模电习题答案(第五版)

模电第五版课后答案第一章电路的基本概念和基本定律1.1 电路的基本概念1.电路是由电子元件、电源和连接线组成的。

2.电路分为直流电路和交流电路两种。

3.电子元件包括电阻、电容和电感等。

4.电路的连接方式有串联和并联。

1.2 电路的基本定律基尔霍夫定律•第一定律：电流在任一节点的进出代数和为零•第二定律：沿着任一回路，电动势之和等于电势降之和电阻定律•奥姆定律：电流通过一个电阻的大小与电阻两端的电压成正比，与电阻本身无关第二章基本电路分析方法和技巧2.1 基本电路分析方法1.求解线性方程组法2.叠加法3.超节点法2.2 基本电路分析技巧1.电流分配定理2.电压分配定理3.电流、电压与功率的关系第三章电路的时间特性3.1 RC电路的时域分析1.RC电路的充放电过程2.RC电路的阶跃响应3.RC电路的脉冲响应3.2 RL电路的时域分析1.RL电路的充放电过程2.RL电路的阶跃响应3.RL电路的脉冲响应第四章电路的频率特性4.1 交流电路的频率特性1.交流电路中的欧姆定律2.交流电路中的电流和电压的相位关系3.交流电路中的功率计算4.2 电阻、电容和电感的频率特性1.电阻的频率特性2.电容的频率特性3.电感的频率特性第五章运算放大电路5.1 差动放大器1.差动放大器的基本原理2.差模增益和共模增益3.差动放大器的共模抑制比5.2 频率和相位响应1.运算放大器的频率响应特性2.运算放大器的相位响应特性5.3 运放的应用电路1.非反馈放大电路2.反馈放大电路3.运放的综合应用以上是《模电第五版》课后答案的一些概要内容，希望对你的学习有所帮助。

详细的答案和解析请参考教材中的原文或者其他辅助教材。

祝你学习进步！。

《模拟电子技术基础》题库华成英主编高等教育出版社一、判断下列各题是否正确，对的打“√”，错的打“×”1．半导体中的空穴带正电。

（√）2．本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。

（√）3．P型半导体带正电，N型半导体带负电。

（×）4．未加外部电压时，PN结中电流从P区流向N区。

（√）5．稳压管工作在反向击穿状态时，其两端电压恒为U Z。

（×）6．若晶体管将集电极和发射极互换，则仍有较大的电流放大作用。

（×）7．多级阻容耦合放大器的通频带比组成它的单级放大器的通频带宽。

（×）8．射极输出器是电压串联负反馈放大器，它具有稳定输出电压的作用。

（√）9. 一个完全对称的差分式放大器，其共模放大倍数为零。

（√）10. 一个理想的差分放大电路，只能放大差模信号，不能放大共模信号。

（√）11.差动放大电路的A VD越大越好，而A VC则越小越好。

（√）12.零点漂移就是静态工作点的漂移。

（√）13.产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。

（√）14．只有直接耦合放大电路才有温漂。

（×）15.不管差分放大电路的参数是否理想对称，R E均有共模负反馈作用。

（√）16．利用两只NPN型管构成复合管只能等效为NPN型管。

（√）17．利用一只NPN型管和一只PNP型管构成的复合管只能等效为PNP管。

（×）18．差分放大电路采用恒流源代替R E是为了增大差模放大倍数。

（×）19．放大电路采用复合管是为了减小输入电阻和放大倍数。

（×）20.镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。

（√）21.在差分放大电路中采用恒流源作集电极负载电阻能够增大差模放大倍数。

（√）同时也可以增大共模抑制比。

（√）二、选择填空1、型半导体中的多数载流子是_____B__,N型半导体的多数载流子是____A____.A.电子 B .空穴 C. 正离子 D.负离子2、杂质半导体中少数载流子的浓度__ A ___本征半导体中的载流子的浓度。

第一章 常用半导体器件自 测 题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。

（1）在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。

（ ）（2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

（ ） （3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

（ ）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。

（ ） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R G S 大的特点。

（ ） （6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U G S 大于零，则其输入电阻会明显变小。

