c点为参考点时，已知：U a=-6 V，U b=-3 V，U d=-2 V，U e=-4 V。求U ab、U cd各是多少若选d点为参考点，则各点电位各是多少 解：选c点参考点时Uc=0V Uab= Ua- Ub=（-6）-（-3）=-3V Ucd= Uc – Ud =0-（-2）=2V Ubd= Ub – Ud =（-3）-（-2）=-1V Ued= Ue – Ud =（-4）-（-2）=-2V 选d点为参考点Ud=0运用电压不随参考点变化的特点 Ucd= Uc – Ud = Uc –0=2VUc=2V ∵Ubd= Ub – Ud = Ub –0=-1V∴Ub=-1V ∵Ued= Ue – Ud = Ue –0=-2V∴Ue=-2V ∵Uab= Ua – Ub = Ua –（-1）=-3V∴Ua=-4V 答：Uab=-3V，Ucd=2V当选d点为参考点时Ua=-4V，Ub=-1V，Uc=2V，Ud=0，Ue=-2V。
第一章数字电路基础 第一部分基础知识 一、选择题 1．以下代码中为无权码的为。 A. 8421BCD码 B. 5421BCD码 C.余三码 D.格雷码 2．以下代码中为恒权码的为。 A.8421BCD码 B. 5421BCD码 C.余三码 D.格雷码 3．一位十六进制数可以用位二进制数来表示。 A.１ B.２ C.４ D. 16 4．十进制数25用8421BCD码表示为。 A.10 101 B.0010 0101 C.100101 D.10101 5．在一个8位的存储单元中，能够存储的最大无符号整数是。 A.（256）10 B.（127）10 C.（FF）16 D.（255）10 6．与十进制数（53.5）10等值的数或代码为。 A.(0101 0011.0101)8421BCD B.(35.8)16 C.(110101.1)2 D.(65.4)8 7．矩形脉冲信号的参数有。 A.周期 B.占空比 C.脉宽 D.扫描期 8．与八进制数(47.3)8等值的数为： A. (100111.011)2 B.(27.6)16 C.(27.3 )16 D. (100111.11)2 9.常用的B C D码有。 A.奇偶校验码 B.格雷码 C.8421码 D.余三码 10．与模拟电路相比，数字电路主要的优点有。 A.容易设计 B.通用性强 C.保密性好 D.抗干扰能力强 二、判断题（正确打√，错误的打×） 1. 方波的占空比为0.5。（） 2. 8421码1001比0001大。（） 3. 数字电路中用“1”和“0”分别表示两种状态,二者无大小之分。（） 4．格雷码具有任何相邻码只有一位码元不同的特性。（） 5．八进制数（18）8比十进制数（18）10小。（） 6．当传送十进制数5时，在8421奇校验码的校验位上值应为1。（）
第一章常用半导体器件 §1-1 晶体二极管 一、填空题 1、物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体和半导体 三大类，最常用的半导体材料是硅和锗。 2、根据在纯净的半导体中掺入的杂质元素不同，可形成 N 型半导体和 P 型半导体。 3、纯净半导体又称本征半导体，其内部空穴和自由电子数 相等。N型半导体又称电子型半导体，其内部少数载流子是 空穴；P型半导体又称空穴型半导体，其内部少数载流子是 电子。 4、晶体二极管具有单向导电性，即加正向电压时，二极管导通，加反向电压时，二极管截止。一般硅二极管的开启电 压约为 V，锗二极管的开启电压约为 V；二极管导通后，一般 硅二极管的正向压降约为 V,锗二极管的正向压降约为 V。 5.锗二极管开启电压小，通常用于检波电路，硅二极管反向电 流小，在整流电路 及电工设备中常使用硅二极管。 6.稳压二极管工作于反向击穿区，稳压二极管的动态电阻越小，其稳压性能好。
