1-1 思考题
1-1-1.典型PN结隔离工艺与分立器件NPN管制造工艺有什么不同（增加了哪些主要工序）？增加工序的的目的是什么？1-1-2.NPN管的电极是如何引出的？集电极引出有什么特殊要求？
1-1-3.典型PN结隔离工艺中隔离扩散为什么放在基区扩散之前而不放在基区扩散或发射区扩散之后？
1-2 思考题
1-2-1.在N阱硅栅CMOS基本工艺中做连线有源区和多晶硅可否交叉通过？
1-2-2. 在N阱硅栅CMOS基本工艺中有源区包括哪些区域，是如何刻蚀出来的？
1-2-3.集成MOS管的衬底电极与分立MOS器件的有何不同？引出时要注意什么？
1-2-4.为什么要进行引线孔参杂？
2-1 思考题
2-1-1.集成NPN管与分立NPN管有什么不同？
2-1-2.有源寄生效应有何影响？如何减小或消除？
2-1-3.无源寄生有何影响？
2-1-4.NPN管图形尺寸与其主要参数之间有什么关系？
2-1-5.NPN管常用图形各自的特点是什么？
2-1-6.超增益管BC结的偏压为什么要限制在0伏左右？
2-1-7.超增益管的发射区通常采用什么图形？为什么？
2-2 思考题
2-2-1.设n+埋层对横向PNP管有什么好处？
2-2-2.可控增益横向PNP管的原理是什么？
2-2-3.横向PNP管的发射区为何选用较小的面积？
2-2-4.衬底PNP管为什么不能加n+埋层？
2-2-5.衬底PNP管的应用有什么局限性？
2-2-6.为什么衬底PNP管的基区表面要覆盖大面积的n+扩散？
2-3 思考题
2-3-1. MOS晶体管沟道长度和宽度是如何定义的?
2-3-2. MOS晶体管尺寸如何确定？
2-3-3. 寄生MOS晶体管如何形成的？它的危害是什么？如何消除？
2-3-4. 闩锁效应是如何产生的？有何危害？如何抑制其发生？
2-4 思考题
2-4-1.集成电路中的一般二极管构成方式有哪些？各自有什么特点？
2-4-2.隐埋齐纳二极管的优点是什么？
2-4-3.肖特基二极管的特点是什么？
2-4-4.肖特基晶体管的结构和工作原理是什么？
2-4-5.设计肖特基二极管和肖特基晶体管时应注意什么？
2-5 思考题
2-5-1.形成电阻的方式有哪些？各自的特点是什么？
2-5-2.各种结构电阻的电阻值如何计算？2-5-3.设计电阻时应该考虑哪些因素？
2-6 思考题
2-6-1.形成电容的方式有哪些？各自的特点是什么？
2-6-2.各种结构电容的电容值如何计算？
2-6-3.设计电容时应该考虑哪些因素？
3-1 思考题
3-1-1.版图设计规则包含哪些内容？
3-1-2.几何设计规则的制定与哪些因素有关？
3-1-3.版图设计中使用的工艺层与流片中使用的掩模版有什么关系？
3-2 思考题
3-2-1. 隔离区如何划分？阱区如何划分？
3-2-2.压焊点如何排布？
3-2-3. 布局策略如何？
3-2-4.布线层有哪些？布线策略如何？
3-2-5.有源区连线与多晶硅连线为什么不能交叉走线？
3-3 思考题
3-3-1.版图验证有什么重要性？
3-3-2.版图验证流程有哪些环节？各自的目的是什么？
3-4 思考题
3-4-1.公共区域合并的好处。
3-4-2.器件连接顺序与版图设计之间有何关系？
3-4-3.版图设计中有哪些匹配性设计要求？
4-1 思考题
4-1-1. CMOS反相器的速度、功耗、噪声容限分别受哪些因素影响？
4-1-2.CMOS反相器的几种最佳设计方案的内涵是什么？
4-1-3. CMOS反相器电压传输特性曲线受哪些因素影响？
4-2 思考题
4-2-1.NMOS传输门、PMOS传输门、CMOS传输门各自的优缺点是什么？
