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模电作业及答案分解

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作业及答案 第一章 1、什么是P型半导体、N型半导体、PN结？ P型半导体：在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼)，使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半导体，亦可称为空穴型半导体。主要靠空穴导电。 N型半导体：在纯净的硅晶体中掺入五价元素(如磷)，使之取代晶格中硅原子的位置，就形成N型半导体，亦可称为电子型半导体。主要靠自由电子导电 PN结：采用不同的掺杂工艺，将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上，在它们的交界面就形成PN结。PN结具有单向导电性。

2、简述PN结的单向导电性。 在PN结上外加一电压，如果P型一边接正极，N型一边接负极，电流便从P型一边流向N型一边，空穴和电子都向界面运动，使空间电荷区变窄，电流可以顺利通过，即PN结外加正向电压时处于导通状态。如果N型一边接外加电压的正极，P型一边接负极，则空穴和电子都向远离界面的方向运动，使空间电荷区变宽，电流不能流过，即PN结外加反向电压时处于截止状态。这就是PN结的单向导电性。

3、简述PN结的伏安特性。 如左图所示，当PN结外加正向电压，电流i随电压u按指数规律变化；当PN结外加反向电压，首先没有电流流过，但当反向电压增大到一定程度时，反向电流将急剧增加，将PN结反向击穿。

P. 67 四、已知稳压管的稳压值6VZU，稳定电流的最小值min5mAZI。求图T1.4所示电路中1oU和2oU各为多少伏。 解： (a) 1316V2=1086(500102)6LoDZ

L

o

RKUUVVUVRRKUV







只有当加在稳压管两端的电压大于其稳压值时，稳压管输出电压才为：

(b) 226V5=105(55)5LoLoRKUUVVRRKUV只有当加在稳压管两端的电压大于其稳压值时，稳压管输出电压才为： P. 69－70: 1.3，1.6 1.3 电路如图P1.3所示，已知tuisin5(V)，二极管导通电压UD=0.7V。试画出iu与ou的波形图，并标出幅值。

图P1.3 解图P1.3 1.6 已知图Pl.6 所示电路中稳压管的稳定电压6ZUV，最小稳定电流 min5ZImA，最大稳定电流max25ZImA。

(1)分别计算IU为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压OU的值； (2)若35IUV时负载开路，则会出现什么现象？ 为什么？ 解： 图Pl.6 (1)只有当加在稳压管两端的电压大于其稳压值时，输出电压才为6V。

∴VUI10时，VURRRUILLO3.3；

VUI15时，5LOILRUUVRR；

VUI35时，11.7LOIZLRUUVURR，∴VUUZO6。 (2)当负载开路时，mAImARUUIZZIZ2529max，故稳压管将因功耗过大而烧毁。 P. 70: 1.8, 1.9, 1.10。 1.8 现测得放大电路中两只管子两个电极的电流如图P1.8所示。分别求另一电极的电流，标出其方向，并在圆圈中画出管子，且分别求出它们的电流放大系数β。

(a) (b) 图Pl.8 解： 由于晶体管的集电极电流与发射极电流近似相等，而图中两只管子的两个已知电流相差悬殊，故它们中的小者为基极电流，大者为集电极电流或发射极电流。 根据图(a)所示晶体管的基极电流(10uA)流入管子，所以它是NPN型管；根据图(b)所示晶体管的基极电流(100uA)流出管子，所以它是PNP型管。 其晶体管如下图所示：

(a) (b) 放大倍数分别为

311001010amAmA 355010010bmAmA

1.9测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.9所示。在圆圈中画出管子，并说明它们是硅管还是锗管。

图P1.9 解： 因为六只晶体管均在放大电路中，通常工作在放大状态，所以直流电位相近的两个极分别为发射极和基极，另一极为集电极；若集电极电位最高，则为NPN型管，电位最低的为发射极，电位居中的是基极；若集电极电位最低，则为PNP型管，电位最高的为发射极，电位居中的为基极。如果b-e间电压在0.1~0.3V之间，则为锗(Ge)管；如果b-e间电压在0.6~0.8V之间，则为硅(Si)管。 如解图1.9。

解图1.9 1.10电路如图P1.10所示，晶体管导通时0.7BEUV，β=50。试分析BBV为0V、1V、3V三种情况下T 的工作状态及输出电压Ou的值。 解：

(1)当0BBV时，BEonUU，T 截止，12OuV。

(2)当1BBVV时，因为 60BBBEBbVUIAR 图P1.10

3CBIImA 9OCCCcuVIRV 所以T处于放大状态。 (3)当3BBVV时，因为460BBBEBbVUIAR 23110.7CBoCCCcBEIImAuVIRVUV 所以T处于饱和状态。

