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晶体学习题库

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竞答试题-公司工会 一、填空题 1. 硅的密度是 2.33 /厘米3；硅的熔点是 1420 ℃；硅的沸点是 2355 ℃；硅的化学符号是 Si ；原子序

列号 14 。 2. 单晶硅的晶向分别有 100 、 110 、 111 。

3. ISO是_国际标准化__组织的英语简称。

4. 我公司目前推行ISO9001:2008__质量管理__体系。

5. 常见的单晶生长方法有两种，分别是 悬浮区熔法(FZ) 和 直拉法(CZ) 。

6. 硅片的厚度是由 槽距 、 线径 、 砂子粒径 决定的。

7. N型是 电子 导电，P型是 空穴 导电。

8. 公司的体系文件分为三阶，其中一阶文件为 质量手册__，二阶文件为_程序文件_，三阶文件包括__管理文件_，

作业指导书和_工艺文件_等。 9. 20世纪中期,线切割机是由前苏联 拉扎林科夫妇 发明的。

10. P型6.5寸硅片面积 154.8cm2，P型8寸硅片面积 239 cm2，N型6.3寸硅片面积 153.3 cm2。

11. 目前我公司现有的线切机的型号是 MWM442DM 、 PV800H 、DS264-4、PV500D、 PV500HD 、DW288 。

12. 单晶硅按晶体生长方法的不同，分为直拉法（CZ）、区熔法（FZ）和外延法。直拉法、区熔法生长单晶硅棒材，

外延法生长单晶硅薄膜。直拉法生长的单晶硅主要用于半导体集成电路、二极管、外延片衬底、太阳能电池。区熔法单晶主要用于高压大功率可控整流器件领域，广泛用于大功率输变电、电力机车、整流、变频、机电一体化、节能灯、电视机等系列产品。外延片主要用于集成电路领域。 13. 2002年环欧公司成功拉制出中国第一颗Φ6英寸区熔硅单晶，2011年成功拉制出中国第一颗Φ8英寸区熔硅单

晶并形成自主知识产权。 14. 拉制N型单晶所掺合金为P-Si合金，拉制P型单晶所掺合金为B-Si合金。

15. 内蒙古中环光伏材料有限公司成立于2009年3月10日，由天津市环欧半导体材料技术有限公司和上海航天汽

车机电股份有限公司共同投资组建，项目共分为 四期 ，建成后为年产能800-1000MW的太阳能单晶硅锭、硅片生产基地。 16. 切割液的粘度是碳化硅微粉悬浮的重要保证。由于在整线切割过程中，碳化硅微粉是悬浮在切割液上而通过钢

线进行切割的，所以切割液主要起悬浮和冷却的作用。 17. 直拉硅单晶的氧杂质在低温热处理时，会产生施主效应，使得N型硅晶体的电阻率下降，P型硅晶体的电阻率

上升。施主效应严重时，能使P型硅晶体转化为N型，这就是氧的施主效应。氧的施主效应可以分为两种情况，有不同的性质，一种是在350～500℃左右温度范围生成的，称为热施主；一种是在550～800℃左右温度范围形成的，称为新施主。 18. 目前晶片制造一部有9个生产工序，分别是：切断、线切方、砂浆房、滚磨、粘棒、线切442、PV800、脱胶、

清洗。 19. 5W2H分析法叫做七何分析法或者是5W2H法。5W指What、Who 、When、Where、Why，2H指How、How much。

20. PDCA循环又叫戴明环，是美国质量管理专家戴明博士提出的，它是全面质量管理所应遵循的科学程序。全面质

量管理活动的全部过程，就是质量计划的制订和组织实现的过程，这个过程就是按照PDCA循环，不停顿地周而复始地运转的。 21. Statistical Process Control的缩写S P C表示的含义分别为：Statistical: 用统计方法通过样本数据监控

和分析过程的变化；Process : 分解确保质量的要素，理解管理计划的必要性，确保树立管理计划能有效实施；Control:早期预报Process的变化，具备在最终Output出现前能纠正问题的时间。 22. QF-1250切割6.5寸单晶有 52 个导轮。

