典型全控型器件利用控制信号可控制开通与关断的器件称为全控型器件，通常也称为自关断器件。全控型器件通常分为电流控制型与电压控制型两类。电流控制型器件从控制极注入或抽取电流信号来控制器件的开通或关断，如可关断晶闹管(GTO)、大功率晶体管(GTR)等。这类器件的主要特点是控制功率较大、控制电路复杂、工作频率较低。电压控制型器件通过在控制极建立电场——提供电压信号

湖南省技工学校理论教学教案教师姓名：注：教案首页，教案用纸由学校另行准备湖南省劳动厅编制P1N1P2和N1P2N2构成的两个晶体管V1、V2分别具有共基极电流增益α1和α2 。是器件临界导通的条件。的关断过程与普通晶闸管不同。关断时，给门极加负脉冲，产生门G，此电流使得V1管的集电极电流I Cl被分流，V2减小，从而使I C2和I K减小，I C2的减小进一

四种典型全控型器件的比较四种典型全控型器件的比较一、对四种典型全控型器件的介绍1、门极可关断晶闸管(GTO)1）GTO的结构与工作原理芯片的实际图形GTO结构的纵断面GTO结构的纵断面图形符号GTO的内部结构和电气图形符号2）工作原理：设计?2较大，使晶体管V2控制灵敏。导通时?1+?2=1.05更接近1，导通时接近临界饱和，有利门极控制关断，但导通时管压降

1.3.1 门极可关断晶闸管? GTO的导通过程与普通晶闸管是一样的， 只不过导通时饱和程度较浅。? 而关断时，给门极加负脉冲，即从门极抽 出电流，当两个晶体管发射极电流 IA和I

2一、电力场效应晶体管1. 电力MOSFET的结构和工作原理电力MOSFET的种类按导电沟道可分为P沟道和N沟道。 耗尽型 —— 当栅极电压为零时漏源极之间 就存在导电沟道。 增强

典型全控型器件的介绍班级学号 :姓名日期一．门极可关断晶闸管1.1门极可关断晶闸管的简介门极可关断晶闸管简称GTO,是一种全控型的晶闸管。其主要特点为，当栅极加负向触发信号时晶闸管能自行关断，保留了普通晶闸管耐压高、电流大等优点，以具有自关断能力，使用方便，是理想的高压、大电流开关器件。GTO的容量及使用寿命均超过巨型晶体管（GTR），只是工作频纺比GTR低

四种典型全控型器件的比较四种典型全控型器件的比较一、对四种典型全控型器件的介绍1、门极可关断晶闸管(GTO)1）GTO的结构与工作原理芯片的实际图形 GTO结构的纵断面 GTO结构的纵断面图形符号GTO的内部结构和电气图形符号2）工作原理：设计α2较大，使晶体管V2控制灵敏。导通时α1+α2= 1.05更接近1，导通时接近临界饱和，有利门极控制关断，但导通时

四种典型全控型器件的比较四种典型全控型器件的比较一、对四种典型全控型器件的介绍1、门极可关断晶闸管(GTO)1）GTO的结构与工作原理芯片的实际图形 GTO结构的纵断面 GTO结构的纵断面图形符号GTO的内部结构和电气图形符号2）工作原理：设计?2较大，使晶体管V2控制灵敏。导通时?1+?2=更接近1，导通时接近临界饱和，有利门极控制关断，但导通时管压降增大

四种典型全控型器件的比较四种典型全控型器件的比较一、对四种典型全控型器件的介绍1、门极可关断晶闸管(GTO)1）GTO的结构与工作原理芯片的实际图形 GTO结构的纵断面 GTO结构的纵断面图形符号GTO的内部结构和电气图形符号2）工作原理：设计?2较大，使晶体管V2控制灵敏。导通时?1+? 2=更接近1，导通时接近临界饱和，有利门极控制关断，但导通时管压降增

湖南省技工学校理论教学教案教师姓名：[复习导入]门极可关断晶闸管——在晶闸管问世后不久出现。全控型电力电子器件的典型代表——门极可关断晶闸管、电力晶体管、电力场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管。[讲授新课]一、门极可关断晶闸管晶闸管的一种派生器件。可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断。GTO的电压、电流容量较大，与普通晶闸管接近，因而在兆瓦级以上的大功率场合仍

四种典型的全控型器件班级学号：********* 姓名：***日期：2013.10.3四种典型的全控型器件全控型器件：通过控制信号既可以控制其导通，又可以控制其关断的电力电子器件被称为全控型器件，又称为自关断器件。四种典型全控型器件：只在汽车点火装置和电视机行扫描电路中进行试用。自70年代中期开始，GTO的研制取得突破，相继出世了1300V/600A、250

(2)安全工作区 以直流极限参数ICM、PCM、UCEM构成的工作区为 一次击穿工作区，如图4-10所示。《电力电子技术》图4-10 GTR安全工作区《电力电子技术》三、电力晶体管

四种典型全控型器件的比较四种典型全控型器件的比较一、 对四种典型全控型器件的介绍1、门极可关断晶闸管(GTO ) 1）GTO 的结构与工作原理芯片的实际图形 GTO 结构的纵断面 GTO 结构的纵断面 图形符号GTO 的内部结构和电气图形符号2）工作原理：设计α2较大，使晶体管V2控 制灵敏。导通时α1+α 2= 1.05更接近1，导通时接近临界饱和，有利门

全控型电力电子器件GTO

全控型器件1.通过控制信号既可以控制其导通，又可以控制其关断的电力电子器件被称为全控型器件，又称为自关断器件；这类器件很多，门极可关断晶闸管（Gate-Turn-Off Thyristor—GTO），电力场效应晶体管（Power MOSFET），绝缘栅双极晶体管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）均属于此类。●绝缘栅

全控器件MOSFET和IGBT

四种典型全控型器件的比较四种典型全控型器件的比较一、对四种典型全控型器件的介绍1、门极可关断晶闸管(GTO)1）GTO的结构与工作原理芯片的实际图形GTO结构的纵断面GTO结构的纵断面图形符号GTO的内部结构和电气图形符号2）工作原理：设计?2较大，使晶体管V2控制灵敏。导通时?1+?2=1.05更接近1，导通时接近临界饱和，有利门极控制关断，但导通时管压降

四种典型全控型器件的比较四种典型全控型器件的比较一、 对四种典型全控型器件的介绍1、门极可关断晶闸管(GTO ) 1）GTO 的结构与工作原理芯片的实际图形 GTO 结构的纵断面 GTO 结构的纵断面 图形符号GTO 的内部结构和电气图形符号2）工作原理：设计α2较大，使晶体管V2控 制灵敏。导通时α1+α 2= 1.05更接近1，导通时接近临界饱和，有利门

四种典型全控型器件比较

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