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基于TMS320C67系列DSP的FLASH烧写和程序加载研究

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TMS320C6x DSP的FLASH引导方法研究与实现

TMS320C6x DSP的FLASH引导方法研究与实现

TMS320C6x DSP的FLASH引导方法研究与实现关键词:摘要:介绍了TMS320C6x DSP的几种FLASH引导方法,比较了引导过程中基于软件流水的数据搬移方法和QDMA方式的数据搬移方法,并介绍了如何利用在系统编程(ISP)对上电引导程序进行FLASH编程。

通过对实际的TMS32C6711 DSP电路调试实验,证明了以上方法简单易行。

关键词: FLASH存储器上电引导 COFF文件格式 DSPFLASH存储器是在EPROM和EEPROM的基础上发展起来的一种非易失性存储器,在掉电情况下仍能保证数据不丢失,并能够在不离开电路板或所在设备的情况下实施擦除和再编程操作。

由于其具有结构简单、维护便利、存取速度快、对环境适应能力强、抗振性能好等优点十分适合于嵌入式系统的设计和开发,并且已成为目前流行的数字信号处理系统的一个基本配置。

在许多DSP的应用中,系统上电后需要将用户程序从FLASH存储器引导到高速数据存储器中运行。

这就需要给用JTAG接口调试通过的应用程序添加启动代码,将生成的目标文件进行格式转换使其能在线烧写,将转换过的文件利用FLASH烧写程序在线烧写到FLASH中。

本文将介绍引导过程中数据搬移的几种方法,包括QDMA方式的数据搬移方法、CPU直接数据搬移方法以及基于软件流水的数据搬移方法。

经过比较测试,证明了QDMA方式和基于软件流水的数据搬移方法具有优越性。

并且,根据COFF文件格式,编写了比TI公司的HEX60更为直接的转换工具,从而简化了文件的转换步骤。

1 应用程序的FLASH ROM引导当DSP的应用程序从FLASH ROM引导时,目标板都有一个自动的引导程序。

例如,对于TMS320C6x1x系列,目标板的自动引导程序会在系统上电时将FLASH ROM的前1K空间的内容复制到片内内存自0x00开始的地址空间,并从0x00地址处开始运行。

因为需要搬到内存中运行的应用程序的向量表、初始化段等往往超过1K大小,为了能在系统上电时自动引导应用程序运行,就需要在引导的1K代码中包括自定义的引导代码,以将额外需要的初始化代码段和数据段复制到内存中运行。