（ ）解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、选择正确答案填入空内。

（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。

A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。

A. I S e U B. TU U I eS C. )1e (S －T U U I（3）稳压管的稳压区是其工作在 。

A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。

A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏（5）U G S ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 。

A. 结型管 B. 增强型MOS 管 C. 耗尽型MOS 管 解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。

图T1.3解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V，U O6≈－2V。

四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Z m i n＝5mA。

求图T1.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。

模拟电子技术基础第五版课后习题答案【篇一：模拟电子技术基础,课后习题答案】一章1.1 电路如题图1.1所示，已知ui?5sin?t?v?，二极管导通电压降ud?0.7v。

试画出ui和uo的波形，并标出幅值。

解：通过分析可知：(1) 当ui?3.7v时，uo?3.7v (2) 当?3.7v?ui?3.7v时，uo?ui (3) 当ui??3.7v时，uo??3.7v 总结分析，画出部分波形图如下所示：1.2 二极管电路如题图1.2所示。

（1）判断图中的二极管是导通还是截止？（2）分别用理想模型和横压降模型计算ao两端的电压uao。

解：对于（a）来说，二极管是导通的。

采用理想模型来说，uao??6v 采用恒压降模型来说，uao??6.7v对于（c）来说，二极管d1是导通的，二极管d2是截止的。

采用理想模型来说，uao?0 采用恒压降模型来说，uao??0.7v1.3 判断题图1.3电路中的二极管d是导通还是截止？用二极管的理想模型计算流过二极管的电流id??解：（b）先将二极管断开，由kvl定律，二极管左右两端电压可求出：2515＝1.5v 18?225?510u右＝15?＝1v140?10u左＝?10?故此二极管截止，流过的电流值为id＝0（c）先将二极管断开，由kvl定律，二极管左右两端电压可求出： 52＝2.5v，u左＝2.5?20?＝0.5v 25?518?210u右＝15?＝1v140?10u左1＝15?由于u右?u左?0.5v，故二极管导通。

运用戴维宁定理，电路可简化为id?0.51.6 测得放大电路中六只晶体管的电位如题图1.6所示，在图中标出三个电极，并说明它们是硅管还是锗管。

解： t1: 硅管，pnp，11.3v对应b, 12v对应e, 0v对应ct2: 硅管，npn，3.7v对应b, 3v对应e, 12v对应c t3: 硅管，npn，12.7v对应b, 12v对应e,15v对应c t4: 锗管，pnp，12v对应b, 12.2v对应e, 0v对应c t5: 锗管，pnp，14.8v对应b, 15v对应e,12v对应c t6: 锗管，npn，12v对应b, 11.8v对应e, 15v对应c模拟电子技术基础第二章2.2 当负载电阻rl?1k?时，电压放大电路输出电压比负载开路（rl??）时输出电压减少20%，求该放大电路的输出电阻ro。

第四章 集成运算放大电路自 测 题一、选择合适答案填入空内。

（1）集成运放电路采用直接耦合方式是因为 。

A ．可获得很大的放大倍数 B . 可使温漂小 C ．集成工艺难于制造大容量电容 （2）通用型集成运放适用于放大 。

A ．高频信号 B . 低频信号 C . 任何频率信号（3）集成运放制造工艺使得同类半导体管的 。

A . 指标参数准确 B . 参数不受温度影响 C ．参数一致性好（4）集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以 。

A ．减小温漂 B . 增大放大倍数 C . 提高输入电阻（5）为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用 。

A ．共射放大电路 B . 共集放大电路 C ．共基放大电路解：（1）C （2）B （3）C （4）A （5）A二、判断下列说法是否正确，用“√”或“×”表示判断结果填入括号内。