7在稳压电路中，必须串接限流电阻，防止反向击穿电流超过极限值而发生热击穿损坏稳压管。 8二极管按制造工艺不同，分为点接触型、面接触型和平面型。 9、二极管按用途不同可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、 开关、热敏、发光和光电二极管等二极管。 10、二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压、反向饱和电流和最高工作频率。 11、稳压二极管的主要参数有稳定电压、稳定电流和动态电阻。 12、图1-1-1所示电路中，二极管V1、V2均为硅管，当开关S与M 相接时，A点的电位为 无法确定 V,当开关S与N相接时，A点的电位为 0 V. 13图1-1-2所示电路中，二极管均为理想二极管，当开关S打开时，A点的电位为 10V 、 流过电阻的电流是 4mA ；当开关S闭合时，A点的电位为 0 V，流过电阻的电流为 2mA 。 14、图1-1-3所示电路中，二极管是理想器件，则流过二极管V1的电流为，流过V2的电流为 ,输出电压U0为 +5V。
电子电路基础习题册参考答案（第三版）全国中等职业技术 第一章常用半导体器件 §1-1 晶体二极管 一、填空题 1、物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体和半导体三大类，最常用的半导体材料是硅和锗。 2、根据在纯净的半导体中掺入的杂质元素不同，可形成N 型半导体和P 型半导体。 3、纯净半导体又称本征半导体，其内部空穴和自由电子数相等。N型半导体又称电子型半导体，其内部少数载流子是空穴；P型半导体又称空穴型半导体，其内部少数载流子是电子。 4、晶体二极管具有单向导电性，即加正向电压时，二极管导通，加反向电压时，二极管截止。一般硅二极管的开启电压约为0.5 V，锗二极管的开启电压约为0.1 V；二极管导通后，一般硅二极管的正向压降约为0.7 V,锗二极管的正向压降约为0.3 V。 5.锗二极管开启电压小，通常用于检波电路，硅二极管反向电流小，在整流电路 及电工设备中常使用硅二极管。 6.稳压二极管工作于反向击穿区，稳压二极管的动态电阻越小，其稳压性能好。
7在稳压电路中，必须串接限流电阻，防止反向击穿电流超过极限值而发生热击穿损坏稳压管。 8二极管按制造工艺不同，分为点接触型、面接触型和平面型。 9、二极管按用途不同可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、 开关、热敏、发光和光电二极管等二极管。 10、二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压、反向饱和电流和最高工作频率。 11、稳压二极管的主要参数有稳定电压、稳定电流和动态电阻。 12、图1-1-1所示电路中，二极管V1、V2均为硅管，当开关S与M 相接时，A点的电位为 无法确定V,当开关S与N相接时，A点的电位为0 V. 13图1-1-2所示电路中，二极管均为理想二极管，当开关S打开时，A点的电位为10V 、 流过电阻的电流是4mA ；当开关S闭合时，A点的电位为0 V，流过电阻的电流为2mA 。 14、图1-1-3所示电路中，二极管是理想器件，则流过二极管V1的电流为0.25mA ，流过V2的电流为0.25mA ,输出电压U0为+5V。
总复习题及解
总复习题及解 一、问 答 第一章答题 1. 电流与电压为关联参考方向是指什么？ 答：电流参考方向（箭头方向）与电压降参考方向（“+”到“-”的方向）一致的方向。 第二章答题 1. 应用叠加定理时，理想电压源不作用时视为短路，理想电流源不作用时视为 开路。 2、求含有受控源单口网络的戴维南（诺顿）等效电路的内阻时，屏蔽掉电源后须用 外施电压、电流 法求得。 第三章答题 1、对于电容C 和电感L ，电压和电流间的关系为： ， 2、换 路定律是指： 3 、全响应解的两种表达式： （1）全响应=（零输入响应）+（零状态响应） （2）三要素法： 第四章答题 1、直流电路中，感抗为0，容抗为无穷大。