23. MWM442DM共有滑轮 17 个，PV800H共有滑轮 12 个， DS264-4共有滑轮 6 个。

24. 热熔胶的熔点大约在什么范围__C__。

A 40-60℃ B 70-90℃ C 100-120℃ D 130-150℃ 25. WSK011A型数控单/多晶硅专用平面磨床现在磨削单晶所使用的砂轮分别是 1000目 、200-230目。

26. 外圆手感不良是由以下什么原因造成的（ ABC ）。

A：砂轮不平 B: 导轨有间隙 C:主轴有间隙 27. NTC442机台使用的玻璃板长度为 325 mm。

28. 美国蓝胶A胶的 型号为 1339A ，B胶的型号为 3939B 。

29. 无水乙醇（酒精）的化学分子式是 C2H60 。

30. 粘棒房的温度要求是 25±5℃ 、 湿度要求是 20%—70%Rh 。

31. 脱胶机脱胶过程中是否使用纯水 否

32. 新带锯时的转速设置为 750r ，张力为 280N ，进给速度 20mm/min ，切割 10刀之后，调整为正常速度。（以

切割Φ6.5″单晶参数为基准）。 33. 数控金刚石带锯床型号是 GK5720/1 ，型最大锯削直径 230mm ，进给滑台最大行程360mm，锯带轮直径

460mm 。 34. PV800线切工序正常砂浆密度范围 1.650---1.660 ，高密度砂浆（洗机器）1.660—1.670。

35. 442密度为1.650—1.660 N型密度范围 1.653---1.657

36. 调高密度0.001加碳化硅 0.87kg 。

37. 调低密度0.001加切割液 0.9kg 。

38. 清洗制绒的目的 捕获更多的光子、 消除表面污染 、 去除损伤 。

39. 5S推进八大要诀是全员参与、其乐无穷；（ ）；领导挂帅；（ ）；（ ）；领

导巡视现场；上下一心、彻底推进；以5S为改善的桥梁。 答案：培养5S大气候；彻底理解5S精神；立竿见影的方法； 40. 工作计划三阶段（ ）、（ ）、（ ）

答案：准备阶段、运行阶段、反省改善阶段 41. 现场巡查的注意点态度要严肃认真、要解决问题而非炫耀、（ ）、认员工发表意见、（ ）、

记录问题并及时解决、（ ）。 答案：人员要精简；及时的表扬和批评；发放5S问题改善通知书. 42. 实施评价阶段之局部推进阶段（ ）、（ ）（ ）、（ ）。 答案：现场诊断、选定样板区、实施改善、效果确认。 43. 红牌作战在工厂内找到问题点，并悬挂红牌让大家明白并（）去改善从而达到（ ）（ ）。

答案：积极地，整理、整顿的目的。 44. 标准化的概念对于一项任务，将目前认为最好的（ ）作为标准，让所有做这项工作的人执行这个标准并

不断完善它，整个过程称之为（ ）。 答案：实施方法；标准化 45. 标准的作用与目的是降低成本减少变化、便利性和兼容性,累计（积）技术, 明确责任。( )、( )、

( ). 答案：统一化,通用化,系统化 46. 标准化的流程( )、( )、( )

答案：通用效果、附带效果、特别效果 47. 五现手法( )( )( )( )( ).

答案：现场,现物,现实,原理,原则。 48. PDCA的特点( )( )( )

答案：1周而复始的循环2是一个逻辑的组合3螺旋式的上升。 49. 解决问题的5W1H( )( )( )( )( )( )

答案：why what where who when how 50. 改善物流的方法( ),( )

答案：1根据生产量分段投料2均衡安排生产 51. 布局设计的要点( )( )

答案：1制作详细的立体规划图2生产线的规划 52. 5S是 （ 整理,整顿,清扫,清洁,素养 ） .

53. 整理的对象主要在(清理现场被占有而无效用的空间).

54. 整顿的对象主要在(减少工作场所任意浪费时间)的场所.

55. 定位形状一般有叁种: (全格法 ,直角法 , 影绘法 ).

