半导体器件与工艺原理复习题
一． 平衡半导体：
概念题：
1. 平衡半导体的特征（或称谓平衡半导体的定义）
所谓平衡半导体或处于热平衡状态的半导体，是指无外界（如电压、电场、磁场或温度梯度等）作用影响的半导体。在这种情况下，材料的所有特性均与时间和温度无关。 2. 本征半导体：
本征半导体是不含杂质和无晶格缺陷的纯净半导体。 3. 受主（杂质）原子：
形成P 型半导体材料而掺入本征半导体中的杂质原子（一般为元素周期表中的Ⅲ族元素）。 4. 施主（杂质）原子：
形成N 型半导体材料而掺入本征半导体中的杂质原子（一般为元素周期表中的Ⅴ族元素）。 5. 杂质补偿半导体：
半导体中同一区域既含受主杂质又含施主杂质的半导体。 6. 兼并半导体：
对N 型掺杂的半导体而言，电子浓度大于导带的有效状态密度， 其费米能级大于导带底能量（0F
c E
E ->）；对P 型掺杂的半导体
而言，空穴浓度大于价带的有效状态密度。其费米能级小于价带顶能量（0F
v E
E -<）。
7. 有效状态密度： 在导带能量范围（
~c E ∞
）内，对导带量子态密度函数
8. 以导带底能量c
E 为参考，导带中的平衡电子浓度：
其含义是：导带中的平衡电子浓度等于导带中
的有效状态密度乘以能量为导带低能量时的玻尔兹曼分布函数。 9. 以价带顶能量v
E 为参考，价带中的平衡空穴浓度：
其含义是：价带中的平衡空穴浓度等于价带中
的有效状态密度乘以能量为价带顶能量时的玻尔兹曼分布函数。 10.
11.
12.
13.
14.
本征费米能级Fi
E ：
指本征半导体的费米能级；本征半导体费米能级的位置位于禁带
15.
本征载流子浓度i
n ：
本征半导体内导带中电子浓度等于价带中空穴浓度的浓度
00i n p n ==。硅半导体，在300T K
=时，103
1.510i
n
cm
-=?。
16. 杂质完全电离状态：
当温度高于某个温度时，掺杂的所有施主杂质失去一个电子成为带正电的电离施主杂质；掺杂的所有受主杂质获得一个电子成为带负电的电离受主杂质，称谓杂质完全电离状态。 17.
束缚态：
在绝对零度时，半导体内的施主杂质与受主杂质成电中性状态称谓束缚态。束缚态时，半导体内的电子、空穴浓度非常小。 18.
本征半导体的能带特征：
本征半导体费米能级的位置位于禁带中央附近，且跟温度有关。如果电子和空穴的有效质量严格相等，那么本征半导体费米能级
的位置严格位于禁带中央。在该书的其后章节中，都假设：本征半导体费米能级的位置严格位于禁带中央。（画出本征半导体的能带图）。 19.
非本征半导体：
进行了定量的施主或受主掺杂，从而使电子浓度或空穴浓度偏离了本征载流子浓度，产生多子电子（N 型）或多子空穴（P 型）的半导体。 20.
本征半导体平衡时载流子浓度之间的关系：
本征载流子浓度强烈依赖与温度。
以本征费米能级为参考描述的电子浓度和空穴浓度：
从上式可以看出：如果F
Fi E
E =，可以得出2
0000i i
n p n n p n ===，此
时的半导体具有本征半导体的特征。上式的载流子浓度表达式既可以描述非本征半导体，又可以描述本征半导体的载流子浓度。 21.
非本征半导体平衡时载流子浓度之间的关系：
2
00i
n p n =，22.
补偿半导体的电中性条件：
()001a d
n N p N -
+
+=+ 其中：
0n 是热平衡时，导带中总的电子浓度； 0p 是热平衡时，价带中总的空穴浓度；
a a a N N p -
=-是热平衡时，受主能级上已经电离的受主杂质；
d d d
N N n +
=-是热平衡时，施主能级上已经电离的施主杂质；
a N 是受主掺杂浓度；d
N 是施主掺杂浓度；a
p 是占据受主能级的
空穴浓度；d
n 是占据施主能级的电子浓度。也可以将（1）写成：
()
()00()2a a d d n N p p N n +-=+-
在完全电离时的电中性条件： 完全电离时，0,0
d
a n
p ==，有()0
03a d
n
N p N +=+
对净杂质浓度是N 型时，热平衡时的电子浓度是
对净杂质浓度是P 型时，热平衡时的空穴浓度是
理解题：
23.结合下图，分别用语言描述N 型半导体、P 型半导体的费米能级在能带中的位置：
24.费米能级随掺杂浓度是如何变化的？
如果掺杂浓度a
i N n >>，且a d
N N >>利用（5）式得到，0
a
p
N ≈； 如果掺杂浓度d
i N
n >>，且d a N N >>利用（4）式得到，0d
n N ≈；
带入（6）式得：
所以，随着施主掺杂浓度d
N 的增大，N 型半导体的费米能级F
E 远
离本征费米能级Fi
E 向导带靠近（为什么会向导带靠近？）；同样，
随着受主掺杂浓度a
N 的增大，P 型半导体的费米能级F
E 远离本征
费米能级Fi
E 向价带靠近（为什么会向价带靠近？）。
25.费米能级在能带中随温度的变化？
温度升高时，本征载流子浓度i
n 增大，N 型和P 型半导体的费米
能级都向本征费米能级靠近。为什么？ 26.硅的特性参数： 在室温（300T
K
=时，）硅的
导带有效状态密度193
2.810,
c
N
cm
-=?
价带的有效状态密度19
3
1.0410v
N cm
-=?；
本征载流子浓度：10
3
1.510i
n
cm
-=?
禁带宽度（或称带隙能量） 1.12g
E eV
=
27. 常用物理量转换单位
14
7810
3
19
11010
101010
11025.5125.41 1.610
A nm m m m cm m
m il in m in cm eV J
μμ-------=========?
28.常用物理常数：
,
235
19
31
07
014012tan 1.3810
/8.6210/arg 1.610
9.1110
410/8.8510/8.8510
/Boltzm ann s cons t
k J K
eV K
Electronic ch e e C
Free electron rest m ass m kg
Perm eability of free space H m Perm ittivity of free space
F cm F μπε-------=?=?=?=?=?=?=?,
3415
34
27
10
tan 6.625104.135101.05410
2Pr 1.67102.99810/(300)
0.02590.0259t m Planck s cons t
h J s eV s
h J s
oton rest m ass M kg
Speed of light in vacuum c cm s kT Therm al voltage T K V V
e
kT eV
π
----=?-=?-=
=?-=?=?==
==
21414
22
(300)tan 11.78.8510/tan 3.98.8510
/1.121350/si ox g n Silicon and SiO properties T K Silicon D ielectric cons t F cm SiO D ieelectric cons t F cm
Silicon B andgap energey E eV
Silicon M obility of eletron cm V s Silicon εεμ--==??=??==-2
10
3
480/4.01int 1.510p i M obility of H ole cm V s Silicon electron affinity
V
Silicon rnsic carrier condentration n cm
μχ-=-==?
