(完整版)一周搞定系列之模电全集

模电公式总结1. 基本电路参数1.1 电流公式•电流公式：$$I = \\frac{V}{R}$$–其中，I为电流，V为电压，R为电阻。

1.2 电压公式•电压公式：$$V = I \\cdot R$$–其中，V为电压，I为电流，R为电阻。

1.3 功率公式•功率公式：$$P = V \\cdot I$$–其中，P为功率，V为电压，I为电流。

2. 放大电路2.1 电压放大倍数•电压放大倍数：$$A_v = \\frac{V_o}{V_i}$$–其中，A_v为电压放大倍数，V_o为输出电压，V_i为输入电压。

2.2 增益•增益：$$G = \\frac{V_o - V_i}{V_i}$$–其中，G为增益，V_o为输出电压，V_i为输入电压。

3. 滤波电路3.1 截止频率•截止频率：$$f_c = \\frac{1}{2\\pi RC}$$–其中，f_c为截止频率，R为电阻，C为电容。

4. 频率响应4.1 相位差•相位差：$$\\phi = \\arctan(\\frac{X_L - X_C}{R})$$–其中，X_L为电感的电抗，X_C为电容的电抗，R为电阻。

4.2 增益•增益：$$|A_v| = \\sqrt{\\frac{X_L - X_C}{R}^2 + 1}$$–其中，|A_v|为增益，X_L为电感的电抗，X_C为电容的电抗，R为电阻。

5. 脉冲响应5.1 集成电路•脉冲响应：$$h(t) = V_i(t) \\ast g(t)$$–其中，h(t)为脉冲响应，V_i(t)为输入信号，g(t)为脉冲响应函数。

6. 非线性电路6.1 二极管方程•二极管方程：$$I_D = I_s(e^{\\frac{V_D}{V_t}} - 1)$$–其中，I_D为二极管正向电流，I_s为饱和电流，V_D为二极管正向电压，V_t为温度标准电压。

7. 反馈电路7.1 闭环增益•闭环增益：$$A_f = \\frac{A}{1 + A\\beta}$$–其中，A为开环增益，$\\beta$为反馈系数。

模拟电子技术基础第1章 常用半导体器件1.9测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.9所示。

在圆圈中画出管子，并说明它们是硅管还是锗管。

图P1.9解:如解图1.9。

解图1.9第2章 基本放大电路习题2.5在图P2.5所示电路中,已知晶体管的β=80,ber =1kΩ,20iU mV = ,静态时0.7BEQ U V =,4CEQ U V =,20BQ I A μ=。

判断下列结论是否正确，在括号内打“√”和“×”表示。

(1)342002010uA -=-=-⨯ (×) (2)4 5.710.7uA =-=- (×) (3)8054001u A ⨯=-=- (×) (4)80 2.52001uA ⨯=-=- (√) (5)20120i R k k =Ω=Ω (×) (6)0.7350.02i R k k =Ω=Ω (×) (7)3i R k ≈Ω (×) (8)1i R k ≈Ω (√) (9)5OR k =Ω (√) (10) 2.5O R k =Ω (×)(11)20S U mV ≈ (×) (12)60SU mV ≈ (√)2.7电路如图P2.7所示，晶体管的β=80 ，'100bb r =Ω。

分别计算L R =∞和3L R k =Ω时的Q 点、uA 、i R 和o R 。

解：在空载和带负载情况下，电路的静态电流、be r 均相等，它们分别为：22CC BEQBEQ BQ bsV U U I A R R μ-=-≈1.76CQ BQ I I mA β=≈'26(1)1.3be bb EQmVr r k I β=++≈Ω 空载时，静态管压降、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻分别为：6.2CEQ CC CQ c U V I R V =-≈； 308c ubeR A r β=-≈-// 1.3i b be be R R r r k =≈≈Ω； 93beusube sr A A r R ≈⋅≈-+5o c R R k ==Ω3L R k =Ω时，静态管压降、电压放大倍数分别为：(//) 2.3LCEQ CC CQ c L L cR U V I R R VR R =-≈+用基尔霍夫电流定律容易理解(//)115c L u be R R A r β=-≈- 34.7be us ube sr A A r R ≈⋅≈-+ // 1.3i b be be R R r r k =≈≈Ω 5o c R R k ==Ω。

