《半导体功率器件与智能功率IC》考试重点

一、简介

1.功率半导体器件包括：(1)功率（分立）器件:A.功率二极管；B.功率晶体管:a.功率MOS器件，b.IGBT，c.功率BJT；C.晶闸管。功率开关器件包括功率晶体管和晶闸管。

2.功率半导体器件：进行功率处理的半导体器件。

3.功率集成电路：在一个芯片上单片的集成两个或更多个功率器件，或者把一个功率器件同控制电路相集成的情况。

4.功率管理：利用电力电子器件、电路与设计理论、分析开发工具对电能的高效转换和控制。

5.PIC发展趋势：混合集成IPM－积木式集成PEBB－PSOC。

6.FET（MOS,SIT)特点：压控、导通损耗大、多子器件；Bipolar(BJT,SCR,GTO)：流控、导通损耗小、开关慢；MOS-Bipolar(IGBT,SITH,FCT,MCT)：压控、导通损耗小、开关慢。Rectifier：SBD,PiN,SR

7.理想器件：零导通电阻、无穷大BV、零电容、零成本、寿命长易使用。

8.发展方向：低功耗、低成本、高可靠、稳定、易用。

9.PIC(SPIC)包括：PIC,HVIC,SPIC

10.理想功率开关与实际器件最大不同：双向工作；开态电流可是任一方向，关态电压可任一方向；VG可控I，且完全饱和；可电压控制(IG=0)又可电流控制(VG=0);

11.SOA:the area within the output characteristics of the device where it can be operated without destructive failure as long as the power dissipation is kept within the thermal constraints of the device package.

12.二次击穿：A不同于雪崩击穿的一种现象，B在雪崩击穿发生后发生的一种带有负阻现象的击穿。原因：由于某一处电流的集中（即扩散不均匀或其它造成电阻下降）->T上升->电流增大，即正反馈。电流集中处电流增加而电压减小13.半导体内部温度上限：最轻掺杂区的本征载流子浓度等于多子掺杂浓度时PN结失去整流特性，但实际允许的温度远低于理论值。

14.热传递包括：传导、对流、辐射。

15.Vbi=(kT/q)*ln(NaNd/ni^2); n0=ni*exp((E F-E Fi)/kT);p0=ni*exp((E Fi-E F)/kT)

二、结击穿和结终端(JTT)

1.碰撞离化系数α：一个电子或空穴在耗尽层沿电场方向移动1cm而产生的电子空穴对的数量。α=1.8*10^(-35)*E^7 (1/cm)，T升，a降

2.雪崩击穿的条件：∫（α*dx,0,x d)=1。意义：一个电子或空穴在耗尽层中沿电场方向运动时只要能碰撞出一对电子空穴对即发生雪崩击穿。

3.Plane junction:1-dimensional diode; ideal P-N junction

4.泊松方程：dE/dx=Q(x)/εs= -(q*Na)/εs

5.

E(x)=qN A(x d-x)/εs，X=0处电场最强6.x d=sqrt(2εs V A/(qN A)) 7. Em=sqrt(2qN A V A/εs)，V A升或NA降,E升；NA 或V A升，Em升。

8.Wcpp=2.67*10^10*N A^(-7/8) 9. BVpp=5.34*10^13*N A^(-3/4)

10.Ecpp=4010*N A^(1/8)

11. V PT=Ecpp*Wp-qN D Wp^2/(2εs) 12.BV CYL=6*10^13*N A^(-3/4)*(((2+η)η)^0.5- η); η=rj/Wcpp 13.单位：电压-V,NA-/cm3,Wcpp-cm,Ecpp-V/cm

14.正磨角Empb/Emb=sinθ/(1+cosθ)

15.结终端技术：为降低曲率效应并提高结击穿电压而采取的边缘终止技术。

16.结终端包括：A平面终端：扩散环(DGR);场板(FP):with slope oxide, with step oxide, resistive field plate(RFP); 结终端扩展(JTE);场限制环(FLR); B磨角终端：正、负。.

17.场板的击穿位置：A当tox小且N B小在场板边缘击穿；B当tox大且N B大且场板长时在结中心击穿。

18.其它结终端技术：a.JTE conjunction with 3D-RESURF concept; b.Multistep Junction Termination Extension; c.Trench terminations.

19.对于正磨角，最大表面电场随磨角角度的减小而减小。

20.由于表面存在缺陷，在同样电场下表面的离化系数比体内大，因此击穿首先出现在表面。21.对于负磨角，只有当磨角角度很大时最大

表面场才小于体内。内部接近表面出现电场尖

峰。

22.边缘终端的问题：A导通损失随终端区面

积的增加而增加；B界面电荷导致击穿能力下

降。

23.击穿电压：反向电压增加到使反向电流迅

速增加所对应的电压。分雪崩和齐纳。

24.倍增系数Mp=Jp(xd)/Jp(0),Mn=Jn(0)/Jn(xd),

雪崩发生条件：M=∞。

25.PiN:由高掺杂区、低掺杂区和高浓度接触区

构成，轻掺杂区厚度小于击穿时的最大耗尽层

厚度。

26.PT与NTP比，电场变化慢，包围区更似矩

形，击穿电压一样，但耗尽层更窄，外延层薄。

27.球面结和柱面结由横向扩散引起，曲率效

应，电场集中，高电场，强碰撞电离，提前击

穿。圆柱结BV远小于平行平面结。对圆柱结，

结深增大，曲率效应缓解，BV增大。击穿电

压关系：球结＜柱结＜平结，临界电场：球结

＞柱结＞平结，原因：曲率效应导致电场集中。

对造成球面结的尖角可能倒角优化，但损失面

积。

三、功

率

二

极

管

1.功率二极管包括：PIN，SBD,SR。

2.功率二极管发展方向：新材料，新结构，新

机理。

3.电导调制：大量电子和空穴注入到低掺杂的

i区从而使i区电阻下降的现象。

4.PIN的缺点：A由正偏变为反偏时，注入的

电子空穴需要被抽走，导致反向恢复电流；B

由于有高阻的I区，PIN存在正向电压过冲。

5.PIN的优点：A耐高压；B大电流；C低泄

漏电流；D低导通损耗。

6.PIN特点：高压大电流应用；VF较SBD大，

功耗大；双极器件，电导调制（双刃剑）；可

高温工作；阻断特性好，漏电流小；开关特性

差（优化器件结构和寿命控制表调节开关速

度）。

7.PIN泄露电流=空间电荷区产生的泄露电流+

中性扩散区的泄露电流（中性区产生的少子扩

散进入耗尽层并被电场扫到另一边）

8.可以通过减小少子寿命来减小开关损失，但

这将增加开态压降。

9.PIN：低掺杂长漂移区->导通电阻增大（电

导调制解决），击穿电压升高。

10.高压PIN的要求：a.I区低N B,b.厚I区。

11.大注入(沟道调制）条件：n(x)=p(x)>>N B.

12.n(X)=p(X)=Δp(x)=(J*La/2q)((cosh(x/La)/Dn

+cosh((x-W)/La)/Dp)/sinh(W/La)

https://www.doczj.com/doc/e515511864.html,=sqrt(Da*τHL)

14.Da=2Dn*Dp/(Dn+Dp)

15.D=kTμ/q

16.τHL=τp0+τn0

17.PIN正向偏压：VF=V i+V p++V n+

18.PIN电流：J＝

(4q*ni*Da/W)*F(W/2La)*exp(qV F/2kT); 其中

F(x)＝

x*tanh(x)*exp(-qVi/2kT)/sqrt(1-((μn-μp)/(μn+μp

))^2*(tanh(x))^4)

19.Vi=(3/8)(kT/q)(W/La)^2 (当(W/La)<<1);

Vi=(3/8)(πkT/q)*exp(W/2La) (当(W/La)>>1)

20.Vp+=(kT)/q*ln(p(0)*N D/ni^2);

Vn+=(kT)/q*ln(n(W)/N D)

21.反向恢复：二极管由开态向关态的开关过

程。原因：正向导通时存储在i少子必须被抽

走以维持阻断电压。小的τb会减小开关损耗，

但因L的作用会产生大的过冲和噪声。可用陷

阱缺陷提高反向恢复速度，也可用大的抽取电

流和复合效应。寿命控制：在n-区引入复合中

心减短寿命，但复合中心的引入导致漏电流增

大。

22.正向电压过冲：当用大di/dt开启PIN时，

由于在电导调制起作用前电阻较大，刚开始时

其正向压降将超过稳态下同样传导电流时的

压降。

23.减小寿命的方法：在I区引入复合中心：

https://www.doczj.com/doc/e515511864.html,ing thermal diffusion of gold or platinum;

b.Bombarding the silicon wafer with high energy

particles.