TMS320C6701自动加载及程序烧写的简化设计

TMS320C6701自动加载及程序烧写的简化设计
Ａｂ ｓ ｔ ｒ ａｃ ｔ ： Ａｆ ｔ ｅ ｒ ａ ｎａ ｌ ｚ ｉ ｎｇ ｔ ｈｅ ｌ ｏ ａ ｄｉ ｎｇ ｐｒ ｏ ｃ ｅ ｓ ｓ ｏ ｆ ＴＭ Ｓ ３２ ０Ｃ６７ ０１， ｐ ｅ ｒ ｉ ｐｈ ｅ ｒ ａ ｌ ｈａ ｒ ｄｗａ ｒ ｅ ｃ ｉ ｒ ｃ ｕ ｉ ｔ ｓ ，ｃ ｍｄ ｆ ｉ ｌ ｅ ａ ｎ ｄ ｉ ｎｔ ｅ ｒ ｒ ｕｐ ｔ ｖｅ ｃ ｔ ｏｒ ｔ ａ ｂｌ ｅ ａ ｒ ｅ ｄｅ — ｓ ｉ ｇ ｎｅ ｄ． Ｔｈｅ ａ ｕｔ ｏｌ ｏａ ｄ ｉ ｎｇ ｐ ｒ ｏ ｃ ｅ ｓ ｓ ｏ ｆ ＤＳＰ ｓ ｙ ｓ ｔ ｅ ｍ ｉ ｓ ｒ ｅ ａ ｌ ｉ ｚ ｅ ｄ ｂｙ ｌ ｏａ ｄ ｉ ｎｇ ａ ｔ ａ ｔ ｉ ｍ ｅ， ａ ｎ ｄ ＤＳＰ ｐｒ ｏ ｇｒ ａ ｍ ｗｒ ｉ ｔ ｉ ｎｇ ｉ ｓ ｒ ｅ ａ ｌ ｉ ｚ ｅ ｄ ｂｙ ｄｅ ｓ ｉ ｇ ｎｅ ｄ ｐ ｒ ｏ ｇｒ ａ ｍ
ｗｒ ｉ ｔ ｉ ｎ ｇ ｐ ｒ ｏ ｊ ｅ ｃ ｔ ． Ｔｈ ｅ ｍｅ ｔ ｈ ｏ ｄ ｓ ｉ ｍｐ ｌ ｉ ｆ ｉ ｅ ｓ ＤＳ Ｐ ｐ ｒ ｏ ｇ ｒ ａ ｍ ｗｒ ｉ ｔ ｉ ｎ ｇ ａ ｎ ｄ ｌ ｏ ａ ｄ ｉ ｎ ｇ ．
Ｋｅ ｙ ｗｏ ｒ ｄ ｓ： Ｔ Ｍ Ｓ３ ２０ Ｃ６ ７ ０１； ＤＳＰ； ｐ ｒ ｏｇ ｒ ａ ｍ ｗｒ ｉ ｔ ｉ ｎｇ； ａ ｕ ｔ ｏｌ ｏａ ｄｉ ｎｇ
中， Ｌ Ｅ ＮＤ Ｉ ＡＮ 引脚 接 高 电平 。
Ｄ Ｓ Ｐ应 用 系统 中 ， 通 常 将 应 用 程 序 存 储 在 外 部 非 易 失 性 存
储器（ 如 Ｆ ＬＡＳ Ｈ、 Ｅ ＥＰ Ｒ ０Ｍ 、 Ｐ ＲＯＭ 等 ） 中 。系 统 上 电 后 ，
外部程序存储 器选用 Ｆ Ｌ Ａ Ｓ Ｈ 芯 片 ＡＭ２ ９ Ｌ Ｖ１ ６ ０ ， ３ ２

DSP自动加载过程及程序烧写的简化设计

DSP自动加载过程及程序烧写的简化设计

DSP自动加载过程及程序烧写的简化设计TMS320C6701(以下简称C6701)是一款浮点运算DSP，适用于需要大量运算且实时性要求高的场合，如导航解算等。

在浮点DSP 芯片中，C6701 是一款可应用于恶劣环境并具有高可靠性的产品，因此该型DSP 芯片虽然推出较早，却依然在某些领域具有重要应用价值。

DSP 应用程序需脱离开发系统独立工作，在实时DSP 应用系统中，通常将应用程序存储在外部非易失性存储器(如FLASH、EEPROM、PROM 等)中。

系统上电后，DSP 将外部程序存储器的程序代码加载到可高速存取的RAM 中，加载完成后自动跳转到零地址开始运行。

因此DSP 程序烧写及自动加载是实时DSP 系统设计的重要部分。

本文采用的烧写方法不需要格式转换到外部辅助设备，同时DSP 程序不再进行二次加载，简化了烧写及程序自动加载的过程。

1 加载方案及电路设计1.1 外围电路设计C6701 有三种加载模式：不加载(No Boot)、ROM 加载(Rom Boot)、主机加载(Host Boot)。