（1）运放的输入失调电压U I O 是两输入端电位之差。

( ) （2）运放的输入失调电流I I O 是两端电流之差。

( ) （3）运放的共模抑制比cdCMR A A K( ) （4）有源负载可以增大放大电路的输出电流。

( )（5）在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流。

( ) 解：（1）× （2）√ （3）√ （4）√ （5）×三、电路如图T4.3所示，已知β1=β2=β3=100。

各管的U B E 均为0.7V ，试求I C 2的值。

图T4.3解：分析估算如下： 100BE1BE2CC =--=RU U V I R μAβCC B1C0B2C0E1E2CC1C0I I I I I I I I I I I I R +=+=+====1001C =≈⋅+=R R I I I ββμA四、电路如图T4.4所示。

图T4.4（1）说明电路是几级放大电路，各级分别是哪种形式的放大电路（共射、共集、差放……）；（2）分别说明各级采用了哪些措施来改善其性能指标（如增大放大倍数、输入电阻……）。

第四章局部习题解答4．1．3 某BJT 的极限参数I CM =100mA ，P CM =150mW ，V 〔BR 〕CEO =30V ，假设它的工作电压V CE =10V ，则工作电流I C 不得超过多大？假设工作电流I C =1mA ，则工作电压的极限值应为多少？解: BJT 工作时，其电压和电流及功耗不能超过其极限值，否则将损坏。

当工作电压V CE 确定时，应根据P CM 及I CM 确定工作电流I C ，即应满足I C V CE ≤P CM 及I C ≤I CM 。

当V CE =10V 时，此值小于I CM =100mA ，故此时工作电流不超过15mA 即可。

同理，当工作电流I c 确定时，应根据I C V CE ≤P CM 及V CE ≤V 〔BR 〕CEO 确定工作电压V CE 的大小。

当I C =1mA 时，为同时满足上述两个条件，则工作电压的极限值应为30V 。

4．3．3 假设将图题3.3.1所示输出特性的BJT 接成图题3.3.3所示电路，并设V CC =12V ，R C =1k Ω，在基极电路中用V BB =2.2V 和R b =50k Ω串联以代替电流源i B 。

求该电路中的I B 、I C 和V CE 的值，设V BE =0.7V 。

图题3.3.1解: 由题3.3.1已求得β=200，故I C =βI B =200×0.03mA=6mA V CE =V CC -I C R c =6V4.3.5 图题3.3.6画出了某固定偏流放大电路中BJT 的输出特性及交、直流负载线，试求：〔1〕电源电压V CC ，静态电流I B 、I C 和管压降V CE 的值；〔2〕电阻R b 、R e 的值；〔3〕输出电压的最大不失真幅度；〔4〕要使该电路能不失真地放大，基极正弦电流的最大幅值是多少？解:〔1〕由图题3.3.6可知，直流负载线与横坐标轴的交点即V CC 值的大小，故V CC =6V 。

模拟电子技术基础第五版课后习题答案【篇一：模拟电子技术基础,课后习题答案】一章1.1 电路如题图1.1所示，已知ui?5sin?t?v?，二极管导通电压降ud?0.7v。

试画出ui和uo的波形，并标出幅值。

解：通过分析可知：(1) 当ui?3.7v时，uo?3.7v (2) 当?3.7v?ui?3.7v时，uo?ui (3) 当ui??3.7v时，uo??3.7v 总结分析，画出部分波形图如下所示：1.2 二极管电路如题图1.2所示。

（1）判断图中的二极管是导通还是截止？（2）分别用理想模型和横压降模型计算ao两端的电压uao。

解：对于（a）来说，二极管是导通的。

采用理想模型来说，uao??6v 采用恒压降模型来说，uao??6.7v对于（c）来说，二极管d1是导通的，二极管d2是截止的。

采用理想模型来说，uao?0 采用恒压降模型来说，uao??0.7v1.3 判断题图1.3电路中的二极管d是导通还是截止？用二极管的理想模型计算流过二极管的电流id??解：（b）先将二极管断开，由kvl定律，二极管左右两端电压可求出：2515＝1.5v 18?225?510u右＝15?＝1v140?10u左＝?10?故此二极管截止，流过的电流值为id＝0（c）先将二极管断开，由kvl定律，二极管左右两端电压可求出： 52＝2.5v，u左＝2.5?20?＝0.5v 25?518?210u右＝15?＝1v140?10u左1＝15?由于u右?u左?0.5v，故二极管导通。

