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Nor Flash的烧写方式

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相对于硬件工程师和嵌进式软件工程师一般在完成设计之后经常需要验证FLASH是否在工作.在应用当中,也有很多时候需要对FLASH进行写操纵.该文章简单先容了基于ARM芯片的NOR FLASH烧写,并提供了2个具体的实例和源代码,希看对有需要的朋友有点帮助.在开始之前,先声明一下,这篇文章只是先容了如何写 NOR FLASH 的烧写驱动,和H-JTAG/H-FLASHER没有直接的联系. 在后面的先容里,如无特别说明,处理器指的是 ARM 处理器,FLASH 指的都是 NOR FLASH.另外,BYTE 指的是8-BIT的数据单元,HALF-WORD代表的是16-BIT的数据单元,而WORD 则代表了32-BIT的数据单元.

1. NOR FLASH 的简单先容 NOR FLASH 是很常见的一种存储芯片,数据掉电不会丢失.NOR FLASH支持Execute ON Chip,即程序可以直接在FLASH片内执行.这点和NAND FLASH不一样.因此,在嵌进是系统中,NOR FLASH很适合作为启动程序的存储介质.

NOR FLASH的读取和RAM很类似,但不可以直接进行写操纵.对NOR FLASH的写操纵需要遵循特定的命令序列,终极由芯片内部的控制单元完成写操纵.从支持的最小访问单元来看,NOR FLASH一般分为 8 位的和16位的(当然,也有很多NOR FLASH芯片同时支持8位模式和是16 位模式,具体的工作模式通过特定的管脚进行选择) . 对8位的 NOR FLASH芯片,或是工作在8-BIT模式的芯片来说,一个地址对应一个BYTE(8-BIT)的数据.例如一块8-BIT的NOR FLASH,假设容量为4个 BYTE.那芯片应该有8个数据信号D7-D0 和2个地址信号,A1-A0.地址0x0对应第0个 BYTE,地址0x1对应于第1BYTE,地址0x2对应于第2个 BYTE,而地址0x3则对应于第3 个BYTE对16位的 NOR FLASH芯片,或是工作在16-BIT模式的芯片来说,一个地址对应于一个HALF-WORD(16-BIT)的数据.例如,一块16-BIT的 NOR FLASH,假设其容量为4个BYTE.那芯片应该有16 个数据信号线D15-D0 和1个地址信号A0.地址 0x0对应于芯片内部的第0个 HALF-WORD,地址0x1对应于芯片内部的第1个 HALF-WORD. FLASH一般都分为很多个SECTOR,每个SECTOR包括一定数目的存储单元.对有些大容量的FLASH,还分为不同的BANK,每个BANK包括一定数目的SECTOR.FLASH的擦除操纵一般都是以SECTOR,BANK或是整片FLASH为单位的.

在对FLASH进行写操纵的时候,每个BIT可以通过编程由1变为0,但不可以有0修改为1.为了保证写操纵的正确性,在执行写操纵前,都要执行擦除操纵.擦除操纵会把FLASH的一个SECTOR,一个BANK或是整片FLASH 的值全修改为0xFF.这样,写操纵就可以正确完成了.

2. ARM 处理器的寻址 ARM 可以说是目前最流行的32位嵌进式处理器.在这里只提一下 ARM 处理器的寻址,为后面做个展垫.从处理器的角度来看,系统中每个地址对应的是一个BYTE的数据单元.这和很多别的处理器都是一样的.

3. 处理器和 NOR FLASH 的硬件连接 从前面的先容,我们知道从处理器的角度来看,每个地址对应的是一个 BYTE 的数据单元.而,NOR FLASH 的每个地址有可能对应的是一个BYTE的数据单元,也有可能对应的是一个HALF-WORD的数据单元.所以在硬件设计中,连接ARM处理器和 NOR FLASH时,必须根据实际情况对地址信号做特别的处理.

假如ARM处理器外部扩展的是8-BIT的NOR FLASH, 数据线和地址线的连接应该如图1所示. 从图中我们可以看到,处理器的数据信号D0-D7和 FLASH的数据信号D0-D7是逐一对应连接的,处理器的地址信号A0-An和NOR FLASH的地址信号A0-An 也是逐一对应连接的.