这三种加载模式由C6701 的BOOTMODE[4：0]引脚电平设定，由这5 个引脚的设置共同决定使用何种存储空间映射模式。

在恶劣环境及高可靠应用场合中，可使用不加载方式，也可使用程序从ROM 中加载到DSP 片外高可靠RAM 存储器中的运行方式。

FLASH、EEPROM、PROM 等程序存储芯片多为8 位或16 位，在高可靠应用环境中8 位比较常见。

本文中设置BOOTMODE[4：0]为01010B，即程序由外部8 位程序存储器加载到外部32 位SRAM 中，LENDIAN 引脚接高电平。

外部程序存储器选用FLASH 芯片AM29LV160，32 位SRAM 芯片选用ACTS512K32V.FLASH 和SRAM 芯片与C6701 的硬件连接如。

一种基于TMS320C6713串口烧写FLASH实现自启动的方法

一种基于TMS320C6713串口烧写FLASH实现自启动的方法

ｗｒ ｉ ｔ ｉ ｎ ｇ ｐ ｒ ｏ ｃ ｅ ｓ ｓ ．Ｃｏ ｎ ｖ ｅ ｒ ｓ ｉ ｏ ｎ ｆ ｒ ｏ ｍ ｔ ｈ ｅ ａ ｐ ｐ ｌ ｉ ｃ ａ ｔ ｉ ｏ ｎ ｉｌ ｆ ｅ ｔ ｙ ｐ ｅ ｓ ，ｓ ｅ ｒ ｉ ａ ｌ ｐ ｏ ｒ ｔ ｔ ｏ ｓ ｅ ｎ ｄ ａ ｐ ｐ ｌ ｉ ｃ ａ ｔ ｉ ｏ ｎ ｓ ａ ｎ ｄ ＴＭ Ｓ ３ ２ ０ Ｃ６７ ｌ ３ ｈ ａ ｒ ｄ ｗａ ｒ ｅ ｐ ｌ ａ ｔ ｏｒ ｆ ｍ ｐ ｒ ｏ ｇ ｒ ａ ｍｍ ｅ ｒ ｔ ｈ ｒ ｅ ｅ ａ ｓ ｐｅ ｃ ｔ ｓ ｄ ｅ ｓ ｃ ｒ ｉ ｂ ｅ ｄ ｉ ｎ ｄ ｅ ｔ ａ ｉ ｌ ｔ ｈ ｒ ｏ ｕ ｇ ｈ ｔ ｈ ｅ ｓ ｅ ｒ ｉ ａ ｌ ｐ ｏ ｒ ｔ ｔ ｏ ｓ ｅ ｎ ｄ ｔ ｈ ｅ ａ ｐ ｐ ｌ ｉ ｃ ａ ｔ ｉ ｏ ｎ ｃ ｏ ｄ ｅ ｐ ｒ ｏ ｇ ｒ ａ ｍｍ ｅ ｒ
Ａｂ ｓ ｔ ｒ ａ ｃ ｔ ：Ａｃ ｃ ｏ ｒ ｄ ｉ ｎ ｇ ｔ ｏ ｔ ｈ ｅ Ｔ ＭＳ ３ ２ ０ Ｃ６ ７ １ ３ ｐ ｌ ａ ｔ ｆ ｏ ｒ ｍ ｐ ｒ ｏ ｇ ｒ ａ ｍ ｍｅ ｒ ａ ｐ ｐ ｌ ｉ ｃ ａ ｔ ｉ ｏ ｎ ｔ ｏ ｔ ｈ ｅ Ｆ ＬＡＳ Ｈ ｉ ｎ ｔ ｒ ｏ ｕ ｂ ｌ ｅ ．Ｔｈ ｉ ｓ ｐ ａ ｐ ｅ ｒ
关键 词 ：Ｔ Ｍ￥ ３ ２ ０ Ｃ６ ７ １ ３ ；Ｆ Ｌ ＡＳ Ｈ 烧 写 ； 自启 动
中 图分 类 号 ：Ｔ Ｊ ０ ２
文 献标 志码 ：Ａ
Ａ ＴＭ Ｓ３ ２ ０Ｃ６７ １ ３ Ｓｅ ｒ ｉ ａ ｌ Ｐｒ ｏｇ ｒ ａ ｍｍ ｉ ｎ ｇ ＦＬＡ ＳＨ Ｒｅ ａ ｌ ｉ ｚ ａ ｔ ｉ ｏ ｎ Ｍｅ ｔ ｈ ｏｄ
摘要 ：针对 Ｔ ＭＳ ３ ２ ０ Ｃ ６ ７ １ ３平 台烧 写应 用 程序 到 Ｆ Ｌ ＡＳ Ｈ 中时存 在 的 不便 ，介 绍 一种 方便 简洁的 代码 烧 写方 式 。 详 细 分析 了 Ｔ ＭＳ ３ ２ ０ Ｃ ６ ７ １ ３自启 动原 理 、 过程 和 烧 写流 程 。 从应 用 程序 文 件转 换 、串口发 送 应 用程序 和 Ｔ ＭＳ ３ ２ ０ Ｃ ６ ７ １ ３ 硬 件 平 台烧 写 ３个 方 面详 细描 述 了通 过 串口发 送 应用 程序 代 码 烧写 Ｆ Ｌ ＡＳ Ｈ 的 步骤 。分 析 结果证 明：该方 法使 用 一种 Ｃ ， ＇ ＣＳ版 本 即可 完成 Ｆ Ｌ ＡＳ Ｈ 烧写 和应 用代码 的开发 ， 并通 用 于各种 版本 Ｃ Ｃ Ｓ编译 ／ 开发 平 台， 极 大方便 了软 件开发 人 员。