运用戴维宁定理，电路可简化为id?0.51.6 测得放大电路中六只晶体管的电位如题图1.6所示，在图中标出三个电极，并说明它们是硅管还是锗管。

解： t1: 硅管，pnp，11.3v对应b, 12v对应e, 0v对应ct2: 硅管，npn，3.7v对应b, 3v对应e, 12v对应c t3: 硅管，npn，12.7v对应b, 12v对应e,15v对应c t4: 锗管，pnp，12v对应b, 12.2v对应e, 0v对应c t5: 锗管，pnp，14.8v对应b, 15v对应e,12v对应c t6: 锗管，npn，12v对应b, 11.8v对应e, 15v对应c模拟电子技术基础第二章2.2 当负载电阻rl?1k?时，电压放大电路输出电压比负载开路（rl??）时输出电压减少20%，求该放大电路的输出电阻ro。

模拟电子技术第五版基础习题与解答在电子技术的领域中，模拟电子技术一直占据着重要的地位。

它是电子信息工程、通信工程、自动化等专业的基础课程之一。

《模拟电子技术第五版》作为一本经典教材，其中的基础习题对于学生理解和掌握这门课程的知识具有至关重要的作用。

首先，让我们来看看一些关于半导体基础知识的习题。

半导体器件是模拟电子技术的基石，理解其工作原理和特性是学好这门课程的关键。

例如，有这样一道习题：“解释为什么在纯净的半导体中掺入少量杂质可以显著改变其导电性能？”对于这道题，我们需要明白，纯净的半导体中载流子浓度很低，而掺入杂质后会形成施主能级或受主能级，从而增加了载流子的浓度，使得导电性能得到改善。