56. 清扫:(将不需要的东西清除掉 ,保持工作现场无垃圾,无污秽状态.)

57. 5S的重心是 （素养 ）.

58. 整顿是指(对需要的东西，按规定位置摆放整齐，并做好标识进行管理)。

59. 5S管理源于日本，指的是在 （生产现场），对（人员）、（机器）、（材料）等生产要素开展相应的整理、整顿、

清扫、清洁、素养等活动。 60. 区分工作场所内的物品为“要的”和“不要的”是属于5S中的 (整理) 。

61. 整顿主要是排除 (寻找物品的时间 )浪费。

62. 5S中 (素养)是针对人的品质的提升，也是5S活动的最终目的。 63. 5S是一种用于（现场管理）科学有效的管理工具。

64. 防火的基本措施：(控制可燃物、隔绝助燃物、消除助燃物、阻止火势蔓延。)

65. vcs中文含义是（视觉化管理），vcs类别分别是（视觉显示）、（视觉控制）、（视觉警示）。

66. B类火灾是 指液体火灾和熔化的固体物质火灾。

67. 物品定置的“三定法则”指的是（定物）、（定位）、（定量）。

68. 在切断工序将硅棒切断后搬运晶棒时一定要带（防滑手套），以免造成晶棒（脱手）和划伤手

69. 管理革新部负责文件的生效、发放、保存和作废等。

70. 工艺研发部负责技术图纸的生效、发放及作废等管理。

71. 办公用品领用需要（公司办公室）部门办公用品主管签字方可去库房领取。

72. 硅属元素周期表第三周期ⅣA族，原子序数14，原子量 28 ，原子价主要为 4 价。

73. 硅晶体中原子以 共价 键结合，具有 金刚石 型晶体结构。

74. 硅的熔点为 1420 ℃，硅（固体）的密度为 2.33 g/cm3。

75. 当硅中掺杂以施主杂质(v 族元素：磷、砷、锑等)为主时，以 电子 导电为主，成为 N 型硅；当硅中掺杂以

受主杂质(Ⅲ族元素：硼、铝、镓等)为主时，以 空穴 导电为主，成为 P 型硅。 76. 固体物理学选取最小的平行六面体重复单元，称为 原苞 ；晶体学则选取比较大的单元，不仅在顶角，在面

心和体心也可以有格点，这样的单元称为 晶苞 。 77. ＜111＞晶向单晶有 3条 棱线，＜110＞晶向单晶有 2条 棱线，＜100＞晶向单晶有 4条 棱线。

78. 准方单晶（Φ200、Φ165）垂直度要求为 90°±12 ,即为（ 89°48´～90°12 ）。准方单晶（Φ160）内控

垂直度要求为 90°±4′,即为（89°56´～90°04´12 ）。准方单晶（Φ150）垂直度要求为 90°±0.2° ,即为（ 89°48´～90°12´）。目前晶体检验部测试准方单晶垂直度的工具是 万能角度尺或游标角度规。 79. 检验员在检验前应检查需检验硅片的规格是否（ 线纹 ）相一致。

80. WA-200主要测试参数（ 电阻率 ）、（ 翘曲度 ）、（总厚度变化 ）、 （ TTV ）、（ 型号 ）。

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【小初高学习]2018年高考化学一轮复习 每日一题 晶体类型的判断及熔、沸点比较 新人教版

【小初高学习]2018年高考化学一轮复习 每日一题 晶体类型的判断及熔、沸点比较 新人教版

晶体类型的判断及熔、沸点比较高考频度：★★★☆☆难易程度：★★☆☆☆典例在线C和Si元素在化学中占有极其重要的地位。

（1）SiC的晶体结构与晶体硅的相似，其中C原子的杂化方式为________，微粒间存在的作用力是______________________________。

SiC和晶体Si的熔沸点高低顺序是________________。

（2）C、Si为同一主族的元素，CO2和SiO2的化学式相似，但结构和性质有很大的不同。

CO2中C与O原子间形成σ键和π键，SiO2中Si与O原子间不形成上述π键。

从原子半径大小的角度分析，为何C、O 原子间能形成上述π键，而Si、O原子间不能形成上述π键：_____________________________，SiO2属于________晶体，CO2属于________晶体，所以熔点CO2________SiO2(填“＜”“＝”或“＞”)。