假如ARM处理器外部扩展的是16-BIT的NOR FLASH, 数据线必须要错位连接. 图2给了一个ARM处理器和16-BITNOR FLASH 的连接示意图.如图2所示,ARM处理器的数据信号D0-D15和FLASH 的数据信号D0-D15是逐一对应的.而ARM处理器的地址信号和NOR FLASH 的地址信号是错位连接的,ARM的 A0悬空,ARM 的A1 连接FLASH 的A0,ARM 的A2连接FLASH 的A1,依次类推.需要错位连接的原因是:ARM处理器的每个地址对应的是一个BYTE 的数据单元,而 16-BIT 的 FLASH 的每个地址对应的是一个 HALF-WORD(16-BIT)的数据单元.为了保持匹配,所以必须错位连接.这样,从ARM处理器发送出来的地址信号的最低位A0对16-BIT FLASH来说就被屏蔽掉了.

补充说明: 1. 一般来说,ARM处理器内部要设置相应的寄存器,告诉处理器外部扩展的FLASH的位宽(8-BIT/16-BIT/32-BIT) .这样,处理器才知道在访问的时候如何从FLASH正确的读取数据.

2. 有些ARM处理器内部可以设置地址的错位.对于支持软件选择地址错位的处理器,在连接16-BIT FLASH的时候,硬件上可以不需要把地址线错位.读者设计的时候,请参考MCU的数据手册,以手册为准,以免造成不必要的麻烦.

3. 假如处理器支持内部设置地址错位,在实际访问的时候,送出的地址实际上是在MCU内部做了错位处理,其作用是等效于硬件连接上的错位的.

上面的描述可能比较抽象,下面让我们来看2个 ARM处理器访问16-BIT FLASH的例子:

例子 1:ARM处理器需要从地址 0x0 读取一个 BYTE 1 - ARM处理器在地址线An-A0上送出信号0x0; 2 – 16-BIT FLASH在自己的地址信号An-A0上看到的地址是0x0,然后将地址0x0对应的16-BIT数据单元输出到D15-D0上;

3 – ARM处理器知道访问的是16-BIT的FLASH,从D7-D0上读取所需要的一个BYTE的数据;

例子 2:ARM处理器需要从地址 0x1 读取一个 BYTE 1 - ARM处理器在地址线An-A0上送出信号0x1; 2 – 16-BIT FLASH在自己的地址信号An-A0上看到的地址依然是0x0, 然后将地址0x0对应的16-BIT数据单元输出到D15-D0上;

3 –ARM处理器知道访问的是16-BIT的FLASH,从D15-D8 上读取所需要的一个BYTE 的数据;

4. 从软件角度来看 ARM 处理器和 NOR FLASH 的连接 在上一个小节里,我们简单了解了 ARM 处理器和 FLASH 的硬件连接.在这个小节里面,我们从软件的角度来理解ARM处理器和 FLASH的连接.对于8-BIT的FLASH的连接,很好理解,由于ARM处理器和8-BIT FLASH的每个地址对应的都是一个 BYTE 的数据单元.所以地址连接毫无疑问是逐一对应的.假如 ARM 处理器连接的是 16-BIT 的处理器,由于 ARM 处理器的每个地址对应的是一个 BYTE 的数据单元,而 16-BIT FLASH 的每个地址对应的是一个 HALF-WORD 的16-BIT的数据单元.所以,也毫无疑问,ARM处理器访问16-BIT处理器的时候,地址肯定是要错开一位的.在写FLASH驱动的时候,我们不需要知道地址错位是由硬件实现的,还是是通过设置ARM处理器内部的寄存器来实现的,只需要记住2点:

1 – ARM处理器访问8-BIT FLASH的时候,地址是逐一对应的; 2 – ARM处理器访问16-BIT FLASH的时候,地址肯定是错位的.这一点对理解后面的例子会很有帮助.

5. 8-BIT FLASH 烧写驱动实例 - HY29F040 HY29F040是现代公司的一款8-BIT的NOR FLASH.在这个小节里,我们以这个芯片为例子,先容如何对8-BIT NOR FLASH进行操纵. HY29F040的容量为512K-BYTE,总共包括8 个SECTOR,每个SECTOR 的容量是64K-BYTE.该芯片支持SECTOR擦除,整片擦除和以BYTE 为基本单位的写操纵.HY29F040的命令定义如表-1所示.