24.SBD正向压降：V F＝V FB+J F*R S;

J F=J S*exp(qV FB/kT); J S=A*T^2*exp(-qΦbn/kT);

N型硅A=110~120A/(cm*K)^2

25.SBD vs PIN：A正向导通压降低，B开关速

度快（无沟道调制），C漏电流大，D多子器

件。

26.SBD特点：低压低功耗（选择金属使VFB

小，导通压降小）应用；阻断特性差；高压或

高温反向漏电流大（JR)，温度特性差；导通

电压小；单极器件（多子工作，高速）；很难

高温；正偏无扩散电容（与PIN比能更高频工

作）；软击穿；漂移区电阻与耐压呈2.5次方关

系。无沟道调制，因为注入的少数载流子可以

忽略。所以无反向恢复电流。

27.SBD反向漏电流：与PIN比多了热电流成

分，热电流J R随T指数增大，且正向电流中

也有这部分电流。势垒降低->VFB减小，但J R

增大。T升高->VFB下降->JR增大->T升高，

即正反馈，易热击穿。

28.金半接触的四种电流机制：热电子发射

（主），量子隧穿，空间电荷区复合，少子电

流（金属中空穴注入半导体）。

29.漂移区特征阻抗

R D,SP=Wcpp/(qμn N D)=5.53*10^(-9)*BVpp^2.5=

1.67*10^29/(μn*Nd)^(15/8)

30.JBS特点：A.多子器件;B.P+区只是为了反

向阻断反向阻断特性比SBD好，由于P+N结

正偏不足，开态时没有空穴大注入。正向时肖

特基接触，正向压降小。

31.MPS特点：双极载流子器件，P+N结正偏，

开态时有空穴注入和沟道调制，减小了漂移区

电阻，但注入量比PIN低，因此反向恢复特性

好。

32.JBS与MPS，PIN的差别：MPS漂移区更

宽，耐压更高；MPS加正向电压时，P+N结

导通，有空穴注入，有电导调制，由于肖特基

结的存在，其注入水平小于PIN，存储电荷少

于PIN，反向恢复优于PIN，高温漏电流MPS

大于PIN。

33.SR(同步整流）的I-V特性为线性。

34.功率二极管包括：PIN, SBD, JBS, MPS,

ESD, SR, BJD, MCD

35.T↗－α↘－BV↗

四、功率双极晶体管

1.PBT(power bipolar transistor)适用于中低功

率应用，开关速度快，放大系数小，但不能并

联使用。

2.PBT的3个工作区：A饱和区：B-E正偏，

集电极偏压低，B-C正偏足够对漂移区产生大

注入；B准饱和区：集电极偏压较高，B-C结

虽正偏但电导调制效应降低；C有源区：E-B

正偏，C-B反偏；

3.基区宽度过大，PBT将相当于两个背对背的

二极管，宽度过小，容易发生穿通。

4.为防止穿通和承受更高的电压，需要使基区

加宽，浓度增大，而这将降低放大系数（击穿

电压和电流放大系数对W B,N B要求相反）。

5.PBT关断的方法：A使基极开路；B反偏B-E

结以加速关断过程。

6.PBT的正向阻断电压高，但反向低，因为反

偏时将由掺杂浓度高的E-B结承受高压。

7.BV CEO＝BV CBO/β0^(1/n)；高β0(低功耗）和高

BV CEO矛盾,BV CEO远小于BV CBO，开基极时

I CEO远大于I CBO

8.PBT击穿的三种机制：A开射极击穿；B开

基极击穿；C.B-E短路击穿

9.当集电极偏置远小于雪崩击穿电压时，集电

极效率为1;当集电极偏置与雪崩击穿电压可

以比拟时，集电极效率为倍增因子。

10.开态有电导调制，大量电子空穴在B区。

11.穿通击穿：BC反偏，电压增大到一定值，

其耗尽区与BE结连在一起，导致BE结势垒

下降，V CB很小的增大会使电流增加很大

12.BV CEO：阻断模式下，电流增益很大，I C=I E=

α*I E+I L->I E=I L/(1-α)，当α=1时开基极击穿

发生。

13.EB短接的击穿：V=IR,由于基区电阻的存

在，先是BV CBO的击穿，击穿使流过基区电流

增大，其在基区电阻上的压降使BE结导通，

之后成为了BV CEO的击穿

14.射极电阻（器件内部）：可通过负反馈的原

理防止电流射极电流无限制地增大，避免出现

正反馈。

五、晶闸管

1.晶闸管又称硅控整流器SCR、半导体控制整

流器SCR。四层三结，加正压时J2承压，加

反压时J1承压，有较大的正（反）阻断能力，

适合AC应用。触发开启后自动工作，内部两

晶体管互相提供自维持电流。有最好的正向导

通特性和很好的功率处理能力。有双向的阻断

能力；正向阻断可由脉冲触发进入正向导通，

大功率应用。脉冲触发，开启后难以关断。

2.晶闸管开启过程：V A大于0,V G大于0，J3

正偏，J2反偏，电子由N+注入P-BASE,之后

被J2扫入N-给PNP提供基极电流。空穴由P+

注入N-后被J2扫入P-BASE给NPN提供基极

电流。此正反馈。对于阴极短接结构，要用足

够大的I G使J3正偏来开启晶闸管。自维持状

态的条件：a NPN+a PNP=1.正向导通，正反馈，

a NPN、a PNP被强电导调制。

3.由于M FB

4.自锁条件：αPNP+αNPN＝1

5.T↗－少子寿命↗－电流增益↗－BV FB↘

6.T↗－α↘－BV RS↗

7.渐开线栅结构：It contain an interdigitated gate

and cathode structure with all regions of the

cathode of equal width located equidistant from

the gate edge.

8.渐开线栅结构缺点：A增加了栅极宽度导致

栅驱动电流相应增加；B需要高分辨率的平面

工艺，增加了成本；C大量的表面积用于栅接

触，降低了晶闸管的电流能力。

9.关断模式：A减小电流至保持电流以下（在

功率开关电路中难以实现）；B反偏电极电压

（AC电路中自然发生）。

10.晶闸管分为两类：sensitive and shorted gate

types.

11.晶闸管频率特性：低频开关特性好于

bipolar；最高工作频率受反向恢复时间限制。

12.GTO与SCR的不同：GTO适用于DC电路，

单元宽度远小于SCR，αNPN>>αPNP(P区厚度

小），大量的栅指以高度交叉的方式布置在阴

极旁。开态时NPN基极电流要最小化，P-BASE

比SCR中更薄。

13.GTO特点：CELL比SCR小得多，栅阴结

很多且分散，开态时NPN基极电流要最小化，

P-BASE比SCR中更薄。

14.GTO优点：A不需要外部强制关断电路；B

关断时间比SCR小；C高压高流等级；D低导

通损耗；E技术成熟；F成本低；G可用大面

积硅片制造。

15.GTO缺点：A需要大栅极关断电流，且

dig/dt要大，以保证每个单元均匀关断（不均

匀时，大电流流入未关断的CELL，可能烧坏）；

B关断增益；C关断SOA差；D开关速度慢。

16.减小GTO关断时电流拖尾的方法：A.a

reduction of carrier lifetime near the

anode;B.anode shorts can be introduced;C. A thin

low efficiency emitter can be used.

17.BV R(P-base 短路到阴极）

=BV CEO(PNP),BV R(浮P-base)=BV J3+BV CEO(PNP); M FB

小于M RB->BV FB小于BV RB,正偏漏电流被一个

晶体管放大，反偏时只有一个。

18.BV~T：反偏时：低温时，T上升->a下降

->BV上升；高温时，T上升->GAIN上升->BV

下降。正偏时，两个GAIN,GAIN的影响为主

T上升->GAIN上升->BV下降。

19.提高BV FB:Emitter shorts结构，改善正向阻

断能力，在此结构中，将阴极N+P周期性短

接，降低低电压时的a NPN；但当加正压时，电

流在P-BASE流动，产生的压降可使PN+结正

偏，a NPN又可随电流增加而增大，直到它的

GAIN大到不需a NPN也可维持的程度。

20.正向压降V AK=V J1+V J2+V J3+Vmiddle≈

Vbi+Vmiddle，三个结都正偏，大量空穴在

P-BASE，大量电子在N-BASE，迫使PN正偏，

与另一结抵消；或把PN-两区看成一个i区（有

大量载流子）。

21.自维持电流I HA：用以维持晶闸管自锁状态

的阳极电流，太小晶闸管太易开启。阳极电流

上升，a NPN上升。

22.dV/dt能力：由于dV/dt与Cj2会产生电流

Jc，如果此电流使J3正偏，则晶闸管会触发进

入导通态。其实质是aNPN+aPNP>1.所以提高

dV/dt的一个方法是用阴极短路。

23.dI/dt能力：由于晶闸管激发引起电导调制

由一部分扩展到整个器件需一定的时间，所以

较快时，栅附近已开启，较远处未开启，栅附

近的大电流可能烧坏器件。因此di/dt受到限

制。

24.延迟时间：载流子穿过基区的时间+阳极电

流达到稳定、P-BASE和P-BASE有存储电荷+

电流扩展到整个阳极的时间。

25.为了使关断增益大，1)a NPN越大越好，2)a PNP

尽量小(降低N-BASE少子寿命；阳极短路；

N-BASE低掺杂，用缓冲层，降低阳极注入效

率）。

26.缓冲层作用：获得所需正向阻断能力；同

时使N-BASE减薄，可使导通电压增加。

六、功率MOSFET

1.阈值电压：

V TH=Φms-Qss/Cox+2Φfp+2sqrt(qN AεSΦfp)/Cox;

Φfp=(kT/q)*ln(N A/ni); Φms=Eg/2q-Φfp; 硅Eg

＝1.12eV;

2.I D=(εox*W*μn/toxL)((V G-Vth)V D-V D^2/2);

I D(SA T)=(εox*W*μn/2toxL)*(V G-Vth)^2

3.导通电阻：Rch=tox*Lch/(εox*Z*μnC(V G-Vt));

R A=K*tox*L A/(εox*Z*μnA*(V G-Vt)); K=0.6;

Rj=ρd(Wj+Wd)/Z(L A/2-Wd);

R D1=(ρd/Z)*ln((L A-2Wd+2t)/(L A-2Wd)); R D2=ρd*(Wepi-t-Wd-Wj); ρd=1/(Nd*q*μnA) 4.MOSFET优点：A稳态下高输入阻抗；B电压控制；C单载流子器件，开关速度快；D高可靠性；E负温系数，可并联5.平面工艺不适合的原因：A必须增加源漏宽度以防穿通提高阻断电压；B三个电极接触均在表面，浪费面积。

6.VVMOS特点：A沟道长度不是由光刻决定，容易得到小的沟道长度；B垂直电流流动节约了面积；C正向阻断时在V槽的顶点会产生高电场。X-Y面可提高电流密度，纵向耐压。V 槽下方会出现电流集中。

7.UMOS特点：漂移区栅表面出现积累层，电阻下降，但栅介质伸入N+sub处出现高电场。没有JFET区存在，可提高单元密度。

8.对MOS频率的限制：1）drift区的传输时间；

2)栅电容的充电（主要）。

9.优值FOM＝Ron*Qg

10.MPS(Merged P-i-N/Schottky):提高了反向恢复特性，但击穿电压降低，漏电流增加。

11.UVMOS特点：降低了尖峰电场，缓和电流集中。但腐蚀面不好，111电子迁移率小于100.