（3）金刚石、晶体硅、二氧化硅、CO2四种晶体的组成微粒分别是___________，熔化时克服的微粒间的作用力是__________________。

【参考答案】（1）sp3共价键SiC＞Si（2）Si的原子半径较大，Si、O原子间距离较大，p-p轨道肩并肩重叠程度较小，不能形成上述稳定的π键原子分子＜（3）原子、原子、原子、分子共价键、共价键、共价键、分子间作用力【试题解析】（1）晶体硅中一个硅原子周围与4个硅原子相连，呈正四面体结构，所以杂化方式是sp3，因为Si－C的键长小于Si－Si，所以熔沸点碳化硅＞晶体硅。

（2）SiO2为原子晶体，CO2为分子晶体，所以熔点SiO2＞CO2。

（3）金刚石、晶体硅、二氧化硅均为原子晶体，组成微粒为原子，熔化时破坏共价键；CO2为分子晶体，由分子构成，CO2分子间以分子间作用力结合。

解题必备1．晶体类型的判断方法（1）依据构成晶体的微粒和微粒间的作用力判断①离子晶体的构成微粒是阴、阳离子，微粒间的作用力是离子键。

分子晶体专题训练1-教师版

分子晶体专题训练1-教师版

分子晶体专题训练1班级：________________，姓名：__________________。

1.下列物质中属于分子晶体的是（）①二氧化硅，②碘，③镁，④蔗糖，⑤冰。

A.①②④B.②③⑤C.②④⑤D.①②④⑤【答案】C【解析】②碘是分子晶体，④蔗糖是分子晶体，⑤冰是分子晶体，即属于分子晶体的有②④⑤。

2.下列叙述正确的是（）A.由分子构成的物质其熔点一般较低B.分子晶体在熔化时，共价键被破坏C.分子晶体中分子间作用力越大，其化学性质越稳定D.物质在溶于水的过程中，化学键一定会被破坏或改变【答案】A【解析】B.分子晶体熔化时共价键未被破坏，B错误；C.分子晶体的稳定性与共价键有关，C错误；D.物质溶于水化学键不一定被破坏或改变，例如蔗糖溶于水，D错误。

3.单质碘的熔、沸点较低，其原因是（）A.碘的非金属性较弱B.碘分子中键能较小C.固态碘单质中碘分子间以范德华力结合D.I—I共价键的键长较长【答案】C【解析】碘单质是分子晶体，碘分子间以范德华力结合，影响分子晶体熔沸点的是范德华力，范德华力较弱，故单质碘的熔、沸点较低，C符合题意。

4.有四组同一族元素所形成的不同物质，在101 kPa时测定它们的沸点(℃)如下表所示：A.第四组物质中H2O的沸点最高，是因为H2O分子中化学键键能最大B.第三组与第四组相比较，化合物的稳定性：HBr>H2SeC.第三组物质溶于水后，溶液的酸性：HF>HCl>HBr>HID.第一组物质是分子晶体，一定含有共价键【答案】B【解析】A.第四组物质中H2O的沸点最高，是因为H2O分子之间可以形成氢键，A错误；B.Se和Br同为第四周期元素，Br的非金属性较强，故氢化物的稳定性为HBr>H2Se，B正确；C.第三组物质溶于水后，HF溶液的酸性最弱，C错误；D.第一组物质是分子晶体，但分子中不一定含有共价键，如稀有气体分子中无共价键，D错误。

2013_晶体结构习题-答案

2013_晶体结构习题-答案

晶体结构习题1. 对于面心立方点阵：(1) 写出 {111} 晶面族包含的所有晶面的晶面指数；(2) 在一个晶胞中画出 {111} 晶面族所有晶面（每个晶面为三角形）； (3) 在以上图中，标出所有晶面交线（三角形三条边）的晶向指数。

