当前位置：文档之家 › 普通晶闸管 可控硅 整流管混合模块 MFC300A1600V

普通晶闸管 可控硅 整流管混合模块 MFC300A1600V

  • 格式：pdf
  • 大小：766.39 KB
  • 文档页数：3

MFC300A
普通晶闸管、可控硅整流管混合模块
1 / 3
特点

典型应用
主要参数

1). 芯片与底板电气绝缘，2500V
交流电压
2).
全压接结构，优良的温度特性和功率循环能力
3). 体积小,
重量轻

1).
交直流电机控制
2).
各种整流电源
3).
变频器

I
T(AV)

VDRM/VRRMITSMI2t 300A600~1800V

9.3 A×10
3
432 A2S*10
3

IT(AV)IT(RMS)ITSMI2tVTOrTVTMdv/dtdi/dtIGTVGTIHVGDRth(j-c)Rth(c-h)VisoFmTstgWtSizeIDRMIRRMVDRMVRRM通态平均电流方均根电流断态重复峰值电压反向重复峰值电压断态重复峰值电流反向重复峰值电流通态不重复浪涌电流浪涌电流平方时间积门槛电压斜率电阻通态峰值电压断态电压临界上升率通态电流临界上升率门极触发电流门极触发电压维持电流门极不触发电压热阻抗(结至壳)热阻抗(壳至散)绝缘电压安装扭矩(M10)安装扭矩(M6)贮存温度质量包装盒尺寸180°正弦半波,50Hz单面散热,Tc=85℃ITM=900AVDM=67%VDRMVA=12V, IA=1AAt 67%VDRM180°正弦波, 单面散热180°正弦波, 单面散热50Hz, R.M.S, t=1min, Iiso:1mA(MAX)外形为401FITM =600A, 门极触发电流幅值IGM=1.5A,门极上升时间tr≤0.5μsVDM= VDRMVRM= VRRMVDRM&VRRM tp=10msVDSM&VRSM= VDRM&VRRM+200V符号单位测试条件参数值最小典型最大参数结温Tj(℃)10ms 正弦半波VR=0.6VRRM125
125