下面,我们来看看如何实现基本的擦除和编程操纵.在本节后面的描述中,我们使用了下面的2 个定义:

U32 sysbase; //该变量用来表示 FLASH 的起始地址 #define SysADDR8(sysbase, offset) ((volatile U8*)(sysbase)+(offset)) //用来方便对指定的 FALSH 地址进行操纵

先解释一下 SysAddr8 的定义.这个宏定义了一个 BYTE(8-BIT)指针,其地址为(sysbase + offset).假设 FLASH 的起始地址为0x10000000,假如要将0xAB写到FLASH的第一个BYTE中往,可以用下面的代码:

*SysAddr8(0x10000000, 0x1) = 0xAB; 留意: 在本节后面的描述中,SYSBASE代表的是 FLASH的起始地址,而SysAddr8中的OFFSET则代表了相对于FLASH起始地址的BYTE偏移量.OFFSET也是8-BIT FLASH在自己的地址信号An-A0上看到的地址.

整片擦除操纵 整片擦除操纵共需要6个周期的总线写操纵 1 – 将 0xAA写到 FLASH 地址 0x5555 2 – 将 0x55 写到 FLASH 地址 0x2AAA 3 – 将 0x80 写到 FLASH 地址 0x5555 4 – 将 0xAA写到 FLASH 地址 0x5555 5 – 将 0x55 写到 FLASH 地址 0x2AAA

合集下载

NXP i.MX RT系列产品外部存储器烧写说明说明书

NXP i.MX RT系列产品外部存储器烧写说明说明书

by:NXP Semiconductors1简介i.mx rt 系列产品是NXP 生产的业界第一款跨界处理器，这篇文档将介绍如何将一个可执行文件烧写进外部存储器。

为了烧写程序进flash，并且从flash 启动和调试，首先需要新型的Dap-link 固件和SDK 文件。

这篇文档说明了怎样去编译，调试，和配置FLEXSPI NOR Flash。

有关HyperFlash，和MfgTool 资料，可以参考How to Enable Boot from Octal SPI Flash and SD Card （文档AN12107）和How to Enable Boot from QSPI Flash （文档AN12108）。

该文档所使用的案例基于MIMXRT1050 SDK (版本：2.3.1)，开发环境是IAR Embedded Workbench 8.22.1。

使用的硬件平台是IMXRT1050-EVKB。

2MIMXRT1050 EVK 设置在这块EVK 上有两块板载flash：Hyper Flash 和QSPI NOR Flash。

其中的默认flash 是Hyper Flash。

如果需要使能板载的QSPI NOR Flash，EVK 需要做出一些修改。

2.1EVK 设置1.首先需要移除板载的Hyper Flash，否则它会影响QSPI NOR Flash 的读写时序。

目录1简介.................................................12MIMXRT1050 EVK 设置..................12.1EVK 设置......................................12.2EVKB 设置...................................33XIP 启动流程...................................34更新OpenSDA 固件........................75例子.................................................75.1为XIP 启动工程添加或者移除启动头文件.........................................75.2将可执行文件烧录进板载Hyper Flash..........................................105.3将可执行文件烧录进板载QSPI NOR Flash.................................105.4烧录可执行文件进入一个新的QSPI NOR Flash.................................125.5使用MCUXpresso IDE 烧录可执行文件进一个新的QSPI NOR Flash ...................................................145.6修改启动头文件使其支持NOR flash XIP 启动 (156)历史版本 (20)AN12183怎样在FLEXSPI NOR Flash 模式下使能调试Rev. 1 — 10/2019Application Note图 1.移除 Hyper Flash2. 图 2 中的 R153-R158 位置焊接阻值为 0Ω 的电阻。

