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盆栽蓝宝石葡萄种植技术与管理蓝宝石葡萄啊，那可是一种特别迷人的植物。
把它种成盆栽，就像是把一个袖珍的葡萄园搬到了自家的小天地里。
蓝宝石葡萄的种植，首先得从选种开始。
种就像选宝一样，得挑那些饱满、健康的种子或者幼苗。
你看，这就好比挑苹果，又大又红的肯定比那些干瘪的要好。
如果是种子，得保证没有破损，没有被虫子咬过的痕迹。
要是幼苗呢，茎得是粗壮的，叶子得是鲜绿的，这样的幼苗就像朝气蓬勃的小孩，充满了生机，种下去才有希望茁壮成长。
种蓝宝石葡萄的土也很有讲究。
这土啊，不能太黏，太黏就像胶水一样，根在里面都透不过气来。
也不能太松，太松就像沙子堆一样，没有什么养分。
最好是那种疏松又肥沃的土，就像那种营养均衡的饭菜，能让蓝宝石葡萄吃得饱饱的。
在土里啊，还可以加点有机肥，这有机肥就像是给蓝宝石葡萄加餐的小点心，让它长得更快更好。
说到浇水，那也是门学问。
水浇多了，就像人喝水喝到撑一样，蓝宝石葡萄的根会被泡坏的。
水浇少了呢，又像人渴着了，叶子会发黄，整株葡萄都会无精打采的。
怎么把握这个度呢？一般来说，摸着土有点干了，就可以浇水了。
就像你摸自己的皮肤，感觉有点干燥的时候就知道该擦点保湿的东西了。
光照对蓝宝石葡萄也很重要。
这蓝宝石葡萄就像一个爱晒太阳的小懒虫，没有足够的阳光，它可不会好好生长。
但是也不能让它在大太阳下暴晒，那就像把人放在火上烤一样，它会受不了的。
把盆栽放在一个能晒到太阳，但是又有一点阴凉的地方，就像给它找了一个舒服的小角落。
蓝宝石葡萄的修剪也不能忽视。
它的枝桠就像人的头发，有时候会长得乱七八糟的。
那些长得太密的枝桠，就像人头发打结了一样，得剪掉一些，这样才能让其他的枝桠有足够的空间和养分。
修剪的时候啊，要有耐心，不能乱剪一气，就像理发师给人剪头发，得有个造型。
施肥也是让蓝宝石葡萄茁壮成长的关键。
肥料就像它的成长剂，但是施肥的量和时间得掌握好。
不能一下子施太多肥，这就像人吃补药吃多了一样，会适得其反的。
要按照它生长的阶段来施肥，就像人在不同的年龄吃不同的食物一样。
不同生长方法的蓝宝石颜色问题浅析(2013-03-06 18:24:26)转载▼标签：分类：蓝宝石晶体蓝宝石晶体颜色问题掺杂问题杂谈蓝宝石晶体生长前言恭祝大家在新的一年里有新的气象；好久不发表文章了，在这就说说为何停顿这么久时间吧！首先肯定不会是因为接到某些官员的恐吓电话而不写博文了，是因为有很多更值得忙的事；这些就在最近的博文里慢慢论述吧！在我的《笑话连篇——真假自动化》（2012-09-15 10:25:34）的评论中有这么一段留言“............HEM 的创始人Fred Schmid差不多80岁了，天才的人物还奋战在第一线搞技术，国人惭愧啊！”。
不管是洋人还是国人，Fred Schmid作为一个晶体生长的老工程师是值得尊敬。
不过这么舔洋人屁眼的话语我实在看不过去。
说这话的人实在是没有什么专业知识，也没见过什么世面。
如果Fred Schmid能称上天才人物的话，中国晶体生长界有太多人需要用“宇宙无敌”来形容了。
为了防止有人再发表“碳是黑色的，掺入蓝宝石晶体，晶体应该也是黑色.........”的笑话，就给大家分析一下不同方法生长出来的蓝宝石的颜色问题。
我讲的未必都对，听不听是你的事，怎么讲是我的事。
宝石材料的显色机理众所周知，白光是一种混合光，由各种波长（各种颜色）混合显色的结果。
当白光入射的时候，如所有的光都通过的时候，则蓝宝石为无色；全部反射，则呈现白色；部分吸收，则呈现剩余光的颜色。
例如：吸收红光蓝宝石呈现青色；吸收黄光蓝宝石呈现紫色色；吸收绿光呈现蓝色；反之则反。