12.器件的内部温度上限为最低掺杂区本征载流子浓度等于其多子掺杂浓度。

13.MOS高输入阻抗，大电流放大能力；但电压升高后电流能力下降

1.Super junction特点：漂移区既有横向电场也有纵向电场，SJ内的P和N全耗尽，BV仅依赖于drift厚度，独立于P和N的掺杂浓度，低正向压降，开关特性似MOS，关断没有尾电流。比导通电阻比MOS小，开关特性似传传统MOS,无尾电流。开态时P列不起作用，加压上升时，耗尽区在水平方向扩展，足够大时会使P和N全耗尽。耗尽区电荷减少，电场变平坦，而不是传统器件的三角形分布。P列只是提供耗尽，但占用面积。P与N列的电荷不平衡会影响动态特性与静态。

14.理想比导通电阻：只考虑Rdrift,忽略其它电阻，电流均匀通过，drift区无扩展情况下的Rdrift。其正比于列宽，要小些，但不是越小越好，太小有JFEG效应。15.一个功率MOS由许多CELL并在一起，用于降低电阻。CELL排列方式：方方，圆方，六方，方圆，圆六，六圆。16.Reach-through：P+N-反偏时扩展到N+base,引起的击穿，所以要设计好P-BASE中沟长和掺杂浓度。

17.CELL结构对击穿的影响：边缘用终端处理后击穿发生病内部。小CELL时，电势拉平，会在边缘击穿。Cell spacing减小->BV增加，R增加。Trench间的spacing增大->槽尖角的电场增大。

18.寄生双极管的二次击穿：R B较大时，耗尽层空穴向源移动，压降增大，PN结开启，由BV CBO变成了BV CEO.

19.功率损耗=导通功耗+开关功耗+门驱动。

20.Ciss=Cgs+Ggd;Coss=Cgd+Cds;Cgs=Cgs1(栅极与N+源区）+Cgs2(栅与P-BASE)+Cgsm （源金属与栅电极）；

21.Cgd（密勒电容)：电压的非线性函数，提供输入输出的反馈，使动态输入电容大于静态值，由栅氧化层电容C OX和栅氧化层下漏耗尽区电容组成。构成反向传输电容。导通时C OX 为主，VGS为0时，漏耗尽层电容为主。

22.dV/dt能力：1）较大时I G通过R G和C GD，如果V G大于V TH,则开启；2）寄生晶体管BE 部有R B,其与C DB（MOS漏与寄生管基区间）串联，dV/dt较大时，会使寄生管N+P开启,击穿电压变成BV CEO.

23.寄生体二极管：DS加反压时导通，有功耗。与此相关的电荷为Qrr,扫出时间trr,di/dt较大时会在寄生电感产生高压，可能使器件击穿。可用electron irradiation方法降低Qrr和trr

七、IGBT(insulated-gate bipolar

transistor) 1.IGBT特点：A压控；B低导通压降；C大的FBSOA和RBSOA.高压，低阻，易驱动，高速。综合了PBT的低导通损耗、大电流密度和MOS的快速开关、高输入阻抗。但IGBT关断比MOS慢，有电流尾，限制了其应用在中频（小于50Khz)方波PWM上。晶闸管比IGBT 有更低的正向压降。如果内部没有二极管，用户可外接二极管实现更好的匹配。大电流时压降小于MOS，由于电流密度高，同样的输出功率IGBT占用芯片面积小。比PBT更易驱动。双极载流子器件。有电流饱和能力（不同与晶闸管）。

2.IGBT结构上与VDMOS的不同：将VDMOS 最下层的N+变成了P+。

3.IGBT分类：高速，低损耗。

4.开启：栅压正偏，形成沟道，CE加正偏压

后，电子由射极注入宽基区，空穴由P+衬底

注入基区，集电极偏置增大，有更多空穴注入，

漂移区电阻减小，所以可高压大电流。

5.关断：使VG低于VTH，会关断IGBT（但

此时关断的是电子电流），但空穴电流并未关

断，需要时间来复合，其中的空穴是电导调制

产生的。所以有电流尾。

6.电流的饱和：当栅压使N-BASE表面强反型

时，IGBT正向导通与PIN相似，一量DMOS

或JFET夹断，电子电流饱和，因为PNP的基

极电流饱和，所以空穴电流也饱和。

7.自锁：大电流时可自锁。解决方法：深P+

扩散，浅P+扩散，N+的自对准侧墙扩散。其

目的都是使寄生NPN的GAIN降低。

8.缓冲层：可用较薄的N-base实现相同的耐

压，所以常用此法与寿命控制结合实现导通损

耗和关断时间的折中。

9.与VDMOS击穿的不同：VDMOS是结击穿，

IGBT击穿后产生的电子空穴电流被

OPEN-BASE PNP放大。

10.对称器件指耐压的对称，有正反两向的阻

断能力。

11.NPT：正反耐压不同，GAIN不同，掺杂浓

度不对称。

12.PIN/MOS模型中忽略了空穴电流。

13.IGBT沟道电流小于PIN的电子电流，优化

的目标是使沟道歉电流更接近PIN的电子电

流。

14.IGBT JFET效应比VDMOS更严重的原因：

OPEN-BASE的载流子浓度更小。

15.防自锁：1）降低aPNP：降低少子寿命；

降低射极注入效率（降低射区浓度；加缓冲层;

集电极短路；透明集电极）。---但这些方法不

可取（PNP是IGBT中的主要部分），正向压

降与开关损耗的优化验常用此法。2）降低

aNPN：深P+扩散；浅P+离子注入。----目的：

使P-BASE电阻降低。

16.VF与EOFF的折中与优化：1)PT更好，PT

加BUFFER限制了P+向N-的注入；较薄的N

区实现同样的耐压.2）寿命控制（寿命降低，

VF降，EOFF升。3）BUFFER优化：薄BUFFER

折中更好。4）集电极工程：通过载流子注入

效率和分布来优化VF和EOFF的折中(透明集

电极和集电极短路）。

17.IGBT能力的折衷：A.正向压降：大沟道宽

度，短沟道长度，高PNP增益，薄外延，低

Vth，长载流子寿命，载流子数目多；B.开关

速度：短寿命，薄外延；C.Short-Circuit

Capability: 窄沟道，低PNP增益，低P区电阻，

高Vth

18.IGBT的PIN/MOSFET模型的缺点：忽略了

流入P基区的空穴电流分量

19.NPT的IGBT电流增益随集电极电压的升

高而升高：未耗尽基区宽度变小。

20.减小PNP增益的方法：A通过减小N-漂移

区的少子寿命来减小基区传输系数；B减小发

射极注入效率：减小射极浓度，缓冲层，集电

极短路结构，透明集电极结构。

21.IGBT SOA的三个区域：A高压低流－开基

极晶体管击穿；B高流低压－自锁；C高压高

流－温度限制，二次击穿。

22.V F and E OFF trade-off and optimization:

NPT&PT, lifetime controlling, buffer optimizing,

collector engineering.

23.Trench IGBT增加了电子电流Ie在总电流

中的比重，以使器件关断容易，且避免了

latch-up效应（空穴电流Ih小）。

24.Trench IGBT的优点：A增加了沟道密度，

其沟道密度比平面IGBT高2－4倍，减小了正

向压降。B无JFET效应。C导通时工作于

PIN+MOS模式，因为绝大多数电流流经MOS

沟道，降低了关断时间。

八、MCT/MGT

1.P-MCT的可关断电流比N-MCT大，因为关

断用的N沟道MOSFET中电子迁移率高。

2.N-MCT的SOA比P-MCT大，且其偏置与N

沟道IGBT相同。

3.N-MCT的最大可控电流密度由沟道电阻和

空穴在关断路径上的旁路电阻。

4.MCT无高压电流饱和能力。

九、Hard-driven GTO/ETO

1.Hard-driven GTO: Drive the gate current equal

to the anode curent(unity gain).

2.Hard-driven GTO优点：A.开基极PNP关断

将不存在latch-up效应并保证均匀关断，最大

电流因此提升；B.RBSOA比常规GTO大；C.

提高了关断速度，因为载流子可以迅速抽走。

3.ETO（Emitter turn-off Thyristor）综合了GTO

和IGBT的优点：A.GTO的高压高流，低导通

压降；B.IGBT的压控；C.高开关速度；D.大

RBSOA；E.存在FBSOA；F.高可靠性。

4.