1251251251252512512525125600

30
1.0
20
0.2

2500
-40
12
6

1350

300
471

1800

40
9.30
432
0.80
0.72
1.58
800

100
180
2.5
150

0.100
0.04

125

A
A

V

mA
KA
A
2s*103
V
m
Ω
V
V/μs

A/μs
mA
V
mA
V
℃
/W

℃
/W

V
N·m
N·m
℃
g
mm
120×67×56（1
只装）
MFC300A
普通晶闸管、可控硅整流管混合模块
2 / 3
性能曲线图

Fig.5󱳔󰻻󰡳㗫Ϣ󱑇󰴛⬉⌕󰝇㋏󱳆㒓Fig.6
ㅵ󰻇⏽󱑺Ϣ䗮󱗕󱑇󰴛⬉⌕󰝇㋏󱳆㒓

Fig.1
䗮󱗕ӣ󱅝⡍󱗻󱳆㒓

Fig.2
㒧㟇ㅵ󰻇ⶀ󱗕⛁䰏󱡫󱳆㒓

Fig.3󱳔󰻻󰡳㗫Ϣ󱑇󰴛⬉⌕󰝇㋏󱳆㒓Fig.4
ㅵ󰻇⏽󱑺Ϣ䗮󱗕󱑇󰴛⬉⌕󰝇㋏󱳆㒓

07&󰀖󰀓󰀓

󰀓
󰀕󰀓
󰀗󰀓
󰀙󰀓
󰀛󰀓
󰀔󰀓󰀓
󰀔󰀕󰀓
󰀔󰀗󰀓

󰀓󰀔󰀓󰀓󰀕󰀓󰀓󰀖󰀓󰀓󰀗󰀓󰀓󰀘󰀓󰀓󰀙󰀓󰀓󰀚󰀓󰀓󰀛󰀓󰀓󰀜󰀓󰀓
䗮󱗕󱑇󰴛⬉⌕
I

T(AV)
,A

ㅵ
󰻇
⏽
󱑺
T
c
,
(
m
a
x
)
e
C
'&󰀕󰀚󰀓󰀔󰀛󰀓󰀔󰀕󰀓󰀜󰀓󰀙󰀓󰀖󰀓

Max.caseTemperatureVs.MeanOn-stateCurrent
360

ConductionAngle

07&󰀖󰀓󰀓
󰀓
󰀔󰀓󰀓
󰀕󰀓󰀓
󰀖󰀓󰀓
󰀗󰀓󰀓
󰀘󰀓󰀓
󰀙󰀓󰀓

󰀓󰀚󰀓󰀔󰀗󰀓󰀕󰀔󰀓󰀕󰀛󰀓󰀖󰀘󰀓
䗮󱗕󱑇󰴛⬉⌕
I

T(AV)
,A

󱳔
󰻻
䗮
󱗕
󰡳
㗫
P
T
(
A
V
)
,
(
m
a
x
)
,
W
󰀖󰀓
󰀙󰀓
󰀜󰀓
󰀔󰀕󰀓

󰀔󰀛󰀓

Max. PowerDissipationVs.MeanOn-stateCurrent

ConductionAngle󰀔󰀛󰀓󰀓07&󰀖󰀓󰀓󰀓󰀔󰀓󰀓󰀕󰀓󰀓󰀖󰀓󰀓󰀗󰀓󰀓󰀘󰀓󰀓󰀓󰀔󰀓󰀓󰀕󰀓󰀓󰀖󰀓󰀓󰀗󰀓󰀓䗮󱗕󱑇󰴛⬉⌕IT(AV),A󱳔󰻻䗮󱗕󰡳㗫PT(AV)(max),W󰀖󰀓󰀙󰀓󰀜󰀓󰀔󰀕󰀓󰀔󰀛󰀓󰀕󰀚󰀓'&Max. PowerDissipationVs.MeanOn-stateCurrent360ConductionAngle07&󰀖󰀓󰀓󰀓󰀕󰀓󰀗󰀓󰀙󰀓󰀛󰀓󰀔󰀓󰀓󰀔󰀕󰀓󰀔󰀗󰀓󰀓󰀜󰀓󰀔󰀛󰀓󰀕󰀚󰀓󰀖󰀙󰀓󰀗󰀘󰀓󰀘󰀗󰀓䗮󱗕󱑇󰴛⬉⌕IT(AV),Aㅵ󰻇⏽󱑺Tc(max),eC󰀖󰀓󰀙󰀓󰀜󰀓󰀔󰀕󰀓󰀔󰀛󰀓Max.caseTemperatureVs.MeanOn-stateCurrentConductionAngle
󰀔󰀛󰀓
󰀓

07&󰀖󰀓󰀓
󰀓󰀑󰀘
󰀔
󰀔󰀑󰀘
󰀕
󰀕󰀑󰀘
󰀖
󰀖󰀑󰀘
󰀗

󰀔󰀓󰀓󰀔󰀓󰀓󰀓󰀔󰀓󰀓󰀓󰀓
䗮󱗕󱋄󰘐⬉⌕
I

TM
,A

䗮
󱗕
󱋄
󰘐
⬉
󰥟
V
T
M
,
V
PeakOn-state VoltageVs.PeakOn-stateCurrent
TJ=125eC

󰀓󰀑󰀓󰀓
󰀓󰀑󰀓󰀕
󰀓󰀑󰀓󰀗
󰀓󰀑󰀓󰀙
󰀓󰀑󰀓󰀛
󰀓󰀑󰀔󰀓

󰀓󰀑󰀔󰀕

󰀓󰀑󰀓󰀓󰀔󰀓󰀑󰀓󰀔󰀓󰀑󰀔󰀔󰀔󰀓
󱯊䯈
t,S

ⶀ
󱗕
⛁
䰏
󱡫
Z
t
h
,
e
C
/
W
Max. junctionTocaseTermai Impedance Vs.Time4329.3100200300400500⬉⌕󱑇󱮍󱯊䯈⿃I2t,103A2SI2t Vs.Time9.3󰀕󰀖󰀗󰀘󰀙󰀚󰀛󰀜󰀔󰀓󰀔󰀔󰀓󰀔󰀓󰀓䗮󱗕⌾⍠⬉⌕ITSM,KASurgeCurrent Vs.Cyclesh
MFC300A