TMS320C67xDSP Library在程序开发中的应用

TMS320C67xDSP Library在程序开发中的应用
马 克 雷
（ 西安 电子 工程研 究所 ，陕西 西安 ７ ００ ） １ １０
摘 要 ：介 绍 了Ｔ Ｓ ｉｒｒ ￣主要 特 点及 其 下载和 安 装 方 法 ，分析 了Ｔ ３ ０ ６ ｘ Ｓ ｉ Ｉ ＰＬｂａｙ Ｄ ＭＳ ２ Ｃ ７ ＰＬ— Ｄ
ｂａｙ ｒｒ的使 用性 能及其 在程 序 开发 中的使 用 方 法 ，最后 给 出了一个Ｔ Ｄ ＰＬｂａｙ 编写 实例 。 Ｉ Ｓ ｉｒｒ 关键 词 ：Ｔ Ｓ ｉｒｒ ；程序 开发 ；程序 效 率 ；Ｔ ３ ０ ６ ｘ Ｉ ＰＬｂａｙ Ｄ ＭＳ ２ Ｃ ７
收稿 日期 ： ０ ０ ０ — ７ ２ １— ５ ２
在 计算 机 中选定 的位 置 （ 认 位置 为 Ｃ＼） 默 ：ｉ。安 装 ｔ
之后 ，即可 在程序 开发 中使 用Ｄ Ｐ ｂ Ｓ Ｌ 的库 函数 。 Ｉ
１ Ｔ Ｓ ｉｒｒ 的 使 用 ． ３ Ｉ ＰＬｂａｙ Ｄ
按 处 理 数 据 类 型 的 不 同 ，Ｔ Ｓ 分 为 定 点 Ｉ Ｐ Ｄ
子 、 自动 控 制 等领 域 。一个 软 件 两 部 分 组成 。在 硬 件 （ 要 是 Ｄ Ｐ 主 Ｓ 芯 片）相 同时 ，系 统 的性 能 将 主要 取 决 于 软件 部
Ｔ ３ ０ ６ ０ 。但 是 ，各 个 系列 Ｄ Ｐ ｉ的基 本组 ＭＳ ２ Ｃ ０ ０ Ｓ Ｌｂ 成 是 相 同 的 ，一 个 完 整 的Ｄ Ｐ ｉ通 常 由Ｌｂ Ｓ Ｌｂ ｉ 文件 夹 、ｉｃｕ ｅ ｎ ｌｄ 文件 夹和 其 它辅 助文 件组 成 。其 中ｌ ｉ ｂ 文 件 夹用 于存 放 １ 文 件 ．其 内部封 装 着 手 工优 ．ｂ ｉ 化 的 汇 编 程序 代 码 ，是 一个 Ｄ Ｐ ｉ的核 心部 分 。 Ｓ Ｌｂ
用 Ｃ 言 和 汇 编语 言 编 写 的程 序 源代 码 。使 用 归 语 档器 可从 中提取 出这些 源 代码 ：而ｉｃｕ ｅ 件 夹 ｎ ｌｄ 文 用 于存放 各 个库 函数 的 头文件 。通 常这些 文 件分 为Ｃ 序头 文件 和汇 编程 序头 文件 两部分 。 程