十、PIC

1.隔离方法：A自隔离；B结隔离；C介质隔

离。

2.RESURF：在外延层全部耗尽的情况下，由

于外延层耗尽区中的电场和衬底耗尽区电场

的相互作用，使得表面电场降低，最高电场转

至体内，使器件击穿电压提高。特征：全耗尽；

哑铃型表面电场；纵向击穿。

《生理学》期末考试复习题及答案(重点)

一．名词解释 1.兴奋性：指机体或组织对刺激发生反应的能力或特性。 2.静息电位：细胞在安静状态时，存在于细胞膜两侧的电位差。 3.红细胞比容：指红细胞占血液的百分比。 4.血液凝固：血液由流动的的液体状态下不能流动的凝胶状态的过程 5.搏出量：一侧心室每次收缩射出的血量。 6.心输出量：一侧心室每分钟射入动脉的血量称为每分输出量。它等于搏出量和心率的乘积。 7.心动周期：心脏每收缩和舒张一次，构成一个机械活动周期。 8.血压：血管内流动的血液对单位面积血管壁的侧压力。 9.肺泡通气量：指每分钟吸入肺泡的新鲜气体量，等于潮气量与无效腔气量之差乘以呼吸频率。 10.通气/血流比值：是指肺泡通气量与每分肺血流量的比值，正常人安静时，比值为0.84。11.肾小球滤过率：指每分钟两肾生成的原料量，正常成人安静时125ml/min。 12.渗透性利尿：若小管液溶质溶度升高时，小管液的渗透压随之升高。肾小管各段和集合管对水的重吸收减少，尿量增加，这种利尿方式称为渗透性利尿。13.突触：神经元与神经元之间、神经元与效应器之间发生功能接触的部位。 14.牵涉痛：内脏疾患引起体表特定部位发生疼痛或痛觉过敏的现象 15.激素：内分泌腺或内分泌细胞分泌的生物活性物质。 16.允许作用：一种激素对某种生理功能没有直接作用，但它存在可大大加强另外一种激素的这种生理作用，前一激素对后一激素的这种作用。 二．填空题 反应的基本形式：兴奋与抑制。可兴奋组织：神经、肌肉和腺细胞。 神经纤维传导兴奋的特点有完 整性、绝缘性、双向性和相对疲劳性。 影响能量代谢的因素有：肌肉活动、环境温度、食物特殊动力效应、精神活动。 促进蛋白质的激素：生长素甲状腺激素胰岛素性激素小脑对躯体运动的调节作用：1. 维持身体平衡 2.调节肌紧张3. 协调随意运动。 血浆中的抗凝物质有抗凝血酶 3 蛋白C系统组织因子途径抑 制物肝素 影响静脉回流的因素：心肌收缩 力、重力和体位、呼吸运动、骨 骼肌作用。 淋巴生成的意义？1.回收蛋白 质 2.运输营养物质3.调节血浆 和组织液之间的液体平衡 4.防 御屏障的作用 呼吸包括外呼吸、气体在血液中 的运输、内呼吸。 肺泡表面活性物质作用调节大 小肺泡内压，维持大小肺泡表面 的张力容积稳定减少吸气阻力 防止肺水肿 主要的胃肠激素有促胃液素 促胰液素缩胆囊素抑胃肽 简述胃运动的方式 1.紧张性收 缩 2.容受性舒张3.蠕动 抑制胃排空的因素有肠-胃反射 肠抑胃素 三．简答题： 人体功能的活动的调节方式及 特点？ （1）调节方式：神经调节体液 调节自身调节。 （2）神经调节作用迅速，准确， 短暂， 体液调节作用缓慢，但作用 范围较广泛，作用时间持久； 自身调节的作用较局限，可 在神经调节和体液调节尚未参 与或不参与时发挥其调控作 用。 简述神经细胞动作电位形成的 机制？ 神经细胞阈刺激或阈上刺 激，膜上大量钠离子通道被激 活，钠离子 大量内流，膜内负电位迅速减小 并消失，产生动作电位的上升 支。当促使钠离子内流的动力 （浓度差）和阻止钠离子内流的 阻力（电位差）达到平衡时，钠 离子净内流停止。此时动作电位 达到最大幅值，称为钠离子平衡 电位。钠通道开放时间很短，随 后失活关闭。此时膜上钾离子通 道开放，钾离子顺电位差和浓度 差向细胞外扩散，膜内电位迅速 下降，产生动作电位下降支。 血小板的基本功能：1. 维持血管内皮的完整性：2.促进 生理性止血；3.参与血液凝固： 血小板能为凝血。因子的相互作 用提供磷脂表面。 简述影响肾小球滤过的因 素？ （1.）肾血浆流量的改变； （2.）肾小球有效滤过压的改变； （3.）滤过膜的改变，包括通透 性和面积两方面的改变。 简述尿生成的过程：肾小球 滤过;肾小管和集合管的重吸收； 肾小管和集合管的分泌和排泄。 影响远曲小管和集合管重 吸收的主要因素包括：小管液溶 质的浓度；抗利尿激素；醛固酮。 大量饮清水时，尿量有何变 化？为什么？ 尿量增多。大量饮入清水→ 血浆晶体渗透压降低→渗透压 感受器抑制→抗利尿激素合成 和释放减少→远曲小管和集合 管对水的通透性降低→水的重 吸收减少→尿量减少。 严重呕吐及腹泻后尿量有 何改变，机制如何？ 尿量减少。严重呕吐或腹 泻→机体水分丧失多→血浆晶 体渗透压增高→渗透压感受 器兴奋→抗利尿激素合成释放 增多→远曲小管和集合管对水 的重吸收增加→尿量减少。另 外，机体水分丧失→循环血量减 少→容量感受器抑制，同时血浆 晶体渗透压增高→渗透压感受 器兴奋→抗利尿激素合成释 放增多→远曲小管和集合管对 水的重吸收增加→尿量减少 。 简单叙述视觉的二元学说 在人类的视网膜中,由于存在视 锥系统和视杆系统以上两种相 对独立的感光换能系统,分别管 理明视觉和暗视觉,这个理论被 称为视觉的二元学说 简述中枢抑制的分类 突触后抑制：1.传入侧支性抑制 2.回返性抑制 突触前抑制 简述突触传递兴奋的特征: 1.单向传递 2.中枢延搁 3.总和 4.兴奋节律的改变 5.后发放 6. 对内环境变化敏感和易疲劳。 简述血液凝固的基本过程？ 第一步：通过内源性、外源性激 活途径，激活因子X形成凝血酶 原激活物（Xa、V、PF3、钙离 子）；第二步：凝血酶原激活物 使凝血酶原转变为凝血酶；第三 步：凝血酶使纤维蛋白原（溶胶）

生理学期末考试复习重点

生理学期末考试复习资料 Ⅰ、名词解释（35个中任意抽5个） 一、阈强度：是在一定的刺激持续时间作用下，引起组织兴奋所必需的最小刺激强度。 二、环境：细胞生存的环境，即细胞外液。 三、正反馈：凡是反馈信息和控制信息的作用性质相同的反馈，称为正反馈，起加强控制信息的作用。 四、负反馈：凡是反馈信息和控制信息的作用性质相反的反馈，称为负反馈，起纠正，减弱控制信息的作用。 五、易化扩散：指非脂溶性的小分子物质或离子借助膜蛋白的帮助，从高浓度一侧向低浓度一侧转运的方式。 六、被动转运：指物质从高浓度一侧到低浓度一侧（顺浓度差）的跨膜转运形式，转运不需要细胞代提供能量，其动力为细胞膜两侧存在的浓度差（或电位差）。 七、主动转运：主动转运指细胞通过本身的耗能过程，将小分子物质或离子从低浓度一侧移向高浓度一侧（逆浓度差）转运的方式。 八、极化：细胞在安静时，保持稳定的膜电位为负，膜外为正的状态。 九、静息电位：细胞处于安静状态下，存在于细胞膜两侧的电位差。 十、动作电位：可兴奋细胞受到刺激时，在静息电位的基础上暴发的一次迅速，可逆，可扩布的电位变化。 十一、阈电位：对神经细胞和骨骼肌而言，造成膜上Na+通透性突然增大的临界膜电位。 十二、血细胞比容：血细胞容积与全血容积的百分比。 十三、血型：根据血细胞膜上特异性抗原的类型，将血液分为若干型。 十四、心动周期：心房或心室每收缩和舒一次所经历的时间，称为一个心动周期。 十五、心率：每分钟心脏搏动的次数称为心率。

十六、心输出量：每分钟由一侧心室收缩射出到动脉的血量。它等于每搏输出量×心率，正常成人安静时的心输出量为5L/分。 十七、搏出量：一侧心室每一次搏动所射出的血液量。 十八、射血分数：搏出量占心室舒末期容积的百分比。安静状态健康成人的射血分数为55－65%。 十九、心指数：以单位体表面积计算的心输出量称为心指数，正常成人安静时的心指数为3.0－3.5L/分×平方米。 二十、中心静脉压：是指胸腔大静脉或右心房的压力。正常成人约4－12cmH2O。 二十一、肺通气：肺与外界环境之间的气体交换过程。 二十二、肺活量：指用力吸气后，再用力呼气，所呼出的气体最大的量。正常成人男性约为3.5升女性约为2.5升。 二十三、消化：指食物在消化道被加工、分解的过程。 二十四、吸收：指食物经过消化后形成的小分子物质以及水、无机盐和维生素，透过消化道粘膜，进入血液或淋巴的过程。 二十五、能量代：生物体物质代过程中所伴随能量的释放、转移、储存和利用的过程。 二十六、基础代率：机体在基础状态下单位时间的能量代。 二十七、肾小球滤过率：单位时间(每分钟)两肾生成的超滤液量。 二十八、渗透性利尿：小管液中的溶质含量增多，渗透压增高，使水的重吸收减少而发生尿量增多的现象，称为渗透性利尿。 二十九、视力：是指眼分辨两点之间最小距离的能力。 三十、视野：是指单眼固定地注视正前方一点不动时，该眼所能看到的空间围。正常人颞侧和下侧视野较大，鼻侧和上侧视野较小。白色视野最大，绿色视野最小。 三十一、突触：指神经元之间相互接触并进行信息传递的部位。 三十二、牵涉痛：是某些脏疾病引起体表一定部位发生疼痛或痛觉过敏的现象。 三十三：受体:细胞膜上或细胞能特异的特殊蛋白质,能特异性结合神经递质、激素等化学物质，并引发特定的生理效应。