杂质离子的引入方式蓝宝石材料呈现颜色的时候，一定是引入了杂质离子。
杂质离子的引入途径只有两个：途径化铝原料中的杂质；途径2是热场包括保温、发热体和坩埚引入的杂质。
（在下一篇博文《VHGF 原理和优劣浅析》中顺带讲讲各种生长方法杂质离子引入的几率高低问题）不同生长方法的颜色分析同样呈现红色，不同方法生长的蓝宝石晶体是不一样的。
蓝宝石基本知识1、蓝宝石介绍蓝宝石的组成为氧化铝(Al2O3)，是由三个氧原子和两个铝原子以共价键型式结合而成,其晶体结构为六方晶格结构.它常被应用的切面有A-Plane,C-Plane及R-Plane.由于蓝宝石的光学穿透带很宽,从近紫外光(190nm)到中红外线都具有很好的透光性.因此被大量用在光学元件、红外装置、高强度镭射镜片材料及光罩材料上，它具有高声速、耐高温、抗腐蚀、高硬度、高透光性、熔点高（2045℃）等特点，它是一种相当难加工的材料，因此常被用来作为光电元件的材料。
目前超高亮度白/蓝光LED的品质取决于氮化镓磊晶(GaN)的材料品质，而氮化镓磊晶品质则与所使用的蓝宝石基板表面加工品质息息相关，蓝宝石(单晶Al2O3 )C面与Ⅲ-Ⅴ和Ⅱ-Ⅵ族沉积薄膜之间的晶格常数失配率小，同时符合GaN 磊晶制程中耐高温的要求，使得蓝宝石晶片成为制作白/蓝/绿光LED的关键材料.2、蓝宝石晶体的生长方法常用的有两种:1:柴氏拉晶法(Czochralski method),简称CZ法.先将原料加热至熔点后熔化形成熔汤，再利用一单晶晶种接触到熔汤表面，在晶种与熔汤的固液界面上因温度差而形成过冷。
于是熔汤开始在晶种表面凝固并生长和晶种相同晶体结构的单晶。
晶种同时以极缓慢的速度往上拉升，并伴随以一定的转速旋转，随着晶种的向上拉升，熔汤逐渐凝固于晶种的液固界面上，进而形成一轴对称的单晶晶锭.2:凯氏长晶法(Kyropoulos method),简称KY法,大陆称之为泡生法.其原理与柴氏拉晶法(Czochralskimethod)类似，先将原料加热至熔点后熔化形成熔汤，再以单晶之晶种(SeedC rystal，又称籽晶棒)接触到熔汤表面，在晶种与熔汤的固液界面上开始生长和晶种相同晶体结构的单晶，晶种以极缓慢的速度往上拉升，但在晶种往上拉晶一段时间以形成晶颈，待熔汤与晶种界面的凝固速率稳定后，晶种便不再拉升，也没有作旋转，仅以控制冷却速率方式来使单晶从上方逐渐往下凝固，最后凝固成一整个单晶晶碇.蓝宝石基片的原材料是晶棒,晶棒由蓝宝石晶体加工而成广大外延片厂家使用的蓝宝石基片分为三种:1:C-Plane蓝宝石基板这是广大厂家普遍使用的供GaN生长的蓝宝石基板面.这主要是因为蓝宝石晶体沿C轴生长的工艺成熟、成本相对较低、物化性能稳定,在C面进行磊晶的技术成熟稳定.2:R-Plane或M-Plane蓝宝石基板主要用来生长非极性/半极性面GaN外延薄膜,以提高发光效率.通常在蓝宝石基板上制备的GaN外延膜是沿c轴生长的，而c轴是GaN的极性轴，导致GaN基器件有源层量子阱中出现很强的内建电场，发光效率会因此降低，发展非极性面GaN 外延，克服这一物理现象，使发光效率提高。
CZ,KY,HEM法比較1:柴氏拉晶法(Czochralski method),簡稱CZ法.先將原料加熱至熔點後熔化形成熔湯，再利用一單晶晶種接觸到熔湯表面，在晶種與熔湯的固液介面上因溫度差而形成過冷。
於是熔湯開始在晶種表面凝固並生長和晶種相同晶體結構的單晶。
