《电工电子基础》复习题
第九章常用半导体器件
一、填空题
1、电路如图所示，二极管为同一型号的理想元件，电阻R = 4 kΩ，电位u A= 1V，u B =3V，则电位u F等于。
u
A
u B u F
2、稳压管电路如图所示，稳压管D Z1 的稳定电压U Z1 =12V，D Z2 的稳定电压为U Z2= 6V，则电压U O等于。
R
3、电路如图所示，二极管为理想元件，u i=3sinωt V，U=3V，当ωt= 0 瞬间，输出电
压u O 等于
。
u O
4、已知某晶体管的穿透电流I CEO=0.32mA，集基反向饱和电流I CBO= 4μA ，如要获得 2.69 mA的集电极电流，则基极电流I B 应为。
二、分析计算题
1、电路如图1 所示，设输入信号u I1,u I2的波形如图2 所示，若忽略二极管的正向压降，试画出输出电压u O的波形，并说明t1,t2时间内二极管D1，D2 的工作状态。
u
I2
D
1
图1
图2
u
I1
u
2、电路如图所示，试分析当u I V
=3时，哪些二极管导通？当u
I
V
=0时，哪些二极管导通？（写出分析过程并设二极管正向压降为0.7 V）。
D
1
D
2
D
3
4
3、电路如图1 所示，设D1，D2均为理想元件，已知输入电压u i=150sinωt V 如图2 所示，试画出电压u O的波形。
D
2
D
1
u
O
+
-
图1 图2
4、电路如图1 所示，二极管D 为理想元件，u i = 6sinωt V如图2 所示，U = 3V，
请画出输出电压u O 的波形
5、电路如图所示，通过计算判断晶体管T在以下情况的工作状态。（1）u I = 3V；（2）u I = -3V。
10V
1kΩ
β=50
6、图所示电路中，二极管D 为理想元件，设u i =10sinωt V，稳压管D Z的稳定电压为5V，正向压降不计，试画出电压u O的波形。
《电工电子基础》复习题参考答案
第九章 常用半导体器件
一、填空题
1、1 V
2、6V
3、0v
4、 0.03mA
二、分析计算题
1、解：
t 1:D 1 导 通，D 2 截 止
t 2:D 2 导 通，D 1 截 止
2、解：
当 u I V =3 时，二 极 管D 2，D 3，D 4 外 加 正 向 电 压 而 导 通，a 点 电 位2.1 V ， 二 极 管D 1 外 加 反 向 电 压 而 截 止。 当 u I V =0 时， 二 极 管D 1 导 通， a 点 电 位 为0.7V ， 不 足 以 使 二 极 管 D 2，D 3 和D 4 导 通 故 而 截 止。
3、解：
4、解：
u i
u i
5、解：电路可用戴维南定理等效为：
其中：R B = R 1 // R 2=8k Ω
18.0)5()
5(I 22
1I B -=-+?+--=
u R R R u u
（1）当u I = 3V 时，u B = 1.4V ，三极管截止。 （2）当u I = -3V 时：u B = -3.4V ，
基极电流（方向朝左）：mA 43.00B
B
B =-=
R u I βI B =21.3mA 集电极饱和电流：mA 10)
10(0c
cs =--=
R I βI B >I cs ，所以三极管深度饱和。
6、解：
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半导体器件物理复习题 第二章： 1） 带隙：导带的最低点和价带的最高点的能量之差，也称能隙。 物理意义：带隙越大，电子由价带被激发到导带越难，本征载流子浓度就越低，电导率也就越低 2）什么是半导体的直接带隙和间接带隙？ 其价带顶部与导带最低处发生在相同动量处(p ＝0)。因此，当电子从价带转换到导带时，不需要动量转换。这类半导体称为直接带隙半导体。 3）能态密度：能量介于E ～E+△E 之间的量子态数目△Z 与能量差△E 之比 4）热平衡状态：即在恒温下的稳定状态.(且无任何外来干扰,如照光、压力或电场). 在恒温下,连续的热扰动造成电子从价带激发到导带，同时在价带留下等量的空穴.半导体的电子系统有统一的费米能级,电子和空穴的激发与复合达到了动态平衡，其浓度是恒定的，载流子的数量与能量都是平衡。即热平衡状态下的载流子浓度不变。 5）费米分布函数表达式？ 物理意义：它描述了在热平衡状态下,在一个费米粒子系统（如电子系统）中属于能量E 的一个量子态被一个电子占据的概率。 6 本征半导体价带中的空穴浓度： 7）本征费米能级Ei ：本征半导体的费米能级。在什么条件下，本征Fermi 能级靠近禁带的中央：在室温下可以近似认为费米能级处于带隙中央 8） 本征载流子浓度n i : 对本征半导体而言，导带中每单位体积的电子数与价带每单位体积的空穴数相同,即浓度相同，称为本征载流子浓度，可表示为n ＝p ＝n i . 或：np=n i 2 9) 简并半导体：当杂质浓度超过一定数量后，费米能级进入了价带或导带的半导体。 10) 非简并半导体载流子浓度 : 且有: n p=n i 2 其中: n 型半导体多子和少子的浓度分别为: p 型半导体多子和少子的浓度分别为: 第三章： 1）迁移率：是指载流子（电子和空穴）在单位电场作用下的平均漂移速度，即载流子在电场作用下运动速度的快慢的量度，运动得越快，迁移率越大。定义为： 2）漂移电流: 载流子在热运动的同时，由于电场作用而产生的沿电场力方向的定向运动称作漂移运动。所构成的电流为漂移电流。定向运动的平均速度叫做漂移速度。在弱电场下，载流子的漂移速度v 与电场强度E 成正比, 定义为： m q c τμ =