生理学考试重点归纳

1.人体生理功能三大调节方式？各有何特点？ 1).神经调节指通过神经系统的活动，对生物体各组织、器官、系统所进行的调节。特点是准确、迅速、持续时间短暂。 2).体液调节体内产生的一些化学物质(激素、代谢产物)通过体液途径(血液、组织液、淋巴液)对机体某些系统、器官、组织或细胞的功能起到调节作用。特点是作用缓慢、持久而弥散。 3)．自身调节组织和细胞在不依赖于神经和体液调节的情况下，自身对刺激发生的适应性反应过程。特点是调节幅度小。 2.何谓内环境，及其生理意义？ 答：内环境就是指多细胞动物的体液，包括组织液，血浆和淋巴液。内稳态就是生物能够保持内环境的状态稳定在一个很小的范围之内的机制。主要是通过一系列的反馈机制完成的。高等动物内稳态主要是靠体液调节和神经调节来维持。 意义在于：①能够扩大生物对外界环境的适应范围，少受外界不良环境的制约。②能够让生物的酶保持最佳状态，让生命活动有条不絮地进行。 3.细胞膜的跨膜物质转运形式： 答：1、单纯扩散，如O2、CO2、N2等脂溶性物质的跨膜转运 2、易化扩散，分为经载体的易化扩散（葡萄糖由血液进入红细胞）和经通道的易化扩散（K+、Na+、Ca+顺浓度梯度的跨膜转运） 3.主动转运,分为原发性主动转运（K+、Na+、Ca+逆浓度梯度或电位梯度的跨膜转运）和继发性主动转运（小肠粘膜和肾小管上皮细胞吸收和重吸收葡萄糖时跨管腔膜的主动转运）。 4.出胞（腺细胞的分泌，神经递质的释放）和入胞9白细胞吞噬细菌、异物的过程) 4.血小板有哪些功能。 （1）对血管内皮细胞的支持功能（2）生理止血功能（3）凝血功能（4）在纤维蛋白溶解中的作用 5.血型鉴定？ 答：血型是指血细胞膜上的凝集原类型。ABO血型鉴定，即指ABH血型抗原的检测。红细胞含A抗原的叫A型，含B抗原的叫B型，含A和B抗原的叫AB型；不含A、B抗原，而含H抗原的称O型。常规的方法有：①正向定型：用已知抗体的标准血清检查红细胞上未知的抗原。②反向定型：用已知血型的标准红细胞检查血清中未知的抗体。 6.简述一个心动周期中心脏的射血过程。 心脏从一次收缩的开始到下一次收缩开始前的时间，构成了一个机械活动周期，称为心动周期。在每次心动周期中，心房和心室的机械活动均可分为收缩期和扩张期。但两者在活动的时间和顺序上并非完全一致，心房收缩在前、心室收缩在后。一般以心房开始收缩作为一个心动周期的起点，如正常成年人的心率为75次/分时，则一个心动周期为0.8秒，心房的收缩期为0.1秒，舒张期为0.7秒。当心房收缩时，心室尚处于舒张状态；在心房进入舒张期后不久，紧接着心室开始收缩，持续0.3 秒，称为心室收缩期；继而计入心室舒张期，持续0.5秒。在心室舒张的前0.4秒期间，心房也处于舒张期，称为全心舒张期。一般来说，是以心室的活动作为心脏活动的标志。 7.简述影响动脉血压的因素。 （1）心脏每搏输出量：（2）心率：（3）外周阻力（4）主动脉和大动脉的顺应性（5）循环血量和血管系统容量的比例 8.简述影响静脉回流的因素及其原因。 （1）体循环平均充盈压（2）心脏收缩力量（3）体位改变（4）骨骼肌的挤压作用（5）呼吸运动 9.影响组织液生成的因素：（1）有效滤过压；（2）毛细血管通透性；（3）静脉和淋巴回流等 10.影响心输出量的因素 答：心输出量等于每搏输出量和心率的乘积①前负荷②心肌收缩能力③后负荷④心率 11.心肌兴奋周期性变化及其生理意义？ 答：心肌细胞兴奋后，其兴奋会发生一系列的周期性变化，其过程及意义为：①有效不应期②相对不应期③超常期④低常期 12.肺换气的影响因素 答：1.呼吸膜的面积和厚度影响肺换气。气体的扩散速率与呼吸面积成正比，与呼吸膜厚度成反比。 2.气体分压值、扩散系数、、温度各因素与气体扩散速率成正比。 3.通气/血流比值。比例适宜通气/血流比值才能实现适宜的肺换气，无论该比值增大或减小，都会妨碍有效气体的交换。 13.简述胃酸的主要生理作用。 （1）激活胃蛋白酶原，使之转变为有活性的胃蛋白酶，并为胃蛋白酶提供适宜的酸性环境。 （2）分解食物中的结缔组织和肌纤维，使食物中的蛋白质变性，易于被消化。

国家开放大学电大《电子政务概论》2020-2021期末试题及答案(试卷号：4988)

国家开放大学电大《电子政务概论》2020-2021期末试题及答案（试卷号：4988） 一、单项选择题（每题所设选项中只有一个正确答案，每小题1分，共10分，多选、错选或不选均不得分） 1．政府内部办公系统中的( )办公系统由各种较完善的信息数据库以及具有通信功能的多级网络组成。 A．事务型 B．管理型 C．辅助决策型 D．建议咨询型 2．电子会议与旅行服务系统属于( )。 A．电子司法档案系统 B．电子财政管理系统 C．统一服务系统 D．信息统计系统 3．在电子政务环境下，电子化手段可以把政府掌握的静态信息通过反馈系统转化为动态信息，并主动地提供给公众。这体现了电子政务环境下政府管理在( )方面的特征。 A．关系模式 B．办公模式 C．管理类型 D．服务方式 4．将收发处理文件等程序性的活动从传统的手工方式转向工作流自动化方式，体现了我国办公自动化系统发展的( )阶段的特征。 A. 第一 B．第二 C．第三 D．第四 5．对内部各种办公设备、办公用品、器材、车辆等进行统一管理、调度，为机关各有关方面提供保障，属于事务处理系统中的( )功能。 A．来信处理 B．来访处理 C．后勤服务 D．会议组织 6．按( )划分，可以把政府的电子化公共服务分为政府对公民提供的电子化公共服务和政府对组织提供的电子化公共服务。 A．服务对象 B．职能 C．具体行政行为 D．服务方式 7．( )是反映政府某个部门总体表现、特征、规律及其发展变化过程的信息，是一种高层次的信息，它主要反映系统总体的性质和总量以及发展方向等。 A．宏观性信息资源 B．微观性信息资源 C．动态性信息资源 D．静态性信息资源 8．( )主要是将来自各行各业、各基层群众和各学科专家学者的批评、意见、建议，以及来自经济

西医综合考研生理学要点归纳

2017西医综合考研：生理学要点归纳 第一章绪论 考纲没有变化，重点考察的就是正负反馈调节.自身调节的区别以及相对应的例子.正反馈起加强控制信息的作用，而负反馈起纠正减弱控制信息的作用 ,必须记清楚这些代表性的例子，尤其是正反馈和自身调节的例子.还要注意联系后面章节区分哪些是正反馈哪些是负反馈，举例说明如血液凝固过程.分娩过程. 排尿排便反射等这些都是正反馈，再如减压反射.肺牵张反射.甲亢时 TSH 分泌减少等都是负反馈，同学们应总结出一些例子，在解题时往往起到关键作用.另外需要注意的是在有些生理过程中，既无闭合回路又无调定点的不属于反馈调节。 第二章细胞的基本功能 这一章比较重点，每年都会有本章的考题，大的重点就是物质的交换和动作电位。这将会涉及到今后各个章节的学习，同学们必须深入的理解加以牢固记忆。几种物质的跨膜转运方式如果比较起来记忆在解题时更容易区分。静息电位和动作电位的产生机制要理解去记忆。还需要注意的是一些局部电位的例子，如微终板电位?终板电位?EPSP? IPSP等都是局部电位，同时大家还需要搞清楚的就是局部电位和局部电流的区别，局部电位是指没有达到动作电位水平，而局部电流则是指动作电位的传播方式，要注意区分二者。 第三章血液 主要是对血液成份及功能做了介绍，对今后血液学和呼吸系统做的基础。血量为全身血液的总量，成年人血量占总体重的7%-8%。血浆渗透压包括晶体渗透压和胶体渗透压，注意二者的区别，另外渗透压的高低与溶质的颗粒数成正比，而与颗粒种类及颗粒大小无关，因此血浆渗透压主要是由晶体渗透压决定。要重点注意生理性止血为常考点，其过程包括血管收缩?血小板止血栓形成和血液凝固三个过程。纤维蛋白在纤维蛋白溶解酶的作用下被降解液化的过程为纤维蛋白溶解。生理止血过程中，凝血块形成的血栓会堵塞血管，出血停止血管创伤愈合后，构成血栓的纤维蛋白会被逐渐降解液化，使被堵塞的血管重新畅通。 第四章血液循环 重点内容还是心肌细胞的生物电以及血压调节等部分，本章是生理学的一个大的重点章节，内容繁多，需要全面理解掌握。注意比较心室肌细胞和窦房结细胞动作电位的产生机制，心肌电生理特性这块需记忆：自律细胞的特点是4期自动去极化，窦房结能成为心脏正常起搏点的原因是4期自动去极化速度快，窦房结起搏细胞动作电位的特点是4期自动去极化，心肌不会产生强直收缩的原因是心肌细胞的有效不应期特别长，心室肌细胞动作电位的特点是0期去极化速度快、幅度高、有平台期、有超辐射，房室延搁的生理意义是避免房室的收缩重叠，窦房结自律性?高，心室肌细胞收缩力?强，浦肯野纤维传到速度?快，房室交接处

生理学期末考试试题及答案修订

一、单项选择题(每小题1分，共计30分) 1.全身动脉血液变动在80－180mmHg范围内，肾血流量由于血管口径的相应变化， 仍能保持相对稳定，属于 A.自身调节 B.神经调节 C.正反馈调节 D.体液调节 2.有机磷农药中毒时骨骼肌痉挛的原因是 A.乙酰胆碱释放增加 B．刺激运动神经末梢的兴奋 C．胆碱脂酶被抑制，乙酰胆碱在运动终板处堆积 D．增加了Ca2+内流 3.低温、缺氧或代谢抑制，影响细胞的钠-钾泵活动时，将导致 A.静息电位值增大，动作电位幅度减小。 B.静息电位值减小，动作电位幅度增大。 C.静息电位值增大，动作电位幅度增大。 D.静息电位绝对值减小，动作电位幅度减小。 4.血沉加快表示红细胞 A.通透性增大 B.脆性增大 C.悬浮稳定性差 D.可塑性差 5.柠檬酸钠的抗凝机理是 A.加强血浆抗凝血酶的作用 B.使血浆中的钙离子成为不易解离的络合物 C.抑制凝血酶活性 D.中和酸性凝血物质 6.甲状腺手术容易出血的原因是甲状腺含有较多的 A.血浆激活物 B.组织激活物 C.纤溶酶 D.抗凝血酶 7.某人的血细胞与B型血的血清凝集，而其血清与B型血的红细胞不凝集，此人血 型为 型型 型型 8.幼年时期缺乏生长激素将造成 A.呆小症 B.巨人症 C.侏儒症 D.肢端肥大症 9.在心动周期中，心室血液充盈主要是由于 A.心房收缩的挤压作用 B.心室舒张的抽吸作用 C.骨骼肌的挤压作用 D.胸内负压促进回流 10.窦房结作为正常起搏点的主要原因是。 A.位于心肌上部 期去极化速度快 C.没有平台期 期自动化去极化速度最快 11.室性期前收缩之后常出现代偿性间歇的原因是。