TMS320C6713DSP的FLASH自引导及一种另类的烧写方法

TMS320C6713DSP的FLASH自引导及一种另类的烧写方法
３ ＴＭＳ３２０Ｃ６７１３ ＤＳＰ的 ＦＬＡＳＨ自引 导
本 文 介绍 的ＤＳＰ的Ｆｌａｓｈ自引导属 于 上 述 ３种 引导 模 式 中的ＲＯＭ￣Ｂ载 模 式 ，ＴＭＳ３２０Ｃ６７１３ ＤＳＰ每 次 只能 搬移 １Ｋｂ大 小 的 数据 到地 址 ０处 ，而实 际使用 中程序 肯 定会 大 于 １Ｋ， 因此必 须进 行 二次 引导搬 运 （ｓｅｃｏｎｄａｒｙ ｂｏｏｔｌｏａｄｅｒ）。二次 引导搬运是 指 ，ＤＳＰ启动 后 ，ＣＰＵ被 锁住 ，ＤＭＡ／ＥＤＭＡ自动 从外 部Ｆｌａｓｈ首 地址搬 移 １Ｋｂ的 程序￣Ｉ ＪＤＳＰ内部ｃａｃｈｅ的首地址，搬移完成 ，激 活ＣＰＵ，运 行该 １Ｋｂ的程序 ，而该 １Ｋｂ程 序是二次 引导搬 运程序 ，即 将真正 需要运行 的程 序从外部Ｆｌａｓｈ搬运至ＤＳＰ内部ｃａｃｈｅ 中，完成后 ，进入 中断Ｃ ｉｎｔ０００，进行ＤＳＰ系统 的初始化 ， 开始运行ｍａｉｎ０主程序 ，完成 自启动 。下面介绍二次 引导 搬运程序也就是：ＢｏｏｔｌｏａｄｅｒＯ程序 的编 写。
首 先Ｂｏｏｔｌｏａｄｅｒ０程序一 般编 写都是采用汇 编语言来 实 现 ，可 以在 互联 网上找 到很多现 成 的例 子 ，这 里就 不 多做介 绍 。其 实用ｃ语 言也一样 可 以实 现 ，并且 简单 易 懂 。：ｔ４｝Ｂｏｏｔｌｏａｄｅｒ０程序 写入 料．Ｃ的文 件中然后加入 到 目 标工程 中即可 ，具体程 序如下：
ＴＭＳ３２０Ｃ６７１３ ＤＳＰ有三 种引导方式 ，其操作过程 分 别 如 下 ：
１）不加载 。ＣＰＵ直接开 始执行 地址０处 得存储器 中ＳＤＲＡＭ的初始化完成 。
２１主 机加 载 。核 Ｉ￣，ＣＰＵ停 留在复 位状 态 ，芯片 其余 部分保 持 正常状 态 ，在 这期 间 ，外部主 机通过 主机 接 口 初 始化 ＣＰＵ的存储 空 间，包括 片 内配置 寄存器 。主机 完 成 所有 的初 始化 工作后 ，结束 引导过程 ，ＣＰＵ退 出复位 状态 ，开始执行地址０处得 指令 。

TMS320C6701自动加载及程序烧写的简化设计

TMS320C6701自动加载及程序烧写的简化设计夏金桥;周文涛;曾勇超【期刊名称】《单片机与嵌入式系统应用》【年(卷),期】2014(14)10【摘要】对TMS320 C6701加载过程进行分析后，外围硬件电路、cmd 文件、中断向量表等，采用一次加载的方法实现了DSP系统自动加载过程，并用自己建立的烧写工程实现了DSP程序烧写。

本文的实现方法简化了DSP程序烧写及加载过程。

%After analzing the loading process of TMS320C6701,peripheral hardware circuits,cmd file and interrupt vector table are de-signed.The autoloading process of DSP system is realized by loading at a time,and DSP program writing is realized by designed program writing proj ect.The method simplifies DSP program writing and loading.【总页数】4页(P18-21)【作者】夏金桥;周文涛;曾勇超【作者单位】北京航天时代光电科技有限公司，北京 100094;北京航天时代光电科技有限公司，北京 100094;北京航天时代光电科技有限公司，北京 100094【正文语种】中文【中图分类】TP274【相关文献】1.TMS320C6701 DSP自动加载研究 [J], 王硕果;肖强2.基于TMS320C6455 DSP自动加载及Flash烧写程序的设计 [J], 卫菊红3.AutoCAD 自动加载 VBA 程序研究 [J], 魏磊;田磊4.华中818A数控系统自动加载程序的方式 [J], 薛庆鑫;卢鹏5.TMS320C6701 DSP的程序引导方法及编程实现 [J], 崔旭涛;杨日杰;何友因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。