第二章 1、 画出晶体管单管放大电路的三种基本接法电路、直流输入回路、交流输入回路，写出其动态特性参数：Au、Ri、Ro。 解： (1) 基本共射放大电路：

ui

VBB

Rb

Vcc

Rc

uo

(a)(b)TRb

Rc

TVBBVCCRbRcTUo

Ui

(c)(a)基本共射放大电路 (b)直流输入回路 (c)交流输入回路 基本共射放大电路的动态特性参数：

ocibbeiibbe

i

oc

URURrURRrIRR



电压放大倍数：输入电阻：输出电阻：

Au==-

(2) 基本共集放大电路： ui

VBB

Rb

Vcc

Re u

o

(a)(b)

TRb

Re

TVBB

VCC

RbRe

TUo

Ui

(c)(a)基本共集放大电路 (b)直流输入回路 (c)交流输入回路 基本共集放大电路的动态特性参数： (1)(1)(1)()||=1(1)oeibbeeiibbeeibbeebbeoebbeeURURrRURRrRIRrRRrRRRrR





电压放大倍数：输入电阻：输出电阻：

Au==

(3) 基本共基放大电路： TRe

ui

VBB

VCC

Rc

uo

TRe

Rc

Uo

Ui

(a)

(c)

TReR

c

(b)VBB

VCC

(a)基本共基放大电路 (b)直流输入回路 (c)交流输入回路 基本共基放大电路的动态特性参数：

(1)1ocibeeibeieiocURUrRUrRRIRR

电压放大倍数：输入电阻：输出电阻：

Au== 2、 说明晶体管单管放大电路的三种接法的特点。 (1)共射电路既能放大电流又能放大电压，输入电阻居三种电路之中，输出电阻较大，频带较窄。 (2)共集电路只能放大电流不能放大电压，是三种接法中输入电阻最大、输出电阻最小的电路，并且具有电压跟随的特性。 (3)共基电路只能放大电压不能放大电流，输入电阻小，电压放大倍数、输出电阻和共射电路相当，是三种接法中高频特性最好的电路。

P.138：习题：2.1、2.2 2.1 分别改正图P2.1所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波信号。要求保留电路原来的共射接法。

(a) (b)

(c) (d) 图P2.1 解： (a)将-VCC改为+VCC。 (b)在+VCC与基极之间加Rb。 (c)将VBB反接，且在输入端串联一个电阻或一个电容。 (d)在VBB支路加Rb，电容极性左边为“+”，在-VCC与集电极之间加Rc。

2.2画出图P2.2所示各电路的直流通路和交流通路。设所有电容对交流信号均可视为短路。 (a) (b) (c) (d) 图P2.2 解： 图P2.2所示各电路的直流通路如解图P2.2.1所示：

R1R2

R3

T

V

(a)TR1R2R3R4V(b)T2

T1

R1

R2

R3

R4

V

(c)T

R1

R2

R3

(d)

解图P2.2.1 图P2.2所示各电路的交流通路如解图P2.2.2所示：

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模拟电子技术课后习题及答案1

模拟电子技术课后习题及答案1

第一章 常用半导体器件自 测 题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。

（1）在N 型半导体中掺入足够量的三价元素，可将其改为P 型半导体。

（ ） （2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

（ ） （3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

（ ）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。

（ ） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS 大的特点。

（ ）（6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U GS 大于零，则其输入电阻会明显变小。

（ ）解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、选择正确答案填入空内。

（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。

A. 变窄B. 基本不变C. 变宽（2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。

A. I S e U B.T U U I e S C. )1e (S －TU U I（3）稳压管的稳压区是其工作在 。

A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。

A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏（5）U GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。

A. 结型管B. 增强型MOS管C. 耗尽型MOS 管解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝。

解：U O1≈，U O2＝0，U O3≈－，U O4≈2V，U O5≈，U O6≈－2V。

四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA。

求图所示电路中U O1和U O2各为多少伏。

解：U O1＝6V，U O2＝5V。

五、某晶体管的输出特性曲线如图所示，其集电极最大耗散功率P CM＝200mW，试画出它的过损耗区。

模电习题二-2(答案)

模电习题二-2(答案)

习题二2.16 已知一N 沟道JFET 的夹断电压U GS (off) = —4 V ，饱和漏极电流I DSS = 4mA ，试估算： (1) 若U GS = 0，漏极电流为多少？ (2)若U GS = —1 V ，I D 和g m 各是多少?解：(1) 若U GS = 0，漏极电流为饱和漏极电流I DSS = 4mA (2) U GS = —1 V ，)(5.12)(25.2)411(4)1)22)ms I I U g mA U U I I D DSS off GS m off GS GSDSS D =-=∴=-⨯=-=（（（2.17 场效应管放大电路如图题2.17所示，电路参数如图所示。

FET 在工作点上的互导g m = 1ms , (1)画出微变等效电路; (2) 试 计算 uA 、R i 、R o;。

U +U +o图题2.17图题2.18解：（1）微变等效电路如图所示。

.微变等效电路（2）u A .=－g m R D =－1ms ×30K=－30R i ≈R G =10M ΩR o ≈R D =30K Ω2.18 由JFET 组成的放大电路如图题2.18所示，夹断电压V U off GS 5)(-=，mA I DSS 4=， 试求：（1）静态工作点D I ，GS U 和DS U ；（2）电压增益u A ； （3）输入电阻i R 和输出电阻OR 。