再比如，“比较 N型半导体和 P 型半导体在导电机制上的差异。

”这道题要求我们清楚 N型半导体中主要是电子导电，P 型半导体中主要是空穴导电，并且要能够详细阐述其形成原因和导电过程。

在二极管这一章节，也有不少具有代表性的习题。

“分析二极管在正向偏置和反向偏置时的电流特性，并解释其原因。

”在解答这道题时，我们要知道在正向偏置时，二极管的 PN 结变薄，电阻减小，电流容易通过；而在反向偏置时，PN 结变厚，电阻增大，只有极小的反向饱和电流。

还有“利用二极管的单向导电性，设计一个简单的整流电路，并计算其输出电压和电流。

”这样的题目则需要我们将理论知识应用到实际电路设计中，通过计算来确定电路的性能参数。

三极管是模拟电子技术中的核心器件，相关的习题更是复杂多样。

“阐述三极管的放大作用原理，以及如何判断三极管的工作状态。

”这道题要求我们深入理解三极管的结构和工作原理，知道三极管通过控制基极电流来实现对集电极电流的放大作用。

判断工作状态时，需要根据基极电流、集电极电流和发射极电流之间的关系，以及各极之间的电压来确定。

又如“设计一个共射极放大电路，计算其电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。

”这就需要我们综合运用三极管的放大原理、电路分析方法以及相关的计算公式来完成。

模拟电子技术第五版基础习题与解答在电子技术的学习中，模拟电子技术无疑是一座重要的基石。

而对于学习模拟电子技术的同学来说，通过基础习题的练习和正确的解答来加深对知识的理解和掌握是至关重要的。

首先，让我们来谈谈模拟电子技术的一些基本概念。

模拟电子技术主要研究的是连续变化的电信号，例如电压和电流。

它涉及到半导体器件，如二极管、三极管等，以及由这些器件组成的各种电路，如放大器、滤波器、振荡器等。

在基础习题中，经常会出现关于二极管的问题。

二极管是一种最简单的半导体器件，但它的特性却非常重要。

例如，会让我们计算二极管在不同的电路中的导通和截止状态，或者分析其在整流电路中的作用。

就拿一个简单的二极管整流电路来说，假设输入是一个正弦交流电压，我们需要判断在正半周和负半周二极管的导通情况，从而得出输出电压的波形。

在正半周，二极管导通，电流可以通过；在负半周，二极管截止，没有电流流过。

通过这样的分析，我们就能理解二极管是如何将交流信号转换为直流信号的。

三极管也是模拟电子技术中的核心器件之一。

习题中可能会涉及三极管的放大作用、输入输出特性曲线的理解，以及三极管组成的共射、共集、共基三种基本放大电路的分析。

比如说，在共射放大电路中，我们要考虑三极管的静态工作点设置是否合适，以及输入信号在不同频率下的放大情况。

这就需要我们熟练掌握三极管的工作原理和相关的电路分析方法。

还有一类常见的习题是关于集成运算放大器的。

集成运算放大器具有高增益、高输入阻抗和低输出阻抗等特点，广泛应用于各种模拟电路中。

在习题中，可能会让我们设计一个基于集成运算放大器的加法器、减法器或者积分器、微分器等。

要完成这些设计，就必须清楚集成运算放大器的“虚短”和“虚断”概念，以及各种运算电路的基本结构和工作原理。

再来说说滤波器，这也是模拟电子技术中的重要内容。

滤波器可以分为低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器和带阻滤波器等。

习题可能会要求我们根据给定的技术指标，设计相应的滤波器电路，并计算其参数。

第3章 多级放大电路自 测 题一、现有基本放大电路：A.共射电路B.共集电路C.共基电路D.共源电路E.共漏电路根据要求选择合适电路组成两级放大电路。

（1）要求输入电阻为1k Ω至2k Ω，电压放大倍数大于3000，第一级应采用 ，第二级应采用 。

（2）要求输入电阻大于10M Ω，电压放大倍数大于300，第一级应采用 ，第二级应采用 。

（3）要求输入电阻为100k Ω～200k Ω，电压放大倍数数值大于100，第一级应采用 ，第二级应采用 。

（4）要求电压放大倍数的数值大于10，输入电阻大于10M Ω，输出电阻小于100Ω，第一级应采用 ，第二级应采用 。

（5）设信号源为内阻很大的电压源，要求将输入电流转换成输出电压，且1000io ＞I U A ui ，输出电阻R o ＜100，第一级应采用 ，第二级应采用 。

解：（1）A ，A （2）D ，A （3）B ，A （4）D ，B（5）C ，B二、选择合适答案填入空内。

（1）直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是 。

A .电阻阻值有误差B .晶体管参数的分散性C .晶体管参数受温度影响D .电源电压不稳定（2）集成放大电路采用直接耦合方式的原因是 。

A .便于设计B .放大交流信号C .不易制作大容量电容（3）选用差分放大电路的原因是 。

A .克服温漂B . 提高输入电阻C .稳定放入倍数 （4）差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的 ，共模信号是两个输入端信号的 。

A .差B .和C .平均值（5）用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻R e，将使电路的。

A.差模放大倍数数值增大B.抑制共模信号能力增强C.差模输入电阻增大（6）互补输出级采用共集形式是为了使。

A.电压放大倍数大B.不失真输出电压大C.带负载能力强解：（1）C，D （2）C （3）A （4）A，C （5）B（6）Cr=100三、电路如图PT3.3所示，所有晶体管均为硅管，β均为60，'bbΩ，静态时｜U B E Q｜≈0.7V。

模电第五版康华光答案【篇一：模电康华光思考题题】2.1 集成电路运算放大器2.1.1答；通常由输入级，中间级，输出级单元组成，输入级由差分式放大电路组成，可以提高整个电路的性能。

