图6 正火试样之显微组织 100×
4%
硝酸酒精溶液侵蚀
图7 在不同冷却速度下A r1和
A r3(或A rcm )的变化位置
冷却下)A r3与A r1才相交于S 点(共析点)。也就是
说,在任何实际冷却速度下,在一个成分范围内,都可以转变为珠光体,但这时的珠光体是伪珠光体,实际的含碳量未达到0.8%的共析成分。但其钢的硬度明显提高,这正是本批材料珠光体含量和硬度均偏高的原因。
由材料力学可知,图8中A 2A 中心线处,在剪
切时剪应力最大,τmax =113・P
F
,比其平均剪应力大1/3倍。由于此批材料硬度高,则抵抗剪应力的能力也大,从而使剪应力P 也相应增大,同理τmax =113・P
F
也随之增大。根据切应力互等定理可知,垂直切面的中心线部位张应力也最大,剪切时,当作用于材料上的该项应力大于材料的抗张强度时,就会引起材料的开裂。
4 结论
原材料热轧后,因冷速过快,过冷度较大,
使相
图8 受力分析
变在非平衡条件下进行,而形成大量的伪共析组织,
造成硬度偏高,使材料在剪切时变形困难,当垂直于切面的张应力大于材料的抗张强度时,导致了开裂。
5 措施
剪切前应进行硬度检测。若硬度高,在剪切前增加一道正火工序,以降低硬度。
经采取以上措施后,生产中再未出现过剪切开裂现象。参考文献:
[1] 金相图谱编写组编.金相图谱[M ].北京:电力工业出
版社,1980.
[2] 大连工学院.金属学及热处理[M ].北京:科学出版社,
1975.
[3] G B/T 3077-1988,合金结构钢技术条件[S].[4] G B/T 6394-1986,金属平均晶粒度测定法[S].
砷化镓单晶生长技术
北京有色金属研究总院宣布,我国第一套蒸气压控制直拉法(VCZ 法)晶体生长系统和工艺技术,成功拉制出国内第一根直径101.6mm (4英寸)VCZ 半绝缘砷化镓单晶,使我国成为继日本、德国之后第三个掌握此项技术的国家,这标志着我国砷化镓晶体生长技术进入世界领先行列。砷化镓(G aAs )是目前最重要、最成熟的化合物半导体材料,广泛应用于光电子和微电子领域。随着无线通讯、光纤通讯、汽车电子等产业的迅猛发展,砷化镓半导体产业进入前所未有的快速发展时期。
转载《应用科技》2001年第8期
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44宋乃明等:20CrMnTi 圆钢剪切开裂分析