2、正弦电压u(t) =2U cos (?t + ? u )对应的相量表示为u U Uθ ∠ = ? 。 3、任意一个相量乘以j相当于该相量逆时针旋转90o 。 4、三相对称电源星型联结，相、线电压的关系为相电压是线电压的 3 1倍，且相电压滞后对应线电压30°。 对称电源△接线时，线电流、相电流之间关系为线电流等于3倍相电流，相位滞后对应相电流30°。 5、电阻元件的电压电流的有效值满足：U=IR，关联参考方向下电压和电流同相位，即 第五章答题 无 第六章答题 1、本征半导体电子浓度等于空穴浓度；N型半导体的电子浓度大于空穴浓度；P型半导体的电子浓度小于空穴浓度。 2、场效应管属于电压控制型器件，晶体三极管则属于电流控制器件。 3、晶体三极管工作在放大状态时，应使发射结正向偏置；集电结反向偏置。 4、稳定二极管稳压时是处于反向偏置状态，而二极管导通时是处于正向偏置状态。 5、 PN结的单向导电性，就是PN结正偏时导通，反偏时截止。 6、当温度升高时，三极管的集电极电流Ic 增加，发射结压降U BE减小。 第七章答题
第一章习题答案： 1、I=3A,U=4V 2、U=2V 3、(a)耗能=120W 释放能量=120W ，(b) 耗能=122W 释放能量=122W 4、I=2.8A U=10V 5、I=0.5A U=9.6V 6、U=-45V 7、U=-4V U=8V 8、I=18A P=1012.5W 9、(a) 5 5 S 3S B 5 4 3 A 3 3 S 1 1 S B 3 A 32 1R U I U )R 1 R 1R 1( U R 1I R U U R 1U )R 1R 1R 1(- =+ + +- -= - ++(b) V 6U U U 2I U 5 1I 13U )14 1 ( U 4 1U 2U 4 1U )4 121( B C C B A B A =-+=-=++--=-+ 10、3 S 3 3S C 5 4 3 B 3 A 4 33S 3S C 3B 32A 21 S 1 1S C 4 B 2 A 42 1I R U U )R 1R 1R 1( U R 1 U R 1R U I U R 1 U )R 1R 1(U R 1I R U U R 1U R 1U )R 1R 1R 1( -= ++ +- - -=-+ -- -= -- ++ 11、U=1.2V 12、A 125 48I = 13、I=7A U=14V 14、U=－1/9 V I=17/7 A 15、I=19A 16、(a)U OC =8V R eq =16Ω (b) U OC =26/7 V R eq =10/7Ω 17、(a)U OC =15V R eq =12.5Ω (b) U OC =－4.8 V R eq =－0.6Ω 18、U=－40V 19、I=0.5A 20、(a)R L =R eq =6Ω P Lmax =37.5W (a)R L =R eq =9Ω P Lmax = 4/9W 21、R eq = 400Ω I=0.04A U=4V P=0.16W P Lmax = 0.25W 22、U OC =1.25V R eq =1.25Ω 第二章习题答案 2-1 （a ）u 1c (0+)=100V i L (0+)=0A u 2c (0+)=0V i 2(0+)=0A (b) i L (0+)=6A u c (0+)=0V i c (0+)=6A u 1R (0+)=96V u L (0+)=–12V 2-2 (a) u c (0+ )=3V i L (0+ )=1.5A i c (0+ )=–3A u L (0+ )=0V