医学实验动物学考试重点总结

名词解释：实验动物（laboratory animal）：指经人工培育，对其携带的微生物、寄生虫进行严格控制，遗传背景明确，可用于科学实验、药品、生物制品的生产和检定及其它科学研究的动物。 实验用动物：是指一切用于实验的动物，除了符合严格要求的实验动物外，还包括家畜和野生动物等。 实验动物与实验用动物：遗传控制不同,微生物控制等级不同,培育的形质和目标不同。 人类疾病的动物模型：是指医学研究中建立的具有人类疾病模拟表现的动物实验对象和相关材料。 实验动物标准化：遗传质量标准化微生物质量标准化环境标准化营养标准化 按遗传控制标准，实验动物分为：近交系（CH3），突变系（裸鼠），杂交系（F1），封闭群（远交系）（KM小鼠，wister大鼠） 按基因型分：1、同基因型动物（如近交系、F1代） 2、不同基因型动物（如封闭群） 按微生物控制程度分级：普通级，清洁级，SPF级，无菌级（2001年版的国家标准中，大小鼠取消普通级动物，犬、猴只分普通级和SPF级，豚鼠、地鼠和兔仍然分4级） SPF动物定义：除清洁动物应排除的病原外，不携带主要潜在感染或条件致病和对科学实验干扰大的病原。（屏障环境中饲养，种子群来源于无菌动物或剖腹产动物。饲养管理同清洁动物） 无菌动物的特点：形态学及生理学特点： ①形态学：盲肠肥大（增大5～6倍），肠壁薄，易发肠扭转。心脏、肝脏、脾脏相对较小。 ②生理学: 血中无抗体，巨噬细胞吞噬能力弱。体内不能合成维生素B和K。无菌鸡生长较快、无菌豚鼠和无菌兔生长较慢。无菌大小鼠与普通大小鼠生长速度相同。

（3)饲养要求：隔离环境中饲养，种子群来源于剖腹产动物或无菌卵的孵化。由于肠道无菌，饲养困难，应注意添加各种维生素。每2～4周检查一次动物的生活环境和粪便标本。 悉生动物：概念：悉生动物是指在无菌动物体内植入已知微生物的动物。又称已知菌动物。植入一种细菌的动物叫单菌动物；植入两种细菌的动物叫双菌动物；植入三种细菌的动物叫三菌动物；植入多种细菌的动物叫多菌动物。（由于肠道接种有利于消化吸收的细菌，故饲养较无菌动物容易，形态学和生理学方面与普通动物无异。） 近交系：经至少连续20代的全同胞兄妹交配培育而成，品系内所有个体都可追溯到起源于第20代或以后代数的一对共同祖先。 特点： 1、其基因纯合度达到98.6%，个体差异小，似同卵双生反应一致重复性好，用少量动物即可获得精确度很高的实验结果，个体相互之间可以接受皮肤、器官移植。 2、隐性基因纯合使许多病态性状得以暴露，可获得大量先天性畸形及先天性疾病的动物模型.如高血压、白内障、糖尿病.动物模型。 缺点：出现近交衰退。近交衰退是近交过程中动物群体由于基因分离与纯合发生一系列不利于个体或群体发育的变化和现象。 F1代动物：两个无关近交系杂交形成的第一代动物。 特点：虽然基因杂合，但个体之间基因杂合的一致,个体差异小。除具有近交系的优点,还具有生命力强耐受性强,可长期进行观察，具有杂交优势，个体相互之间可以接受皮肤、器官移植。 封闭群动物（远交系）：以非近亲交配方式繁殖生产的一个实验动物种群，5年以上不从外部引新血缘或至少繁殖四代以上，在封闭条件下交配繁殖，保持了一定杂合性和群体遗传特征。每代近交系数增加量<1％。在人类遗传研究、药物筛选、毒物实验等方面起着不可代替的作用等。 突变系动物：指正常染色体的基因发生了变异，动物具有一种或多种遗传缺陷。例如：无胸腺裸鼠、严重联合免疫缺陷动物SCID小鼠。为肿瘤、免疫疾病的研究提供了理想的材料。

电子政务期末考试重点整理

第一章 1、政务的含义 所谓政务，简单地理解就是政府部门需要办理的各项事务。“政务”的含义既包括“有关政治方面的事务”，也包括“国家的各类行政管理活动，即专指政府部门的管理和服务活动”。电子政务中的“政务”的含义侧重于后者。 2、电子政务的含义 电子政务是借助电子信息技术而进行的政务活动，是指各级政府部门运用先进的信息技术手段，将政府可公开的信息面向社会、面向企业、面向公众发布，并使政府的服务工作网络化。 3、电子政务的理解要点 ①电子政务的主体是政府机关 ②电子政务的核心或者说客体是政务，而电子仅仅是手段 ③电子政务的目的是要实现“办公网络化、政务公开化、管理一体化、决策科学化、经 济信息化和社会发展现代化”的综合目标。 ④电子政务的实现条件既包括硬件基础条件，也包括软件政策法规保障。 ⑤电子政务体系包括物理层、逻辑层和概念层三个层次。 4、电子政务与办公自动化 1）应用的主体范围不同2）管理理念与实现目的不同3）应用的内容和实现流程不同5、电子政务与电子政府 广度不同、内容不同、角度不同 6、电子政务与政府上网 “政府上网工程”与电子政务并不是同一个概念，它只是处于电子政务发展的初级阶段或一个组成部分。 7、电子政务与电子商务 1）实施主体不同2）应用目的不同3）应用范围不同 8、电子政务与政府信息化 政府信息化与电子政务的关系是相辅相成的，电子政务是政府信息化的主要表现形式，而政府信息化又是电子政务实施的必要条件。可以说，政府信息化与电子政务是相互作用、同步推进的。 9、电子政务的特征 1）使用手段和技术先进实用性2）政府信息的公开共享性3）政府与公众之间沟通的互动性4）政府提供服务的创新性5）政府内外管理的开放性 10、电子政务的功能 1）增强政府监管,维护市场秩序2）整合决策依据,实现决策支持 3）实施信息发布,提供丰富信息4）加强沟通互动,有利服务公众 5）降低行政成本,提高办公效率6）发挥主导作用,带动社会信息化 11、1. 3电子政务与政府管理创新 ? 1.3.1 电子政务环境下政府管理理念的变革 1.变革电子政务环境下的政府管理模式 知识化、信息化、虚拟化 2.调整政府与公众的关系以便建立服务型政务 3.建立以客户为中心的政府服务理念 4.重建新形势下的政府组织结构形式 政府纵向结构偏平化政府横向结构整合化政府组织形式的虚拟化? 1.3.2 电子政务与政府行政体制改革

历生理学考试重点总结.doc

历年生理学考试重点总结执医笔试 2008-08-22 22:48:40 阅读321 评论0 字号：大中小 一、细胞的基本功能 1.以单纯扩散的方式跨膜转运的物质是 O 2 和CO 2 2.水溶性物质，借助细胞膜上的载体蛋白或通道蛋白的帮助进入细胞的过程是: 易化扩散 3.葡萄糖顺浓度梯度跨膜转运依赖于细胞膜上的载体蛋白 4.细胞膜主动转运物质时，能量由何处供给细胞膜 5.蛋白质从细胞外液进入细胞内的转运方式是入胞作用 6.神经末梢释放递质是通过什么方式进行出胞作用 7.Na + 由细胞外液进入细胞的通道是电压门控通道或化学门控通道 8.兴奋性是指可兴奋细胞对刺激产生什么的能力兴奋 9.可兴奋组织或细胞受刺激后，产生活动或活动加强称为兴奋 10.刺激是指机体、细胞所能感受的何种变化内或外环境 11.神经、肌肉、腺体受阈刺激产生反应的共同表现是动作电位 12.衡量兴奋性的指标是阈强度 13.保持刺激作用时间不变，引起组织细胞发生兴奋的最小刺激强度称阈强度 14.阈刺激是指阈强度的刺激 15.兴奋的指标是动作电位 16.细胞在接受一次刺激产生兴奋的一段时间内兴奋性的变化，不包括下列哪期恢复期 17.决定细胞在单位时间内能够产生兴奋的最多次数是绝对不应期 18.绝对不应期出现在动作电位的哪一时相锋电位 19.有关静息电位的叙述，哪项是错误的是指细胞安静时，膜外的电位。 20.锋电位的幅值等于静息电位绝对值与超射值之和 21.阈电位指能引起Na + 通道大量开放而引发动作电位的临界膜电位数值 22.有关局部兴奋的特征中哪项是错误的有全或无现象 23.有关兴奋在同一细胞内传导的叙述哪项是错误的呈电紧张性扩布 A 是由局部电流引起的逐步兴奋过程 B 可兴奋细胞兴奋传导机制基本相同 C 有髓神经纤维传导方式为跳跃式 D 局部电流强度数倍于阈强度 24.神经-骨骼肌接头处的兴奋传递物质是乙酰胆碱 25.关于骨骼肌兴奋-收缩耦联，哪项是错误的终末池中Ca 2+ 逆浓度差转运 A 电兴奋通过横管系统传向肌细胞深部 B 横管膜产生动作电位 D Ca 2+ 进入肌浆与肌钙蛋白结合 E 兴奋-收缩耦联的结构基础为三联管 26.兴奋性周期性变化中哪一项的兴奋性最低绝对不应期 27.小肠上皮细胞对葡萄糖进行逆浓度差吸收时，伴有Na + 顺浓度差进入细胞，称为继发性主动转运。所 需的能量间接地由何者供应。钠泵 28.记录神经纤维动作电位时，加入选择性离子通道阻断剂河豚毒，会出现什么结果。除极相不出现 29.在对枪乌贼巨大轴突进行实验时，改变标本浸浴液中的哪一项因素不会对静息电位的大小产生影响。 Na + 浓度 B K + 浓度 C 温度 D pH E 缺氧 30.人工减小细胞浸浴液中的Na + 浓度，所记录的动作电位出现幅度变小 31.有机磷农药中毒出现骨骼肌痉挛主要是由于胆碱酯酶活性降低 32.在神经-骨骼肌接头中消除乙酰胆碱的酶是胆碱酯酶

