单晶的培养物质的结构决定物质的物理化学性质和性能，同时物理化学性质和性能是物质结构的反映。只有充分了解物质结构，才能深入认识和理解物质的性能，才能更好地改进化合物和材料的性质与功能，设计出性能良好的新化合物和新材料。单晶结构分析可以提供一个化合物在固态中所有原子的精确空间位置、原子的连接形式、分子构象、准确的键长和键角等数据，从而为化学、材料科学和生命科学等

单晶薄膜制备方法薄膜材料相对于块体材料来说，可以应用较小的原料而达到相应的性能要求；而且薄膜材料还具有许多优异的性能，使薄膜材料能够满足现在大型集成电路以及各种功能器件的要求，使器件向小型化、轻便化方向发展。单晶薄膜由于膜层内部缺陷少、而且具有一定尺度的膜层具有一定的量子限域效应，电子在其内部运动时会有许多独特的状态和方式，从而产生更优的性能，具有极其重要的

单晶炉安全操作规范集团公司文件内部编码：（TTT-UUTT-MMYB-URTTY-ITTLTY-单晶炉安全操作规范1、开机安全检查单晶炉开机、装料前，应对电气、机械、液压等部分进行检查，使单晶炉电极处于无电压输出，各机械传动安全可靠；1）检查主加热器处于关闭状态（是否切断主回路的空开？）；2）欧陆表输出设定为0；3）上炉膛、炉盖、付室的机械联接部位螺丝无松动

单晶生讲义长操作规程讲解

单晶生长方法介绍

单晶生长

夏津县奥德新能源有限公司直拉单晶炉操作规程版本/修订0 文件编号：AD-ZY-DJ-07-20101 目的为了使单晶制造厂直拉单晶炉操作工熟练掌握单晶炉，使生产正常运行。2 适用范围单晶制造厂所有单晶操作工。3 内容3.1 拆炉3.1.1 准备确认停炉冷却时间达5h，准备好钳子及取晶筐，向炉内充Ar气，确认炉内为常压时，副室门打开，关闭Ar 流量计启动液压，

单晶生长技术内因是决定因素外部条件的影响大单晶培养方法单晶挑选和保存内因是决定因素外部条件的影响大单晶培养方法4、晶种生长法（再结晶）>0.1mm

溶液法生长单晶

单晶硅片工艺流程技术文件

一,挥发法原理:依靠溶液的不断挥发,使溶液由不饱和达到饱和过饱和状态. 条件:固体能溶解于较易挥发的有机溶剂一般丙酮,甲醇,乙醇,乙腈,乙酸乙酯,三氯甲烷,苯,甲苯,四氢呋喃,水等. 理论上,所有溶剂都可以,但一般选择60～120℃. 注意:不同溶剂可能培养出的单晶结构不同方法:将固体溶解于所选有机溶剂,有时可采用加热的办法使固体完全溶解,冷却至室温或者再加

晶体生长方法

YF-ED-J8161可按资料类型定义编号单晶炉安全操作规范实用版In Order To Ensure The Effective And Safe Operation Of The Department Work Or Production, Relevant Personnel Shall Follow The Procedures In Handlin

CZ生长原理及工艺流程CZ法的基本原理，多晶体硅料经加热熔化，待温度合适后，经过将籽晶浸入、熔接、引晶、放肩、转肩、等径、收尾等步骤，完成一根单晶锭的拉制。炉内的传热、传质、流体力学、化学反应等过程都直接影响到单晶的生长与生长成的单晶的质量，拉晶过程中可直接控制的参数有温度场、籽晶的晶向、坩埚和生长成的单晶的旋转与升降速率，炉内保护气体的种类、流向、流速、压

图1 FT-CZ2008型单晶炉图2 操作柜三、依据：依据为直拉法生长硅单晶的工艺和FT-CZ2008型单晶炉的性能。准审核编制修改履历码内容状态备图3 【氩气】操作界面⑫、拧开上炉体螺母，将操作手柄上的【HOIST】旋钮打向UP位置点动上升炉筒至适当位置，将操作手柄上的【SEED】旋钮打向UP位置上升晶棒到翻板阀室以上，顺时针转动翻板阀手柄，关闭翻板阀。图

溶液法生长单晶.

操作说明一．目的将硅多晶及硅单晶转变成客户需要的硅单晶。二．适用范围FT-CZ1806,FT-CZ2008单晶炉三．使用设备及工具?FT-CZ1806(FT-CZ2008)型单晶炉、空气压缩机、真空泵（主/辅）、循环冷却水系统、氩气输送系统、氩气中含氧量监测仪?斜口钳、螺丝刀、不锈钢托盘、不锈钢推车、硅单晶专用取棒车、美工刀等四．材料?多晶硅、可回收利用的硅

CZ生长原理及工艺流程CZ法的基本原理，多晶体硅料经加热熔化，待温度合适后，经过将籽晶浸入、熔接、引晶、放肩、转肩、等径、收尾等步骤，完成一根单晶锭的拉制。炉内的传热、传质、流体力学、化学反应等过程都直接影响到单晶的生长与生长成的单晶的质量，拉晶过程中可直接控制的参数有温度场、籽晶的晶向、坩埚和生长成的单晶的旋转与升降速率，炉内保护气体的种类、流向、流速、压

科盛单晶站操作工艺规程型号TDR-62D一. 目的：为正确规范操作单晶炉，确保生产作业正常进行及提高工作效率。二. 范围：适用单晶站所用TDR-62D型单晶炉。三. 依据：依据直拉法生长单晶硅和TDR-62D型单晶炉性能。四. 权责单位：济南科盛电子有限公司单晶站。五. 直拉单晶硅作业工艺流程：⒈作业准备→⒉取单晶→⒊石墨件取出冷却→⒋清扫除尘罐→⒌真空泵油

晶体生长和外延讲解