解：
1、直流静态分析
电容当做是断路
画电路图
IBQ=（ui-0.7）/Rb
ICQ=β*IBQ
UCEQ=VCC-ICQ*RC
2、交流动态分析
电容当做导线，直流电源接地
化简电路，尤其注意连接地这个点的电阻
把握BCE三个点化简三极管
求rbe=200+26mv/IBQ
求ube=Us*A/(A+B)
求Ib=ube/rbe
求Ic=β*Ib
求uo=-Ic*R
Uce=UCEQ+uo
把三极管删掉，留下BCE三个点。

BE之间画电阻rbe
CE之间画受控电流源
BC之间没有交集，不连接
电流方向看三极管模型的E极的方向
假设示波器观测放大电路，出现底部被削，UCE<0.7状态，那么因此饱和失真。

那么是UCEQ太小导致，解决措施增大UCEQ。

UCE=UCEQ-A*sinwt
UCEQ=VCC-ICQ*RC
=VCC-β*IBQ*RC
= VCC-β*（ui-0.7）/RB*RC
只出现顶部或者底部被削，不要改变RC，只改变RB就可以。

如果是顶部与底部同时被削，那么此时是放大倍数过大。

需要减小Rc。

模电总结（大全5篇）第一篇：模电总结半导体器件半导体中有两种载流子：电子，空穴。

当电子挣脱共价键的束缚成为自由电子后，共价键就留下一个空位，这个空位就称为空穴。

影响半导体导电性的因素：外界热（温度）和光的作用或往纯净的半导体中掺入某些杂质。

本征半导体：完全纯净的、结构完整的半导体晶体。

在绝对0度（T=0K）和没有外界激发时,价电子完全被共价键束缚着，本征半导体中没有可以运动的带电粒子（即载流子），它的导电能力为0，相当于绝缘体。

在常温下，由于热激发，使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电子，同时共价键上留下一个空位，称为空穴。

本征激发的特点：① 两种载流子参与导电，自由电子数（n）=空穴数（p）② 外电场作用下产生电流，电流大小与载流子数目有关③ 导电能力随温度增加显著增加杂质半导体（通过掺杂，提高导电能力）N 型半导体：电子是多数载流子，空穴是少数载流子，但半导体呈中性，也称为（电子半导体）。

（在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素，如磷形成）P 型半导体：空穴是多数载流子，电子是少数载流子，但半导体呈中性，也称为（空穴半导体）。

（在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素，如硼形成）多子浓度主要取决于杂质浓度，少子浓度与温度有关。

二极管：导通管的压降看做常值（硅0.7V，锗0.2V）或0V（理想二极管）。

特殊二极管——稳压管（工作在反向击穿区）稳压原理：无论输入变化或负载变化，引起的电流变化都加于稳压管上，使输出电压稳定。

双极性晶体管（BJT）集电区：面积较大，基区：较薄，掺杂浓度低，发射区：掺杂浓度较高。

要使三极管能放大电流，必须使发射结正偏，集电结反偏。

双极性晶体管输出特性三个区域的特点: ① 放大区：发射结正偏，集电结反偏。

② 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。

③ 截止区: 发射结、集电结均反偏。

双极型三极管是电流控制器件，场效应管是电压控制器件。

场效应管有两种: 结型场效应管JFET；绝缘栅型场效应管MOS ① N沟道增强型② N 沟道耗尽型③ P 沟道增强型④ P 沟道耗尽型耗尽型与增强型的区别在与UGS=0时是否有导电沟道。