2342
340
Pr (300)
9 4.7tan 3.97.5int
17001900operties of SiO and Si N T K SiO Si N Energy gap eV eV D ielectric cons t M elting po C
C
=≈≈
29.电离能的概念：
价带能量与受主能级的差值称谓受主杂质电离能,即a
v E E -； 导带能量与施主能级的差值称谓施主杂质电离能,即c
d
E E -；
问：
受主能级a
E 在能带中的什么位置？
施主能级d
E 在能带中的什么位置？
结合下图用语言描述。
计算能使玻尔兹曼近似成立的最大掺杂浓度及费米能级的位置。 解：考虑300T K
=时对硅进行了硼掺杂，假设玻尔兹曼近似成立的条件是3F
a E
E kT -=，已知硼在硅中的电离能是0.045a
v E
E eV
-=，
假设本征费米能级严格等于禁带中央。在300T K
=时，P 型半导体
的费米能级在Fi
E 与a
E 之间，所以
()()
()()()101732
2
ln 21.120.04530.02590.0259ln
2
0.4370.0259ln
0.4370.437exp 1.510exp 3.2100.02590.02590.437c v
c v
Fi F F a v F a g
a a v F a i a i
a i
a i Fi F E E E E E E E E E E E E N E E E E kT n N n N n N n cm
E E eV
-+--=-=
----??
=----= ???--==????==?=? ? ?????-=
玻尔兹曼近似成立的最大掺杂浓度是173
3.210a
N cm
-=?
费米能级高于本征费米能级0.437Fi
F E
E eV
-=。
二． 半导体中的载流子输运现象与过剩载流子：
概念题：
30.半导体中存在两种基本的电荷输运机理，一种称谓载流子的漂移，漂移引起的载流子流动与外加电场有关；另一种电荷输运现象称谓载流子的扩散，它是由杂质浓度梯度引起的（或理解为有“扩散力”存在引起的电荷输运）。
31.给半导体施加电场，载流子的漂移速度不会无限增大，而是在散射作用下，载流子会达到平均漂移速度。半导体内主要存在
着两种散射现象：晶格散射和电离杂质散射。
32.载流子迁移率定义为载流子的平均漂移速度与所加电场的比值,dp dn p
n v v E
E
μ
μ=
=
。电子迁移率n
μ和空穴迁移率p
μ既是温度的函
数，也是电离杂质浓度的函数。
33.当所加的电场很小时，载流子的平均漂移速度与电场成线性关系；当电场强度达到4
1
10
Vcm
-时，载流子的漂移速度达到饱和值
7
1
10cms
-。
34.载流子的漂移电流等于电导率与电场强度的乘积（drf
j
E
σ=）
电导率与载流子浓度、迁移率成正比；电阻率是电导率的倒数。 35.载流子的扩散电流密度正比于扩散系数,n
p
D D 和载流子浓度
梯度。
非均匀杂质掺杂的半导体，在热平衡时，会在半导体内产生感应电场。载流子的扩散系数与迁移率的关系称谓爱因斯坦关系：
p
n
t n
p
D D kT V q
μμ=
=
=。
练习题：
36. Calculate the intrinsic concentration in silicon at 350T
K
=and at 400T
K
=.
The values of c
N and v
N vary as 3/2
T .As a first approxi -mation, neglect any variation of bandgap energy temperature. Assume that the bandgap energy of silicon is
1.12eV
.the value of at 350T
K
= is
3500.02590.0302300kT eV ??
==????
the value of at 400T
K
= is
4000.02590.0345300kT eV ??==????
We find for 350T
K
=,
()()3
21919226
11
3
350 1.12exp 2.810 1.0410exp 3.62103000.0302(350) 1.910g i
c v i E n N N cm kT n K cm
---??-????==??=? ? ???
??????=?For 400T
K
=,We find
()()3
21919246
12
3
400 1.12exp 2.810 1.0410exp 5.5103000.0345(400) 2.3410g i c v i E n N N cm kT n K cm
---??-????==??=? ? ???
??????=? 37.Determine the thermal equilibrium electron and hole concentration in GaAs at T= 300K for the case when the Fermi energy level is 0.25eV above the valence-band energy E v . Assume the bandgap energy is E g =1.42eV.
(Ans. p 0=4.5x1014cm -3,n 0=? T= 300K ，N c =4.7X1017cm -3, N v =7X1018cm -3)
38.Find the intrinsic carrier concentration in silicon at (a)T=200K and at (b)T=400K < Ans.(a)8.13x104cm -3,(b) 2.34x1012cm -3.n i =1.5x1010cm -3> .
39.Consider a compensated germanium semiconductor at T=300K doped at concentration of N a =5x1013
cm -3
and N d =1x1013
cm -3
.Calculate the thermal equilibrium electron and
hole