4-2-2.传输门的传输速度与哪些因素有关？
4-3 思考题
4-3-1. CMOS门电路中，输入端数对特性有何影响（静态和瞬态）？设计时如何考虑？
4-5 思考题
4-5-1. 各种NMOS（含伪NMOS）反相器的结构有何不同？各自的优缺点是什么？速度、功耗、噪声容限分别受哪些因素影响？
4-5-2.各种NMOS （含伪NMOS）反相器的输出高低电平如何计算？分别受什么因素影响？
4-5-3.什么叫有比电路？
4-5-4. NMOS门电路中，输入端数对特性有何影响（静态和
瞬态）？设计时如何考虑？
4-5-5.差分级联电压开关逻辑的突出特点有哪些？为什么说它属于有比电路？
4.11 思考题
4-11-1.在CMOS数字集成电路设计中，为什么通常采用反相器作为输入/输出单元？
5-1 思考题
5-1-1.存储器一般由哪几部分组成？
5-1-2.设计译码电路时应注意什么问题？
5-1-3.多级译码电路有什么优点？
5-2 思考题
5-2-1. Mask ROM 的特点是什么？
5-2-2. Mask ROM是如何存储信息“0”和信息“1”的？
5-3 思考题
5-3-1. EPROM 的特点是什么？
5-3-2. EROM是如何存储信息“0”和信息“1”的？
5-4 思考题
5-4-1. EEPROM 的特点是什么？
5-4-2. EEROM是如何存储信息“0”和信息“1”的？
5-4-3. 电荷泵产生高压是什么原理？
5-5 思考题
5-5-1. SRAM 的特点是什么？
5-5-2. SRAM是如何存储信息“0”和信息“1”的？
5-5-3. SRAM读出放大器的作用是什么？
5-5-4. 多端口SRAM的优点是什么？
5-6 思考题
5-6-1. DRAM 的特点是什么？
5-6-2. DRAM是如何存储信息“0”和信息“1”的？
5-6-2. DRAM为什么需要读出再生放大器？
5-7 思考题
5-7-1. CAM 一般划分为哪几类？
5-7-2. 各类CAM具有哪些特点？
6-1 思考题
6-1-1.什么是闩锁效应？它有什么危害？
6-1-2.如何消除闩锁效应？
6-2 思考题
6-2-1.MOS电路为什么要有抗静电设计？
6-2-2.对静电保护电路有何要求？
6-2-3.静电保护电路有哪些形式？保护原理是什么？
6-3 思考题
6-3-1.集成电路芯片设计有那些方法？各种方法的优缺点时什么？
7-1 思考题
1.各种结构的TTL与非门单元电路各自的特点是什么？
2.各种结构的TTL与非门单元电路中各个元器件的作用是什么？
7-2 思考题
1. 各种TTL基本门的功能是如何实现的？
2. 什么是OC门？它解决了什么问题？应用时应注意什么？
3.什么是三态门？它解决了什么问题？与OC门有何不同？
7-3 思考题
1.单管逻辑门的工作原理是什么？
2.单管逻辑门运用特点是什么？级连时应注意什么？
7-4 思考题
1. 集成电路一般组成结构中可分为几部分？各部分的特点是什么？
2. 集成电路设计与电子线路设计有何不同？
7-5 思考题
1. 集成电路版图设计为什么非常重要？
2.版图设计基本尺寸分为哪两大类？影响它们的因素有哪些？
3.晶体管图形尺寸与哪些因素有关？
4.扩散电阻条宽如何确定？
5.隔离区如何划分？
7-6 思考题
1.ECL电路速度快的原因有哪些？
2.ECL电路为什么要用射极跟随器？
3.射极跟随器有哪些作用？
4.参考电压源有什么作用？
5. ECL电路版图设计有什么特点？
7-7 思考题
1.I2L电路的集成度为什么会很高？
2.I2L电路的速度为什么会很慢？
3.进行I2L电路版图设计时应注意那些问题？