解 （1） 该自给偏压放大电路D S GS I R U -= （1）)(S d D DD DS R R I U U +-= （2）2)()1(o f fGS GS DSS D U U I I -= （3）由（1）（2）（3）公式代入数据计算得到mA I D 9.0=VU DS 7.16=VU GS 7.2-=（2）LD L R R R //='4.3-='-=Lm U R g A （3）Ω==M R R g i 1Ω==K R R d 1.502.19 图题 2.19示所示电路中FET 的I DSS = 5 mA ，U GS (off) = -4 V ，Ω=k R G 911，Ω=k R G 102,Ω=k R G 5103,Ω=k R D 3,Ω=k R S 2，V U DD 10=,Ω=M R L 1。

模电第五版课后答案

模电第五版课后答案

模电第五版课后答案第一章电路的基本概念和基本定律1.1 电路的基本概念1.电路是由电子元件、电源和连接线组成的。

2.电路分为直流电路和交流电路两种。

3.电子元件包括电阻、电容和电感等。

4.电路的连接方式有串联和并联。

1.2 电路的基本定律基尔霍夫定律•第一定律：电流在任一节点的进出代数和为零•第二定律：沿着任一回路，电动势之和等于电势降之和电阻定律•奥姆定律：电流通过一个电阻的大小与电阻两端的电压成正比，与电阻本身无关第二章基本电路分析方法和技巧2.1 基本电路分析方法1.求解线性方程组法2.叠加法3.超节点法2.2 基本电路分析技巧1.电流分配定理2.电压分配定理3.电流、电压与功率的关系第三章电路的时间特性3.1 RC电路的时域分析1.RC电路的充放电过程2.RC电路的阶跃响应3.RC电路的脉冲响应3.2 RL电路的时域分析1.RL电路的充放电过程2.RL电路的阶跃响应3.RL电路的脉冲响应第四章电路的频率特性4.1 交流电路的频率特性1.交流电路中的欧姆定律2.交流电路中的电流和电压的相位关系3.交流电路中的功率计算4.2 电阻、电容和电感的频率特性1.电阻的频率特性2.电容的频率特性3.电感的频率特性第五章运算放大电路5.1 差动放大器1.差动放大器的基本原理2.差模增益和共模增益3.差动放大器的共模抑制比5.2 频率和相位响应1.运算放大器的频率响应特性2.运算放大器的相位响应特性5.3 运放的应用电路1.非反馈放大电路2.反馈放大电路3.运放的综合应用以上是《模电第五版》课后答案的一些概要内容，希望对你的学习有所帮助。

详细的答案和解析请参考教材中的原文或者其他辅助教材。

祝你学习进步！。

华南理工大学-清华大学教材-模拟电子技术基础-课程作业标准答案

华南理工大学-清华大学教材-模拟电子技术基础-课程作业标准答案

教材模拟电子技术基础（第四版）清华大学模拟电子技术课程作业第1章半导体器件1将PN结加适当的正向电压，则空间电荷区将(b)。

(a)变宽(b)变窄(c)不变2半导体二极管的主要特点是具有(b)。

(a)电流放大作用(b)单向导电性(c)电压放大作用3二极管导通的条件是加在二极管两端的电压(a)。

(a)正向电压大于PN结的死区电压(b)正向电压等于零(c)必须加反向电压4电路如图1如图2所示，答案5电路如图1所示，2所示，若忽略二极管的正向压降，试画t 1,t 2时间内二极管D 1，D 2的工作状态。

答案第2章基本放大电路1下列电路中能实现交流放大的是图(b)。

2U BE，如要将集电极电流I C调整到1.5mA，R B应取(a)。

(a)480kΩ(b)120kΩ(c)240kΩ(d)360kΩ3固定偏置放大电路中，晶体管的β＝50，若将该管调换为β=80的另外一个晶体管，则该电路中晶体管集电极电流IC将(a)。

(a)增加(b)减少(c)基本不变4分压式偏置放大电路如图所示，晶体T RB1，RB2分别开路时各电极的电位（U B，U C，U E）。

并说明上述两种情况下晶体管各处于何种工作状态。

答案(1)当R B1开路时，偏置电路如图1所示： U BE ＝0，I B =0，I C =0，I E =0U B =0U C =U CC =12V U E =0此时晶体管处于截止状态。

(2)当R B2开路时，偏置电路如图2所示:此时晶体管处于饱和状态，U E ≈4V ，U B ≈4.7V ，U C ≈4V5放大电路如图所示,，要求: (1)画出放大器的微变等效电路；(2)答案(1)第三章 多级放大电路1必须使得( a )。

(a)电路结构对称，两管特性及对应的电阻元件参数相同。

(b)电路结构对称，但两管特性不一定相同。

(c)两管特性及对应的电阻元件参数相同，但电路结构不一定对称。

2在多级直接耦合放大电路中，导致零点漂移最为严重的是( a )。