concentrations. n 0=1.12x1013cm -3,n i =2.4x1013cm -3>. 40. Consider a compensated GeAs semiconductor at T=300K doped at concentration of N d =5x1015cm -3 and N a =2x1016cm -3 .Calculate the thermal equilibrium electron and hole concentrations. n 0=2.16x104cm -3>.(n i =1.8x106cm -3) 41. Consider n-type Silicon at T=300K doped with phosphorus. Determine the doping concentration such that E d -E F =4.6kT (Asn.N d =6.52x1016 cm -3 ).(E c -E d =0.045eV) 42. Calculate the position of the Fermi energy level in n-type silicon at T=300K with respect to the intrinsic energy level. The doping concentration are N d =2x1017cm -3 and N a =3x1016cm -3. (Asn.E F -E Fi =0.421eV). 19 3 19 3 2.810, 1.0410c v N cm N cm --=?=?。 证明在任意温度下，3/2 3/2 19192.810, 1.0410300300c v T T N N ?? ??=?=? ? ? ?? ?? 解： 3/2 3/2 * * 3002 2 3003/2 3/2 3/2 *19 3002 300222222 2.810 300n n K c K n K K m kT m kT kT N h h kT m kT kT T h kT πππ???? == ? ??? ? ????? ?? ==? ? ? ??? ?? ?? 同理可证：3/2 19 1.0410300v T N ?? =? ? ?? 2018公路水运试验检测师桥梁隧道工程真题及参考答案 1、用半电池电位法检测钢筋的锈蚀的方法以电位水平作为判断，无锈蚀活动性或锈蚀活动不确定对应的电位水平（） A、＜-150mV B、≥+200mV C、＜-250mV D、≥+300mV 答案: B 解析: P151表3-6 2、预应力筋锚具静载锚固性能试验过程中需要观察锚具的变形，其中夹片允许出现（）。A、纵向断裂B、横向断裂C、斜向断裂D、脆裂 答案: A 解析: P64第7行 3、桥梁球形支座在竖向承载力的作用下，支座的竖向压缩变形不应大于支座总高度的（）。 A、0.005 B、0.01 C、0.02 D、0.03 答案: B 解析: P72表2-10 4、合成高分子防水卷材验收批量为（）。 A、1000m? B、2000m? C、5000m? D、10000m? 答案: D 解析: P99第2行 5、预应力钢绞线松弛试验时，环境温度应保持在（）范围内。 A、20±3℃ B、20±2℃ C、低温 D、常温 答案: B 解析:GB/T 21839-2008 6、钢材屈服强度与抗拉强度的比值，通常用来比较结构的（）和钢材的有效利用率。 A、安全性 B、稳定性 C、经济性 D、可靠性 答案: A 解析:GB 1499.2-2007抗震性能 7、下列哪种钢筋需进行弯曲试验（） A、高强钢丝 B、钢绞线 C、焊接钢筋 D、粗钢筋 答案: D 解析:高强钢丝和钢绞线均无弯曲试验要求，焊接钢筋中一般只有闪光对焊接头、钢筋气压焊接头才有弯曲试验要求，C选项表达不全面。钢筋不论粗细均应进行弯曲试验，D选项正确。 8、C40混凝土试件抗压强度试验时，加载速率应取（）。 A、0.3-0.5 B、0.4-0.7 C、0.5-0.8 D、0.6-0.8 答案: C 解析: P31第14行 一、单项选择题：（每题1分，共30分） 1、关于矢量图形和位图图像，下面说法正确的是( )。 A：矢量图形具有放大仍然保持清晰的特性，但位图图像却不具备这样的特性 B：矢量图形比位图图像优越 C：矢量图形适合表达具有丰富细节的内容 D：位图图像是通过图形的轮廓及内部区域的型转和颜色信息来描述图形对象的 2、关于时间轴上的图层，以下描述不正确的是（）。 A：图层可以上下移动 B：图层可以重命名 C：图层能锁定 D：图层不能隐藏 3、元件和与它相应的实例之间的关系是（）。 A：改变元件，则相应的实例一定会改变 B：改变元件，则相应的实例不一定会改变 C：改变实例，对相应的元件一定有影响 D：改变实例，对相应的元件可能有影响 4、在Flash中，不可以添加动作脚本的对象包括（）。 A：关键帧 B：影片剪辑元件的实例 C：按钮元件的实例 D：图形元件的实例 5、“滴管”工具可以提取某些对象的属性，例如颜色、线型等。下列选项中，不能被“滴管”工具提取 的对象属性是（）。 A：填充区域的颜色 B：线条的颜色 C：组合对象的颜色 D：线条的宽度 6、在使用图形元件的时候，可以设置多种播放方式，下列描述正确的是（）。 A：可以设置播放的起始帧 B：可以设置循环播放的次数 C：可以只播放一次 D：如果使用“循环”方式元件中的内容播放到最后一帧之后，又回到开头继续播放 7、在Flash中可以使用多种图层来创建动画，不属于这些图层的类型有（）。 A：效果调整层 B：引导层 C：常规图层 D：遮罩图层 8、使用“文本”工具创建文本时，有三种文本类型。这三种文本类型不包括（）。 A：静态文本 B：输入文本 C：自动生成文本 D：动态文本 半导体器件试题库 常用单位： 在室温（T = 300K ）时，硅本征载流子的浓度为 n i = 1.5×1010/cm 3 电荷的电量q= 1.6×10-19C μn =1350 2cm /V s ? μp =500 2 cm /V s ? ε0=8.854×10-12 F/m 一、半导体物理基础部分 （一）名词解释题 杂质补偿：半导体内同时含有施主杂质和受主杂质时，施主和受主在导电性能上有互相抵消 的作用，通常称为杂质的补偿作用。 非平衡载流子：半导体处于非平衡态时，附加的产生率使载流子浓度超过热平衡载流子浓度， 额外产生的这部分载流子就是非平衡载流子。 迁移率：载流子在单位外电场作用下运动能力的强弱标志，即单位电场下的漂移速度。 晶向： 晶面： （二）填空题 1．根据半导体材料内部原子排列的有序程度，可将固体材料分为 、多晶和 三种。 2．根据杂质原子在半导体晶格中所处位置，可分为 杂质和 杂质两种。 3．点缺陷主要分为 、 和反肖特基缺陷。 4．线缺陷，也称位错，包括 、 两种。 5．根据能带理论，当半导体获得电子时，能带向 弯曲，获得空穴时，能带 向 弯曲。 6．能向半导体基体提供电子的杂质称为 杂质；能向半导体基体提供空穴的杂 质称为 杂质。 7．对于N 型半导体，根据导带低E C 和E F 的相对位置，半导体可分为 、弱简 并和 三种。 8．载流子产生定向运动形成电流的两大动力是 、 。 9．在Si-SiO 2系统中，存在 、固定电荷、 和辐射电离缺陷4种基 本形式的电荷或能态。 10．对于N 型半导体，当掺杂浓度提高时，费米能级分别向 移动；对于P 型半 导体，当温度升高时，费米能级向 移动。 （三）简答题 1．什么是有效质量，引入有效质量的意义何在？