《电工电子技术》期末综合练习题 一．单项选择题 1、图1所示电路中的电流I为（ A ）。 A. -1A B. 1A C. 2A 2、图2所示电路中电流I为（ B ）。 A. 5A B. -15A C. -5A 3、图3所示电路中，电流表正负接线端用“+”、“-”号标出。今电流表指针正向偏转，示数10A，有关电流、电压方向也表示在图中，则（C ）正确。 A. I1=10A，U=-6V B. I1=-10A，U=6V C. I1=10A，U=12V + - A ? 20V 24V 10Ω 6Ω 3Ω I1 I 10A 5A ? ? ? R R R R3 R2 R1 I 3A -2A 2A R4 R3 R2 R1 图1 图2 U 图3
4、图4 A. -3V B. 5A C. 2A 5、图5 所示电路中U 为（ A ） 。 A. 30V B. -10V C. -40V 6、图6所示电路中，判断电阻R 中流通的电流及消耗的功率为（ A ）。 A. 1A ，2W B. 2A ，4W C. 2A ，2W 7、图7所示电路中，判断电阻R 。 A. 0A ，2W B. 1A ，2W C. 1A ，4W 8、图8所示电路中，电位器R P1的滑动端向下移动及R P2的滑动端向右移 动时，电流I 1、I 2的变化趋势是（ B ）。
A. I 1减小，I 2增大 B. I 1增大，I 2减小 C. I 1不变，I 2减小 9、图9 A. 0V B. 2V C. 10V 10、在正弦交流纯电感电路中，电压与电流的关系是（ C ）。 A. i= L u B. I=L U C. I=L U ω 11、在正弦交流纯电容电路中，电压与电流的关系是（ C ）。 A. i= C u ω B. I=C U C. I=U ωC 12、图10所示电路的I 、U 表达式为（ B ）。 A. I 1=I-I S ，U= g I I S -- B. I 1=-I-I S ，U= g I I S -- C. I 1=I-I S ，U=g I I S - 13、通常所说的交流电压220V 是指它的（ A ）。 A.有效值 B. 平均值 C. 最大值
中国石油大学《电工电子学》综合复习资料 一、单项选择题 1. 图示电路中，发出功率的电路元件为（ b ）。 a. 电压源； b. 电流源； c. 电压源和电流源。 2. 图示电路中， 电流值I=（ a ）。 a. 2A ； b. 4A ； c. 6A ； d. -2A 。 3. 图示电路中，电压相量U =100∠30°V ，阻抗Z=6+j8Ω，则电路的功率因数COS φ为（ b ）。 a. 0.5； b. 0.6； c. 0.8； d. 0.866。 4. 某电路总电压相量U =100∠30°V ，总电流相量I =5∠-30°A ，则该电路的无功功率Q=（ c ）。 a. 0var ； b. 250var ； c. 3250var ； d. 500var 。 5. 额定电压为380V 的三相对称负载，用线电压为380V 的三相对称电源供电时，三相负载应联接成（ b ）。 a. 星形； b. 三角形； c. 星形和三角形均可。 6. 当发电机的三个绕组联成Y 接时，在对称三相电源中，线电压)30sin(2380o BC t u -=ωV ，则相电压A u =( d )。 a. () 90sin 2220+t ωV ； b. () 30sin 2220-t ωV ； C. () 120sin 2220+t ωV ； d. () 60sin 2220+t ωV 。
7. 图示电路中，三相对称电源线电压为380V ，三相对称负载Z=6+j8Ω，则电路中A 相线电流大小IA=（ a ）。 a. 338A ； b. 38A ； c. 322A ； d. 22A 。 8. 图示电路中，开关S 在位置”1”时的时间常数为τ1，在位置”2”时的时间常数为τ2，则τ1与τ2的关系为( b )。 a.τ1=τ2； b.τ1=τ2/2； c.τ1=2τ2。 9. 图示电路中，E=40V ，R=50K Ω，C=100μF ，t=0时刻开关S 闭合，且0)0(=-c u V 。则t=5s 时， c u =（ d ）。 a. 3.68V ； b. 6.32V ； c. 14.72V ； d. 25.28V 。 10、电阻是 a 元件，电感是 a 元件，而电容是 a 元件，电感和电容都 a 。 a.耗能 b.不耗能 c.储存电场能 d.储存磁场能 11、有额定功率P N ＝100W ，额定电压U N ＝220V 的电阻两只，将其串联后接到额定电压为220V 的直流电源上使用，这时每只电阻实际消耗的功率为 c 。 a.50W b.100W c.25W 12、理想电压源和理想电流源之间 b 。 a.有等效变换关系 b.没有等效变换关系 c.有条件下的等效关系 13、当电流源开路时，该电流源部 a 。 a.有电流，有功率损耗 b.无电流，无功率损耗 c.有电流，无功率损耗 14、实验测得某有源二端线性网络开路电压U OC ＝8V ，短路电流I SC =2A ，则该网络的戴维南等效电压源的参数为 c 。