普通晶闸管、可控硅整流管混合模块
3 / 3
乐清市柳晶整流器有限公司（编）
外形尺寸图
401F
2
1

35G1K1G2K2486
2
1

2
3

4
4
.
5
5

2

3-M10

4-Φ6.5
38
42

93
108
125

Fig.5 䮼󱵕󰡳⥛󱳆㒓Fig.6 䮼󱵕㾺󰦥⡍󱗻󱳆㒓
󰀓
󰀕
󰀗
󰀙
󰀛
󰀔󰀓
󰀔󰀕
󰀔󰀗
󰀔󰀙
󰀔󰀛
󰀓󰀗󰀛󰀔󰀕󰀔󰀙󰀕󰀓
䮼󱵕⬉⌕
,I

GTˈA䮼󱵕⬉󰥟,VGTˈVPD[󰀑PLQ󰀑3*0 󰀔󰀕󰀓:󰀋󰀔󰀓󰀓­V㛝󱆑󰀌3*󰀕:Gatecharacteristicat25eCjunctiontemperature39󰀏󰀕󰀓󰀓0$䮼󱵕⬉⌕,IGT
ˈ
mA

䮼
󱵕
⬉
󰥟
,
V
G
T
ˈ
V
GateTriggerZoneatvariestemperature
󰀓
󰀓󰀑󰀘
󰀔
󰀔󰀑󰀘
󰀕
󰀕󰀑󰀘
󰀖
󰀖󰀑󰀘
󰀗

󰀓󰀘󰀓󰀔󰀓󰀓󰀔󰀘󰀓󰀕󰀓󰀓󰀕󰀘󰀓󰀖󰀓󰀓
125eC
25
eC

-10eC
-30eC

K2
G2

MFX(TD)
󰀖

󰀕󰀔
K1

G1

MFC(DT)
K2
G2

K2
G2

K2
G2
MFA(DT)

MFK(DT)

MFK(TD)
MFA(TD)
K1
G1

K1
G1

K1
G1

MFX(DT)
MFC(TD)