基于TMS320C67xx DSP的软件开发及优化

基于TMS320C67xx DSP的软件开发及优化
高学强;王玉晶;康锡章
【期刊名称】《现代计算机（专业版）》
【年(卷),期】2003(000)011
【摘要】本文介绍了TMS320C67xx的性能特点,给出了其程序开发流程,并详细讨论了常用的软件优化方法,这些方法有一定的工程应用价值.
【总页数】4页(P22-25)
【作者】高学强;王玉晶;康锡章
【作者单位】海军航空工程学院学员旅,烟台,264001;海军航空工程学院学员旅,烟台,264001;海军航空工程学院电子工程系,烟台,264001
【正文语种】中文
【中图分类】TP3
【相关文献】
1.基于TMS320C64XXDSP的软件开发及优化 [J], 郝建伟;芮国胜;倪保航
2.TMS320C64x系列DSP的软件开发和程序优化 [J], 武林伟;郑耀锋
3.TMS320C62x DSP的软件开发与优化编程 [J], 李小红
4.基于MATLAB/Simulink及dSPACE/TargetLink的AMT控制软件开发 [J], 李萍;兰海龙
5.基于GCC的TMS320C67xx汇编代码的优化 [J], 王浩
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TMS320系列DSP芯片用户程序加载方法的探讨

TMS320系列DSP芯片用户程序加载方法的探讨
刘高平;顾伟康
【期刊名称】《微处理机》
【年(卷),期】1996(000)004
【摘要】用户程序加载是开发应用ＴＭＳ３２０系列ＤＳＰ芯片过程中的一个重要环节，本文探讨了实现这项关键技术的各种方法。

【总页数】3页(P52-54)
【作者】刘高平;顾伟康
【作者单位】浙江大学信息与电子工程系;浙江大学信息与电子工程系
【正文语种】中文
【中图分类】TN911.72
【相关文献】
1.DDZ—S系列可编程仪表用户程序的编译,反编译及试运行的设计方法 [J], 吉志海
2.DSP芯片TMS320VC5402的并行自举加载方法 [J], 孙军英;刘波粒
3.TLC32040模拟接口电路与TMS320系列数字信号处理器的接口方法 [J], 王正洪
4.TMS320VC33用户程序加载的四种方法比较研究 [J], 黄杨明;车国轮;吴美平
5.TMS320VC33 DSP用户程序加载方法 [J], 王超;张桂林;杜峥
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烧写Flash后的DSP程序运行不正常的情况分析

这段时间一直在调试DSP6713的Flash烧写，现在对Flash的烧写也算心中了如。

那天，非常Happy的发现将闪烁LED烧写到Flash成功了，然后，就以为一切都OK了……那天，成功烧写了一个300KB以上的程序，又认为，这次应该OK了……那天，写了个Timer中断程序，烧写到Flash，却死机了……那天，在RAM上运行很流畅的一个算法（算法中调用了CCS的atan函数），在烧写到Flash 后算法却死机了……那天，我开始思考：是什么情况导致RAM中跑得很Happy的程序烧写到Flash就运行得如此的不堪——众多的囧相。