1.P-N结雪崩击穿、隧道击穿和热击穿的原理 2.简述晶体管开关的原理 3.简述晶体管4个频率参数的定义并讨论它们之间的大小关系 4.简述弗仑克耳缺陷和肖特基缺陷的特点、共同点和关系 5.以NPN型晶体管为例，试论述晶体管在不同工作模式下基区少数载流子分 布特征及与晶体管输出特性间的关系 6.请阐述MOSFET的基本结构并结合示意图说明在不同外置电压情况下其工 作状态和输出特性 7.叙述非平衡载流子的产生和复合过程，并描述影响非平衡载流子寿命的因素 8.论述在外加直流电压下P-N结势垒的变化、载流子运动以及能带特征 9.试叙述P-N结的形成过程以及P-N结外加电压时其单向导电特征 10.何谓截止频率、特征频率及振荡频率，请叙述共发射极短路电流放大系数与 频率间的关系 11.请叙述晶体管四种工作模式并分析不同模式下基区少数载流子的分布特征 12.请画出P型半导体理想MOS的C-V曲线，并叙述曲线在不同外加电信号作 用下的曲线特征及原因 13.影响MOS的C-V特性的因素有哪些？它们是如何影响C-V曲线的 14.MOS中硅-二氧化硅，二氧化硅层中有哪些影响器件性能的不利因素 15.介绍MIS结构及其特点，并结合能带变化论述理想MIS结构在加不同偏压 时半导体表面特征 16.晶体管具备放大能力须具备哪些条件 17.饱和开关电路和非饱和开关电路的区别（各自有缺点）是什么 18.简述势垒区正负空间电荷区的宽度和该区杂质浓度的关系 19.结合能带图简述绝缘体、半导体及导体的导电能力 20.说明晶体管具有电信号放大能力的条件并画出不同情况下晶体管的输入输 出曲线并描述其特征 21.请画图并叙述晶体管电流放大系数与频率间的关系 22.请画出MOSFET器件工作中的输出特性及转移特性曲线并描述其特征 23.请叙述双极型晶体管和场效应晶体管的工作原理及区别 24.画出CMOS倒相器的工作图并叙述其工作原理 25.提高双极型晶体管功率增益的途径有哪些 26.请描述双极型晶体管大电流特性下的三个效应 27.画出共基极组态下的晶体管输入及输出特性曲线
电工电子技术复习题 、填空题 A 1. 1M Q的电位器，说明它的阻值可以在 __________ 范围内进行调节。 2. 如果一个电容的标注是682,则这个电容的容量是 ______________ ，若标注47n,则此电容的 容量是________ 。 3. 半导体是一种导电能力介于__________________ 与_______________ 之间的物质。 4. 三极管放大电路静态分析就是要计算_________ ，即计算 _____ 、______ 、_三个值。 5. 对于放大电路的最基本要求：一是___________ ，二是__________ 。 6. 当输入信号为________ 时，放大电路的工作状态称为_________ 。 7. 若静态工作点选得过高，容易产生_失真。 &晶闸管有_________ 个PN结。 B 1.50HZ的交流市电经过 _________ 、 _______ 后得到的是脉冲直流电。 2. 电容器常见的质量问题有：击穿、 _________ 、容量减小和 ___________ 等。 3. 三极管有两种类型，它们是 NPN型和PNP型，它们有三个极，分别是_____________________ 、 4. 共射极放大电路中，核心是_________ ，输入端是____ ，_______ 作为公共输出端。 5. 放大电路输出信号的能量来自 __________ 。 6. 当输入信号不为零时，放大电路的工作状态称为 ___________ 。 7. 若静态工作点选得过低，容易产生_________ 失真。 8. 半导体二极管又叫晶体二极管，是由_________ 个PN结构成，它具有 _____ 性。 C 1. 五环电阻“黄紫黑棕棕”这电阻的阻值是：________________ ，误差精度是：________ %。 2. 检测电容器时，对于V 1卩F的电容，应选用的量程是 _________________ ，对于1卩F?47卩F 的电容，应选用的量程是 ______________ ，对于〉47卩F电容，应选用的量程是 ___________ 。 3. 三极管有两种类型，它们是 NPN型和PNP型，它们有三个区，分别是_____________________ 、 4. 为使电压放大电路中的三极管能正常工作，必须选择合适的 _______________ 。 5. 共集放大电路(射极输出器)中，____________ 是 ______ 和 ____ 的公共端，_______ 作为输出端。 6. 电阻器用电阻率较大的材料制成，一般在电路中起着 ______________ 或________ 电流、电压的作用。 、单项选择题
电工电子技术试题 一、填空题(共133题，每空一分) 1、电力系统中一般以大地为参考点，参考点的电位为 0伏 电位。 2、欧姆定律一般可分为 部分电路 的欧姆定律和 全电路 欧姆定律。 3、部分电路的欧姆定律是用来说明电路中 电压、电流和电阻 三个物理量之间关系的定律。 4、全电路欧姆定律，说明了回路中电流Ⅰ与电源电动势的代数和成 比，而与回路中的 及 之和成反比。 5、导体电阻的单位是 欧姆 ，简称 欧 ，用符号 表示，而电阻率则用符号 表示。 6、已知电源电动势为E ，电源的内阻压降为U 0，则电源的端电压U= E-U O 。 7、有一照明线路，电源端电压为２２０伏，负载电流为１０安，线路的总阻抗为０.2欧姆，那么负载端电压 为 218 伏。 8、串联电路中的 处处相等，总电压等于各电阻上 之和。 9、一只２２０伏１５瓦的灯泡与一只２２０伏１００瓦的灯泡串联后，接到２２０伏电源上，则 15 瓦灯泡较亮，而 100 瓦灯泡较暗。 10、１度电就是１千瓦的功率做功１小时所消耗的电量，所以它的单位又叫 千瓦时 。 11、频率是单位时间内交流电重复变化的 次 数。 12、某正弦交流电流，频率为５０赫，最大值为２０安，初相位为－４０°，此正弦交流电的瞬时值表达式 为 u=20sin(314t- ４０°) ，相量式为 。 13、如果用交流电压表测量某交流电压，其读数为３８０伏，此交流电压的最大值为 537 伏。 14、把一个１００欧的电阻元件接到频率为５０赫、电压为１０伏的正弦交流电源上，其电流为 0.1A 安。 15、有一电感Ｌ为０．