键合拉力测试点对键合拉力的影响分析

塑封产品键合不良现象标准
塑封产品键合不良现象标准包括以下几个方面：
1. 键合强度：键合不良最直接的表现就是键合强度不足，无法满足产品的使用要求。

在测试时，可以通过测量键合点的剥离强度或剪切强度来评估键合强度，一般情况下要求剥离强度和剪切强度都要达到一定的标准值。

2. 外观检查：通过目视检查，观察键合点是否有开裂、剥离、起泡等外观问题，这些也是键合不良的表现。

3. 微观结构分析：利用扫描电子显微镜等设备对键合点进行微观结构分析，观察键合点的界面结合情况，判断是否存在界面污染、孔洞、界面不平整等问题。

4. 失效分析：对于已经失效的键合点，可以进行深入的失效分析，包括化学成分分析、能谱分析、金相切片等手段，以找出失效原因。

5. 环境适应性测试：将塑封产品置于高温、高湿、低温等不同环境下进行测试，观察键合点的性能变化，以评估键合点的环境适应性。

在实际操作中，需要结合具体情况，选取合适的测试方法来评估塑封产品的键合不良现象。

SSB键合在COB封装中的应用研究刘译蔓【摘要】针对常规的金丝球键合法用在COB封装时由于PCB板焊盘表面氧化、镀层缺陷及金层质量不佳等因素时常出现虚焊、脱焊等失效问题,采用SSB键合法作为常规金丝球键合的一种扩展,使其发挥出在PCB焊盘键合时常规金丝球键合方法所不具备的优势.以实际应用中某COB板级电路在PCB焊盘上不能有效键合的问题为实例,研究了SSB键合的工艺过程和键合强度表现.预先在PCB端植球以增加键合点与镀金PCB焊盘的接触面积,实现有效键合并确保了键合强度.该方法可被应用到其他COB的封装场合.【期刊名称】《微处理机》【年(卷),期】2019(040)003【总页数】3页(P11-13)【关键词】SSB键合;COB封装;键合不良;键合强度【作者】刘译蔓【作者单位】中国电子科技集团公司第四十七研究所,沈阳110032【正文语种】中文【中图分类】TN305.941 引言COB（Chip On Board,板上芯片）技术是将裸露的IC 芯片直接贴装在印刷电路板上，通过键合线与电路板键合，然后进行芯片的钝化和保护，其结构如图1所示[1]。

如果裸芯片直接暴露在空气中，易受污染或人为损坏，将难以实现芯片功能，因此须用胶把芯片和键合引线包封起来，这种封装形式也被称为软包封。

引线键合是裸芯片与电路板相连接的过程，为电源和信号的分配提供电路连接[2]，键合工艺质量的好坏直接关系到整个封装器件的性能和可靠性，也直接影响到封装的总厚度。

在COB 封装中，由于将裸芯片直接贴装在印制电路板上，没有对其单独封装，所以能有效地降低成本[3]。

早期COB 技术一般只面向对信赖度无过高重视的低阶消费性电子产品，如玩具、计算器、小型显示器、钟表等日常生活用品。

例如早期台湾COB 工艺大多由出身IC 封装厂的员工靠家庭代工方式完成，常给人COB 的质量不够牢靠的印象。

然而随着时代进步，电子产品趋于轻薄短小，COB 反而有越来越广的用途，如手机、照相机等具有小型化要求的产品大多已导入COB 工艺。

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第 54 卷第 7 期2023 年 7 月中南大学学报(自然科学版)Journal of Central South University (Science and Technology)V ol.54 No.7Jul. 2023引线键合界面切向接触的黏滞−微滑移临界转换位置和能量耗散特性研究温琪，孙韵韵，巫世晶(武汉大学 动力与机械学院，湖北 武汉，430072)摘要：针对键合界面的黏滞−微滑移接触现象，基于黏滞−微滑移临界位置的连续变形条件和边界条件，建立键合界面切向接触的数学模型；推导出键合界面切向接触不同位置的变形量，研究法向键合力和超声切向力对界面黏滞−微滑移临界转换位置和能量耗散的影响规律。

研究结果表明：当增大超声切向力或减小法向键合力时，界面切向变形量呈非线性增加，微滑区自边缘向内延展，引线键合界面的黏滞区半径减小；当界面中心位置刚度等于单位刚度时，黏滞区半径与法向键合力呈正相关，与超声切向力呈负相关；当键合界面切向接触变形量增加时，微滑移区域产生的能量耗散呈非线性上升。

关键词：键合界面；黏滞−微滑移；切向变形量；能量耗散中图分类号：TH11 文献标志码：A 文章编号：1672-7207（2023）07-2674-09Investigation into the characteristics of stick-microslip critical position and energy dissipation in tangential contact of the wirebonding interfaceWEN Qi, SUN Yunyun, WU Shijing(School of Power and Mechanical Engineering, Wuhan University, Wuhan 430072, China)Abstract: Based on the stick-microslip contact behavior of bonding interface, a mathematical model for tangential contact of bonding interface was established considering the continuous deformation conditions at the stick-microslip critical transition position and boundary conditions. By using the proposed model, the tangential contact deformation at different positions of bonding interface was deduced. Influences of normal bonding force and ultrasonic-induced tangential force on the stick-microslip critical transition position and energy dissipation of bonding interface were studied. The results show that when the ultrasonic-induced tangential force increases or normal bonding force decreases, the tangential contact deformation of bonding interface rises nonlinearly,收稿日期： 2022 −08 −03； 修回日期： 2022 −10 −28基金项目(Foundation item)：国家自然科学基金资助项目(52105270) (Project(52105270) supported by the National Natural ScienceFoundation of China)通信作者：孙韵韵，博士，副研究员，从事机械结构界面接触力学研究；E-mail ：*****************.cnDOI: 10.11817/j.issn.1672-7207.2023.07.014引用格式： 温琪, 孙韵韵, 巫世晶. 引线键合界面切向接触的黏滞−微滑移临界转换位置和能量耗散特性研究[J]. 中南大学学报(自然科学版), 2023, 54(7): 2674−2682.Citation: WEN Qi, SUN Yunyun, WU Shijing. Investigation into the characteristics of stick-microslip critical position and energy dissipation in tangential contact of the wire bonding interface[J]. Journal of Central South University(Science and Technology), 2023, 54(7): 2674−2682.第 7 期温琪，等：引线键合界面切向接触的黏滞−微滑移临界转换位置和能量耗散特性研究microslip region extends inward from the edge, and the radius of stick region declines. As the equivalent stiffness at center position is equal to the unit length stiffness, the radius of stick region is positively correlated with normal bonding force while negatively correlated with ultrasonic-induced tangential force. With the growth of tangential contact deformation, the energy dissipation of microslip region goes up nonlinearly.Key words: bonding interface; stick-microslip; tangential deformation; energy dissipation引线键合技术是一种初级芯片互连技术，通过金属丝实现芯片输入/输出端与对应封装引脚或基板上布线焊区连接，起着沟通芯片与外部电气环境、确保信息和能量正常传输的重要作用。