󰀔󰀕
󰀖

合集下载

二极管、晶闸管等型号命名

二极管、晶闸管等型号命名

详细参数请查询我公司网站： 品牌：TH型号：ZP5A/400V•材料：硅引用常用整流二极管型号大全极管型号:4148安装方式:贴片功率特性:大功率二极管型号:SA5.0A/CA-SA170A/CA安装方式:直插二极管型号:IN4007/IN4001安装方式:直插功率特性:小功率频率特性:低频二极管型号:70HF80安装方式:螺丝型功率特性:大功率频率特性:高频二极管型号:MRA4003T3G安装方式:贴片二极管型号:1SS355安装方式:贴片功率特性:大功率二极管型号6A10安装方式:直插功率特性:大功率;型号:2DHG型安装方式:直插功率特性:大功率二极管型号B5G090L安装方式:直插功率特性:小功率频率特性:超高频型号最高反向峰值电压(v) 平均整流电流(a) 最大峰值浪涌电流(a 最大反向漏电流(Ua) 正向压降(V) 外型IN4001 50 1.0 30 5.0 1.0 DO--41IN4002 100 1.0 30 5.0 1.0 DO--41IN4003 300 110 30 5.0 1.0 DO--41IN4004 400 1.0 30 5.0 1.0 DO--41IN4005 600 1.0 30 5.0 1.0 DO--41IN4006 800 1.0 30 5.0 1.0 DO--41IN4007 1000 1.0 30 5.0 1.0 DO--41IN5391 50 1.5 50 5.0 1.5 DO--15IN5392 100 1.5 50 5.0 1.5 DO--15IN5393 200 1.5 50 5.0 1.5 DO--15IN5394 300 1.5 50 5.0 1.5 DO--15IN5395 400 1.5 50 5.0 1.5 DO--15IN5396 500 1.5 50 5.0 1.5 DO--15IN5397 600 1.5 50 5.0 1.5 DO--15IN5398 800 1.5 50 5.0 1.5 DO--15IN5399 1000 1.5 50 5.0 1.5 DO--15RL151 50 1.5 60 5.0 1.5 DO--15RL152 100 1.5 60 5.0 1.5 DO--15RL153 200 1.5 60 5.0 1.5 DO--15RL154 400 1.5 60 5.0 1.5 DO--15RL155 600 1.5 60 5.0 1.5 DO--15RL156 800 1.5 60 5.0 1.5 DO--15RL157 1000 1.5 60 5.0 1.5 DO--15普通整流二极管参数(二)型号最高反向峰值电压(v) 平均整流电流(a) 最大峰值浪涌电流(a 最大反向漏电流(Ua) 正向压降(V) 外型RL201 50 2 70 5 1 DO--15RL202 100 2 70 5 1 DO--15 RL203 200 2 70 5 1 DO--15 RL204 400 2 70 5 1 DO--15 RL205 600 2 70 5 1 DO--15 RL206 800 2 70 5 1 DO--15 RL207 1000 2 70 5 1 DO--15 2a01 50 2 70 5 1.1 DO--15 2a02 100 2 70 5 1.1 DO--15 2a03 200 2 70 5 1.1 DO--15 2a04 400 2 70 5 1.1 DO--15 2a05 600 2 70 5 1.1 DO--15 2a06 800 2 70 5 1.1 DO--15 2a07 1000 2 70 5 1.1 DO--15 RY251 200 3 150 5 3 DO--27 RY252 400 3 150 5 3 DO--27 RY253 600 3 150 5 3 DO--27 RY254 800 3 150 5 3 DO--27 RY255 1300 3 150 5 3 DO--27 普通整流二极管参数(三)IN5401 50 3 200 5 1 DO--27 IN5402 100 3 200 5 1 DO--27 IN5403 150 3 200 5 1 DO--27 IN5404 200 3 200 5 1 DO--27 IN5405 400 3 200 5 1 DO--27 IN5406 600 3 200 5 1 DO--27 IN5407 800 3 200 5 1 DO--27 IN5408 1000 3 200 5 1 DO--27 6a05 50 6 400 10 0.95 R--6 6a1 100 6 400 10 0.95 R--6 6a2 200 6 400 10 0.95 R--66a4 400 6 400 10 0.95 R--6 6a6 600 6 400 10 0.95 R--6 6a8 800 6 400 10 0.95 R--6 6a10 1000 6 400 10 0.95 R--6 P600a 50 6 400 10 0.95 R--6 P600B 100 6 400 10 0.95 R--6 P600D 200 6 400 10 0.95 R--6 P600G 400 6 400 10 0.95 R--6 P600J 600 6 400 10 0.95 R--6 P600K 800 6 400 10 0.95 R--6 P600M 1000 6 400 10 0.95 R--6ZP型普通整流管（平板型）适用范围：适用于机车电传，电解，充电，电机励磁，电机调速领域的变流装置。