０８亨的纯电感线圈，通过频率为５０赫的交流电流，其感抗X L ＝ 25.12 欧。如通 过电流的频率为10000赫，其感抗X L ＝ 5024 欧。 16、一个１０微法的电容接在５０赫的交流电源上，其容抗X C ＝ 318 欧，如接在2000赫的交流电源上，它的容抗X C ＝ 7.95 欧。 17、某正弦交流电流为ｉ＝100sin （6280t- π／4）毫安，它的频率ｆ＝ 1000Hz ，周期Ｔ＝ 0.001 秒，角频率ω＝ 6280 ，最大值Im= 100mA ，有效值Ｉ＝ 100/1.414 mA ，初相位φ＝ π／4 。 18、已知两交流电流分别为i １＝15sin(314t ＋45°)安，i ２＝10sin(314t －３0°）安，它们的相位差为75 °。 19、在纯电感交流电路中，电感元件两端的电压相位 超前 电流 90 度。 20、在纯电容交流电路中，电容元件两端的电压相位 滞后 电流 90 度。 21、在纯电阻交流电路中，电阻元件通过的电流与它两端的电压相位 同相 。 22、交流电路中的有功功率用符号 P 表示，其单位是 W 。 23、交流电路中的无功功率用符号 Q 表示，其单位是 VAR 。 24、交流电路中的视在功率用符号 S 表示，其单位是 VA 。 25、三相正弦交流电的相序，就是 三相交流电到达最大值的 顺序。 26、如三相对称负载采用星形接法时，则负载的相电压等于电源的 相 电压，线电流等于相电流的 1 倍。 27、如三相对称负载采用三角形接法时，则负载的相电压等于电源的 线 电压，线电流等于相电流的 倍。 328、在三相对称电路中，已知线电压Ｕ、线电流Ｉ及功率因数角φ，则有功功率Ｐ＝ＵＩCOSφ ，无功功率Ｑ＝ＵＩSINφ ，视在功率Ｓ＝ ＵＩ 。 建议收藏下载本文，以便随时学习！ 我去人也就有人！为UR扼腕入站内信不存在向你偶同意调剖沙
第1章常用半导体器件 一、判断题（正确打“√”，错误打“×”，每题1分） 1．在N型半导体中，如果掺入足够量的三价元素，可将其改型成为P型半导体。（）2．在N型半导体中，由于多数载流子是自由电子，所以N型半导体带负电。（）3．本征半导体就是纯净的晶体结构的半导体。（） 4．PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（） 5．使晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结正偏，且集电结也是正偏。（）6．晶体三极管的β值，在任何电路中都是越大越好。( ) 7．模拟电路是对模拟信号进行处理的电路。( ) 8．稳压二极管正常工作时,应为正向导体状态。( ) 9．发光二极管不论外加正向电压或反向电压均可发光。( ) 10．光电二极管外加合适的正向电压时，可以正常发光。( ) 一、判断题答案：（每题1分） 1．√； 2．×； 3．√； 4．√； 5．×； 6．×； 7．√； 8．×； 9．×； 10．×。
二、填空题（每题1分） 1．N型半导体中的多数载流子是电子，P型半导体中的多数载流子是。2．由于浓度不同而产生的电荷运动称为。 3．晶体二极管的核心部件是一个，它具有单向导电性。 4．二极管的单向导电性表现为：外加正向电压时，外加反向电压时截止。5．三极管具有放大作用的外部条件是发射结正向偏置，集电结偏置。6．场效应管与晶体三极管各电极的对应关系是：场效应管的栅极G对应晶体三极管的基极b，源极S对应晶体三极管，漏极D对应晶体三极管的集电极c。7．PN结加正向电压时，空间电荷区将。 8．稳压二极管正常工作时，在稳压管两端加上一定的电压，并且在其电路中串联一支限流电阻，在一定电流围表现出稳压特性，且能保证其正常可靠地工作。 9．晶体三极管三个电极的电流I E 、I B 、I C 的关系为：。 10．发光二极管的发光颜色决定于所用的，目前有红、绿、蓝、黄、橙等颜色。 二、填空题答案：（每题1分） 1．空穴 2．扩散运动 3．PN结 4．导通 5．反向 6．发射机e 7．变薄 8．反向 9．I E ＝I B ＋I C 10．材料 三、单项选择题（将正确的答案题号及容一起填入横线上，每题1分）
半导体器件物理复习题 一． 平衡半导体： 概念题： 1. 平衡半导体的特征（或称谓平衡半导体的定义） 所谓平衡半导体或处于热平衡状态的半导体，是指无外界（如电压、电场、磁场或温度梯度等）作用影响的半导体。在这种情况下，材料的所有特性均与时间和温度无关。 2. 本征半导体： 本征半导体是不含杂质和无晶格缺陷的纯净半导体。 3. 受主（杂质）原子： 形成P 型半导体材料而掺入本征半导体中的杂质原子（一般为元素周期表中的Ⅲ族元素）。 4. 施主（杂质）原子： 形成N 型半导体材料而掺入本征半导体中的杂质原子（一般为元素周期表中的Ⅴ族元素）。 5. 杂质补偿半导体： 半导体中同一区域既含受主杂质又含施主杂质的半导体。 6. 兼并半导体： 对N 型掺杂的半导体而言，电子浓度大于导带的有效状态密度， 费米能级高于导带底（0F c E E ->）；对P 型掺杂的半导体而言，空穴浓度大于价带的有效状态密度。费米能级低于价带顶（0F v E E -<）。
7. 有效状态密度： 在导带能量范围（ ~c E ∞ ）内，对导带量子态密度函数 导带中电子的有效状态密度。 在价带能量范围（ ~v E -∞） 内，对价带量子态密度函数 8. 以导带底能量c E 为参考，导带中的平衡电子浓度： 其含义是：导带中的平衡电子浓度等于导带中的有效状态密度乘以能量为导带低能量时的玻尔兹曼分布函数。 9. 以价带顶能量v E 为参考，价带中的平衡空穴浓度： 其含义是：价带中的平衡空穴浓度等于价带中的有效状态密度乘以能量为价带顶能量时的玻尔兹曼分布函数。 10.