晶種同時以極緩慢的速度往上拉升，並伴隨以一定的轉速旋轉，隨著晶種的向上拉升，熔湯逐漸凝固於晶種的液固介面上，進而形成一軸對稱的單晶晶錠.2:凱氏長晶法(Kyropoulos method),簡稱KY法,大陸稱之為泡生法.其原理與柴氏拉晶法(Czochralskimethod)類似，先將原料加熱至熔點後熔化形成熔湯，再以單晶之晶種(SeedCrystal，又稱籽晶棒)接觸到熔湯表面，在晶種與熔湯的固液介面上開始生長和晶種相同晶體結構的單晶，晶種以極緩慢的速度往上拉升，但在晶種往上拉晶一段時間以形成晶頸，待熔湯與晶種介面的凝固速率穩定後，晶種便不再拉升，也沒有作旋轉，僅以控制冷卻速率方式來使單晶從上方逐漸往下凝固，最後凝固成一整個單晶晶碇.3.美國Crystal Systems用於生長單晶藍寶石(Sapphire)的熱交換法(Heat exchange method，HEM熱交換法)，它的長晶特點是通過氦氣冷卻坩堝的中心底部，保持籽晶不被熔化，並在長晶過程中帶走熱量，控制單晶不斷地生長，HEM法制得的晶體缺陷少且可生產大尺寸晶體以上三種方法是現在各國最常用的,各有各的好處,但已成本來算,基本上能長得大,缺點少就是最佳的,以現在來說HEM法與泡生法在生長尺寸上來說,沒有太大差異,但成本上泡生法較低,而現在CrystalTech HEM法爐體,生長晶體,最大只能到60kg,故二者必須做一抉擇,依本人建議使用泡生法的爐子較佳,至少他目前已經可以長到85kg,且餘料還可做其他應用之銷售,更可降低成本三種方法之成本藍寶石晶體之成本,是需要將各項所發生的項目,累積計算的,但基本上只要生產出所需要的產品量越多,加工及耗材越少,成本就越低,這是不爭的事實,如同MOCVD生長片數少是一樣的,但現在無法計算其成本,只有等操作時,才可詳細計算,至於兆晶與華夏的成本相差很大,是因為 1.華夏晶體長的小而少,切,磨,拋,都必須委外,而兆晶是自己加工且晶棒由鑫晶鑽提供,自然成本低,在加上在加工制程中,不斷的改進成本更可掌握1、蓝宝石详细介绍蓝宝石的组成为氧化铝(Al2O3)，是由三个氧原子和两个铝原子以共价键型式结合而成,其晶体结构为六方晶格结构.它常被应用的切面有A-Plane,C-Plane及R-Plane.由于蓝宝石的光学穿透带很宽,从近紫外光(190nm)到中红外线都具有很好的透光性.因此被大量用在光学元件、红外装置、高强度镭射镜片材料及光罩材料上，它具有高声速、耐高温、抗腐蚀、高硬度、高透光性、熔点高（2045℃）等特点，它是一种相当难加工的材料，因此常被用来作为光电元件的材料。
蓝宝石花的养殖方法和注意事项摘要：蓝宝石花是一种美丽且备受喜爱的室内盆栽植物。
本文介绍了蓝宝石花的养殖方法和注意事项，包括选择适当的土壤和容器、提供合适的光照和温度、适当浇水和施肥、注意病虫害防治等。
希望读者能通过本文了解如何正确养护蓝宝石花，使其保持健康茂盛的生长。
正文：蓝宝石花，学名为Agapanthus africanus，是一种热带植物，因其鲜艳的花朵和坚韧的生命力备受喜爱。
它原产于南非，常被栽培为室内观赏植物。
在适宜的条件下，蓝宝石花可以生长茂盛，开出美丽的蓝色或白色花朵，成为家居或办公场所的一道亮丽风景。
下面将详细介绍蓝宝石花的养殖方法和注意事项。
1. 选择适当的土壤和容器：蓝宝石花喜欢排水良好的土壤，一般可以选择园土与河沙或珍珠土的混合物作为栽培基质。
同时，选择深度和口径适宜的花盆，以便根系有足够的空间生长。
在花盆底部设置透水孔，以确保水分不会积聚，避免根部烂掉。
2. 提供合适的光照和温度：蓝宝石花喜欢充足的光照，但避免暴晒。
在夏季，可以将其放置在阴凉的位置，并确保在寒冷的冬季避免寒害。
蓝宝石花适应温暖的环境，室内的温度最好保持在25°C左右。
3. 适当浇水和施肥：蓝宝石花的生长期需要保持适度的湿润，但切忌积水。
可通过观察土壤表面是否干燥来判断浇水的时机，通常保持土壤湿润即可。