四川大学电子政务期末复习重点

电子政务复习 一、概念题 1、何为电子政务？电子政务的环境包括那几个方面？ 2、何为IT技术？它包括哪三个方面？ 信息技术（Information Technology，简称IT），是主要用于管理和处理信息所采用的各种技术的总称。它主要是应用计算机科学和通信技术来设计、开发、安装和实施信息系统及应用软件。 3、何为IOT？它包括那些技术？ 硬件、功率和能量存储、安全和隐私技术、标准。 4、什么是可穿戴设备？举几个你知道的可穿戴设备。它属于物联网三层中的哪一层？ 可穿戴设备即直接穿在身上，或是整合到用户的衣服或配件的一种便携式设备。可穿戴设备不仅仅是一种硬件设备，更是通过软件支持以及数据交互、云端交互来实现强大的功能。现在常见的可穿戴设备有谷歌眼镜、蓝牙耳机、手表计算器、健康腕带、智能手表。 可穿戴设备属于物联网三层中的应用层。 5、何为电子政务（EG）顶层设计？它应包含哪些方面的内容？ 6、何为云计算？RFID和传感技术？ 射频识别即RFID（Radio Frequency Identification）技术，又称无线射频识别，是一种通信技术，可通过无线电讯号识别特定目标并读写相关数据，而无需识别系统与特定目标之间建立机械或光学接触。常用的有低频（125k~134.2K）、高频（13.56Mhz）、超高频，微波等技术。 传感技术是关于从自然信源获取信息，并对之进行处理（变换）和识别的一门多学科交叉的现代科学与工程技术，它涉及传感器（又称换能器）、信息处理和识别的规划设计、开发、制/建造、测试、应用及评价改进等活动。 7、何为信息革命、管理创新？

8、何为电子政务（EG）底层设计？它应包含哪些方面的内容？ 二、简述题 1、简述IOT的三大特征及其相互联系。以及这些特点对政府管理创新将会带来的影响。（1）物联网应该具备三个特征,一是全面感知,即利用RFID,传感器,二维码等随时随地获取物体的信息;二是可靠传递,通过各种电信网络与互联网的融合,将物体的信息实时准确地传递出去；三是智能处理,利用云计算,模糊识别等各种智能计算技术,对海量的数据和信息进行分析和处理,对物体实施智能化的控制。它们之间对应着物联网的三个层次，感知层相当于人的五官和皮肤，网络层相当于人的神经中枢和大脑，应用层相当于人的社会分工，它们之间相互配合合作，使信息不是单向传递，而是交互控制，传递的信息也多种多样。 （2）物联网的应用和普及将会使社会的各个层面受到影响，人们的生产生活方式也会产生变革，政府在其内部及对社会的管理上也必然需要改革和创新。政府管理创新的实质正是进行政府内部及政府与社会的重新整合，因此物联网的兴起将会成为继互联网之后又一政府管理创新和改革强有力的助推剂。物联网等新兴信息技术对政府管理创新的影响涉及了政府管理的整个体系，包括了宏观、中观、微观三个层次的多个方面。 宏观层面，促进政府管理模式的创新、管理战略的创新，以及观念的创新；中观层面是促进构成行政体制诸要素的创新，主要包括基于职能的管理创新，基于组织的管理创新、基于资源的管理创新、基于过程的管理创新；微观层面，主要是推动政府管理方式、方法的创新。 2、简述数字壁垒在电子政务建设发展中的不良影响和解决办法。 （1）电子政务建设是社会信息化的一个重要组成部分，它是在已有的社会信息环境的基础上展开的，而普遍存在的数字壁垒对开展电子政务的信息环境造成了严重的影响，最突出的表现就是导致电子政务的高门槛性，衍生出更多的不平等现象，损害社会公正，影响社会和谐。具体表现是：首先，在信息化程度日益提高的现代社会中，信息弱势群体就意味着更少的发展机会，他们无法接触到现代信息网络、信息技术终端产品，更不用说获取和使用信息资源，失去了公平获取信息、发展自身的机会。其次，到电子政务阶段，这种不平等就会进一步加剧而可能上升到政治权利的不平等。电子政务是通过电子化的途径来提供公共服务，实施公共权利的分配，但是一些群体可能没有条件和能力进入到电子政务中，他们就会失去通过信息化手段实现政治权利，取得一定政治利益的机会。由数字壁垒引发的这种不平等不会自行缩小，它只会随着社会信息化程度的提高而拉大，最终将会影响到全社会的民主建设，严重阻碍和谐社会的构建。 （2）树立正确的观念，坚持开放原则，理性地消除数字壁垒；加强国际协作，携手跨越数字壁垒；大力推进农村电子社区建设，完善电子政务服务手段；提供教育和培训机会，提高认知水平和信息素养是消除数字壁垒的重要途径；利用后发优势，推进信息化是消除信息鸿沟的现实途径；开展信息扶贫是消除数字壁垒的重要手段。 3、简述电子（E）和政务（G）的关系。 在电子政务建设中，电子与政务既相互联系又主次分明。政务是主体、内容和灵魂，而电子

病理生理学期末复习重点#(精选.)

病理生理学知识点 第一章绪论 1、病理生理学：基础医学理论学科之一，是一门研究疾病发生发展规律和机 制的科学。 2、病理生理学的任务：研究疾病发生发展的原因和条件，并着重从机能和代 谢变化的角度研究疾病过程中患病机体的机能、代谢的动态变化及其发生机制，从而揭示疾病发生、发展和转归的规律。 研究内容：疾病概论、基本病理过程和各系统病理生理学。 3、基本病理过程：在多种疾病中共同的、成套的代谢和形态结构的变化。如 水、电解质和酸碱平衡紊乱、缺氧、发热、炎症、DIC、休克等。 4、健康：健康不仅是没有疾病或病痛，而且是一种躯体上、精神上以及社会 上的完全良好状态。 5、疾病：由致病因子作用于机体后，因机体稳态破坏而发生的机体代谢、功 能、结构的损伤，以及机体的抗损伤反应与致病因子及损伤作斗争的过程。 6、分子病：由于DNA的遗传性变异引起的一类以蛋白质异常为特征的疾病。 7、衰老：是一种生命表现形式和不可避免的生物学过程。 8、病因：指引起某一疾病必不可少的，决定疾病特异性特征的因素。 诱因：指能够加强某一疾病或病理过程的病因的作用，从而促进疾病或病理过程发生的因素。 条件：能够影响疾病发生发展的体内因素。 9、疾病发生的外因：物理性因素，化学性因素，生物性因素，营养性因素， 精神、心理和社会因素。 疾病发生的内因：遗传性因素，先天性因素，免疫性因素。 10、发病学：是研究疾病发生、发展及转归的普遍规律和机制的科学。 11、疾病发展的一般规律：疾病时自稳调节的紊乱；疾病过程中的病因转化； 疾病时的损伤和抗损伤反应。 12、疾病转归的经过：病因侵入（潜伏期）非特异性症状（前驱期）特异 性症状（临床症状明显期）疾病结束（转归期） 13、死亡：按照传统概念，死亡是一个过程，包括濒死期，临床死亡期和生物 学死亡期。一般认为死亡是指机体作为一个整体的功能永久停止。 14、脑死亡：指枕骨大孔以上全脑的功能不可逆行的丧失。 15、植物状态和脑死亡的区别： 植物状态：①自己不能移动；②自己不能进食；③大小便失禁；④眼不能 识物；⑤对指令不能思维；⑥发音无语言意义 脑死亡：①不可逆性深昏迷；②自主呼吸停止，需行人工呼吸；③瞳孔扩大、固定；④脑干神经反射消失，如瞳孔对光反射、角膜反 射、咽喉反射等；⑤脑电波消失，呈平直线。⑥脑血液循环完 全停止。 16、及时判断脑死亡的意义：①有利于准确判断死亡；②促进器官捐赠使用； ③预计抢救时限，减少损失。 第二章水、电解质代谢紊乱