11. 12. 13. 14. 本征费米能级Fi E ： 是本征半导体的费米能级；本征半导体费米能级的位置位于禁带 带宽度g c v E E E =-。？ 15. 本征载流子浓度i n ： 本征半导体内导带中电子浓度等于价带中空穴浓度的浓度 00i n p n ==。硅半导体，在300T K =时，1031.510i n cm -=?。 16. 杂质完全电离状态： 当温度高于某个温度时，掺杂的所有施主杂质失去一个电子成为带正电的电离施主杂质；掺杂的所有受主杂质获得一个电子成为带负电的电离受主杂质，称谓杂质完全电离状态。 17. 束缚态： 在绝对零度时，半导体内的施主杂质与受主杂质成电中性状态称谓束缚态。束缚态时，半导体内的电子、空穴浓度非常小。 18. 本征半导体的能带特征： 本征半导体费米能级的位置位于禁带中央附近，且跟温度有关。如果电子和空穴的有效质量严格相等，那么本征半导体费米能级
电工电子技术（1）复习题 一、填空题 1. 电路由电源、负载和中间环节三部分组成。电源是由（ 其他 ）能转换为（ 电 ）能的设备；负载是由（ 单 ）能转换为（ 其他 ）能的设备。 2. 电路由（ 电源 ）、（ 负载 ）和（中间环节 ）三部分组成。将其他能量转换为电能的为（电源 ）；将电能转换为其他能量的为（ 负载 ）。 3. 在图1.1中，电流I 4=（0.1）A ，I 3=（0.3）A ，I 2=（0.6）A ，I 1=（0.9 ）A ，电压U =（90）V 。 4. 在图1.2中，电位V A =（ 1 ）V ，电流I 1=（ 2.5 ）A ，I 2=（ -1.5 ）A 。 5. 在图1.3中，电流 I 1=（ 3 ）A ，I 2=（ 2 ）A ，I 3=（-1 ）A ，电压U AB =（ -2 ）V ，电位V A =（ -2 ）V ，V B =（ 0 ）V ，V C =（ -2 ）V 。 6. 在图1.4电路中，若电流 I 1=2A ，则电流I 2=（ 4 ）A ，电压U =（-4 ）V 。 7. 支路电流法是以（ 各支路电流 ）为未知量，根据（ KCL ）定律和（ KVL ）定律列方程求解电路的分析方法。 8. 换路定则是：换路瞬间电感中的（电流 ）不能突变；换路瞬间电容上的（电压）不能突变。 9. RLC 串联电路发生谐振时，其等效复阻抗Z =（ R ），谐振频率f 0=（ LC π21 ）。 10. 正弦交流电的三要素是指（ 幅值 ）、（ 角频率 ）和（初相位 ）。 11. 正弦交流电压)2311sin(100π π+=t u V 的幅值为（ 311 ）V ，角频率为（ 100π ）rad/s ，初 相位为（2/π ）rad ，频率为（ 50 ）Hz ，有效值为（ 220 ）V 。 12. 在交流电路中，电感的感抗与频率成（ 正 ）比，电容的容抗与频率成（ 反 ）比。 13. 在纯电感的交流电路中，（ 电压 ）超前（ 电流 ）90°；在纯电容的交流电路中，（ 电流 ）超前（ 电压 ）90°。 14. 已知某交流电路的总电压U ，总电流I 和U 、I 的相位差φ，则该电路的有功功率P =（ UIcos φ ），无功功率Q =（ UIsin φ ），视在功率S =（ UI ）。 15. 某单相变压器，容量为10kV A ，电压为3300/220V 。其高压侧额定电流为（ 3.03 ）A ，低压侧额定电流为（ 45.45 ）A 。 16. 在对称三相负载中，有功功率与相电压、相电流的关系为P =（ 3UpIpcos φ ），有功功率与线电压、线电流的关系为P =（ 3UlIlcos φ ）。 17. 某三相异步电动机的电源频率为f 1=50Hz ，额定转速n N =1455转/分钟，则其同步转速为n 0=（ 1500 ）转/分钟，磁极对数P =（ 2 ），额定转差率为S N =（ 0.03 ）。 18. 三相异步电动机有（ 变频 ）调速、（ 变极 ）调速和（变转差率 ）调速三种调速方法。 19. 在常用控制电器中，起短路保护的电器是（ 熔断器 ），起过载保护的电器是（热继电器 ）。 20. 组合开关、按钮、熔断器和交流接触器的文字符号分别用字母（ Q ）、（ SB ）、
电工电子技术复习题答案 一、填空题（每空1分，共30分） 1，任何一个完整的电路都必须有__电源_、_负载_和_导线_三个基本部分组成。电路的作用是对电能进行_转换_、_传输_和分配；对电信号进行_处理_和_传递_。 2、如图1所示，L为“6V 3W”灯泡，AB间电压为9伏特，当L正常发光时灯泡两端电压为__6_伏特；通过它的电流强度为__0.5_安培；所串联的电阻R的电阻值为__6__欧姆。 图1 图2 3、如图2所示，已知U AB =14V，U CD =10V，若以D点为电位参考点，V B = 6V，则V A=__20_V，V C=__10__V，电压U AC =__10__V，U BD =__6__V。 4、根据控制量和被控制量的不同, 受控源可以分为__VCVS__、__ VCCS_____、__ CCCS __和__ CCVS _四种类型。 5、已知一正弦交流电压) ? =t u V，则该电压的最大值U m + 30 628 sin( 100 2? ?=_300_。 =____V，有效值U =_100_V，频率f =_100_Hz，初相位u 6、电阻元件上任一瞬间的电压电流（伏安）关系可表示为；电感元件上任一瞬间的电压电流关系可以表示为_____；电容元件上任一瞬间的电压电流关系可以表示为______。 ∠-?∠?∠?∠-?∠? 38090,380150,2200,220120,220120
