高硅铝电子封装介绍--铸鼎工大-2018
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芯片纯铝和硅铝解释说明以及概述1. 引言1.1 概述本文将介绍芯片纯铝和硅铝的定义、特点、制备工艺、应用领域以及优势,并对它们进行比较与对比分析。
芯片纯铝是一种使用纯铝材料制作的电子元器件,而硅铝芯片则是利用硅和铝的合金进行制造的。
虽然两者都有广泛的应用领域和各自的优势,但在物理性质、制备工艺以及性能和价格方面存在一定差异。
通过深入了解这两种芯片材料,我们可以更好地理解它们在电子领域中的作用。
1.2 文章结构本文共包括以下部分:引言、芯片纯铝、硅铝芯片、比较与对比分析以及结论。
首先,在引言部分,将给出文章概述以及本文结构说明。
随后,我们将详细介绍芯片纯铝包括定义与特点、制备工艺、应用领域和优势等方面的内容。
接着,我们将转向硅铝芯片部分,同样探讨其定义与特点、制备工艺以及应用领域和优势。
之后,我们会进行比较与对比分析,包括物理性质对比、工艺难度对比以及性能和价格对比等方面。
最后,通过总结分析的结果,给出本文的结论。
1.3 目的本文的目的是为读者提供有关芯片纯铝和硅铝芯片的相关知识。
我们将详细描述它们的定义、特点、制备工艺、应用领域和优势,并进行全面的比较与对比分析。
通过阅读本文,读者将了解到这两种芯片材料在电子领域中的重要性以及它们之间的差异与联系。
希望本文能够为读者提供一定程度上的指导和参考,增加对芯片纯铝和硅铝芯片的理解。
2. 芯片纯铝:2.1 定义与特点:芯片纯铝是一种由纯铝材料制成的芯片。
它具有以下特点:- 纯度高:芯片纯铝采用纯铝材料制造,不含杂质和其他合金元素。
- 导电性好:纯铝具有良好的导电性能,可以有效传递电流和信号。
- 轻巧耐用:芯片纯铝重量轻,但具有较高的强度和耐腐蚀性。
2.2 制备工艺:芯片纯铝的制备主要包括以下步骤:- 原料准备:选取高纯度的铝块或粉末作为原材料。
- 熔炼:将原料加热至熔点,并通过冷却后形成块状或其他需要形态的结构。
- 加工与制造:使用化学、物理或机械方法对芯片进行加工和制造,以达到所需尺寸和形态。
电子封装材料及封装技术作者:杨冉来源:《中国科技博览》2016年第30期[摘要]微组装电路组件作为电子整机的核心部件,其工作可靠性对于电子整机来说非常关键。
需要对微组装电路组件进行密封,以隔绝恶劣的外部工作环境,保证其稳定性和长期可靠性,以提高电子整机的可靠性。
未来的封装技术涉及圆片级封装(WLP)技术、叠层封装和系统级封装等工艺技术。
新型封装材料主要包括:低温共烧陶瓷材料(LTCC)、高导热率氮化铝陶瓷材料和AlSiC金属基复合材料等[关键词]电子封装;新型材料;技术进展中图分类号:TN305.94 文献标识码:A 文章编号:1009-914X(2016)30-0005-01随着现代电子信息技术的迅速发展,电子系统及设备向大规模集成化、小型化、高效率和高可靠性方向发展。
电子封装正在与电子设计及制造一起,共同推动着信息化社会的发展[1]。
由于电子器件和电子装置中元器件复杂性和密集性的日益提高,因此迫切需要研究和开发性能优异、可满足各种需求的新型电子封装材料。
国外通常把封装分为4级,即零级封装、一级封装、二级封装和三级封装:零级封装指芯片级的连接;一级封装指单芯片或多芯片组件或元件的封装;二级封装指印制电路板级的封装;三级封装指整机的组装。
由于导线和导电带与芯片间键合焊接技术大量应用,一、二级封装技术之间的界限已经模糊了。
国内基本上把相对应国外零级和一级的封装形式也称之为封装,一般在元器件研制和生产单位完成。
把相对应国外二级和三级的封装形式称之为电子组装。
1 电子封装的内涵电子封装工艺技术指将一个或多个芯片包封、连接成电路器件的制造工艺。
其作为衔接芯片与系统的重要界面,也是器件电路的重要组成部分,已从早期的为芯片提供机械支撑、保护和电热连接功能,逐渐融入到芯片制造技术和系统集成技术之中,目前已经发展到新型的微电子封装工艺技术,推动着一代器件、电路并牵动着整机系统的小型化和整体性能水平的升级换代,电子封装工艺对器件性能水平的发挥起着至关重要的作用。
电子元件封装的基本介绍0805封装尺寸/0402封装尺寸/0603封装尺寸/1206封装尺寸封装尺寸与功率关系:0201 1/20W0402 1/16W0603 1/10W0805 1/8W1206 1/4W封装尺寸与封装的对应关系0402=1.0mmx0.5mm0603=1.6mmx0.8mm0805=2.0mmx1.2mm1206=3.2mmx1.6mm1210=3.2mmx2.5mm1812=4.5mmx3.2mm2225=5.6mmx6.5mm贴片电阻规格、封装、尺寸贴片电阻常见封装有9种,用两种尺寸代码来表示。
一种尺寸代码是由4位数字表示的EIA(美国电子工业协会)代码,前两位与后两位分别表示电阻的长与宽,以英寸为单位。
我们常说的0603封装就是指英制代码。
另一种是米制代码,也由4位数字表示,其单位为毫米。
下表列出贴片电阻封装英制和公制的关系及详细的尺寸:Note:我们俗称的封装是指英制。
零件封装知识零件封装是指实际零件焊接到电路板时所指示的外观和焊点的位置。
是纯粹的空间概念.因此不同的元件可共用同一零件封装,同种元件也可有不同的零件封装。
