半导体器件原理与工艺

半导体工艺技术

•平时成绩30% + 考试成绩70%•名词解释（2x5=10）+ 简答与画图（8x10=80）+ 计算（1x10=10）名词解释p型和n型半导体漂移和扩散简并半导体异质结量子隧穿耗尽区阈值电压CMOS欧姆接触肖特基势垒接触简答与画图1.从能带的角度分析金属、半导体和绝缘体之间的区别。2.分析pn结电流及耗尽区宽度与偏压的关系。3.什么是pn结的整流（单向导电

半导体器件物理 施敏 第二版

半导体期末复习补充材料一、名词解释１、准费米能级费米能级和统计分布函数都是指的热平衡状态，而当半导体的平衡态遭到破坏而存在非平衡载流子时，可以认为分就导带和价带中的电子来讲，它们各自处于平衡态，而导带和价带之间处于不平衡态，因而费米能级和统计分布函数对导带和价带各自仍然是适用的，可以分别引入导带费米能级和价带费米能级，它们都是局部的能级，称为“准费米能级”，

半导体器件与工艺(4)

半导体器件物理复习题第二章：1） 带隙：导带的最低点和价带的最高点的能量之差，也称能隙。物理意义：带隙越大，电子由价带被激发到导带越难，本征载流子浓度就越低，电导率也就越低2）什么是半导体的直接带隙和间接带隙？其价带顶部与导带最低处发生在相同动量处(p ＝0)。因此，当电子从价带转换到导带时，不需要动量转换。这类半导体称为直接带隙半导体。3）能态密度：能量介

半导体器件与工艺.ppt

半导体器件半导体工艺掺杂PPT

第一章半导体器件与工艺技术的发展2

半导体器件与工艺

东南大学 秦明 老师半导体器件原理与工艺3.1

现代半导体器件物理与工艺

半导体器件与工艺(3)

半导体工艺模拟和器件仿真

半导体器件与工艺(4)答辩

半导体器件物理复习题第二章:1) 带隙：导带的最低点和价带的最高点的能量之差，也称能隙。物理意义：带隙越大,电子由价带被激发到导带越难，本征载流子浓度就越低,电导率也就越低２)什么是半导体的直接带隙和间接带隙？其价带顶部与导带最低处发生在相同动量处(p=0)。因此,当电子从价带转换到导带时,不需要动量转换。这类半导体称为直接带隙半导体。３）能态密度:能量介于

半导体器件与工艺基础