有效质量与惯性质量的区别是什么？ 2．说明元素半导体Si 、Ge 中主要掺杂杂质及其作用？ 3．说明费米分布函数和玻耳兹曼分布函数的实用范围？ 4．什么是杂质的补偿，补偿的意义是什么？ （四）问答题 1．说明为什么不同的半导体材料制成的半导体器件或集成电路其最高工作温度各不相同？ 要获得在较高温度下能够正常工作的半导体器件的主要途径是什么？ （五）计算题 1．金刚石结构晶胞的晶格常数为a ，计算晶面（100）、（110）的面间距和原子面密度。 2．掺有单一施主杂质的N 型半导体Si ，已知室温下其施主能级D E 与费米能级F E 之差为 1.5B k T ，而测出该样品的电子浓度为 2.0×1016cm -3，由此计算： （a ）该样品的离化杂质浓度是多少？ （b ）该样品的少子浓度是多少？ （c ）未离化杂质浓度是多少？ （d ）施主杂质浓度是多少？ 3．室温下的Si ，实验测得430 4.510 cm n -=?，153510 cm D N -=?， （a ）该半导体是N 型还是P 型的？ （b ）分别求出其多子浓度和少子浓度。 （c ）样品的电导率是多少？ （d ）计算该样品以本征费米能级i E 为参考的费米能级位置。 4．室温下硅的有效态密度1932.810 cm c N -=?，1931.110 cm v N -=?，0.026 eV B k T =，禁带 宽度 1.12 eV g E =，如果忽略禁带宽度随温度的变化 水运材料模拟题1 一、单选题 1.预应力混凝土中海砂氯离子含量以胶凝材料的质量百分比不宜 超过（）。 A 0% B 0% C 0% D 0% 正确答案 A 2.根据《水运工程混凝土施工规范》的规定，当采用天然矿化水 作为混凝土拌合用水时，其PH值不小于（）。 A 4 B 5 C 6 D 7 正确答案 A 3.与水泥混凝土强度形成并没有直接关系的因素是（）。 A 调整 混凝土的流动性大小 B 采用力学性能较好的集料 C 提高水泥 颗粒细度 D 提高混凝土施工密实程度正确答案 A 4.土工合成材料厚度测定时，应将试件在GB/T 6529规定的标准 大气条件下调湿（）。 A 8h B 12h C 16h D 24h 正确答案 D 5.建筑石油沥青按( )分为( )个牌号。 A 针入度，3 B 软化点， 3 C 针入度， 5 D 软化点，5 正确答案 A 6.有抗冻要求的大体积混凝土粗骨料含泥量不应大于（），泥块 含量不应大于（）。 A 1%，0.5% B 0.5%，1% C 0.7%,0.2% D 0.2%， 0.7% 正确答案 C 7.细集料中的轻物质是指表观密度小于( )的物质。 A 1700kg/m3 B 1800kg/m3 C 1900kg/m3 D 2000kg/m3 正确答案 D 8.水泥胶砂强度试件，脱模后在（）的养护条件。 A 20±1℃的 水中 B 温度20±1℃，相对湿度＞90％ C 20±2℃的水中 D 温 度20±1℃，相对湿度＞95％正确答案 A 9.建筑沥青针入度测试在0—49mm范围内时，其允许差值正确的 是（）mm。 A 2 B 4 C 6 D 8 正确答案 A 10.掺量大于1%的混凝土减水剂，以同一厂家的同品种、同一批 号，每( )为一批；掺量小于1%的，每( )为一批。 A 50吨、20吨 B 60吨、30吨 C 80吨、40吨 D 100吨、50吨正确答案 D 11.对掺粉煤灰或粒化高炉矿渣粉的高性能混凝土，检验其抗氯离 子渗透性能指标时，应按照养护条件下（）龄期的试验结果做评定。 A 28天 B 56天 C 90天 D 140天正确答案 C 12.水泥的等级是根据（）来划分的。 A 凝结时间 B 标准稠度 用水量 C 细度 D 抗压和抗折强度正确答案 D 13.在进行阻锈剂的盐水浸烘试验时，掺阻锈剂比未掺阻锈剂的混 凝土试件中的钢筋腐蚀失重率减少值应大于（）%。 A 10 B 20 C 30 D 40 正确答案 D 14.混凝土结构破损修补用水泥，宜采用强度等级不低于( )的硅 酸盐水泥或普通硅酸盐水泥。 A 32.5 B 42.5 C 42.5 R D 52.5 正确答案 B 15.土工布试样在检测前应置于规定的环境中调湿（ )。 A 12h B 24h C 48h D 72h 正确答案 B 16.采用勃氏法检测水泥比表面积，不会对试验结果产生影响的因 素是（）。 A 环境温度 B 水泥密度 C 水泥试验用量 D 水泥矿物组成正确答案 C XXX 学校 2012-2013学年 第二学期《flash 》考试试题 （本试卷共五大题，总分100分，考试时间90分钟） 一、单项选择题（共20小题，每小题2分，共40分） ( ) 1、将一字符串填充不同的颜色，可先将字符串_______。 A 、组合 B 、转换为按钮 C 、转换为元件 D 、打散 ( ) 2、测试动画的快捷键为_______。 A 、Ctrl +F12 B 、Ctrl +w C 、Ctrl +Enter D 、Ctrl + E ( ) 3、Flash 的动作中goto 命令是代表_______。 A 、播放 B 、变换 C 、停止 D 、转到 ( ) 4、Flash 中的形状补间动画和动作补间动画的区别是________ A 、形状补间动画只能对分离的物体进行制作，动作补间动画能对元件进行制作动画 B 、在现实当中两种动画都不常用 C 、两种动画很相似 D 、形状补间动画比动作补间动画容易 ( ) 5、时间轴上用实心小圆点表示的帧是_______。 A 、普通帧 B 、过渡帧 C 、空白关键帧 D 、关键帧 ( ) 6、在制作形状补间动画时，以下哪种素材可以直接使用_______。 A 、图形元件 B 、用椭圆工具在舞台上直接绘制的圆 C 、文字 D 、按钮 ( ) 7、在FLASH 生成的文件类型中，我们常说源文件是指_______。 A 、.exe B 、.swf C 、.html D 、.fla ( ) 8、Flash 是一款什么软件_______。 A 、三维动画创作 B 、面图像处理 C 、交互式矢量动画编辑软件 D 、文字编辑排版 ( ) 9、属性面板中的Alpha 命令是专门用于调整某个实例的_______的。 A 、对比度 B 、颜色 C 、透明度 D 、高度 ( ) 10、矢量图形和位图图形相比，哪一项是位图图形的优点_______。 A 、变形、缩放不影响图形显示质量 B 、色彩丰富，最接近自然色 C 、图像所占空间大 D 、缩小不影响图形显示质量 ( ) 11、若在第21帧到第43帧之间产生一个动作补间动画，可以在第21帧上单击右键，在弹出的快捷菜单中选择______。 A 、创建补间动画 B 、创建逐帧动画 C 、创形状渐变动画 D 、创建动画 ( ) 12、在flash 中，对帧频率正确描述是_______。 A 、每小时显示的帧数 B 、每分钟显示的帧数 C 、每秒钟显示的帧数 D 、以上都不对 ( ) 13、插入帧的作用是______。 