电位器检验作业指导一、背景介绍电位器是一种用于调节电流或电压的电子元件，广泛应用于各种电子设备中。
为了确保电位器的质量和性能符合要求，需要进行检验作业。
本文将详细介绍电位器检验作业的步骤和标准。
二、检验设备和工具1. 万用表：用于测量电位器的电阻值、电容值等参数。
2. 直流电源：用于给电位器提供电压。
3. 示波器：用于观察电位器的电压波形。
4. 温湿度计：用于测量环境温度和湿度。
三、检验步骤1. 外观检查：检查电位器外观是否完好，无损坏、变形或腐蚀等情况。
2. 尺寸测量：使用卡尺等工具测量电位器的尺寸，确保符合设计要求。
3. 电阻测量：使用万用表测量电位器的电阻值。
将万用表的测量引线分别接到电位器的两个端子上，记录测量结果，并与设计要求进行比较。
4. 线性度测试：将电位器接入电路中，通过改变电位器的旋转角度，测量电位器输出的电压值。
记录不同角度下的电压值，并绘制线性度曲线。
线性度应在一定范围内。
5. 温度特性测试：将电位器暴露在不同温度环境下，测量电位器的电阻值。
根据测量结果绘制温度特性曲线，确保电位器在不同温度下的电阻变化在允许范围内。
6. 湿度特性测试：将电位器暴露在不同湿度环境下，测量电位器的电阻值。
根据测量结果绘制湿度特性曲线，确保电位器在不同湿度下的电阻变化在允许范围内。
7. 耐久性测试：通过旋转电位器或进行长时间使用，检验电位器的耐久性能。
观察电位器是否出现卡滞、松动、接触不良等问题。
8. 绝缘电阻测试：使用万用表测量电位器的绝缘电阻，确保绝缘电阻值符合要求。
四、检验标准1. 外观检查：电位器外观应无明显损坏、变形或腐蚀等情况。
2. 尺寸测量：电位器尺寸应符合设计要求。
3. 电阻测量：电位器的电阻值应与设计要求相符，允许一定的误差范围。
4. 线性度测试：电位器的线性度应在一定范围内，具体范围根据设计要求确定。
5. 温度特性测试：电位器的温度特性曲线应在允许范围内，具体范围根据设计要求确定。
8.11电路元件的伏安特性的测绘及电源外特性的测量[实验要求]1、测量给定电阻的阻值R X，要求△R X/R X≤1.5%从给定的电阻中任选二个电阻，可用电流表内接、外接、补偿、替代等方法进行测量，并给出测量结果2、测量非线性电阻的伏安特性研究要求从给定的白炽灯泡、稳压二极管、光电二极管、发光二极管、整流二极管中任选二个元件，进行测量。
并用实验曲线给出实验结果。
3、测量直流电压源的伏安特性测量给定电源（干电池、直流稳压电源）的内阻、电动势及最大输出功率，用曲线或图表反映实验结果。
[实验器材]1、DH-SJ型物理设计性实验装置2、待测电阻3、白炽灯泡、稳压二极管、光电二极管、发光二极管、整流二极管附电路元件的伏安特性的测绘及电源外特性的测量参考资料一、实验目的1、学习测量线性和非线性电阻元件伏安特性的方法，并绘制其特性曲线2、学习测量电源外特性的方法3、掌握运用伏安法判定电阻元件类型的方法4、学习使用直流电压表、电流表，掌握电压、电流的测量方法三、实验原理与说明1、电阻元件(1) 伏安特性二端电阻元件的伏安特性是指元件的端电压与通过该元件电流之间的函数关系。
通过一定的测量电路，用电压表、电流表可测定电阻元件的伏安特性，由测得的伏安特性可了解该元件的性质。
通过测量得到元件伏安特性的方法称为伏安测量法(简称伏安法)。
把电阻元件上的电压取为纵(或横)坐标，电流取为横(或纵)坐标，根据测量所得数据，画出电压和电流的关系曲线，称为该电阻元件的伏安特性曲线。
(2) 线性电阻元件线性电阻元件的伏安特性满足欧姆定律。
在关联参考方向下，可表示为：U=IR，其中R为常量，称为电阻的阻值，它不随其电压或电流改变而改变，其伏安特性曲线是一条过坐标原点的直线，具有双向性。
如图1-1(a)所示。
(3) 非线性电阻元件非线性电阻元件不遵循欧姆定律，它的阻值R随着其电压或电流的改变而改变，就是说它不是一个常量，其伏安特性是一条过坐标原点的曲线，如图1-1(b)所示。
实验二半导体激光器P―I特性曲线的绘制一、实验目的1、学习半导体激光器的发光原理。
2、了解半导体激光器输出光功率与注入电流的关系。
3、掌握半导体激光器P-I特性曲线的测试及绘制方法。
二、实验内容测量半导体激光器的输出光功率和注入电流，并画出P-I关系曲线。
三、实验原理半导体激光器的输出光功率与驱动电流的关系如图2-1所示，该特性有一个转折点，相应的驱动电流称为门限电流(或称阈值电流)，用I th表示。
在阈值电流以下，激光器工作于自发发射，输出荧光，光功率很小。
在门限电流以上，激光器工作于受激发射，输出激光，光功率随驱动电流迅速上升，基本成线性关系；激光器的电流与电压的关系类似于正向二极管的特性，如图2-2所示。
图2-1 激光器的功率特性图2-2 激光器的伏安特性阈值条件就是光谐振腔中维持光振荡的条件。
设受激发射所产生的光介质的平均增益系数(单位长度上的增益)为g，光介质的平均损耗系数为a，则光谐振腔产生和维持光振荡的条件为光子在光谐振腔中来回反射一次所产生的光能增益大于或等于光能的损耗，用公式表示为：(2-1)式中L 为光谐振腔的长度，r1、r2分别为光谐振腔两端镜面的反射系数(O<rl<1;O<r2<1)。
门限状态下的增益系数为th g 为：（2-2）式中J th 为门限状态下注入有源区的电流密度,β为平均增益因子，其值取决于激光器的材料与结构,从电流密度J th 按下式可决定门限电流I th 为：（2-3）式中b 为有源区宽度，ξ>1为电流侧向扩展因子,可使ξ接近1，故能获得小的门限电流。
激光器功率特性的线性程度对模拟光纤传输系统的非线性失真指标影响很大。
半导体激光二极管(LD)或简称半导体激光器与发光二极管LED 不同，它通过受激辐射发光，是一种阈值器件。
由于受激辐射与自发辐射的本质不同，导致了半导体激光器不仅能产生高功率(≥10mW)辐射，而且输出光发散角窄(垂直发散角为30—50°，水平发散角为0～30°)，与单模光纤的耦合效率高(约30％～50％)，辐射光谱线窄，适用于高比特工作，载流子复合寿命短，能进行高速(>20GHz)直接调制。
