IGBT模块失效分析报告示例1—FF1200R17KE3_B2-超过安全工作区-email
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北京xxx有限责任公司
发文号：xx第10-05-17-1号文件
所属部门 品质部
电 话 xxxx
传 真 xxxx
E-mail xxx
内 容 IGBT模块失效分析
客户 xxxx整流器有限责任公司
接收日期： 2010年x月xx日
型号 FF1200R17KE3_B2 数量
1
用户经办人 经办人 王浩
检测内容：
来料IGBT模块型号为FF1200R17KE3_B2 1块。要求供货方对此模块进行检测。并给出
检测报告。
说明：红色方框标示处为失效的芯片
图1. FF1200R17KE3_B2模块的电路图
图2 模块的IGBT 1芯片烧毁,有源区表面有轻微的熔化痕迹
图3. 模块的IGBT 1芯片烧毁,熔化点显微照片，箭头所指位置处黑点
图4 模块的IGBT 1芯片烧毁显微照片,有源区表面有圆形的熔化痕迹
检测结果及分析：
经检查模块外观良好，但有涂抹硅胶、端子插拔上机使用痕迹。
经检测，该模块损坏的IGBT下管的GCE端子短路，这说明耐压层已经烧穿。
照片中可以判断，很轻微的圆形熔化区域出现在芯片的有源区，其中心有熔化的孔洞，是明
显的超过器件安全工作区造成的损伤。
纠正预防措施：
1. 为了提高安全性和产品可靠性，不用的IGBT要用负压确保关断，直接短接GE的
办法在高压大电流的时候无法保证；
2. 驱动器M57962没有高级有源钳位功能，在IGBT模块短路时，无法有效的保护IGBT
模块，容易导致IGBT过压或超过安全工作区失效；
3. 在降压斩波电路中，电压变化率高，可考虑适当增大门极电阻的阻值，使IGBT
模块更多的处于安全工作区；
4. 驱动器M57962的保护门槛电压过低，容易造成误保护，建议选在10V以上；
5. 门极保护二极管选用18V齐纳二极管；
6. 驱动器M57962延时在1us左右，不支持直接并联技术，如果并联使用会造成驱动
信号不同步，模块电流不均，进而损坏IGBT模块。
处理意见：
单位签章：
北京xxxxxx有限责任公司
品质部
2010-05-17