A 、完整的复制前一个关键帧的所有内容 B 、起延时作用 C 、等于插入了一张白纸 D 、以上都不对 ( ) 14、帧的类型包括______。 A 、关键帧、空白关键帧、普通帧 B 、关键帧、空白关键帧、特殊帧 C 、空白关键帧、特殊帧、普通帧 D 、关键帧、空白关键帧、普通帧、特殊帧 ( ) 15、下列不是Flash 专业名词的是______。 A 、关键帧 B 、引导线 C 、交互图标 D 、逐帧动画 ( ) 16、Flash 中，对于引导层的说法错误的是______ A 、可以使元件对象沿特定路径运动 B 、测试影片时，引导层的引导线不显示 C 、测试影片时，引导层的引导线显示出来 D 、可以精确定位物体的移动轨迹 ( ) 17、选择椭圆工具，按下键盘中的______键，可在舞台中画圆。 A 、Caps Lock B 、Shift C 、Alt D 、Ctrl ( ) 18、关于时间轴上的图层，以下描述不正确的是_______。 A 、图层可以上下移动 B 、图层可以重命名 C 、图层能锁定 D 、图层不能隐藏 ( ) 19、以下_______工具都可以对图形进行变形操作 A 、选择工具 B 、部分选取工具 C 、橡皮擦工具 D 、任意变形工具 ( ) 20、选择______菜单下的“新建元件”命令，可以创建元件 A 、文件 B 、插入 C 、窗口 D 、控制 班级： 姓名： 学号： 请 不 要 在 密 封 线 内 答 题 第1页/共5页 第2页/共5页 《半导体器件物理》试卷（二）标准答案及评分细则 一、填空（共24分，每空2分） 1、PN结电击穿的产生机构两种； 答案：雪崩击穿、隧道击穿或齐纳击穿。 2、双极型晶体管中重掺杂发射区目的； 答案：发射区重掺杂会导致禁带变窄及俄歇复合，这将影响电流传输，目的为提高发射效率，以获取高的电流增益。 3、晶体管特征频率定义； β时答案：随着工作频率f的上升，晶体管共射极电流放大系数β下降为1 =所对应的频率 f，称作特征频率。 T 4、P沟道耗尽型MOSFET阈值电压符号； 答案：0 V。 > T 5、MOS管饱和区漏极电流不饱和原因； 答案：沟道长度调制效应和漏沟静电反馈效应。 6、BV CEO含义； 答案：基极开路时发射极与集电极之间的击穿电压。 7、MOSFET短沟道效应种类； 答案：短窄沟道效应、迁移率调制效应、漏场感应势垒下降效应。 8、扩散电容与过渡区电容区别。 答案：扩散电容产生于过渡区外的一个扩散长度范围内，其机理为少子的充放电，而过渡区电容产生于空间电荷区，其机理为多子的注入和耗尽。 二、简述（共20分，每小题5分） 1、内建电场； 答案：P型材料和N型材料接触后形成PN结，由于存在浓度差，N区的电子会扩散到P区，P区的空穴会扩散到N区，而在N区的施主正离子中心固定不动，出现净的正电荷，同样P区的受主负离子中心也固定不动，出现净的负电荷，于是就会产生空间电荷区。在空间电荷区内，电子和空穴又会发生漂移运动，它的方向正好与各自扩散运动的方向相反，在无外界干扰的情况下，最后将达到动态平衡，至此形成内建电场，方向由N区指向P区。 2、发射极电流集边效应； 答案：在大电流下，基极的串联电阻上产生一个大的压降，使得发射极由边缘到中心的电场减小，从而电流密度从中心到边缘逐步增大，出现了发射极电流在靠近基区的边缘逐渐增大，此现象称为发射极电流集边效应，或基区 第一章 PN结 1.1 PN结是怎么形成的？ 耗尽区：正因为空间电荷区内不存在任何可动的电荷，所以该区也称为耗尽区。 空间电荷边缘存在多子浓度梯度，多数载流子便受到了一个扩散力。在热平衡状态下，电场力与扩散力相互平衡。 p型半导体和n型半导体接触面形成pn结，p区中有大量空穴流向n区并留下负离子，n区中有大量电子流向p区并留下正离子（这部分叫做载流子的扩散），正负离子形成的电场叫做空间电荷区，正离子阻碍电子流走，负离子阻碍空穴流走（这部分叫做载流子的漂移），载流子的扩散与漂移达到动态平衡，所以pn 结不加电压下呈电中性。 1.2 PN结的能带图（平衡和偏压） 无外加偏压，处于热平衡状态下，费米能级处处相等且恒定不变。 1.3 内建电势差计算 N区导带电子试图进入p区导带时遇到了一个势垒，这个势垒称为内建电势差。 1.4 空间电荷区的宽度计算 n d p a x N x N = 1.5 PN 结电容的计算 第二章 PN 结二极管 2.1理想PN 结电流模型是什么？ 势垒维持了热平衡。 反偏：n 区相对于p 区电势为正，所以n 区内的费米能级低于p 区内的费米能级，势垒变得更高，阻止了电子与空穴的流动，因此pn 结上基本没有电流流动。 正偏：p 区相对于n 区电势为正，所以p 区内的费米能级低于n 区内的费米能级，势垒变得更低，电场变低了，所以电子与空穴不能分别滞留在n 区与p 区，所以pn 结内就形成了一股由n 区到p 区的电子和p 区到n 区的空穴。电荷的流动在pn 结内形成了一股电流。 过剩少子电子：正偏电压降低了势垒，这样就使得n 区内的多子可以穿过耗尽区而注入到p 区内，注入的电子增加了p 区少子电子的浓度。 2.2 少数载流子分布（边界条件和近似分布） 2.3 理想PN 结电流 ?? ????-??? ??=1exp kT eV J J a s ?? ? ? ? ?+=+= 0020 11p p d n n a i n p n p n p s D N D N en L n eD L p eD J ττ 2.4 PN 结二极管的等效电路（扩散电阻和扩散电容的概念）？ 扩散电阻：在二极管外加直流正偏电压，再在直流上加一个小的低频正弦电压，则直流之上就产生了个叠加小信号正弦电流，正弦电压与正弦电流就产生了个增量电阻，即扩散电阻。 扩散电容：在直流电压上加一个很小的交流电压，随着外加正偏电压的改变，穿过空间电荷区注入到n 区内的空穴数量也发生了变化。P 区内的少子电子浓度也经历了同样的过程，n 区内的空穴与p 区内的电子充放电过程产生了电容，即扩散电容。 公路水运试验检测考试公共基础模拟试题 1：处理因计量器具准确度所引起的纠纷以（AC）检定的数据为准 A：国家计量基准器具B：国家承认的其他计量基准器具 C：社会公用计量标准器具D：在人民生活中被普遍使用的计量标准器具 2：生产者对抽查检验有异议的可以在收到检验结果之日15天内向（AD）申请复检 A：实施监督抽查的产品质量监督部门B：平级的其他地区的产品质量监督部门 C: 仲裁部门D：其上级产品质量监督部门 3：县级以上产品质量监督部门根据已经取得的违法嫌疑证据或者举报，可以行使下列职权（ABCD） A;向当事人的法定代表人主要负责人和其他有关人员调查，了解销售活动的情况 B：对当事人违法本法的生产销售活动的现场实施检查 C：查阅、复制当事人的合同，发票账簿以及其他有关资料 D: 对不符人身保障人体健康和人身，财产安全的国家标准予以查封或者扣押。 