镁热自蔓延法制备B4C 微粉

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收稿日期:2003204216

基金项目:辽宁省博士启动基金资助项目(9910300402)・

作者简介:张廷安(1960-),男,河南周口人,东北大学教授・

第24卷第10期2003年10月东北大学学报(自然科学版)JournalofNortheasternUniversity(NaturalScience)Vol124,No.10Oct.2003

文章编号:100523026(2003)1020935204

镁热自蔓延法制备B

4C

微粉

张廷安,豆志河,杨 欢,丁前丽(东北大学材料与冶金学院,辽宁沈阳 110004)

摘 要:利用自蔓延制粉技术过程简单、纯度高、粒度小等优点,以B2O3、Mg粉和C为原料制备B4C粉末・通过对B

2O3

2Mg2C反应体系的绝热温度计算,确定该体系自蔓延反应进行的可行性

通过X射线衍射分析推测其反应机理・由扫描电镜分析知B

4C晶粒细小,由电子衍射图谱知B4C

为发育完整的单晶,但是有发育不完整的多晶存在・由光谱分析知B

4C的纯度不低于98%,

而容量

分析结果表明B

4C

的纯度偏低

关 键 词:B

4C;绝热温度;自蔓延高温合成;光谱分析;容量分析;

多晶

中图分类号:TQ174 文献标识码:A

B4C陶瓷具有高化学位、低密度、高弹性模量、高显微硬度、耐化学腐蚀、与熔融金属相容和大中子截获面积等优点[1~3],被广泛用作研磨和

磨削材料、减磨和自润滑材料、特种耐酸和碱浸蚀材料以及原子反应堆控制、屏蔽材料和热电转换原件等[4]・工业制取碳化硼粉主要有石墨电阻炉法和电弧炉法・球磨可制备微米级碳化硼粉,但产品中不可避免地混入大量被研磨下来的杂质・自蔓延技术生产高质量粉末具有过程简单、纯度高、粒度小、粉末活性高等优点[5,6]・用自蔓延高温合成技术的优点制备出性能优良的B

4C

超细微粉

1 热力学计算

1.1 镁热自蔓延法制备B4C微粉本课题组将SHS技术与传统的镁还原法生产碳化硼结合,提出了镁热自蔓延法制备B

4C

粉,把温度降低到650℃左右就可以发生,极大地降低能耗・其化学反应方程式为2B2O3+6Mg+C=B4C+6MgO・(1)

1.2 体系的绝热温度Tad的计算

[5]

绝热温度Tad是描述SHS反应特征的重要的热力学参数・Merzhanov等人提出了以下经验判

据,即当T

ad>1800K时,SHS

反应才能维持完

成・以式(2)表示的反应为例:

A(s)+B(s)=AB(s)+ΔH・

(2)

反应期间放出的热量为

ΔH=ΔHθ298+∫Tad298Δc

p产物

dT・(3)

式中,ΔHθ298为产物在298K时的标准生成焓;

Δcp为产物比定压热容;绝热温度T

ad

可根据式

(3)计算・

cp

可近似地用如下公式计算:

cp=a+b×10-3T+c×105T-2・(4)