“且行且珍惜”，珍惜这些次发现Bug的机会，因此，我要总结：在RAM中能正常运行，而烧写到Flash后无法正常运行的一些情况讨论。

中断向量表包含了所有中断的入口，在烧写Flash的时候，有两种方式可以保证中断能正常工作。

具体可参见TMS320C6713烧写Flash的通用方法的第5小节。

很多情况下，当出现数组越界时，在RAM中的程序都能正常运行，但在烧写Flash后运行就会出现死机或程序跑飞的现象。

比如定义一个数组，你使用x[5]=10这样的语句在RAM程序中是某些时候能正确运行的，在PC上应该也可以。

但将这种程序烧写到Flash之后运行，DSP果断和你说拜拜！因此，请谨慎地检查程序代码中的数组越界和指针操作。

在DSP程序中，坚决不使用C库函数中的malloc函数。

如果需要动态分配内存的操作，可以自己写一个，或使用uCOS II或DSP/BIOS 等嵌入式操作系统。

也不知道是什么原因，也可能是我对atan函数的使用方法不正确造成的吧。

在我的一个最初的程序中，我是直接这样计算atan(x)的，在RAM中以及在PC中都多次测试过没有任何问题。

烧写Flash之后，也不是死机，但程序运行到atan这个函数的时候会卡上很长一段时间，再接着往下运行。

难道是math.h中的atan运算效率太低？但为什么RAM中就能运行呢？这个还不清楚。

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1 概述
1997 年，美国 TI 公司发布了新一代 DSPs 芯片 TMS320C6000，包括定点系列和浮点系列。其 中定点系列是 TMS320C62xx,浮点系列是 TMS320C67xx，二者互相兼容。TMS320C67 系列 DSP 具有 高速处理能力以及强大对外接口能力，工程应用很广泛，在军事通讯、电子对抗、雷达系统和制 导武器等需要高度智能化的应用领域，占有不可替代的优势。
218
（3）使用 MAP1 方式，如果目标程序使用如反三角函数 asin(),atan()等基于查找表方式的
函数，因为查找表放置在.cinit 段中，该数据段必须放在片内数据存储器中才能被数据存储器
控制器 DMC 访问(如将.cinit 放入 PMEM,主机加载工作正常；但烧写 FLASH 后，上电加载程序，
MEMORY
{
PMEM1:
org=0000f000h len=00001000h
PMEM2:
org=00000000h len=00000200h
SBSRAM: org=00400000h len=00040000h
DMEM:
org=80002000h len=00008000h
}
（4）打开烧写程序工程 C，该程序将 SBSRAM 内数据烧写至 FLASH；操作时，先加载数据(工
NOP 5
MVC B0,PDATA_O
STP *A0
ADD A0,4,A0
SUB B2,1,B2
[B2] B NEXTR
NOP 5
SUB B2,1,B2
[B2] B NEXTR
NOP 5
搬运工程 B 调用该函数：
void main()
{
int i;
int *TempAddr = (int*)0x01420000; // FLASH ADDR，写入 FLASH 目的地址
TMS320C67 系列 DSP 使用外部存储器接口 EMIF 直接烧写 FLASH，DSP 通过 FLASH 加载程序。 EMIF 寄存器配置可以参考相关资料，本文不加以描述，本文重点阐述工程上实现 DSP 烧写 FLASH 的过程和程序加载过程。首先对文中几个术语和相关选项进行说明：
目标程序：完成指定功能编写的程序； 搬运程序：在 DSP 上电或复位后，将程序由 ROM/FLASH 搬运至片内存储器或片外存储器，供 DSP CPU 执行的程序代码； 烧写程序：将片内/外存储器数据烧写至 FLASH 的程序； 目标程序、搬运程序、烧写程序可以分别建立工程，也可以合并为一个或两个工程； 连接器选项选择：其中关系程序加载的主要是-c/-cr 选项，它的选择关系到全局/静态变量 的初始化问题，需要用户自己设置。-c 选项用于设置运行时初始化全局变量（Run-time Autoinitialzation ）， -cr 选 项 用 于 设 置 在 加 载 时 初 始 化 全 局 变 量 （ Load-time
int *DestAddr = (int*)0x00000000; // PMEM ADDR,目标程序首地址
Init_DSP();
for(i=0;i<0xf000/4;i++) // PMEM,长度 60k
{
Write_PMEM(DestAddr,1,TempAddr);
DestAddr++;
TempAddr++;
MAP0，程序加载到片外 SDRAM/SBSRAM 中运行，运行速度较慢； MAP1，程序加载到片内程序存储器中运行，运行速度快。 ROM/FLASH 加载时，DMA 从 CE1 空间拷贝 64KB 数据到地址 0 处，长度有 64KB，一般情况下 资源足够用户使用。 工程应用中常用方法： （1）使用 MAP0 方式，配置好 HD[4:0]，直接将目标工程程序存储器 SDRAM/SBSRAM 的 64kB 数据直接烧写至 FLASH 首地址处开始的 64kB 即可；作个烧写程序,功能是先擦除 FLASH，再烧写 SDRAM/SBSRAM 数据入 FLASH 即可，过程比较简单，使用 C 语言编写即可，可以参考 TI 公司的例 程，目录 ti\examples\dsk6211\board_util\flash\Dsp\flash_prog.pjt，本文不作介绍。 （2）使用 MAP1 方式，如果目标程序不使用如反三角函数 asin(),atan()等基于查找表方式 的函数，那么可以不使用搬运程序，直接将目标工程片内程序存储器 PMEM 的 64kB 数据直接烧写 至 FLASH 首地址处开始的 64kB 即可。这种方法与 1 相同，只是烧写数据换成 PMEM；