在生长期间，每两周施一次液体肥料，以供应所需的营养物质。
4. 注意病虫害防治：蓝宝石花容易受到蚜虫、红蜘蛛等病虫害的侵袭。
定期检查植株的叶片和花序，发现病虫害时，可用肥皂水或生物农药喷洒叶面。
同时，定期擦拭叶片，保持植株的整洁。
蓝宝石花是一种相对简单的室内盆栽植物，只要提供适宜的生长环境和基本的养护，就可以保持其生长茂盛和鲜艳的花朵。
但需要注意的是，不同地区/季节的生长条件可能存在差异，因此要根据实际情况调整养护方法。
同时，及时解决病虫害问题，保持植株的健康成长。
总结：蓝宝石花的养殖方法和注意事项包括选择适当的土壤和容器、提供合适的光照和温度、适当浇水和施肥、注意病虫害防治等。
几种蓝宝石的生长方法比较 文摘：本文针对目前光学窗口、光电子、集成电路等
领域对大尺寸蓝宝石单晶的迫切需求，综述了大尺寸蓝宝石单晶材料制备的研究进展，总结介绍了当今几种Φ150mm以上蓝宝石单晶制备方法，分析了各种方法的优缺点，
指出了蓝宝石晶体发展中需要解决的问题。 关键词：整流罩 蓝宝石 晶体生长 1前言 蓝宝石单晶具有熔点高(2050℃)，硬度高(莫氏硬度9)，化学性能稳定，电绝缘性好，特别是优良的红外透过率等特性[1]，可用于近红外窗口，微波电子管介质材料，超声波传导元件，延迟线，波导激光器腔体及精密仪器轴承，天平刀口，半导体衬底基片等领域。美国雷声公司最新研制的“AIM-9X”短程空-空导弹采用蓝宝石单晶整流罩，从而大大提高导弹高速飞行时承受高温高冲刷的恶劣环境及制导精度。 随着科技的发展，对蓝宝石单晶的质量与尺寸提出了更高的要求。目前制备蓝宝石单晶的方法很多，但制备直径大于Φ100mm的高质量、大尺寸蓝宝石单晶技术主要掌握在美、俄、以色列等极少数国家手中。 2 蓝宝石单晶制备技术及其发展 蓝宝石单晶的制备研究开始于19世纪末。1904年，法国人Verneuil用自行设计的焰熔法最先获得了较大尺寸的刚玉晶体[3-4]；此后又不断诞生了一系列单晶生长方法，按工艺特点可分细为熔焰法、泡生法（GOI法）、导模法（EFG）、水热法、提拉法、坩埚移动法、热交换法和温度梯度法等[5-10]，这些方法都有各自的工艺特性，所制得的晶体在形状、尺寸、质量上各有不同。 20世纪中叶，对于晶体生长的适合方法存在两种不同的观点，一种观点认为溶剂法由于结晶过程中所需温度低、温度梯度小，因此比熔体法更适合单晶生长；但反对者则认为上述观点仅考虑到温度梯度是影响晶体结构完整性的主要因素，而忽视了由于异相溶剂的存在造成晶体局部含有大量杂质[11]，引起晶体点阵发生畸变，产生应力，例如在含有溶剂或铬杂质的刚玉试样中可以发现位错密度急剧上升；随着科学技术水平的发展，目前已经可以使熔体法向溶剂法一样在结晶和退火过程中具有很低的温度梯度。因此熔体法逐渐获得了较大发展，人们在生长高纯度高质量，特别是高熔点晶体时常常采用熔体法。 在上述众多方法当中，适于生长Φ100mm以上大尺寸蓝宝石单晶的技术却仅有热交换法、定向凝固法、提拉法、GOI法等少数几种。下面本文将对这几种方法进行逐一介绍。 2.1坩埚移动法[12-13] 坩埚移动法方法的特点是可以在垂直或水平放置的坩锅中生长晶体，在垂直放置的坩锅中生长单晶时，籽晶通常位于坩锅的底端；生长过程一般在圆筒型的炉体中进行，炉体分为加热区和冷却区两部分。在实际生长过程中，将装满原料的坩锅在加热区加热至原料完全熔化，然后将装有熔体的坩埚缓慢通过预先设定的温度梯度区，使熔体在坩埚中冷却，凝固过程从籽晶一端开始，通过固-液界面的移动逐渐扩展到整个熔体，最终完成结晶。此外，加热的方式也可以采用高频感应加热，用类似区域熔炼的方法来实现晶体的生长。