具有卓越性能与高可靠性的1700 v x系列hvigbt功率模块

具有卓越性能与高可靠性的1700 v x系列hvigbt功率模块


THE WORLD OF INVERTERS 《变频器世界》July, 2019
•采用最新功率芯片以降低模块整体功耗； •采用专用生产线及可追溯性管理进行质量控制。 三菱电机从本世纪初就着力于开发机车牵引用
1700V IGBT模块，至今拥有多年研发经验与开发历 史，并于2018年发布了为满足机车牵引应用的苛刻要 求所开发的最新一代1700V IGBT功率模块：X系列 HVIGBTo图1给出了三菱电机1700V IGBT模块的发
附表1700vx系列hvigbt产品列表内部拓扑封装尺寸电流规格产品型号单管190mm140mm2400a3600acm2400hcb34xcm3600hc34x单管130mm140mm伊1600a2400acm1600hc34xcm2400hc34x斩波单元130mm140mm楼1200acm1200e4c34x双管100mm140mm1000a1200a1200acm1000dc34xsicm1200dc34xsicmh1200dc34x混合sic率变换器制造商已经验证了采用这类封装模块的变换器的可靠性而现在可以利用x系列模块的先进技术来进一步提高变换器性能
变换器驱动部分必须采用具有高可靠性与高鲁棒性的开
关器件。一般情况下，母线电压低于1000V的2电平 应用系统以及母线电压高于1000V的3电平应用系统 会采用1700V IGBT模块进行开发。
三菱电机着力于从以下3个方面来不断提高其 IGBT功率模块的品质：
•充分考虑模块安全工作区的裕量，采用高鲁棒性 设计；
CM1200E4C-34X
双管
100 mm*140 mm
1000A 1200A 1200A
CM1000DC-34X (Si)
CM1200DC-34X (Si) CMH1200DC-34X(混合 SiC)
可控硅模块MTC1200A

可控硅模块MTC1200A


di/dt 通态电流临界上升率
IGT
门极触发电流
VGT
门极触发电压
IH
维持电流
VGD
门极不触发电压
测试条件
180°正弦半波，50HZ 单面散 热，Tc=85℃
VDRM&VRRM tp=10ms VDsM&VRsM= VDRM&VRRM+200V VDM= VDRM VRM= VRRM 10ms 底宽，正弦半波 VR=0.6 VRRM
MTC1200A
circuit Diagram：
M 1 0 76
散热形式：水冷型模块外型图 M1076S
M 1076S
杭州西整电力电子科技有限公司
Hangzhouxizheng Power electronics technology co. LTD.
Ver:XZ0318
第4页
可控硅（晶闸管）模块 Thyristor Module
1.70
100 1.2
单位 最大
1200 A 1884 A 1800 V
30 mA
24.0 2800 0.80 0.29 1.90 800
KA 103A2S
V mΩ
V V/μs
100 A/μs
200 mA
3.0
V
150 mA
0.2
V
杭州西整电力电子科技有限公司
Hangzhouxizheng Power electronics technology co. LTD.
IT(AV) VDRM/VRRM ITSM I2t
1200A 600~1800V 24 KA 2800 103A2S
符号
参数
IT(AV)
典型习题解答

典型习题解答

1、在题图所示的单相半波整流电路中，R=10Q, L=50niH, E=100V, Rr=I Q , u=(100v2 S m 3t) V, &50Hz,当纯电阻负载，纯电感与电阻串联负载以及反电动势负载三种情况下，直流输出电压的平均值Ud 。

直流输出电流的平均值Ido 加在二极管上的反向峰值电压。

题图电阻性负载时输出波形如上图a 所示。

Ud = 2/rJo suwtd (3t) = 7t x 100V=45A454W= R = 10 =4.5 AX1OOV=141.4V题图感性负载时输出波形如上图b 所示。

二极管一导通，下面电压方程式成立。

L dt +Rj “ = V2 Usui 31当 31=0 时,id=0■Rt/则i d =Inisin ( 3 ) -rliiisinv ① e L①②③①②③客忑UZ （coL\其中叶7F 育妇"叫下J图b 中在三种时间常数时电流波形曲线P 角随%Q 的减小而增人。

负载为纯电感时,lim 幺一胁/（乩）=1lim Q W （常）=yR —>0/?—>0R4iu （、 . ------- （l-cos 曲）coL 即必=2兀4龙，时，，d =°,即二极管在此时刻才截止。

U d： ^^（1 一cos 曲>/（曲）=^^ = 9A_02於 Q coLcoLURV -U题图c 反电动势负载时输出波形如图c 所示。

设二极管导通时的角度为a 截止时的角度为则—[f 1(V2 x lOOsni cot - E\l(cot)= Ud=E+2/rJ 1 卜譽卜 gsA-cos%)= 106.8V±(U d -E )=6.SA K )U RV =E + 42U = 241AV2、晶闸管单相半波可控整流，设交流电压有效值为U ,频率为f,负载为电感性负载，延迟角为S 如图所示。

绘出输出电压叫的波形以及输出电流，d 的波形，并求出心及匚来。