7、三相电源绕组星形联结时,已知线电压)30sin(2380?+=t u U V ωV,则线电压VW U 。=_____V ，WU U 。=_____V ，相电压U U 。=______V ，V U 。=______V ，W U 。 =______V 。 8、电路有 通路 、__开路__和__短路__三种工作状态。当电路中电流0 R U I S =、端电压U ＝0时，此种状态称作__短路__，这种情况下电源产生的功率全部消耗在 _内阻_上。 9、电阻R 1和R 2组成串联电路，已知R 1：R 2＝1：2，则通过两电阻的电流之比为I 1：I 2＝_1：1_，两电阻上电压之比为U 1：U 2＝_1：2_，功率消耗之比P 1：P 2＝_1：2_。 10、表征正弦交流电振荡幅度的量是它的_最大值__ ；表征正弦交流电随时间变化快慢程度的量是_电角频率ω__；表征正弦交流电起始位置时的量称为它的__初相__。三者称为正弦量的__三要素__。 11、电阻元件上任一瞬间的电压电流关系可表示为__；电感元件上任一瞬间的电压电流关系可以表示为_____；电容元件上任一瞬间的电 压电流关系可以表示为____。由上述三个关系式可得，__电阻__元件为即时元件；__电感__和__电容__元件为动态元件。 12、在正弦交流电路中，感抗X L 与电感量L 成__正 比，与电源频率f 成___正__比，容抗X C 与电容量C 成__反__比，与电源频率f 成__反__比。 13、在RLC 串联电路中，已知电流为5A ，电阻为30Ω，感抗为40Ω，容抗为80Ω，那么电路的阻抗为__50Ω__，该电路为__容性__性电路。电路中吸收的有功功率为_750W _，吸收的无功功率又为_1000var 。 14、三相电源绕组星形联结时,已知线电压)30sin(2380?+=t u U V ωV,则线电 压VW U 。=____V ，相电压U U 。=____V ，V U 。=____V ，W U 。 =___V 。
第一章 1、费米能级和准费米能级 费米能级：不是一个真正的能级，是衡量能级被电子占据的几率的大小的一个标准，具有决定整个系统能量以及载流子分布的重要作用。 准费米能级：是在非平衡状态下的费米能级，对于非平衡半导体，导带和价带间的电子跃迁失去了热平衡，不存在统一费米能级。就导带和价带中的电子讲，各自基本上处于平衡态，之间处于不平衡状态，分布函数对各自仍然是适应的，引入导带和价带费米能级，为局部费米能级，称为“准费米能级”。 2、简并半导体和非简并半导体 简并半导体：费米能级接近导带底(或价带顶)，甚至会进入导带(或价带)，不能用玻尔兹曼分布，只能用费米分布 非简并半导体：半导体中掺入一定量的杂质时，使费米能级位于导带和价带之间3、空间电荷效应 当注入到空间电荷区中的载流子浓度大于平衡载流子浓度和掺杂浓度时，则注入的载流子决定整个空间电荷和电场分布，这就是空间电荷效应。在轻掺杂半导体中，电离杂质浓度小，更容易出现空间电荷效应，发生在耗尽区外。 4、异质结 指的是两种不同的半导体材料组成的结。 5、量子阱和多量子阱 量子阱：由两个异质结或三层材料形成，中间有最低的E C和最高的E V，对电子和空穴都形成势阱，可在二维系统中限制电子和空穴 当量子阱由厚势垒层彼此隔开时，它们之间没有联系，这种系统叫做多量子阱 6、超晶格 如果势垒层很薄，相邻阱之间的耦合很强，原来分立的能级扩展成能带(微带)，能带的宽度和位置与势阱的深度、宽度及势垒的厚度有关，这种结构称为超晶格。 7、量子阱与超晶格的不同点 a.跨越势垒空间的能级是连续的 b.分立的能级展宽为微带 另一种形成量子阱和超晶格的方法是区域掺杂变化 第二章 1、空间电荷区的形成机制 当这两块半导体结合形成p-n结时，由于存在载流子浓度差，导致了空穴从p区到n 区，电子从n区到p区的扩散运动。对于p区，空穴离开后，留下了不可动的带负电的电离受主，这些电离受主，没有正电荷与之保持电中性，所以在p-n结附近p 区一侧出现了一个负电荷区。同理，n区一侧出现了由电离施主构成的正电荷区，这些由电离受主和电离施主形成的区域叫空间电荷区。 2、理想p-n结 理想的电流-电压特性所依据的4个假设： a.突变耗尽层近似 b.玻尔兹曼统计近似成立 c.注入的少数载流子浓度小于平衡多数载流子浓度 d.在耗尽层内不存在产生-复合电流3、肖克莱方程（即理想二极管定律） 总电流之和J=J p+J n=J0[exp(qV kT )?1]，其中J0=qD p0n i2 L p N D +qD n n i2 L n N A 肖克莱方程准确描述了在低电流密度下p-n结的电流-电压特性，但也偏离理想情形，原因：a耗尽层载流子的产生和复合b在较小偏压下也可能发生大注入c串联电阻效应d载流子在带隙内两个状态之间的隧穿表面效应 4、p-n结为什么是单向导电 在正向偏压下，空穴和电子都向界面运动，使空间电荷区变窄，电流可以顺利通过。在反向偏压下，空穴和电子都向远离界面的方向运动，使空间电荷区变宽，电流不能流过，反向电压增大到一定程度时，反向电流将突然增大，电流会大到将PN结烧毁，表现出pn结具有单向导电性。 5、扩散电容和势垒电容 扩散电容：p-n结正向偏置时所表现出的一种微分电容效应 势垒电容：当p-n结外加电压变化时，引起耗尽层的电荷量随外加电压而增多或减少，耗尽层宽窄变化所等效的电容称为势垒电容。 6、击穿的机制 击穿仅发生在反向偏置下 a.热击穿：在高反向电压下，反向电流引起热损耗导致结温增加，结温反过来又增加了反向电流，导致了击穿 b.隧穿:在强电场下，由隧道击穿，使电子从价带越过禁带到达导带所引起的一种击穿现象 c.雪崩倍增：当p-n结加的反向电压增加时，电子和空穴获得更大的能量，不断发生碰撞，产生电子空穴对。新的载流子在电场的作用下碰撞又产生新的电子空穴对，使得载流子数量雪崩式的增加，流过p-n结的电流急剧增加，导致了击穿 6、同型异质结和反型异质结 同型异质结：两种不同的半导体材料组成的结，导电类型相同 异型异质结：两种不同的半导体材料组成的结，导电类型不同 8、异质结与常规的p-n结相比的优势 异质结注入率除了与掺杂比有关外，还和带隙差成指数关系，这点在双极晶体管的设计中非常关键，因为双极晶体管的注入比与电流增益有直接的关系，异质结双极晶体管(HBT)运用宽带隙半导体材料作为发射区以减小基极电流 第三章 1、肖特基二极管 肖特基二极管是一种导通电压降较低，允许高速切换的二极管，是利用肖特基势垒特性而产生的电子元件，一般为0.3V左右，且具有更好的高频特性 优点：其结构给出了近似理想的正向I-V曲线，其反向恢复时间很短，饱和时间大为减少，开关频率高。