uniflash烧写原理

uniflash烧写原理

uniflash烧写原理
UniFlash是一款由德州仪器（TI）公司开发的用于嵌入式系统
的烧写工具。

它的烧写原理涉及到以下几个方面：
1. 芯片支持，UniFlash支持德州仪器公司生产的多种器件，
包括微控制器、数字信号处理器等。

在烧写原理上，UniFlash需要
能够与目标芯片进行通信，以便将程序或数据写入芯片内部存储器中。

2. 通信协议，UniFlash使用一些通用的通信协议来与目标芯
片进行通信，例如JTAG（联合测试行动组）或者串行通信协议（如SPI、I2C等）。

通过这些协议，UniFlash可以与目标芯片建立连接，实现读写操作。

3. 数据传输，在烧写过程中，UniFlash需要将目标程序或数
据按照特定的格式传输到目标芯片内部。

这涉及到数据的校验、传
输速率的控制等方面的技术。

4. 芯片保护，一些芯片具有写保护功能，UniFlash在进行烧
写操作时需要处理这些保护机制，以确保能够成功地写入数据。

总的来说，UniFlash的烧写原理涉及到与目标芯片的通信、数据传输和芯片保护等方面的技术，以确保程序或数据能够成功地写入目标芯片内部。

这些原理需要结合具体的芯片型号和通信协议来进行实际的应用和操作。

如何用jlink烧写uboot到nandflash

如何用jlink烧写uboot到nandflash

如何用jlink烧写uboot到nandflash1.通过Nor Flash下载a. speed 12000 //设置TCK为12M，下载程序时会很快b. loadbin d:\u-boot.bin 0x30000000注意：0x30000000是你想要下载u-boot.bin到开发板的内存地址，内存地址根据不同的开发板设定不同，因为本文中使用的是FL2440，片上系统是S3C2440，内存挂载的地址区域是0x30000000~0x33ffffff，我们只需要把u-boot.bin下载到这片区域即可然后我们在U-boot命令行模式输入NAND Flash擦除和写入命令即可：c.nand erase 0 40000// 擦除从0地址开始的大小为0x40000的Nnad Flash扇区，0x40000是待写入的U-boot.bin的大致长度，长度必须为NAND Flash页大小的整数倍，通常会需要比u-boot.bin实际长度长。

d.nand write 30000000 0 40000 // 把前面下载到0x30000000的u-boot.bin烧写到Nand去二、方法二，直接通过JLink假如你的开发板没有NOR Flash或者是你使用的NOR Flash还未被J-FLASH ARM所支持，这时上面的方法你就无法使用了，这时候你需要一个初始化内存SDRAM的程序，这个程序完成的功能也就是配置好SDRAM的寄存器，使它能正常工作，fl2440的内存初始化程序下载地址：“2440init.bin”。

你还需要准备一个特殊的u-boot_SDRAM.bin，它与你要烧写到NAND Flash的u-boot.bin有区别，u-boot_SDRAM.bin编译时需要在include/configs/开发板配置文件.h 文件中添加：#define CONFIG_SKIP_LOWLEVEL_INIT 1 //用来支持uboot在内存中直接运行添加这个宏定义之后，U-boot就跳过了内存初始化的部分，因为此时我们的内存已经先由“2440init.bin“初始化好了，再次初始化会出现内存数据的丢失。

NAND FLASH烧录说明(D2800)

NAND FLASH烧录说明(D2800)

NAND FLASH 烧录说明(D2800)（中文版REV1.00）本文档是引导客户如何正确使用D2800系列编程器烧录NAND Flash,可以满足客户在研发和生产中遇到的NAND Flash烧录的一般需求。

本文档版权归苏州诺动力电子科技有限公司( SuZhou Nowotek Electronic Co., Ltd.)所有，受《中华人民共和国著作权法》保护。

由于本文档编写人员的水平和对技术细节理解上的主观原因，本文档难免会出现的错误和不妥之处，恳请客户以及经销商、代理商提出修改意见。

第一章关于D2800系列D2800系列是诺动力出品的新一代USB接口独立式智能极速通用编程器，具有编程速度快，烧录稳定，软件集成度高，更智能化的特点。

是NAND Flash用户理想的选择。

D2800除了支持算法集成的三个坏块处理方法外，还可以为客户选择定制其他的烧录方法(比如三星平台，高通平台，博通平台， WinCE 烧录等)。

算法本生支持ecc512B(Hamming Code),并且支持生成的ecc码在spare区任意连续地址map。

算法本生还支持NAND Boot区的只读属性处理，一般表现为Bad block Mark前的OEMReserved的处理。

D2800烧录每1Gbit仅需125秒，部分芯片时间甚至小于60秒。

其中烧录过程包括Erase + Program + Verify.第二章关于NAND FlashNAND FLASH是一种易失的闪存技术，被广泛使用于U盘，MP3/MP4,GPS,PDA,GSM/3G手机，无线上网设备，笔记本等多个领域。

NAND是高数据存储密度的理想解决方案。

和NOR FLASH相比。

NAND FLASH具有以下的特点：1) NAND FLASH同NOR FLASH相比，NAND FLASH有着容量大、价格低等优势。

2)存在坏块。

由于NAND生产工艺的原因，出厂芯片中会随机出现坏块。