a,b,c由无机热力学数据手册查得[7]・

对于反应,2B

2O3+6Mg+C=B4C+6MgO

ΔH

θ

298=-1138.130kJ/mol,

ΔHθ298=∫Tmp298Δcp产物dT+ΔHm+∫TadTmpΔc

p产物,液态

dT

(5)解得T

ad=2749.5K≥1800K,

反应易于进行

2 实 验

2.1 实验方法将Mg(分析纯,质量分数≥99%),B

2O3(分析

纯,质量分数≥98%),石墨(分析纯,质量分数≥98%)按化学计量比混合均匀,压制成D15高度2cm柱状压坯・氩气保护,以15℃/min速度升温,直

到样品起爆・反应后继续通氩气冷却至室温・用60%质量浓度硫酸将反应产物浸出2~3h・

静置,

最后溶液分层,上层为灰色粒度较小的B

4C,

下层

粒度稍大的B4C・用抽滤漏斗洗涤浸出产物,用5%的硫酸洗去镁离子,再用去离子水洗涤至中性・低温烘干得到B4C产品・2.2 性能测试对燃烧产物和浸出产物进行X2ray衍射分析,对B4C产品进行光谱分析和容量分析,对B4C产品进行扫描电镜分析・3 结果及讨论3.1 反应现象分析从热爆产物外貌上观察,直接起爆要比恒温起爆反应剧烈得多,直接起爆的产物都炸为碎块状,恒温起爆的产物只在压样表面炸开一个缝・利用热爆反应和加热速度的关系可以解释此现象[8]・化学反应要自发进行,既要满足热力学条件,又要满足动力学条件・常温下粉末混合体并不发生反应・当粉末混合体被加热到一定的温度时即热起爆温度TQ,动力学条件得到满足,反应便自发进行・TQ可认为是某一化合反应的特征物理量・试料被加热到起爆温度之前扩散反应已发生,到达该温度TQ前,受扩散反应产物的阻碍而不发生热爆反应・因而热爆反应起始温度在一定范围内受加热速度影响・对于自蔓延反应系而言,扩散反应时有个聚热的过程,当内部热量聚集到一定程度,达到起爆温度时,会剧烈反应,并放出大量的热量,并同时引发整体反应・另外,在恒温过程中三氧化二硼和镁均已熔化,但该反应没有发生・说明镁和三氧化二硼的熔化并没有导致体系热爆反应发生[9],但体系的反应温度最低只能降到650℃左右・3.2 B4C成分分析表1和表2分别为压样压力为10,20,30,40MPa的浸出产物的光谱分析和硼质量分数的容量分析结果・表1 B4C微粉的光谱分析Table1 SpectralanalysisofB4Cpowderp/MPaw(Mg)/%w(Fe)/%w(SiO2)/%1010.0010.012010.0010.013010.0030.024010.0020.01表2 B4C微粉硼质量分数的容量分析Table2 VolumetricanalysisofB4Cpowderp/MPaw(B)/%纯度/%1074.1194.682073.2293.553071.6991.594072.4892.60由光谱分析结果知B

4C

微粉的纯度不低于

98%・

但容量法分析的结果其质量分数在

91159%~94168%・

原因一是硼碳化合物有13种

(B

16C,B12C3,B12C13,B17C3,B6C,B7C,B8C,B13C2,

B13C,B12C,B2C2,B3C,BC2),容量分析是以B4C的成分计算的・其二,在容量分析过程中B

4C

碱熔容易损失使分析值偏低・第三,碳化硼与石墨形成低熔共晶体也能使硼质量分数偏低・

3.3 X2ray衍射分析图1和图2是压样压力为20MPa时的燃烧产物和浸出产物进行X2ray衍射分析・由图1知,

反应产物为MgO,Mg3(BO3)2及B4C・发生的反应为[10]3MgO+2B2O3=Mg3(BO3)2,此反应为副

反应・

图1 燃烧产物X射线衍射图谱Fig.1 XRDspectraofcombustionproducts

图2 浸出产物X射线衍射图谱Fig.2 XRDspectraofproductsafterlixiviating

由图2衍射结果可知,酸洗后产物主要为B

4C

及微量的碳,MgO和Mg3(BO3)2溶于稀硫酸而除去,而Mg及B2O3挥发导致体系中碳有剩余・

3.4 扫描电镜分析浸出产物扫描电镜如图3所示・研究发现试样压力不同,其晶粒大小也不同・由图3知,随着压力的增大,其晶粒也在增大・因为反应是分步反应,当Mg与B2O3反应还原出单质硼之后才会生成B

4C,

因此硼的状态(液态或固态)以及硼与碳

之间的距离会对生成的B

4C

晶粒尺寸影响极大

压力大的样品其孔隙度小,B与C的距离近,接触面大,相对区域的质量分数高,所以晶粒发育生长充分,晶粒较大・由于起爆温度低于硼的熔点,硼以固态存在,固态的硼与碳通过扩散反应生成

639东北大学学报(自然科学版) 第24卷B4C,反应速度取决于硼与碳的相互扩散速度;由于在燃烧波阵面内的反应时间很短,B4C难以长大・随着孔隙度变小,燃烧波速度明显减慢,并出现振荡现象・这也说明随着压力的增大,在燃烧波内的反应时间就长,为B4C晶粒的增长提供了时间,所以随着压力增大B4C颗粒增大・

图4为B4C的电子衍射图谱・其中图4a具有明显的晶格点阵,属于生长完全颗粒晶型・而图4b看不到明显的晶格点阵,而且电子衍射图谱有明显的光晕,说明有发育不完整的多晶存在・

图3 不同压样压力时制备的B

4C

的显微照片

Fig.3 MicrographsofB4Cpreparedatdifferentpressures(a)—10MPa;(b)—20MPa;(c)—30MPa;(d)—

40MPa

图4 B

4C

的电子衍射图谱

Fig.4 ElectrondiffractionpatternsofB4C(a)—单晶;(b)—多晶

4 结 论(1)以

B

2O3,C和Mg为原料,采用SHS

冶金

法制备B

4C

超细粉末是可行的

(2)自蔓延生成的B4C粉末酸洗后经

TEM

检测,晶粒细小・电子衍射图谱说明B

4C

晶型发

育良好,但也可看到多晶的存在・

(3)光谱分析知,杂质质量分数应在2%以下

;

而容量分析表明B

4C粉末的纯度大约为90%

参考文献:

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粉[M]・沈阳:东北大学出版社,1999.40-45

(ZhangTA,HeJC.Ceramicmicro2powdersofTiB2and

LaB6bySHSmetallurgy[M].Shenyang:NortheasternUniversityPress,1999.40-45.)[6]LoganKV,MclemoreWJS,SparrowJJ.CombustionsynthesisofGaP,InPand(Ga,In)Punderamicrogravityenvironment[J].CeramicEngSciProc,1994,5:712-715.[7]梁英教,车荫昌・无机热力学手册[M]・沈阳:东北大学出