EMIF 总线加载。
TMS320C6701 加载方式选择由 HD[4:0]管脚在上电时状态决定，取部分内容见表 1
TMS320C671x 配置管脚
HD[4:0] (BOOTMODE[4:0])
存储器 映射 MAP0 MAP1 MAP1 MAP0
表 1 TMS320C670x 加载方式选择
电平
地址 0 处的存储器
217
Initialzation）。-c、-cr 选项可以通过 CCS 软件菜单 Project-Options 打开编译器设置对 话框，在 Linker 页中设置。这个选项对基于 JTAG 的开发关系不大，对于脱机运行的最终系 统关系很大，一般需要从 ROM/FLASH 加载的程序选择-c 选项。 由于 TMS320C670x 与 TMS320C671x 系列硬件结构不同，DSP 加载过程差别较大，下面分别加 以阐述。
0x01420000、0x01440000，长度分别为 64kB,60kB,len;见 2.2 搬运程序部分源代码。
随着集成电路制造工艺的不断提高，芯片集成度越来越高，存储器向小型化、贴片式发展。 从而使表面封装的存储器难以利用编程器编程。目前普遍采用的在系统编程 ISP(In System Programming)技术不需要编程器，通过系统的 DSP 可直接对用户板上的存储器编程，这样不仅节 省了通用编程器及适配器的费用，还减少了频繁插拔存储器的麻烦，从而大量节省了系统开发时 间，满足了用户程序在线更新的要求。
00000 01101 10101 11100
SDRAM,4 个 8 bit 芯片 内部 内部
1x 速度 SBSRAM
加载方式(BOOTMODE)
无 8 bit,ROM 加载 16 bit,ROM 加载 32-bit,ROM 加载
2．2 存储器映射方式选择和相关搬运程序编写
以 C6701 为例具体说明 C671x 存储器映射方式。C6701 片内存储器 IRAM 分为程序存储器 PMEM 和数据存储器 DMEM 两个独立的部分，长度均为 64kBytes。C6701 有 MAP0/MAP1 两种存储器映射 方式，通过设置 HD[4:0]来实现：
的部分数据也烧入 FLASH。
需特别注意的事，搬运程序中，将 FLASH 程序拷贝至 PMEM 时，必须使用汇编语句搬移指令
MVC,只有 MVC 可以访问控制寄存器，这需要用汇编语言写一简单的搬移函数如 Write_PMEM()完
成一个地址向片内某地址写数。下面是汇编文件 Write_PMEM.asm。
（2）打开要烧写目标工程 A,加载工程程序（File->Load Program），存储数据(工程菜单
File->Data->Save),片内程序存储器、片内数据存储器数据分别存入 PMEM.dat、DMEM.dat，长
度分别为 60kB,len(需要观察 map 文件内容，定片内数据有效长度，len=片内数据存储器有效字
（ 3 ） 打 开 搬 运 工 程 B, 加 载 工 程 程 序 （ File->Load Program ）， 存 储 数 据 ( 工 程 菜 单
File->Data->Save),片内 PMEM 数据存入 LOADER.dat，长度为 64kB；设定工程 B 存储器空间分配
如下, 实际只使用片内程序存储器的后 4KB：
程菜单 File->Data->Load),将存储好的 LOADER.dat、PMEM.dat、DMEM.dat 分别加载 SBSRAM 内，
地址分别为 0x00400000、0x00420000、0x00440000,长度不变；烧写程序的长度根据 len 设定，
功能是先擦除 FLASH，再烧写 SBSRAM 数据入 FLASH，三段数据的首地址位置分别在 0x01400000、
2 TMS320C670x 加载操作
2．1 加载方式选择（BOOTMODE）
不加载：直接由地址 0 处开始执oot）：使用仿真器，通过 JTAG 口加载；
主机加载（Host Boot）：通过主机口 HPI 加载程序入 DSP，使用 DSPINT；
外部存储器接口加载（EMIF Boot）：程序由外部存储器，通过 DMA/EDMA 方式，从
TMS320C67 系列 DSP，片内没有集成用户可以使用的 ROM 存储器，用户程序必须存放在外挂 的程序存储器中。外挂的程序存储器通常选用容量大、存储速度快、功耗低、性价比高的 FLASH 存储器。
对程序存储器的编程（即离线编程）通常是通过通用编程器完成的，即用户将要写入的程序 转换成编程器能够接收的格式，再通过编程器写入存储器中。
*DestAddr++ = *TempAddr++;
asm("
nop 5");
//开始运行匹配程序
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asm(" asm(" asm(" asm(" asm(" asm(" asm(" }
mvk 0,b0"); mvkh 0,b0"); b b0"); nop 5"); nop"); nop"); nop");