4：产品质量认证机构应当依照国家规定对准许使用认证标志的产品进行认证后的跟踪检查，对不符合认证标准而使用认证标志的（AC） A：要求其改正B：警告C：取消其使用认证标志的资格D：吊销生产许可证5：消费者有权就产品质量问题（ABCD） A:向产品的生产者查询B：向产品的销售者查询 C：向工商行政管理部门申诉D：向产品质量监督部门申诉 6：产品质量检验机构，认证机构出具的检验结果证明不实，造成损失的（AC） A:应该承担相应的赔偿责任 B；与产品的生产者销售商承担连带责任 C：可以撤销期检验资格认证资格 D：吊销其营业执照 7：产品质量监督部门违法规定向社会推荐监制监销等方式参与产品经营活动的可以（ABC） A；由其上级机关或监察机关责令改正，消除影响 B; 违法收入予以没收 C：对直接负责的主管人员和其他责任人依法给于行政处分 D：对直接负责的主管人员和其他责任人依法追究刑事责任 8；未经总监理工程师签字（CD） A：建筑材料建筑构件和设备不得在工程上使用或者安装 B：施工单位不得进行下一道工序的施工 C：建设单位不得拨付工程款 D：建设单位不得进行竣工验收 9：监理工程师应该按照工程监理规范的要求采取（ABD）等形式对建设工程实施监理A: 旁站B；巡视C；不定期抽查D：平行检验 10：县级以上人民政府建设行政主管部门和其他有关部门履行监督检查职责时有权采取下列措施（BCD） A；组织稽查特派员，对建设项目实施监督检查 B；要求被检查的单位提供有关的工程质量的文件和资料 C：进入被检查单位施工现场进行检查 D;发现有影响工程质量的问题时责令改正 Adobe Flash CS6 2016-2017第二学期期末考试试题 1．Flash CS6的【动作】面板中，Goto命令是（）意思。（A） A.转到 B.复换 C.描绘 D.停止 2．编辑位图图像时，修改的是（）。（A） A.像素 B.曲线 C.直线 D.网格 3．对于在网络上播放的动画来说，最合适的帧频是（）。（B） A. 24fps B.12 fps C.25 fps D.16 fps 4．下面关于矢量图形和位图图像的说法错误的是（）。（D） A .Flash允许用户创建并产生动画效果的是矢量图形而位图图像不可以。 B.在Flash CS6中用户可以导入并操作在其他应用程序中创建的矢量图形和位图图像。 C.用Flash CS6的绘图工具画出来的图形为矢量图形。 D.一般来说，矢量图形比位图图像文件大。 5．2.1s表示音效持续时间为（）。（B） A. 0.21s B.2.1s C.21s D.210s 6．下面（）是Flash CS6中没有的面板。（D） A.文字面板 B.排列面板 C.混色器 D.段落面板 7．按钮选项滑过的意思是（）。（A） A.当鼠标指针经过按钮区域时激活 B.事件将被激活 C.当从按钮对象中拖曳出对象范围时，事件被激活 D.当指定的键盘被按下时就激活事件 8．Flash CS6导入外部素材的快捷键是（）。（B） A. Ctrl+Shift+S B. Ctrl+R C. Ctrl+Alt+Shift+S D. Ctrl+P 9．Flash CS6菜单测试场景的快捷键是（）。（A） A. Ctrl+Enter B. Ctrl+Alt+Enter C. Ctrl+Alt+A D. Ctrl+Alt+B 10．下列操作系统不能通过浏览器来播放Flash电影的SWF 格式文件的是（）。（A） 一、 选择题：（含多项选择， 共30分，每空1分，错选、漏选、多选均不得分） 1．半导体硅材料的晶格结构是（ A ） A 金刚石 B 闪锌矿 C 纤锌矿 2．下列固体中，禁带宽度Eg 最大的是（ C ） Ａ 金属 Ｂ 半导体 Ｃ 绝缘体 3．硅单晶中的层错属于（ C ） Ａ 点缺陷 Ｂ 线缺陷 Ｃ 面缺陷 4．施主杂质电离后向半导体提供（ B ），受主杂质电离后向半导体提供（ A ），本征激发后向半导体提供（ A B ）。 A 空穴 B 电子 5．砷化镓中的非平衡载流子复合主要依靠（ A ） A 直接复合 B 间接复合 C 俄歇复合 6．衡量电子填充能级水平的是（ B ） Ａ 施主能级 Ｂ 费米能级 Ｃ 受主能级 D 缺陷能级 7．载流子的迁移率是描述载流子( A )的一个物理量；载流子的扩散系数是描述载流子( B )的一个物理量。 A 在电场作用下的运动快慢 B 在浓度梯度作用下的运动快慢 8．室温下，半导体Si 中掺硼的浓度为1014cm －3，同时掺有浓度为1.1×1015cm － 3的磷，则电子浓度约为（ B ），空穴浓度为（ D ），费米能级（ G ）；将该半导体升温至570K ，则多子浓度 约为（ F ），少子浓度为（ F ），费米能级（ I ）。（已知：室温下，ni ≈1.5×1010cm － 3，570K 时，ni ≈2×1017cm － 3） A 1014cm －3 B 1015cm －3 C 1.1×1015cm － 3 D 2.25×105cm －3 E 1.2×1015cm －3 F 2×1017cm － 3 G 高于Ei H 低于Ei I 等于Ei 9．载流子的扩散运动产生（ C ）电流，漂移运动产生（ A ）电流。 A 漂移 B 隧道 C 扩散 10．下列器件属于多子器件的是（ B D ） Ａ 稳压二极管 Ｂ 肖特基二极管 Ｃ 发光二极管 D 隧道二极管 11．平衡状态下半导体中载流子浓度n 0p 0=n i 2，载流子的产生率等于复合率，而当np 公路水运工程试验检测工程师试题 （满分100分，规定时间90分钟） 一、单项选择题（每题1分，共30题） 1、含水量测试中，求得土中水的百分含量是（）。 A、弱结合水 B、强结合水 C、自由水和部分结合水 D、化学结合水 2、界限含水率测试时（）。 A、考虑土的结构 B、未考虑土的结构 C、无法确定土的结构 D、考虑不考虑土的结构都行 3、相对密度是用来评价（）土的密实状态。 A、各种 B、粘性 C、砂性 D、砾类 4、环刀法可以测定（）土的密度。 A、细粒 B、粗粒 C、坚硬 D、各种 5、随着含碳量的提高，钢材的（）。 A、强度、硬度、塑性都提高 B、强度提高、塑性降低 C、强度降低，塑性提高 D、强度和塑性都降低 6、硅酸盐水泥最适宜用于（）工程。 A、大体积混凝土 B、干燥环境下的混凝土 C、耐热混凝土 D、水泥混凝土路面 7、与连续级配相比较，间断级配集料用于水泥混凝土的主要缺点是（）。 拌合物容易离析、 B、水泥用量大A． C、混凝土砂率小 D、单位用水量低 8、当牌号为HRB335钢筋接头进行弯曲试验时，弯曲直径应取（）。 A、2d B、4d C、5d D、3d 9、试拌混凝土时，如果混凝土的拌合物的和易性不符合要求，最常用的方法是调整（）。 A、拌合用水量 B、砂率 C、水泥用量 D、水泥浆用量，水灰比不变 10、钢材冷加工强化时效后其（）。 A、强度提高 B、韧性提高 C、可焊性提高 D、塑性提高 11、下列四个指标中，哪一个不满足规范要求时水泥则为废品（）。 A、烧失量 B、不溶物 C、初凝时间 D、终凝时间 12、用雷氏夹法测定水泥的安定性，沸煮时指针朝向正确的是（）。 