像电阻,有传统的针插式,这种元件体积较大,电路板必须钻孔才能安置元件,完成钻孔后,插入元件,再过锡炉或喷锡(也可手焊),成本较高,较新的设计都是采用体积小的表面贴片式元件(SMD)这种元件不必钻孔,用钢膜将半熔状锡膏倒入电路板,再把SMD元件放上,即可焊接在电路板上了。
电阻AXIAL无极性电容RAD电解电容RB-电位器VR二极管DIODE三极管TO电源稳压块78和79系列TO-126H和TO-126V场效应管和三极管一样整流桥D-44 D-37 D-46单排多针插座CON SIP双列直插元件DIP晶振XTAL1电阻:RES1,RES2,RES3,RES4;封装属性为axial系列无极性电容:cap;封装属性为RAD-0.1到rad-0.4电解电容:electroi;封装属性为rb.2/.4到rb.5/1.0电位器:pot1,pot2;封装属性为vr-1到vr-5二极管:封装属性为diode-0.4(小功率)diode-0.7(大功率)三极管:常见的封装属性为to-18(普通三极管)to-22(大功率三极管)to-3(大功率达林顿管)电源稳压块有78和79系列;78系列如7805,7812,7820等79系列有7905,7912,7920等常见的封装属性有to126h和to126v整流桥:BRIDGE1,BRIDGE2: 封装属性为D系列(D-44,D-37,D-46)电阻:AXIAL0.3-AXIAL0.7其中0.4-0.7指电阻的长度,一般用AXIAL0.4 瓷片电容:RAD0.1-RAD0.3。
电子封装材料电子封装材料是电子元器件封装的重要组成部分,它直接影响着电子产品的性能和可靠性。
电子封装材料的种类繁多,包括塑料封装材料、金属封装材料、陶瓷封装材料等。
不同的封装材料适用于不同的电子元器件,下面我们就来详细介绍一下电子封装材料的种类和特性。
首先,塑料封装材料是目前应用最为广泛的一种封装材料。
它具有成本低、加工工艺简单、重量轻等优点,适用于大多数小功率、低频率的电子元器件。
塑料封装材料主要包括环氧树脂、聚酰亚胺、聚酰胺等,它们具有良好的绝缘性能和机械强度,能够满足一般电子产品的封装需求。
其次,金属封装材料主要用于高功率、高频率的电子元器件。
金属封装材料具有良好的散热性能和电磁屏蔽性能,能够有效保护电子元器件不受外界干扰。
常见的金属封装材料有铝、铜、钛等,它们能够满足高功率、高频率电子元器件对热量和电磁干扰的要求。
另外,陶瓷封装材料也是一种重要的封装材料。
陶瓷封装材料具有优异的绝缘性能和耐高温性能,适用于高温、高压、高频率的电子元器件。
常见的陶瓷封装材料有氧化铝、氮化硼、氧化锆等,它们能够满足对高温、高压环境下电子元器件的封装要求。
总的来说,不同的电子封装材料具有不同的特性和适用范围。
在选择封装材料时,需要根据电子元器件的工作环境、性能要求以及成本考虑等因素进行综合考虑。
同时,随着电子产品对封装材料性能要求的不断提高,新型封装材料的研发和应用也将成为未来的发展趋势。
综上所述,电子封装材料是电子产品中不可或缺的一部分,它直接影响着电子产品的性能和可靠性。
不同的封装材料适用于不同类型的电子元器件,选择合适的封装材料对于提高产品性能、降低成本具有重要意义。
随着科技的不断进步,相信电子封装材料的研发和应用将会迎来更加美好的未来。
微电子封装热沉材料铝碳化硅竞争对手资料:一.美国TTC(Thermal Transfer Composites)公司简介从1990开始,美国NASA着手对土星进行探测,并开始建造Cassini土星探测飞船,作为20世纪最大、最复杂的行星探测器,为了确保Cassini抵达土星后能顺利传回图像,NASA选择了LEC(LanxideEletronicComponents)公司生产的铝碳化硅材料(AlSiC)作为飞船存储元件的封装材料。
2004年6月30日,Cassini探测飞船飞抵目的地——土星,随后传回了许多在太阳系从未见过的令人惊叹的图像。
创办于2004年的TTC(Thermal TransferComposites)公司,作为LEC公司的继承者,对此感到无比的骄傲与自豪。
TTC公司大部分员工都曾受雇于LEC公司,在MMC和陶瓷工程行业用于多年的经验,并一直致力于研发与生产更先进的热管理材料。
TTC公司自成立之初就迅速成为电子工业中热管理材料行业的领导者之一。
当前,TTC公司生产的铝碳化硅(AlSiC)热管理材料和结构材料广泛运用于电信卫星,军事硬件,高性能微处理机配件,下一代混合动力和燃料电池动力装置的IGBT能量转换元件。
TTC公司通过了ISO9001/2000认证,生产的IGBT能量转换元件的底座,LDMOS的散热片已经销往美国,欧洲,亚洲,还是许多美国和欧洲的军事项目的供应商。
TTC公司在金属模板和陶瓷工程行业拥有超过70年的经验,公司上下一心,一直致力于不断提高cuttingedge技术,不断研发新产品,并且把完善客户服务作为一种嗜好,通过这些方面的努力,公司完全有能力为客户提供最高质量的产品,有能力迎接当前和未来在热管理方面的挑战。
在以往,电子工业中的导热和结构方面的问题都是单独依靠金属或者陶瓷来解决,经常影响产品的性能和限制设计方案。
TTC公司生产的铝碳化硅材料为解决这些问题提供了一条全新的思路。