1、（1）{111}=（111）+（T11）+（1T1）+（11T ）+（TTT ）+（1TT ）+ （T1T ）+（TT1） （2）略（3）<110>= [110]+[101]+[011]+[T10]+[T01]+[0T1]+[TT0]+[T0T]+ [0TT]+[1T0]+[10T]+[01T]2. 对于面心点阵，计算回答下列问题 (1) [111] 与 [011] 的晶向夹角 ; (2) (101) 与（ 111 ）晶面的夹角 ;(3) (100) 、 (110) 、 (111) 面是否属于同一晶带轴。

2、(1) 解：3/623110cos 232221232221332211=⋅++=++⋅++++=⋅⋅=bb b a a a b a b a b a ba ba φ()3/6arccos =φ （2）解：()3/6arccos =φ（3）不属于同一晶带。

3. 对于立方晶系，证明 (hkl) 晶面与 [hkl] 晶向垂直。

证明：由晶带定律可知：对于任一属于(hkl)晶面的 [uvw] 晶向，应满足： hu+kv+lw =0对于两晶向[hkl]与[uvw]的夹角为0cos 232221232221332211=++⋅++++=⋅⋅=bb b a a a b a b a b a ba ba φ故(hkl) 晶面与 [hkl] 晶向垂直4. 分别计算面心立方、体心立方点阵 {001} 、 {011} 、 {111} 面的面间距。

解：面心立方，当(hkl)不为全奇或全偶时，有附加面：{001} 、 {011} d(001)=a a5.0001212=++d(011)=221a d(111)=3a体心立方，当h+k+l=奇数时，有附加面：{001} 、{111} d(001)=a a5.0001212=++d(011)=2ad(111)=32a5. Cu 的密度为 8.96 g/cm3, 计算 CU 的点阵常数与原子半径。

固体物理题库-第一章-晶体的结构

固体物理题库-第一章-晶体的结构

第一章 晶体的结构一、填空体〔每空1分〕1. 晶体具有的共同性质为长程有序、自限性、各向异性。

2. 对于简立方晶体，如果晶格常数为a ，它的最近邻原子间距为 a ，次近邻原子间距为a 2，原胞与晶胞的体积比 1：1 ，配位数为 6 。

3. 对于体心立方晶体，如果晶格常数为a ，它的最近邻原子间距为a 2/3，次近邻原子间距为 a ，原胞与晶胞的体积比 1：2 ，配位数为 8 。

4. 对于面心立方晶体，如果晶格常数为a ，它的最近邻原子间距为a 2/2，次近邻原子间距为 a ，原胞与晶胞的体积比 1：4 ，配位数为 12 。

5. 面指数(h1h2h3)所标志的晶面把原胞基矢a1,a2,a3分割,其中最靠近原点的平面在a1,a2,a3上的截距分别为__1/h1_,_1/h2__,__1/h3_。

6. 根据组成粒子在空间排列的有序度和对称性，固体可分为晶体、准晶体和非晶体。

7. 根据晶体晶粒排列的特点，晶体可分为单晶和多晶。

8. 常见的晶体堆积结构有简立方〔结构〕、体心立方〔结构〕、面心立方〔结构〕和六角密排〔结构〕等，例如金属钠〔Na 〕是体心立方〔结构〕，铜〔Cu 〕晶体属于面心立方结构，镁〔Mg 〕晶体属于六角密排结构。

9. 对点阵而言，考虑其宏观对称性，他们可以分为7个晶系，如果还考虑其平移对称性，那么共有14种布喇菲格子。

10.晶体结构的宏观对称只可能有以下10种元素： 1 ，2 ，3 ，4 ，6 ，i ， m ，3，4，6，其中 3和 6不是独立对称素，由这10种对称素对应的对称操作只能组成32个点群。

11.晶体按照其基元中原子数的多少可分为 复式晶格 和 简单晶格 ，其中简单晶格基元中有 1 个原子。

12. 晶体原胞中含有 1 个格点。

13. 格纳-塞茨原胞中含有 1 个格点。

二、根本概念 1. 原胞原胞：晶格最小的周期性单元。

2. 晶胞结晶学中把晶格中能反映晶体对称特征的周期性单元成为晶胞。