在多数情况下，结晶前沿的移动是通过载有熔体的坩锅在炉体内缓慢地下降来完成的，坩锅下降速度非常慢（1～10mm/h），在此过程中，坩锅会有少许的振动，这将影响单晶的清洁度或者造成单晶局部的不均匀性。 与此相反，还可以采用坩埚固定，通过提升电炉的方法来实现结晶前沿的推移。此方法的不足是生长周期长，温场调节不够精确，大尺寸晶体生长后期熔体过冷，界面漂移，易产生内应力，对生长高质量、大尺寸单晶有一定局限。 图1 坩埚移动法 图2 水平定向凝固法 2.2 水平定向凝固法[14-15] 水平定向凝固法是前苏联的Багдосалов于二十世纪的七十年代提出的一种方法。该方法原理类似于金属材料中的区域提纯，特点是将装有原料的料舟缓慢的通过特定的温度区域，经过加热熔化、冷却凝固、退火等过程最终完成晶体的生长，在生长过程中晶体、熔体和原料三相共存，如图2所示。这种方法优点在于熔体随坩埚一起通过温场，不存在旋转、提拉等机械动作，因此温场稳定，晶体质量高，尤其适合生长高掺杂的晶体。乌克兰的单晶研究所（Institute for Single Crystal）采用定向凝固法制备了大尺寸板状晶体350×200×35mm。其不足之处在于仅适合生长厚度较小的平板状晶体，应用上受到一定局限；对于生长大尺寸晶体，生产效率低；此外，由于生长后的晶体与料舟融为一体，预取出晶体只能破坏料舟，因此原材料损失大。 2.3 泡生法(Kyropoulos Method) 泡生法是Kyropoulos于1926年首先提出并用于晶体的生长的一种方法[16]。该方法在使用初期仅用于生长卤化物、氢氧化物和碳酸盐等低温晶体[17-19]，至20世纪六七十年代，前苏联的Mosatov[20]对此方法进行了改进，并首次采用泡生法生长了直径达100mm的蓝宝石单晶。 泡生法和提拉法在生长环境、工艺上具有相似性，因此人们常常将两者进行比较。从工艺上看，提拉法生长过程包括引晶、放肩、等径和收肩等阶段，并且上述阶段均需不断的提拉来完成；泡生法的晶体生长和退火过程都是在坩锅中进行的，晶体并不提拉出坩锅，仿佛蓝宝石晶体是从熔体中生长的[21-22]；从原理上看，提拉法生长单晶是通过降低加热功率，即降低由熔体传至固液界面的能量QL的方式来实现晶体直径的增长；而泡生法则是在保持晶体生长速度和加热功率不变的条件下，可以通过增加单位时间内晶体所耗散的能量QS，即热损耗来实现晶体直径的增加；此外，提拉法适合制备长度与直径比大的晶体，而泡生法由于晶体并不从坩锅中提拉出来，因此适合制备直径与长度比大的晶体[23]。 G. Jacob[24]和Brian.S.Ahern[25]等人各自采用提拉法和泡生法制备GaAs和InP晶体，二者均明确指出：提拉法由于熔体中存在对流，固液界面温度梯度较大，使得生长的晶体中存在较高的热弹性应力和位错密度，由于泡生法晶体生长和退火过程都是在坩锅中进行的，晶体并不提拉出坩锅，因此温场容易控制；此外在生长初期，保持加热功率不变，通过增加单位时间内晶体所耗散的能量，即热损耗来实现引晶及晶体直径的增长，从而可以保证单晶生长初期形态完整，进而有利于后续高质量单晶的生长。 2.4热交换法（Heat Exchanger Method） 1970年，美国的Schmid和Viechnicki发明了一种新的单晶生长方法，称为Gradient Furnace Technique[26]，1974年将该方法正式命名为热交换法(HEM)[27]。 热交换法的基本原理是利用热交换器带走热量，使生长炉内形成一个下冷上热的纵向温度梯度，通过控制热交换器内气体流量及加热功率的大小来控制温场，从而实现晶体的生长，其实质是熔体在坩埚内的直接凝固，如图3所示。 将装有原料的坩埚放在热交换器中心，籽晶置于坩埚底部中心处并固定于热交换器一端，加热坩埚内的原料至完全熔化，由于氦气流过热交换器冷却，籽晶并不熔化。