A、朝下 B、水平悬空 C、朝上 D、以夹子能稳定放置为准 13、脱氧完全钢被称为（）。 A、镇静钢 B、半镇静钢 C、沸腾钢 D、特殊镇静钢 14、为保证沥青混合料与集料的粘附性，在选用石料时，应优先选用（）石料。 A、酸性 B、碱性 C、中性 D、无要求 15、若沥青混合料的油石比为5.0%，则沥青含量为（）。 A、 4.76% B、4.56% C、5.0% D、5.26% 16、混凝土立方体抗压强度试件的标准尺寸是（）。 赣 南 师 范 学 院 2010–2011学年第一学期期末考试试卷（A 卷） 开课学院：物电学院 课程名称：半导体物理学 考试形式：闭卷，所需时间：120分钟 注意事项：1、教师出题时请勿超出边界虚线； 2、学生答题前将密封线外的内容填写清楚，答题不得超出密封线； 3、答题请用蓝、黑钢笔或圆珠笔。 一、填空题（共30分，每空1分） 1、半导体中有 电子 和 空穴 两种载流子，而金属中只有 电子 一种载流子。 2、杂质原子进入材料体内有很多情况，常见的有两种，它们是 替代式 杂质和间隙式 杂质。 1、 3、根据量子统计理论，服从泡利不相容原理的电子遵从费米统计率，对于能量为E 的一个量子态，被一个电子占据的概率为()f E ，表达式为 ， ()f E 称为电子的费米分布函数，它是描写 在热平衡状态下，电子在允许 的量子态上如何分布 的一个统计分布函数。当0F E E k T ->>时，费米分布函数转化为 ()B f E ，表达式为 ，()B f E 称为电子的玻尔兹曼分布函数。在 0F E E k T ->>时，量子态被电子占据的概率很小，这正是玻尔兹曼分布函数适用的范 围。费米统计率与玻尔兹曼统计率的主要差别在于 前者受泡利不相容原理的限制 ，而在0F E E k T ->>的条件下，该原理失去作用，因而两种统计的 结果变成一样了。 4、在一定温度下，当没有光照时，一块n 型半导体中， 电子 为多数载流子， 空穴 是少数载流子，电子和空穴的浓度分别为0n 和0p ，则0n 和0p 的关系为 大于 ，当用g h E ν>>（该半导体禁带宽度）的光照射该半导体时，光子就能把价带电子激发到导带上去，此时会产生 电子空穴对 ，使导带比平衡时多出一部分电子n ，价带比平衡时多出一部分空穴p ，n 和p 的关系为 ， 这时把非平衡电子称为非平衡 多数 载流子，而把非平衡空穴称为非平衡 少数 载流子。在一般小注入情况下，在半导体材料中，非平衡 多数 载流子带来的影响可忽略，原因是 注入的非平衡多数载流子浓度比平衡时的多数 载流子浓度小得多 ，而非平衡 少数 载流子却往往起着重要作用，原因是 2、 注入的非平衡少数载流子浓度比平衡时的少数载流子浓度大得多 。 5、非平衡载流子的复合，就复合的微观机构讲，大致可分为两种，直接复合和间接复合， 直接复合是指 电子在导带和价带之间的直接跃迁，引起电子和空穴的直接复合 ，间接复合是指 电子和空穴通过禁带的能级（复合中心）进行复合 。载流子在复合时，一定要释放出多余的能量，放出能量的方法有三种，分别为 、 、 3、 发射光子 发射声子 将能量给予其它载流子，增加它们的动能 。 6、在外加电场和光照作用下，使均匀掺杂的半导体中存在平衡载流子和非平衡载流子，由于 半导体表面非平衡载流子浓度比内部高 ，从而非平衡载流子在半导体中作 运动，从而形成 电流，另外，由于外加电场的作用，半导体中的所有载流子会作 运动，从而形成 电流。 二、选择题（共10分，每题2分） 1、本征半导体是指 的半导体。 A 、不含杂质和缺陷 B 、电子密度与空穴密度相等 C 、电阻率最高 D 、电子密度与本征载流子密度相等 2、在Si 材料中掺入P ，则引入的杂质能级 A 、在禁带中线处 B 、靠近导带底 C 、靠近价带顶 D 、以上都不是 3、以下说法不正确的是 A 、价带电子激发成为导带电子的过程，称为本征激发。 B 、本征激发后，形成了导带电子和价带空穴，在外电场作用下，它们都将参与导电。 C 、电子可以从高能量的量子态跃迁到低能量的量子态，并向晶格释放能量。 D 、处于热平衡状态下的导电电子和空穴称为热载流子。 4、以下说法不正确的是 一、单项选择题(每题1分,共20题) 2、不能用来评价沥青混合料耐久性的试验方法是（B）。 A、车辙试验； B、薄膜烘箱试验； C、冻融劈裂试验； D、残留稳定度试验 3、沥青混合料马歇尔稳定度表征沥青混合料的（C ）。 A、水稳性； B、耐久性； C、高温稳定性； D、低温稳定性 4、坍落度试验过程中，用来判断混凝土粘聚性的操作方法是（B ）。 A、坍落度的大小； B、金属棒侧向敲击； C、插捣时的难易程度； D、镘刀在拌和物表面的抹平过程 5、沥青的粘稠性越小，说明该沥青（B）。 A、针入度越大； B、标号越高； C、更适应环境温度较高的要求； D、更适应环境温度较低的要求 6、在（A ）的情况下，可以适当降低沥青混合料的沥青标号。 A、环境气候温度偏高； B、有渠化交通现象； C、用于多层路面的下面层； D、公称粒径偏细 7、水泥的物理力学性质技术要求包括细度、凝结时间、安定性和(B )等。 A、烧失量 B、强度 C、碱含量 D、三氧化硫含量 8、影响沥青软化点试验结果的最主要因素是（D）。 A、沥青的标号； B、升温起始温度由5℃改为2℃； C、试验烧杯容器体积的改变； D、升温加热速率的改变； 9、( D）是影响沥青针入度测定结果的因素之一。 A、升温速度； B、延伸速率； C、隔离级的隔离效果； D、试验温度 11、在筛分试验中，若0.074mm筛下的土不超过试样总质量的（B）时，则一般可不必用水析法做进一步地分析 A、5％ B、10％ C、15％ D、20％ 12、酒精燃烧法中所用酒精的纯度应为（C） A、98％ B、93％ C、95％ D、90％ 13、界限含水量主要用于（B ） A、评价各种土的状态 B、评价细粒土的状态 C、评价砂类土的状态 D、评价砾类土的状态 14、当土的液性指数Il＞1时，土为（C） A、塑态 B、固态 C、流态 D、半固态 15、土的孔隙比表示孔隙体积与（A ）体积之比 A、固体颗粒 B、液体 C、气体 D、固体颗粒加孔隙 16、击实试验中，至少应制备不同含水量的试样为：（C） A、3个 B、4个 C、5个 D、6个 17、密度测定时需进行两次平行试验，并求二者的算术平均值，但二者的平行差值不得大于（C ），否则应重做 A、0.01g/cm^3 密 封 线 内 不 要 答 题 座位号 安居职业高级中学校2015年下期期末考试 《Flash CS3动画设计》试题 （总分100分，考试时间90分钟） 一.选择题（共40分，每题2分/题） 1.以下（ ）不属于FLASH 元件。 A 图形 B 按钮 C 影片剪辑 D 帧 2. 分离命令的快捷键是（ ） A. Ctrl+G B. Ctrl+Shift+G C. Ctrl+B D. Ctrl+Shift+P 3.必须是（ ）才能制作形状补间动画。 