第1章 模拟集成运放及其应用 1.1 当负载开路（L R =∞）时测得放大电路的输出电压o u'=2V ；当输出端接入 L R =5.1K Ω的负载时，输出电压下降为o u =1. 2V ，求放大电路的输出电阻o R 。 解：'L o o L o R u u R R = ?+ ∴' (1) 3.4(K Ω)o o u o L u R R =-= 1.2 当在放大电路的输入端接入信号源电压s u =15mV ，信号源电阻s R =1K Ω时，测得电路的输入端的电压为i u =10mV ，求放大电路的输入电阻i R 。 解：i i s i s R u u R R = ?+ ∴( )2(K Ω)i i s s i u R R u u ==- 1.3 当在电压放大电路的输入端接入电压源s u =15mV ，信号源内阻s R =1K Ω时，测得电路的输入端的电压为i u =10mV ；放大电路输出端接L R =3K Ω的负载，测得输出电压为 o u =1.5V ，试计算该放大电路的电压增益u A 和电流增益i A ,并分别用dB(分贝)表示。 解：150==o u i u A u , ()u u d B 20lg 435dB ().==A A o o L i i s i s 100()== =-I u R A I u u R , i i dB 20lg 40(dB)()==A A 1.4 某放大电路的幅频响应特性曲线如图1.1所示，试求电路的中频增益um A 、下限 截止频率L f 、上限截止频率H f 和通频带BW f 。 f/Hz 图1.1 习题1.4电路图 图1.2 习题1.5电路图 解：um (dB)40(dB)=A ∴um 100=A 5 H 10(Hz)=f L 20(Hz)=f ∴5 BW H L H 10(Hz)=-≈=f f f f 1.5 电路如图1.2所示，当输入电压为0.4V 时，要求输出电压为4V ，试求解R 1和R 2的阻值。 解：f i 11 100k 0.44o R u u R R Ω=- =-?=- 110k R =Ω 21f //100//109.1k R R R ===Ω
1 习 题 1.1 分别计算本征硅和本征锗在T=500K 时的载流子浓度值,并与常温下的载流子浓度值作比较。 解：本征半导体内的载流子浓度可用下式表示302 0exp 2G i i E n p A T kT ?? ==- ??? 上式中硅A o =3.88×1016cm -3K -3/2,锗A o =1.76×1016cm -3K -3/2。 K 是波耳兹曼常数，k=8.63×10-5eV/K=1.38×10-23J/K 。 T 为热力学温度。 E g0是T=0K 时的禁带宽度,硅E g0为1.21eV ,锗为0.785eV 。 按照上式T=500K 时， 本征硅：3163/2143 02 05 1.21exp 3.8810500exp 3.610228.6310500G i i E n p A T cm kT --????==- =???-=? ? ???????? 本征锗：3 163/2 1630205 0.785exp 1.7610500exp() 2.210228.6310500G i i E n p A T cm kT --??==- =???-=? ?????? 而常温下(T=300K),本征硅和锗热平衡载流子浓度分别约为1.5×1010cm –3和2.4×1013 cm –3。 结论：T=500K 同T=300K 相比，本征硅载流子浓度高4个数量级，本征锗载流子浓度高3个数量级，即表明温度对本征半导体载流子浓度影响极大，随着温度升高，本征半导体载流子浓度急剧升高。 1.2 在本征硅中掺入浓度为1431.010/cm ?的五价元素砷。试分别计算T=300K 和T=500K 时的自由电子和空穴的热平衡浓度值,并指出相应的半导体类型。 1) T=300K ，本征硅载流子浓度为103=1.510i n cm -?，掺入浓度1431.010d N cm -=?，满足d i N n >>； 故 143 210214 63 1.010//(1.510)/1.010 2.2510/ N d i d N i N n N n N c m p n n c m ?=+≈= ???==??=??? 由于N N n p >>，属于N 型半导体； 2) T=500K ，本征硅载流子浓度143=3.610i n cm -?，掺入浓度1431.010d N cm -=?