自考生理学考试重点归纳

生理学考试重点归纳 1．内环境 指细胞直接生存的环境，即细胞外液。 2．异化作用 可兴奋组织、细胞对有效刺激产生反应（动作电位）的能力与特性。 3．阈值 引起组织、细胞产生反应（动作电位）的最小刺激强度。 4．负反馈 凡是反馈信息与控制信息作用相反的反馈。 5．反射 指中在枢神经系统的参与下，机体对刺激发生规律性反应的过程。 6．自身调节 指机体各器官、组织和细胞不依赖于神经或体液因素的调节而产生的适应性反应。 1．易化扩散 指水溶性的小分子或离子通过膜上载体蛋白或通道蛋白帮助，由膜的高浓度一侧向低浓度一侧扩散的过程。 2．受体 受体是细胞膜上一类特殊蛋白质。其的功能是可以识别并特异性结合作用于它的化学物质（如激素），并转发化学信息，改变细胞生化反应，增强或减弱细胞生理效应。 3．去极化 以静息电位为准，膜内外电位差变小或消失的现象，称为去极化。 4．超极化 以静息电位为准，膜内外电位差增大的现象，称为超化。 5．静息电位 细胞处于安静状态下，存在于细胞膜两侧的电位差，称为静息电位。一般表现为内负外正的跨膜电位。6．动作电位 可兴奋细胞受到刺激时，在静息电位的基础上爆发的一次迅速、可逆、可扩布的电位变化，称为动作电位。 7．局部电位 阈下刺激也可使膜去极化，但这种去极化电位只局限于受刺激部位局部，只能作电紧张扩布，故称为局部电位。 8．兴奋-收缩耦联 兴奋-收缩耦联是指把肌细胞的动作电位与肌细胞的机械收缩联系起来的中介过程 9．强直收缩 骨骼肌在接受连续的有效刺激时，由于刺激频率高，若刺激落于前一次骨骼肌兴奋收缩的收缩期，形成的强而持久的收缩，称为强直收缩。强直收缩是机体骨骼肌收缩做功的主要形式。 1．血清 血清是血液凝固后，血凝块回缩析出的淡黄色透明液体。 2．红细胞比容 红细胞比容是指红细胞容积占全血容积的百分比。 3．红细胞渗透脆性 红细胞渗透脆性是指红细胞对抗低渗容液的抵抗力。抵抗力大的脆性小，反之则脆性大。 4．红细胞凝集 相同的抗原、抗体相遇时，通过免疫反应使经红细胞相互凝结聚集在一起的现象。 5．溶血 红细胞膜破裂后，血红蛋白溢出，溶解于血浆中的现象。 6．血液凝固 血液凝固是指血液由可流动的溶胶状态转变为不能流动的凝胶状态。 7．血型 血型特指血细胞膜上特异性抗原的类型。它是血液中的一种特殊标志物。 1．自律细胞 指心内具有自动节律性兴奋的细胞，其生物电特点是复极4期自动去极化。

电子政务期末考试重点

第一章1、政务的含义 所谓政务，简单地理解就是政府部门需要办理的各项事务。“政务”的含义既包括“有关政治方面的事务”，也包括“国家的各类行政管理活动，即专指政府部门的管理和服务活动”。电子政务中的“政务”的含义侧重于后者。 2、电子政务的含义 电子政务是借助电子信息技术而进行的政务活动，是指各级政府部门运用先进的信息技术手段，将政府可公开的信息面向社会、面向企业、面向公众发布，并使政府的服务工作网络化。 3、电子政务的理解要点 ①电子政务的主体是政府机关 ②电子政务的核心或者说客体是政务，而电子仅仅是手段 ③电子政务的目的是要实现“办公网络化、政务公开化、管理一体化、决策科 学化、经济信息化和社会发展现代化”的综合目标。 ④电子政务的实现条件既包括硬件基础条件，也包括软件政策法规保障。 ⑤电子政务体系包括物理层、逻辑层和概念层三个层次。 4、电子政务与办公自动化

1）应用的主体范围不同2）管理理念与实现目的不同3）应用的内容和实现流程不同 5、电子政务与电子政府 广度不同、内容不同、角度不同 6、电子政务与政府上网 “政府上网工程”与电子政务并不是同一个概念，它只是处于电子政务发展的初级阶段或一个组成部分。 7、电子政务与电子商务 1）实施主体不同2）应用目的不同3）应用范围不同 8、电子政务与政府信息化 政府信息化与电子政务的关系是相辅相成的，电子政务是政府信息化的主要表现形式，而政府信息化又是电子政务实施的必要条件。可以说，政府信息化与电子政务是相互作用、同步推进的。 9、电子政务的特征 1）使用手段和技术先进实用性2）政府信息的公开共享性3）政府与公众之间沟通的互动性4）政府提供服务的创新性5）政府内外管理的开放性 10、电子政务的功能

生理学各章节考试重点

------------------ 时磊5说------ - ---- ------- 生理学各章节考试重点 2017-11-23医学资料大全 第一章绪论 1、内环境：指细胞外液占体液的1/3,包括组织液，血浆，淋巴液 2、稳态：内环境的各种物理的和化学的因素保持相对稳定 3、人体的调节机制：神经调节，体液调节，自身调节 自身调节：由组织，细胞本身生理特殊性决定的，并不依赖外来的神经或体液因素的作用的反应 4、反射弧的组成：感受器，传入神经纤维，反射中枢，传出神经纤维，效应器 5、神经调节的特点：迅速，局限，精确；体液调节的特点：缓慢，弥散，持久 6、机体控制系统：非自动控制（单向式）自动控制系统包括反馈控制，前馈控制，负反馈：反馈信息的作用是减低控制部分的活动的反馈控制，对保持内环境稳态起着重要作用 第二章细胞基本功能 1、细胞膜和各种细胞器的质膜的组成：脂质，蛋白质，极少量的糖类 2、膜蛋白的分类：细胞骨架蛋白，识别蛋白质，酶，受体蛋白，跨膜转运物质的功能蛋白 3、物质的跨膜转运方式： （1 ）单纯扩散 举例：02, N2,CO2,NH3尿素，乙醚，乙醇，类固醇 （2 ）易化扩散 举例：A经载体介导：葡萄糖，氨基酸 特点：饱和现象，结构特异性，竞争性抑制 B经通道介导：Na+，K+，Ca2+，Cl-等 特点：A顺浓度或电位梯度的高速度跨膜扩散 B门控体制包括电压门控通道和化学门控通道 C对通过的离子有明显的选择性 （3 ）主动转运 举例：A原发性主动转运一一直接利用ATP钠-钾泵 B继发性主动转运一一间接利用ATP:葡萄糖，氨基酸在小肠和肾小管的重吸收 （4）出胞和入胞 4、细胞的静息电位：指细胞未受刺激，处于安静状态时，膜内外两侧的电位差，等于K +的平衡电位 产生机制：K +离子的外排 极化：静息时膜的内负外正的状态去极化：静息电位的减少 超极化：静息电位的增大复极化：细胞膜由去极化后向静息电位方向恢复的过程 5、细胞的动作电位：细胞受到刺激，膜电位发生迅速的一过性的波动，是细胞兴奋的标志 产生机制：N a+的内流（去极化），K +的外流（复极化） 阈电位：形成N a+通道激活对膜去极化的正反馈过程的临界膜电位 6、局部电流的方向；膜外由未兴奋区流向兴奋区，膜内由兴奋区流向未兴奋区特点：全或无定律，不衰减传导

生理学期末考试复习重点

生理学期末考试复习重点

生理学期末考试复习资料 Ⅰ、名词解释（35个中任意抽5个） 一、阈强度：是在一定的刺激持续时间作用下，引起组织兴奋所必需的最小刺激强度。 二、内环境：细胞生存的环境，即细胞外液。 三、正反馈：凡是反馈信息和控制信息的作用性质相同的反馈，称为正反馈，起加强控制信息的作用。 四、负反馈：凡是反馈信息和控制信息的作用性质相反的反馈，称为负反馈，起纠正，减弱控制信息的作用。 五、易化扩散：指非脂溶性的小分子物质或离子借助膜蛋白的帮助，从高浓度一侧向低浓度一侧转运的方式。 六、被动转运：指物质从高浓度一侧到低浓度一侧（顺浓度差）的跨膜转运形式，转运不需要细胞代谢提供能量，其动力为细胞膜两侧存在的浓度差（或电位差）。 七、主动转运：主动转运指细胞通过本身的耗能过程，将小分子物质或离子从低浓度一侧移向高浓度一侧（逆浓度差）转运的方式。 八、极化：细胞在安静时，保持稳定的膜内电位为负，膜外为正的状态。 九、静息电位：细胞处于安静状态下，存在于细胞膜两侧的电位差。 十、动作电位：可兴奋细胞受到刺激时，在静息电位的基础上暴发的一次迅速，可逆，可扩布的电位变化。 十一、阈电位：对神经细胞和骨骼肌而言，造成膜上Na+通透性突然增大的临界膜电位。 十二、血细胞比容：血细胞容积与全血容积的百分比。 十三、血型：根据血细胞膜上特异性抗原的类型，将血液分为若干型。 十四、心动周期：心房或心室每收缩和舒张一次所经历的时间，称为一个心动周期。

三十三：受体:细胞膜上或细胞内能特异的特殊蛋白质,能特异性结合神经递质、激素等化学物质，并引发特定的生理效应。 三十四、脊休克：当脊髓与高位中枢离断后，断面以下的脊髓暂丧失反射活动的能力，进入无反应状态的现象，称为脊休克。 三十五、激素：内分泌细胞分泌的传递信息的生物活性物质称为激素。 Ⅱ、填空题（借鉴以往的考试试题，预判分析） 1.当细胞受剌激时，膜电位减小，产生去极化，达到某一个临界值时就产生动作电位。这一能引起细胞产生动作电位的临界值称为阈电位,它是导致Na+通道开放的关键因素。 2.观察交叉配血试验结果时，若主、次侧均不凝集为O型血。 3.抗利尿激素的释放主要受体液渗透压和血容量的调节。 4.肺每分通气量等于潮气量和呼吸频率的乘积。 5.胆碱能M型受体的阻断剂是阿托品。 6.眼的调节主要包括晶状体的调节、瞳孔的调节和眼球会聚的调节。 7.侏儒症是由于幼年期生长激素分泌不足所致；呆小症是由于胎儿或出生后甲状腺功能低下所致。 8.卵巢的主要功能是产生卵子，并分泌雌激素、孕激素、抑制素和少量的雄激素。 9.物质跨膜转运的形式有单纯扩散、易化扩散、主动转运、出胞和入胞。 10.静息电位值接近于钾平衡电位，而动作电位超射值接近于钠平衡电位。 11.视近物时眼的调节有晶状体前凸、瞳孔缩小和视轴汇聚。 12.影响心输出量的因素有心室舒张末期容积、动脉血压、心肌收缩能力和心率。 13.体内含有消化酶的消化液有唾液、胃液、胰液和小肠液。 14.神经纤维传导兴奋的特征有生理完整性、绝缘性、双向性和相对不疲劳性。