氮化硅薄膜性质-PPT文档资料
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氮化硅
简介
氮化硅,分子式为Si3N4,是一种重要的结构陶瓷材料。它是一种超硬物质,本身具有润滑性,并且耐磨损,为原子晶体;
氮化硅
除氢氟酸外,它不与其他无机酸反应(反应方程式:Si3N4+16HF═3SiF4↑+4NH4F),抗腐蚀能力强,高温时抗氧化。而且它还能抵抗冷热冲击,在空气中加热到1 000 ℃以上,急剧冷却再急剧加热,也不会碎裂。正是由于氮化硅陶瓷具有如此优异的特性,人们常常利用它来制造轴承、气轮机叶片、机械密封环、永久性模具等机械构件。如果用耐高温而且不易传热的氮化硅陶瓷来制造发动机部件的受热面,不仅可以提高柴油机质量,节省燃料,而且能够提高热效率。我国及美国、日本等国家都已研制出了这种柴油机。
应用
【氮化硅的应用】
氮化硅用做高级耐火材料,如与sic结合作SI3N4-SIC耐火材料用于高炉炉身等部位;如与BN结合作SI3N4-BN材料,用于水平连铸分离环。SI3N4-BN系水平连铸分离环是一种细结构陶瓷材料,结构均匀,具有高的机械强度。耐热冲击性好,又不会被钢液湿润,符合连珠的工艺要求。见下表
性 能 AL2O3 ZrO2 熔融石英(SiO2) ZrO2
-MO金属陶瓷 反应结合
Si3N4 热压
Si3N4 热压
BN 反应结合
SiN4-BN
抗热震性 差 差 好 好 中 好 好 好
抗热应力 差 差 好 好 中 好 好 好 尺寸加工精度与易加工性能 差 差 好 差 好 差 好 好
耐磨性 好
好 中 好 好 好 好 好
耐侵蚀性 好 好 差 好 好 好 好
更多信息
物理性质
相对分子质量140.28。灰色、白色或灰白色。六方晶系。晶体呈六面体。密度3.44。硬度9~9.5,努氏硬度约为2200,显微硬度为32630MPa。熔点1900℃(加压下)。通常在常压下1900℃分解。比热容为0.71J/(g·K)。生成热为-751.57kJ/mol。热导率为16.7W/(m·K)。线膨胀系数为2.75×10-6/℃(20~1000℃)。不溶于水。溶于氢氟酸。在空气中开始氧化的温度1300~1400℃。比体积电阻,20℃时为1.4×105 ·m,500℃时为4×108 ·m。弹性模量为28420~46060MPa。耐压强度为490MPa(反应烧结的)。1285摄式度时与二氮化二钙反应生成二氮硅化钙,600度时使过渡金属还原,放出氮氧化物。抗弯强度为147MPa。可由硅粉在氮气中加热或卤化硅与氨反应而制得。可用作高温陶瓷原料。
(完整word)PECVD制备氮化硅薄膜的研究进展
毕业设计(论文)
( 2013 届)
题 目 PECVD制备氮化硅薄膜的研究进展
学 号 1003020147
姓 名 钟建斌
所 属 系 新能源科学与工程学院
专 业 材料加工及技术应用
班 级 10材料(1)班
指导教师 胡耐根
新余学院教务处制
目录 (完整word)PECVD制备氮化硅薄膜的研究进展
摘要 ................................................. 0
Abstract .............................. 错误!未定义书签。
第一章 氮化硅薄膜的性质与制备方法 .................... 2
1.1 氮化硅薄膜的性质 .............................. 2
1。2 与常用减反射膜的比较 ....................... 4
1。3 氮化硅薄膜的制备方法 ........................ 5
第二章 工艺参数对PECVD法制备氮化硅减反膜性能的影响研究 8
2.1 温度对双层氮化硅减反膜性能的影响 ............. 9
2.2 射频频率对双层氮化硅减反膜性能的影响 .......... 9
2.3 射频功率对双层氮化硅性能的影响 ............... 10
2。4 腔室压力对氮化硅减反膜性能的影响 ............ 11
2。5 优化前后对太阳电池电性能对比分析 ............ 12
- 1 - 氮化硅薄膜窗口制备
氮化硅薄膜窗口制备是一种制备高性能微电子器件的关键技术。该技术主要采用化学气相沉积(CVD)或物理气相沉积(PVD)等方法,在硅衬底或其他合适的材料表面上沉积一层氮化硅薄膜,然后利用光刻、蚀刻等工艺在薄膜上制备出所需的窗口结构。
氮化硅薄膜窗口具有高耐压、高耐腐蚀、高抗氧化、良好的光学透明性等优良性能,广泛应用于光电子、半导体、微机电系统(MEMS)等领域,如制备压力传感器、光纤通信器件、微型加速度计等。
氮化硅薄膜窗口制备技术的关键在于控制薄膜厚度、均匀性和晶体结构等方面,以及选择合适的光刻、蚀刻等工艺条件。此外,还需注意选择高纯度、高品质的前驱体气体,以提高薄膜质量和稳定性。
在实现高性能微电子器件的发展过程中,氮化硅薄膜窗口制备技术将继续发挥重要作用。
氮化硅结构
氮化硅(Silicon nitride)是一种多种新型耐热材料,具有优异的耐氧性和耐腐蚀性。它有很强的抗热性能,可承受高温环境。
氮化硅的结构与普通的硅相似,但由于氮的存在,它的体积变小,从而降低了其热传导性能。氮化硅的分子式为Si3N4,由3个硅原子与4个氮原子组成。由于氮化硅具有以下特性,它被用作自然的抗老化材料:
1、优异的强度:氮化硅可以承受更大的负载,具有超强的结构强度。
2、高温性能优异:氮化硅可以承受高温环境中高度与氧化作用。
3、低自由基:氮化物阻止和减少温度主动反应,降低了热效应。
4、低热膨胀系数:氮化硅具有极低的热膨胀系数,可在温度变化时保持稳定性。
5、耐磨性:氮化硅具有良好的耐磨性,使得部件在使用过程中,不会磨损和损坏。
由于上述优点,氮化硅广泛应用于航空航天、汽车制造、表面处理、制冷设备、酸性腐蚀环境和高温环境以及电子元件的生产等行业。