，不满足d i N n >>； 故 2 N d N N N i n N p p n n =+? ?=? 求解得到 143 143 3.1310/ 4.1310/N N p cm n cm ?=? =?? 由于N N n p ≈，故属于本征半导体。 1.3 在本征硅中先掺入浓度为N d =8×1016/cm 3的砷原子组成N 型半导体,再掺入浓度为N a =5×1017/cm 3的硼原子。试问它构成何种杂质半导体？常温下两种载流子的浓度各为多少？ 解：由于受主杂质(硼元素)浓度N a 高于施主杂质(砷元素)浓度N d ，故杂质半导体由原先的N 型应转
电工基础习题册第一章答案 电工基础习题册第一章答案 第一章电路基本知识1-1电流和电压I填写空白1。电流的路径称为电路。通常，电 路由电源、导体、负载和开关组成。2.通常规定正电荷运动的方向是电流的方向，因此电 流的方向实际上与电子运动的方向相反。3.金属导体中自由电子的运动方向与电流方向相反。4.电流分为直流和交流，其大小和方向随时间变化的电流称为交流电流，简称ac；恒定大小和方向的电流称为直流电，简称直流电。5.如果3分钟内通过导体横截面的电荷量 为1.8 C，则导体中的电流为0.01A。6.测量电流时，将电流表串联在电路中，使被测电 流从电流表的正极（+）端子流入，从负极（-）端子流出；每个安培计都有一个特定的测 量范围，称为安培计的测量范围。7.电压是测量电场力功率的物理量；电动势是指电源通 过电源内部将正极电荷从电源的负极侧移动到正极侧的能力。8.电路中某一点和参考点之 间的电压就是该点的电势。如果电路中a和B的电位分别为UA和UB，则a和B之间的电 压UAB=UA UB；uba=ub ua.9。参考点的电位为0，高于参考点的电位为正，低于参考点的 电位为负。10.电动势的方向规定为电源内部从负极到正极的方向。11.测量电压时，电压 表应与被测电路并联，使电压表端子的正负极与被测两点的电位一致。12.如图1-1所示，电压表的a应连接到电阻的端子C，B应连接到电阻的端子D。电流表的a端应连接到电阻器的C端。 二、判断题 1.导体中的电流是由电子流形成的，所以电子流的方向就是电流的方向。( ×) 2. 电源的电动势由电源本身的性质决定，与外部电路无关。(√) 3.电压和电势均随参考点 的变化而变化。( ×) 4. 我们规定，通过电源内部，主极指向正极的方向是电动势的方向。(√) 三、问答题 1.电路的主要部件是什么？它们的主要功能是什么？ 答：电路主要由电源、负载、导线和开关组成。电源是提供电能的装置；负载是实现 电路功能的装置。导线是在电路中起连接作用。开关是控制装置。2．简述电压、电位、 电动势的区别。电源内部电荷移动和电源外部电荷移动的原因是否一样? 答：电压反映了两点间电场力所做的功，与参考点的位置无关。电势反映了某一点和 参考点之间的电压，该电压与参考点的位置有关。电动势反映了其他形式能量转化为电能 的能力。电源内部电荷移动的原因与电源外部电荷移动的原因不同。 3．什么是电流?电路中存在持续电流的条件是什么? 答：电流是由电荷的定向运动形成的。电路中持续电流的条件是电源的电动势不存在，电路闭合。
第1章电路的基本定律与分析方法 【思1.1.1】(a) 图U ab＝IR＝5×10＝50V，电压和电流的实际方向均由a指向b。 (b) 图U ab＝－IR＝－5×10＝－50V，电压和电流的实际方向均由b指向a。 (c) 图U ab＝IR＝－5×10＝－50V，电压和电流的实际方向均由b指向a。 (d) 图U ab＝－IR＝－(－5)×10＝50V，电压和电流的实际方向均由a指向b。 【思1.1.2】根据KCL定律可得 (1) I2＝－I1＝－1A。 (2) I2＝0，所以此时U CD＝0，但V A和V B不一定相等，所以U AB不一定等于零。 【思1.1.3】这是一个参考方向问题，三个电流中必有一个或两个的数值为负，即必有一条或两条支路电流的实际方向是流出封闭面内电路的。 