中间级由一级或多级放大电路组成，主要是可以提高电压增益。

输出级电压增益为1，可以为负载提供一定的功率。

2.1.2答：集成运放的电压传输曲线由线性区和非线性区组成，线性区的直线的斜率即vvo很大，直线几乎成垂直直线。

非线性区由两条水平线组成，此时的vo达到极值，等于v+或者v-。

理想情况下输出电压+vom=v+,-vom=v-。

2.1.3答：集成运算放大器的输入电阻r约为10^6欧姆，输出电阻r约为100欧姆，开环电压增益avo约为10^6欧姆。

2.2 理想运算放大器2.2.1答：将集成运放的参数理想化的条件是：1.输入电阻很高，接近无穷大。

2.输出电阻很小，接近零。

3.运放的开环电压增益很大。

2.2.2答：近似电路的运放和理想运放的电路模型参考书p27。

2.3 基本线性运放电路2.3.1答:1.同相放大电路中，输出通过负反馈的作用，是使vn自动的跟从vp，使vp≈vn，或vid=vp-vn≈0的现象称为虚短。

2.由于同相和反相两输入端之间出现虚短现象，而运放的输入电阻的阻值又很高，因而流经两输入端之间ip=in≈0,这种现象称为虚断。

3.输入电压vi通过r1作用于运放的反相端，r2跨接在运放的输出端和反相端之间，同相端接地。

由虚短的概念可知，vn≈vp=0,因而反相输入端的电位接近于地电位，称为虚地。

虚短和虚地概念的不同：虚短是由于负反馈的作用而使vp≈vn,但是这两个值不一定趋向于零，而虚地vp,vn接近是零。

2.3.2答：由于净输入电压vid=vi-vf=vp-vm,由于是正相端输入，所以vo为正值，vo等于r1和r2的电压之和，所以有了负反馈电阻后，vn增大了，vp不变，所以vid变小了，vo变小了，电压增益av=vo/vi变小了。

电子技术基础（模拟部分）（第5版）习题全解电子技术基础（模拟部分）（第5版）习题全解电子技术基础（模拟部分）（第5版），是电子工程师必备的习题书。

本书辅以详细的计算与推导，指出常见的模拟电路解决方案。

本文将就第5版书中提供的习题做出讲解，全面解析如下：一、多电平传输技术1、模拟传输中可产生的不同电平：当输入信号的相位发生变化时，可在输出信号电平上产生多种不同的变化。

当高低电平有跃变时，其输出信号就会涵盖多种电平，比如2电平、4电平、8电平等。

2、多电平传输的使用：多电平传输技术的种类极其多样，可满足不同的传输需求。

比如，可应用于4G LTE、WiMax、802.11b/g/n、商业双向宽带、无线局域网、IEEE802网络、自适应宽带等。

二、脉冲宽度调制技术1、基本概念：脉冲宽度调制（PWM）是模拟电子技术中一种重要的调制技术，通过更改输出的脉冲宽度来表示信号的不同变化。

2、技术应用：PWM技术可用于模拟调制，比如可应用于伺服电机控制、音频放大器控制、功率放大器控制、绿色能源系统、直流调速系统等场景。

三、开关电源和交流-直流转换技术1、基本概念：开关电源是通过改变一个开关要么关闭要么打开来产生电压的电源，它可以快速的达到高效率以及高功率密度输出。

交流-直流转换技术则是借助半导体技术，将交流电变换成直流电的技术。

2、实际应用：开关电源和交流-直流转换技术广泛应用于各种电子设备，比如手机、笔记本电脑、LED显示屏、液晶显示器、电源模块、测试仪器、车载电子设备等领域。

四、模振荡器技术1、基本概念：模振荡器技术是模拟电子技术中重要的一项，它依靠振荡电路中固定的电路以及积分电容，从而获得交流振荡信号的技术。

2、应用场景：模振荡器技术具有很好的应用前景，它可以用于模拟信号发生器、信号补偿技术、ADC输入和DAC输出、声音编解码技术等领域。

综上所述，电子技术基础（模拟部分）（第5版）书中提供的习题涵盖广泛，从多电平传输技术、脉冲宽度调制技术、开关电源和交流-直流转换技术、模振荡器技术等形式，为读者全面深入的了解模拟电子技术提供帮助。