编辑课件
Leading Physical Property Analysis of Thin-Film Materials
专注 激情 严谨 勤勉13
薄膜制备分类 1、物理气相沉积(PVD)
采用物理方法使物质的原子或分子逸出,然后沉积 在基片上形成薄膜的工艺
根据使物质的逸出方法不同,可分为蒸镀、溅射和 离子镀 (1)真空蒸镀
编辑课件
21
化学气相沉积CVD
编辑课件
22
薄膜制备分类
金属有机化学气相沉积(MOCVD)
原料主要是金属(非金属)烷基化合物。 优点是可以精确控制很薄的薄膜生长,适于制 备多层膜,并可进行外延生长。
编辑课件
23
薄膜的形成机理
薄膜的生长过程 (1) 核生长型(Volmer Veber型) 特点:到达衬底上的沉积原子首先凝聚成核 ,后续飞来的沉积原子不断聚集在核附近,使核 在三维方向上不断长大而最终形成薄膜。 这种类型的生长一般在衬底晶格和沉积膜晶 格不相匹配(非共格)时出现,大部分的薄膜的 形成过程属于这种类型。
金属膜是在电子学领域中应用最为广泛的 一种薄膜。例如,半导体器件的电极、各种集 成电路中的导线和电极、电阻器、电容器、超 导器件、敏感元件和光纤通信用元器件等。虽 然各种元器件及集成电路对金属膜性能有不同 要求,但是作为共性的要求则需集中研究,例 如:电阻率、电阻率温度系数和非欧姆特性等 与膜厚、环境温度和电场的关系等。
①小岛阶段—②结合阶段—③沟道阶段—④连续薄膜
编辑课件
29
薄膜基底种类
基底又称:基片,衬底
陶瓷基底 金属基底 各种工具刀具件 玻璃基底 树脂基底 高分子基底 柔性基底
单晶硅
编辑课件
玻璃