【思1.1.4】(a) 图U AB＝U1＋U2＝－2V，各点的电位高低为V C＞V B＞V A。 (b) 图U AB＝U1－U2＝－10V，各点的电位高低为V B＞V C＞V A。 (c) 图U AB＝8－12－4×(－1)＝0，各点的电位高低为V D＞V B(V A＝V B)＞V C。 【思1.1.5】电路的电源及电位参考点如图1-1所示。当电位器R W的滑动触点C处于中间位置时，电位V C＝0；若将其滑动触点C右移，则V C降低。 【思1.1.6】(a) 当S闭合时，V B＝V C＝0，I＝0。 当S断开时，I＝ 12 33 +＝2mA，V B＝V C＝2×3＝6V。 (b) 当S闭合时，I＝－6 3 ＝－2A，V B＝－ 3 21 + ×2＝－2V。 当S断开时，I＝0，V B＝6－ 3 21 + ×2＝4V。 【思1.1.7】根据电路中元件电压和电流的实际方向可确定该元件是电源还是负载。当电路元件上电压与电流的实际方向一致时，表示该元件吸收功率，为负载；当其电压与电流的实际方向相反时，表示该元件发出功率，为电源。 可以根据元件电压与电流的正方向和功率的正、负来判别该元件是发出还是吸收功率。例如某元件A电压、电流的正方向按关联正方向约定，即将其先视为“负载模型”，
电路分析基础练习题及答案 第1章 习题 一、填空题 1-1.通常，把单位时间内通过导体横截面的电荷量定义为 。 1-2.习惯上把 运动方向规定为电流的方向。 1-3.单位正电荷从a 点移动到b 点能量的得失量定义为这两点间的 。 1-4.电压和电流的参考方向一致，称为 方向。 1-5.电压和电流的参考方向相反，称为 方向。 1-6.电压和电流的负值，表明参考方向与实际方向 。 1-7.若P>0（正值），说明该元件 功率，该元件为 。 1-8.若P<0（负值），说明该元件 功率，该元件为 。 1-9. 定律体现了线性电路元件上电压、电流的约束关系，与电路的连接方式无关； 定律则是反映了电路的整体规律，其中 定律体现了电路中任意结点上汇集的所有 的约束关系， 定律体现了电路中任意回路上所有 的约束关系，具有普遍性。 1-10.基尔霍夫电流定律（KCL ）说明在集总参数电路中，在任一时刻，流出（或流出）任一节点或封闭面的各支路电流的 。 1-11.基尔霍夫电压定律（KVL ）说明在集总参数电路中，在任一时刻，沿任一回路巡行一周，各元件的 代数和为零。 二、选择题 1-1．当电路中电流的参考方向与电流的真实方向相反时，该电流 A 、一定为正值 B 、一定为负值 C 、不能肯定是正值或负值 1-2．已知空间有a 、b 两点，电压U ab =10V ，a 点电位为V a =4V ，则b 点电位V b 为 A 、6V B 、－6V C 、14V 1-3．当电阻R 上的u 、i 参考方向为非关联时，欧姆定律的表达式应为 A 、Ri u = B 、Ri u -= C 、 i R u = 1-4．一电阻R 上u 、i 参考方向不一致，令u =－10V ，消耗功率为0.5W ，则电阻R 为 A 、200Ω B 、－200Ω C 、±200Ω 1-5．两个电阻串联，R 1：R 2=1：2，总电压为60V ，则U 1的大小为 A 、10V B 、20V C 、30V 1-6．已知接成Y 形的三个电阻都是30Ω，则等效Δ形的三个电阻阻值为
电工基础经典习题册及部分章节答案 电工基础经典习题集 第一章电路基础知识 §1―1电流和电压一、填空题 1．电流流通的路径称为电路，通常电路是由电源、导线、负载和开关组成。2．习惯 上规定正电荷移动的方向为电流的方向，因此，电流的方向实际上与电子移动的方向相反。 3．金属导体中自由电子的定向移动方向与电流方向恰好相反。 4．电流分直流和交流两大类，凡电流的大小和方向都随时间的变化而变化的电流称 为交流电流，简称交流；凡大小和方向恒定不变的电流称为直流电流，简称直流。 5．若3min通过导体横截面的电荷量就是1.8c，则导体中的电流就是0.01a。6．