A 位图 B 矢量图 C 文本 D 影片剪辑 4. . 若要使用铅笔工具绘制平滑的线条，应选择（ ）模式。 A 直线化 B 平滑 C 墨水瓶 D Alpha 通道 5. 按（ ）键可打开库面板。 A ）【F11】 B ）【Ctrl+F11】 C ）【F8】 D ）【Ctrl+F8】 6、flash 中最小的时间单位是（ ） A 、关键帧 B 、空白关键帧 C 、帧 D 、时间轴 7、在flash cs3中打开对齐面板的快捷键是（ ）。 A 、Ctrl+T B 、Ctrl+K C 、Ctrl+F3 D 、Ctrl+U 8、在Flash cs3中绘图工具所绘制的图形为（ ）图形。 A 、位图 B 、矢量图 C 、平整图 D 、立体图 9、如果要向一个画好的圆中填充颜色最好用下面的哪个工具：（ ） A ． B. C. D. 10、一个最简单的动画最少应该有（ ）个关键帧。 A.1 B.2 C.3 D.4 11、制作沿引导线运动动画的对象必须是（ ）。 A ．文字 B ．图形 C ．群组对象 D.元件对象 12、在遮罩动画中，（ ）层中的动画对象只显示其图形轮廓。 A ．遮罩层 B ．被遮罩层 C ．普通层 D ．引导层 13、在按钮中，（ ）状态中的动画对象在动画中显示不出来。 A ．弹起 B ．指针经过 C ．按下 D ．点击 14、控制动画播放的命令是（ ） A ．Play B ．Stop C ．Goto D ．URL 15、用于改变对象透明度的参数是：( ) A ．_height B ．_rotation C ．__alpha D ．_visible 16、在Flash MX 中，要绘制基本的几何形状，不可以使用的绘图工具是：（ ） A. 直线 B. 椭圆 C. 圆 D. 矩形 17、FLASH 动画是一种（ ） A 、流式动画 B 、FL C 动画 C 、AVI 动画 D 、GIF 动画 18、关于时间轴上的图层，以下描述不正确的是（ ）。 A 、图层可以上下移动 B 、图层可以重命名 C 、图层能锁定 D 、图层不能隐藏 19、下面哪个面板可以用来旋转图形？（ ） A 、参数面板 B 、变形面板 C 、属性面板 D 、对齐面板 20、下面哪个面板可以设置舞台背景？（ ） A 、对齐面板 B 、颜色面板 C 、动作面板 D 、属性面板 半导体期末复习补充材料 一、名词解释 １、准费米能级 费米能级和统计分布函数都是指的热平衡状态，而当半导体的平衡态遭到破坏而存在非平衡载流子时，可以认为分就导带和价带中的电子来讲，它们各自处于平衡态，而导带和价带之间处于不平衡态，因而费米能级和统计分布函数对导带和价带各自仍然是适用的，可以分别引入导带费米能级和价带费米能级，它们都是局部的能级，称为“准费米能级”，分别用E F n、E F p表示。 ２、直接复合、间接复合 直接复合—电子在导带和价带之间直接跃迁而引起电子和空穴的直接复合。 间接复合—电子和空穴通过禁带中的能级（复合中心）进行复合。 ３、扩散电容 PN结正向偏压时，有空穴从P区注入N区。当正向偏压增加时，由P区注入到N区的空穴增加，注入的空穴一部分扩散走了，一部分则增加了N区的空穴积累，增加了载流子的浓度梯度。在外加电压变化时，N扩散区内积累的非平衡空穴也增加，与它保持电中性的电子也相应增加。这种由于扩散区积累的电荷数量随外加电压的变化所产生的电容效应，称为P-N结的扩散电容。用CD表示。 4、雪崩击穿 随着PN外加反向电压不断增大，空间电荷区的电场不断增强，当超过某临界值时，载流子受电场加速获得很高的动能，与晶格点阵原子发生碰撞使之电离，产生新的电子—空穴对，再被电场加速，再产生更多的电子—空穴对，载流子数目在空间电荷区发生倍增，犹如雪崩一般，反向电流迅速增大，这种现象称之为雪崩击穿。 1、PN结电容可分为扩散电容和过渡区电容两种，它们之间的主要区别在于 扩散电容产生于过渡区外的一个扩散长度范围内，其机理为少子的充放 电，而过渡区电容产生于空间电荷区，其机理为多子的注入和耗尽。 2、当MOSFET器件尺寸缩小时会对其阈值电压V T产生影响，具体地，对 于短沟道器件对V T的影响为下降，对于窄沟道器件对V T的影响为上升。 3、在NPN型BJT中其集电极电流I C受V BE电压控制，其基极电流I B受V BE 电压控制。 4、硅-绝缘体SOI器件可用标准的MOS工艺制备，该类器件显著的优点是 寄生参数小，响应速度快等。 5、PN结击穿的机制主要有雪崩击穿、齐纳击穿、热击穿等等几种，其中发 生雪崩击穿的条件为V B>6E g/q。 6、当MOSFET进入饱和区之后，漏电流发生不饱和现象，其中主要的原因 有沟道长度调制效应，漏沟静电反馈效应和空间电荷限制效应。 二、简答题 1、发射区重掺杂效应及其原因。 答：发射区掺杂浓度过重时会引起发射区重掺杂效应，即过分加重发射区掺杂不但不能提高注入效率γ，反而会使其下降。 原因：发射区禁带宽度变窄和俄歇复合效应增强 2017《公共基础》公路水运试验检测师考试 试题及参考答案 一、单选题(共40题，每题1分，共40分)。 1.检验检测机构年度内部审核活动应覆盖( )。 A.经常出现问题的检测室 B.关键的管理部门 C.客户投诉最多的部门 D.管理体系的全部要素和所有活动 2.在数字计算中，下列说法错误的是( )。 A.加减法运算中，有效数字以小数点位数最少为准 B.乘除计算中，有效数字以最少有效数字位数为准 C.常数π的有效数字位数需要几位报几位 D.将常数开方后，结果必须比原数少一位 3.依据《检验检测机构资质认定评审准则》，以下属于质量记录的是( )。 A.样品管理记录 B.合同评审记录 C.人员培训考核记录 D.环境条件控制记录 4.下列有关检验检测机构记录的规定，错误的是( )。 A.记录应按照适当程序规范进行 B.修改后的记录应重抄后存档 C.规定了原始观测记录的保存期限 D.保存记录应防止虫蛀 5.依据《检验检测机构资质认定评审准则》的有关规定，( )需经国家或省级技术监督部门批准。 A.最高管理者 B.技术负责人 C.质量负责人 D.授权签字人 6.按照《公路水运工程试验检测管理办法》的有关规定，公路水运工程试验检测机构名称、地质、法定代表人等发生变更的，应当自变更之日起( )日内到原发证质监机构办理变更登记手续。 A.15 B.30 C.60 D.90 7.以下关于分包的描述，正确的是( )。 A.检验检测机构获得资质认定的技术能力，可以分包给具有相应技术能力的另一检验检测机构 B.只要检验检测机构获得资质认定的技术能力就可以随意实施分包 C.检验检测机构未获得资质认定的技术能力，不能分包给获得检验检测机构资质认定并有相应技术能力的另一检验检测机构 D.分包的检验检测项目可以不事先取得委托人的同意 8.计量技术机构对仪器设备开展计量检定，应依据( )进行。2018公路水运试验检测师桥梁隧道工程真题及参考答案
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