正向压降低，工作在0.235V 缺点：其反向击穿电压较低及方向漏电流偏大 2、肖特基二极管和普通二极管相比 优：开关频率高，正向电压降低缺：击穿电压低，反向电流大 3、欧姆接触 欧姆接触定义为其接触电阻可以忽略的金属-半导体接触 它不产生明显的附近阻抗，而且不会使半导体内部的平衡载流子浓度发生显著的改变，重掺杂的p-n结可以产生显著的隧道电流，金属和半导体接触时，如果半导体掺杂浓度很高，则势垒区宽度变得很薄，电子也要通过隧道效应贯穿势垒产生相当大的隧道流，甚至超过热电子发射电流而成为电流的主要成分。当隧道电流占主导地位时，它的接触电阻可以很小，可以用作欧姆接触。 制造欧姆接触的技术：a.建立一个更重掺杂的表面层 b.加入一个异质结，附加一个小带隙层材料、同种类型半导体的高掺杂区 4、整流接触 肖特基势垒是指具有整流特性的金属-半导体接触面（形成阻挡层），如同二极管具有整流特性。肖特基势垒相较于PN接面最大的区别在于具有较低的接面电压，以及在金属端具有相当薄的耗尽层宽度。 5、区别金属-半导体接触的电流输运主要依靠多子，而p-n结主要依靠少数载流子完成电流输运 第四章 1、MIS的表面电场效应 当VG=0时，理想半导体的能带不发生弯曲，即平带状态，在外加电场作用下，在半导体表面层发生的物理现象，主要在载流子的输运性质的改变。表面势及空间电荷区的分布随电压VG而变化。归纳为三种情况：积累，耗尽，反型。对于p型半导体 多子积累：当金属板加负电压时，半导体表面附近价带顶向上弯曲并接近于费米能级，对理想的MIS电容，无电流流过，所以费米能级保持水平。因为载流子浓度与能量差呈指数关系，能带向上弯曲使得多数载流子（空穴）在表面积累 耗尽：当施加小的正电压时，能带向下弯曲，多数载流子耗尽 反型：施加更大的正电压，能带更向下弯曲，以致本征费米能级和费米能级在表面附近相交，此时表面的电子（少数载流子）数大于空穴数，表面反型 2、解释MIS的C-V曲线图 高低频的差异是因为少数载流子的积累 a.低频时，左侧为空穴积累时的情形，有大的半导体微分电容，总电容接近于绝缘体电容；当负电压降为零时，为平带状态；进一步提高正向电压，耗尽区继续扩展，可将其看作是与绝缘体串联的、位于半导体表面附近的介质层，这将导致总电容下降，电容在达到一个最小值后，随电子反型层在表面处的形成再次上升，强反型时，电荷的增量不再位于耗尽层的边界处，而是在半导体表面出现了反型层导致了大的电容。 b.高频时，强反型层在φs≈2φB处开始，一旦强反型发生。耗尽层宽度达到最大，当能带弯曲足够大，使得φs=2φB时，反型层就有效的屏蔽了电场向半导体内的进一步渗透，即使是变化缓慢的静态电压在表面反型层引发附加电荷，高频小信号对于少数载流子而言变化也是很快的。增量电荷出现在耗尽层的边缘上 第五章 1、三种接法共基、共射、共集 2、四种工作状态 放大：发射极正偏，集电极反偏饱和：都正偏 截止：都反偏发向：发射极反偏，集电极正偏 3、Kirk效应（基区展宽效应） 在大电流状态下，BJT的有效基区随电流密度增加而展宽，准中性基区扩展进入集电区的现象，称为Kirk效应 产生有效基区扩展效应的机构主要是大电流时集电结N?侧耗尽区中可移动电荷中和离化的杂质中心电荷导致空间电荷区朝向远离发射结方向推移。 4、厄尔利效应（基区宽度调制效应） 当双极性晶体管（BJT）的集电极－发射极电压VCE改变，基极－集电极耗尽宽度WB-C（耗尽区大小）也会跟着改变。此变化称为厄利效应 5、发射区禁带宽度变窄 在重掺杂情况下，杂质能级扩展为杂质能带，当杂质能带进入了导带或价带，并相连在一起，就形成了新的简并能带，使能带的状态密度发生变化，简并能带的尾部伸入禁带，导致禁带宽度减小，这种现象称为禁带变窄效应。
电工学与电子技术B复习题答案 一、选择题 1、一含源二端网络，测得其开路电压为100V ,短路电流为10A，当外接10 Q负载电阻时，负载电流是（B） A. 10A; B.5A; C.15A; D.20A. 2、电动势为10V、内阻为2 Q的电压源变换成电流源时，电流源的电流和内阻是（C） A. 10A , 2 Q; B. 10A , 2 Q; C. 5A , 2Q; D. 2A , 5 Q. 3、正弦交流电压u=100sin（628t+60 o）V，它的频率为（A） A. 100Hz ; B. 50Hz ; C. 60Hz; D. 628Hz . 4、一阻值为3Q、感抗为4 Q的电感线圈接在交流电路中，其功率因数为（B） A. 0.3; B. 0.6; C. 0.5; D. 0.4 5、电力系统负载大部分是感性负载，要提高电力系统的功率因数常采用（B） A .串联电容补偿；B.并联电容补偿；C.串联电感补偿；D.并联电感补偿。 6、欲使放大器净输入信号削弱，应采取的反馈类型是（D） A .串联反馈；B并联反馈；C.正反馈；D.负反馈。 7、由一个三极管组成的基本门电路是（B） A .与门；B.非门；C.或门；D.异或门。 8、在脉冲门电路中，应选择（B）的三极管。 A .放大能力强；B.开关速度快；C.价格便宜；D.集电极最大耗散功率高。 9、数字集成门电路中，目前生产最多且应用最普遍的门电路是（D） A .与门；B.非门；C.或门；D.与非门。 10、在Y形联接的三相对称电路中，相电流与线电流的相位关系是（C） A. 相电流超前线电流30 o； B.线电流超前相电流30 o； C.相电流与线电流同相； D.相电流超前线电流 60 0。 11、在三相四线制中性点接地供电系统中，线电压指的（A）的电压。 A .相线之间；B.零线对地间；C.相线对零线间；D.相线对地间。 12、三相四线制供电的相电压为220V，则线电压为（D） A. 220V; B. 250V; C. 311V ; D. 380V. 13、纯电感电路中，（C） A.电流与电压同相位； B.电流与电压反相位； C.电压超前电流90 o；D .电压滞后电流90 0。 14、阻值为4 Q的电阻和容抗为3 Q的电容串联，总复数阻抗为（D）Q A. Z=3+j4 ; B. Z=3-j4 ; C. Z=4+j3 ; D. Z=4-j3。 15、额定电压都为220V的40W、60W和100W三只灯泡串联在220V的电源中，它们的发热量由大到小排列为（B） A. 100W、60W、40W ; B. 40W、60W、100W; C. 100W、40W、60W; D. 60W、100W、40W。 16、应用戴维南定理求含源二端网络的输入等效电阻的方法是将网络内的电动势（D） A .串联；B.并联；C.开路；D.短接。 17、用一只额定值为110V/100W 的白炽灯和一只额定值为110V/40W的白炽灯串联后接到220V的电源上，当开关闭合时，（C） A.能正常工作； B. 100W的灯丝烧毁； C. 40W的灯丝烧毁； D.两只灯丝全烧毁。 18、有一220V/1000W 的电炉，今欲接在380V的电源上使用，可串联的变阻器是（B）