测 量电流时，应当将电流表串联直奔在电路中，并使被测电流从电流表的也已（+）接线柱 流入，从负（-）接线柱流入；每个电流表都存有一定的测量范围，称作电流表的量程。 7．电压是衡量电场力做功能力的物理量；电动势表示电源将正电荷从电源负极经电 源内部移到正极的能力。 8．电路中某点与参考点的电压即为该点的电位，若电路中a、b两点的电位分别为ua、ub，则a、b两点间的电压uab=ua-ub；uba=ub-ua。 9．参考点的电位为0，高于参考点的电位取正值，低于参考点的电位取负值。10．电动势的方向规定为在电源内部由负极指向正极。 11．测量电压时，应当将电压表和被测电路并联，并使电压表接线柱的差值和被测两 点的电位一致。 12．如图1―1所示，电压表的a应接电阻的c端，b应接电阻的d端。电流表的a应接电阻的c端。 c+air11kωd_vbic-aar21kωd+b 二、判断题 1．导体中的电流由电子流构成，故电子流颤抖的方向就是电流的方向。(×)2．电源 电动势的大小由电源本身性质所同意，与外电路毫无关系。(√)3．电压和电位都随其参 考点的变化而变化。(×)4．我们规定自私极通过电源内部指向负极的方向为电动势的方向。(√) 三、问答题
第1章 电路的基本概念和基本定律 本章的主要任务是学习电路的基本概念、基本物理量和基本定律，为掌握电路的分析计算方法奠定必要的基础。 本章基本要求 (1) 正确理解理想电路元件、电路模型的概念； (2) 正确理解电流、电压的参考方向的概念，并掌握电流、电压参考方向的使用； (3) 计算元件或电路的功率，并判别元件或电路是吸收功率还是发出功率； (4) 掌握理想元件的电压与电流关系式； (5) 掌握基尔霍夫定律（KCL 和KVL ）的应用； (6) 了解电路的三种工作状态：额定工作状态、过载工作状态和欠载工作状态。理解电气器件、设备的额定值。 本章习题解析 1－1 试求图1－1所示电路的电压U ab 和U ba 。 图1－1 解 (a)电压U 的参考方向如图所示，已知U ＝10V ，故有 10==U U ab V 10-=-=-=U U U ab ba V (b)直流电压源的电压参考方向如图所示，故有 5=ab U V 5-=-=ab ba U U V 1－2 根据图1－2所示的参考方向和电压、电流的数值确定各元件电流和电压的实际方向，并计算各元件的功率，说明元件是吸收功率还是发出功率。 (a) (b) (c) (d)
图1－2 解 (a)因为电流为＋2mA ，电压为＋5V ，所以电流、电压的实际方向与参考方向相同。电阻元件的功率为 101010102533=⨯=⨯⨯==--UI P mW 电阻元件的电压与电流取关联参考方向，计算结果P >0，说明电阻元件吸收功率。 (b)因为电流、电压随时间t 按照正弦规律变化，所以当电流i >0、电压u >0时，它们的实际方向与参考方向一致；当电流i <0、电压u <0时，它们的实际方向与参考方向相反。电阻元件的功率为 )(sin )sin()sin(t t t ui p ωωω255=⨯==W 电阻元件的电压与电流取关联参考方向，计算结果p >0，说明电阻元件吸收功率。 (c)因为电流为－2mA ，所以电流的实际方向与参考方向相反；电压为＋5V ，所以电压的实际方向与参考方向相同。直流电压源的功率为 101010102533-=⨯-=⨯-⨯==--)(UI P mW 直流电压源的电压与电流取关联参考方向，计算结果P <0，说明直流电压源发出功率。 (d)因为电流为＋2A ，电压为＋6V ，所以电流、电压的实际方向与参考方向相同。直流电流源的功率为 1226=⨯==UI P W 直流电流源的电压与电流取非关联参考方向，计算结果P >0，说明直流电流源发出功率。 1－3 在图1－3所示电路中，试求： (1)若元件A 吸收10W 功率，求其电压U A ； (2)若元件B 吸收－10W 功率，求其电流I B ； (3)若元件C 发出10W 功率，求其电流I C ； (4)若元件D 发出10mW 功率，求其电流I D 。 图1－3 解 (1)元件A 的电流与电压取关联参考方向，其吸收功率为 104=⨯=A A U P W 故其电压U A 为 U A 10V B 6V C 10V D