待温场稳定后，逐渐加大氦气流量，从熔体中带走的热量随之加剧，使熔体延籽晶逐渐凝固并长大，同时逐渐降低加热温度，直至整个坩埚内的熔体全部凝固。Schmid认为，对于热交换法，生长过程中应严格控制降温的速率，其值要小于15K/h，而当炉内环境温度接近熔点(Tm)＋5K时，降温速率最好控制在5K/h以下，否则，单晶体内极易产生气泡，而且晶体内的位错密度也会迅速增加[28]。由此可见，愈小的降温速率愈有助于获得良好的晶体。 图3 热交换法炉内结构 热交换法的主要优势在于：固液界面位于坩锅内，坩埚不做任何移动，受外力作用干扰少；通过改变坩锅形状可以改变晶体生长的形状，减少对流的影响，因此该工艺很适于制造大尺寸的蓝宝石单晶。1999年美国的Crystal System Inc.公司采用热交换工艺合成了φ500mm的大尺寸蓝宝石单晶，并加工出400mm×280mm的晶片，这是目前世界上最大尺寸的蓝宝石单晶[29]。 2.5 导向温度梯度法 我国在大尺寸蓝宝石单晶的合成方面与国外有较大的差距。导向温梯法是我国上海光机所晶体研究室于九十年代末期发明的一种单晶生长方法，并用此方法生长出国内最大尺寸的φ100mm蓝宝石晶体[30]，用于国家“氧碘强激光工程”窗口材料，以及国际大科学工程LIGO计划光学材料，这是目前为止我国的最好水平。其装置采用钼坩埚、石墨发热体，坩埚底部中心有一籽晶槽 ,避免籽晶在化料时被熔化掉。为了增加坩埚稳定性，籽晶槽固定在定位棒的圆形凹槽内。温场由石墨发热体和冷却装置共同提供。发热体为被上下槽割成矩形波状的板条通电回路的圆筒 ,整个圆筒安装在与水冷电极相连的石墨电极板上。板条上半部按一定规律打孔，以调节发热电阻使其通电后自上而下造成近乎线性温差。而发热体下半部温差通过石墨发热体与水冷电极板的传导来创造。籽晶附近的温场还要依靠与水冷坩埚杆的热传导共同提供。 2.6 冷心放肩微量提拉法 冷心放肩微量提拉法是哈工大复合材料与结构研究所于2004年在原泡生法基础之上，结合传统的提拉法工艺而发明的一种蓝宝石单晶制备工艺，成功生长出了Ø220×150mm3，重量达17.5kg的蓝宝石坯体[31]。该方法的主要特点为：通过冷心放肩，并仅在引晶阶段进行微量提拉，减少了机械扰动，使温场更均匀，保证了大尺寸晶体生长，整个结晶过程晶向遗传特性良好，材料品质优良。由于只是微量提拉，减少了温场扰动，使温场更均匀，从而保证单晶生长的成功率；适合生长大尺寸晶体，晶体原材料综合利用率高达99.5％，选用水作为热交换器内的工作流体，晶体可以实现原位退火，较其它方法能够缩短试验周期、降低成本。 此外，六十年代以后发展了异型晶体的生长技术，导模法[32-33]Edge-defined film-fed growth，EFG）就是其中之一。其原理为：将一个高熔点的惰性模具放入熔体中，模具的下部带有细的管道，熔体由于毛细作用被吸引到模具的上表面，与一根籽晶接触后既随着籽晶的提拉而不断凝固，而模具上部的边缘控制着晶体的形状。该工艺可用于各类异型蓝宝石单晶，如长达几百米的蓝宝石纤维、长达1米的蓝宝石管、宽75mm长1米的晶片等。在此基础上，开发了系列的导模法衍生技术，如GES方法（Growth from an Element of Shape），可生长更复杂的蓝宝石单晶，采用此工艺可直接生长半球型的导弹整流罩。 与其它晶体生长工艺相比，导模法可直接拉出预定形状的蓝宝石晶体，不需要将大块的晶体切、磨、抛光等加工工序。这样不仅减少了加工工序，提高工作效率，而且还可以节省大量的原料，提高材料的利用率。 4总结 综上所述，熔体法具有较快的生长速度，可以制备大尺寸蓝宝石单晶，