电工试题库 公司内部编号：（GOOD-TMMT-MMUT-UUPTY-UUYY-DTTI-
电工考试题库 一、填空题 1、电路由电源、负载、导线、及开关四个主要部分组成。 2、交流电是大小和方向都随时间按周期性变化的电流。 3、配电装置包括控制电器、保护电器、测量电器及母线和载流导体组成。 4、欧姆定律公式为I=U/R。 5、电气三大保护指的是漏电保护、过流保护和接地保护。 6、常见的电缆故障有相间短路、单相接地和断相等故障。 7、电压保护包括欠电压和过电压保护。 8、熔断器由熔断管、熔体和插座组成。 9、电击是指触电时电流通过人体的内部，其危害程度主要取决于通过人体的电流 和电流作用于人体的时间。 10、常用矿用电缆分为铠装电缆、橡套电缆和塑料电缆。 11、造成过负荷的原因主要有电源电压低、重载启动、机械性堵转和单相断相。 12、电气保护的基本要求是选择性、快速性和灵敏性。 13、电气间隙指的是两个裸露导体之间的最短空间距离。 14、导体中的自由电子在电场力的作用下有规律的流动叫电流，一般规定正电荷 移动的方向为电流的正方向。 15、用万用表判断二极管好坏时，可用欧姆档测量，用表的黑表笔接二极管的正极。 16、万用表测量电压时表笔并联接入电路，测量电流时串联接入线路中。 17、高压线路停电时，禁止带负荷拉下隔离开关。 1`8、保护接地的目的是防止电气设备的金属外壳带电。
19、常见的过流故障有短路、过负荷和断相。 20、当导体在磁场中作切割磁力线运动或在线圈中作旋转运动时会产生电流。 21、使用电压互感器不允许短路，二次测必须接地。 22、晶体三极管放大的外部条件是：发射极正向偏置，集电极反向偏置。 23、一个信号灯的灯丝电阻是250欧，接在12伏的直流电源上，通过灯丝的电流是0.045A 24、为了得到稳定的输出电压，通常在整流电路后加上稳压电路，构成整流稳压电路。 25、所有电信号可以分为两种，一种是模拟信号，一种是数字信号。 26、电流在导体中流动时，所受到的阻力成为电阻。 27、电场中任意两点间的电压等于这两点的电位差。 28、三个频率、波形、最大值均相同，相位互差120度的交流电成为三相交流电。 29、在电源中，外力将单位正电荷从低电位移到高电位时所做的功叫电动势。 30、人体触电分为单相触电、两相触电和跨步电压触电。 31、常见电光源有热辐射光源和气体放电光源。 32、变压器串联运行的条件是：所有变压器的阻抗电压、联接组别、一次电压和 二次电压必须相等。 33、一台额定功率是50W的电动机，它的额定电流是0.4A，在使用时应接在125V 的电源上。 34、导体中的电流和导体两端承受的电压成正比，这个关系叫欧姆定律。 35、触电对人体的伤害有电击和电伤两种。 36、手持式电气设备操作手柄和工作中必须接触的部分必须绝缘。
电子元器件基础知识考试试题及答案 部门： 姓名 得分： 一、 填空题（每题5分，共30分） 1. 电阻器是利用材料的电阻特性制作出的电子元器件，常用单位有欧姆（Ω）、千欧（KΩ）和兆欧（MΩ）， 各单位之间的转换关系为1MΩ=103KΩ＝106Ω。 2. 电阻器阻值的标示方法有直标法、数字法和色标法。 3. 电感器是用导线在绝缘骨架上单层或多层绕制而成的，又叫电感线圈。 4. 二极管按材料分类，可分为锗管和硅管。 5. 三极管按导电类型可分为PNP 型和NPN 型。 6. 碳膜电阻为最早期也最普遍使用的电阻器，利用真空喷涂技术在瓷棒上面喷涂一层碳膜，再将碳膜外层加工切割成螺旋纹状，依照螺旋纹的多寡来定其电阻值，螺旋纹愈多时表示电阻值愈大。 二、 判断题（每题5分，共25分） 1. 电阻量测不能带电测试，待测物要独立存在。 （正确） 2. 电阻器按安装方式可分为：固定电阻、可调电阻、特种电阻（敏感电阻）。 （正确） 3. 二极管又称晶体二极管，简称二极管，可以往两个方向传送电流。 （错误） 4. 三极管又称“晶体三极管”或“晶体管”。具有两个电极，是能起放大、振荡或开关等作用的半导体电子器件。 （错误） 5. 扼流线圈又称为扼流圈、阻流线圈、差模电感器，是用来限制交流电通过的线圈，分高频阻流圈和低频阻流圈。 （正确） 三、 简答题（每题15分，共45分） 1. 读出右图两个色环电阻的阻值及误差,并根据电容的标识方法读出贴片电容212J 和104K 的电容值及误差。 答： 1. 270Ω，5% 2. 200 KΩ，1% 3. 212J: 21*102 pF=2100 pF=2.1 nF , 5% 4. 104K: 10*104 pF=100 nF , 10% 2. 简述右图符号分别表示那些特性的晶体管。 答： 1. 普通二极管 2. 稳压二极管 3. 发光二极管 4. 光电二极管 3．列举3个常用的电子元器件并简述其用万用表简单的检测方法。 答： 1. 电阻器：万用表电阻档直接测量。 2．电容器：容量用万用表直接测量，充放电采用适当的电阻档观察阻值变化确定。 3. 电感器：万用表的Rx1挡，测一次绕组或二次绕组的电阻值，有一定阻值为正常。 4. 二极管：用万用表测量正反向电阻，用万用表二极管档测量正反向压降。 5. 三极管：用万用表二极管档位判断三极管基极和类型，利用数字万用表h FE 档可测出三极管的集电 极C 和发射极E ，测出正反向压降。 1 2