习题一 1-1 一个继电器的线圈，电阻为48Ω，当电流为0.18A 时才能动作，问线圈两端应施加多大的电压？ 答：根据欧姆定律可得：U =IR =0.18*48=8.64V 1-2 一个1000W 的电炉，接在220V 电源使用时，流过的电流有多大？ 答：由电路的功率计算公式可知：P =UI ，所以A 55.4220 1000===U P I 1-3 求题图1-1(a)、(b)电路得U ab 。 解：（1）图(a)，由a 到b 的电压降U ab =U ac +U cb ，假定电流方向如图所示，沿a —电池—c —a 回路逆时针方向绕行一周，电压方程式为： -6+4I +2I =0 即得：I =1A 则U ac =2(-I )=-2V （或者U ac =-6+4I =-2V ） 对于cb 支路：因为构不成回路，所以电流为零。故：U cb =4V # 所以：U ab =U ac +U cb =-2+4=2V # （2）图(b)，由a 到b 的电压降U ab =U ac +U cb ，假定电流方向如图所示，与(a)同理在回路中列出电压方程为： -3+1I +2I =0 即得：I =1A 则U ac =1(-I )=-1V （或者U ac =-3+2I =-1V ） 对于cb 支路：因为构不成回路，所以电流为零。故：U cb =8V 所以：U ab =U ac +U cb =-1+8=7V # 1-7 电路如题图1-2所示，求 （1）列出电路得基尔霍夫电压定律方程； （2）求出电流 （3）求U ab 及U cd 解：（1）假设电流的参考方向如图所示，对于db 支路，因为不构成回路，支路电流等于零，U db =10V 由a 点出发按顺时针方向绕行一周的KVL 电压方程式为：2I +12+1I +2I +2I +1I -8+2I =0 得：10I +4=0 # （2）求电流 由上面得回路电压方程式得： )A (4.010 4 -=- =I # 负号表示电流的实际方向与参考方向相反。 a 4Ω b (a) a Ω b (b) 题图1-1 习题1-3电路图 1Ω 2Ω2Ω 2Ω2Ω 1Ω 题图1-2 习题1-7电路图
第一章习题答案 1.1.4 一周期性信号的波形如图题1.1.4所示，试计算：（1）周期；（2）频率；（3）占空比 012 （ms） 图题1.1.4 解： 周期T=10ms 频率f=1/T=100Hz 占空比q=t w /T ×100%=1ms/10ms ×100%=10% 1.2.2 将下列十进制数转换为二进制数、八进制数和十六进制数，要求误差不大于2-4： （1）43 （2）127 （3）254.25 （4）2.718 解： 1. 转换为二进制数： （1）将十进制数43转换为二进制数，采用“短除法”，其过程如下： 2 4 3 ………………………余1……b 02 21 ………………………余1……b 12 1 ………………………余1……b 5 2 2 ………………………余0……b 42 5 ………………………余1……b 32 10 ………………………余0……b 20 高位 低位 从高位到低位写出二进制数，可得（43）D =（101011）B （2）将十进制数127转换为二进制数，除可用“短除法”外，还可用“拆分比较法”较为简单： 因为27=128，因此（127）D =128-1=27-1=（1000 0000）B -1=（111 1111）B （3）将十进制数254.25转换为二进制数， 整数部分（254）D =256-2=28-2=（1 0000 0000）B -2=（1111 1110）B 小数部分（0.25）D =（0.01）B （254.25）D =（1111 1110.01）B （4）将十进制数2.718转换为二进制数 整数部分（2）D =（10）B 小数部分（0.718）D =（0.1011）B 演算过程如下：