高频电路复习提纲

高频电路复习提纲（张肃文第五版）
一、绪论
1、无线通信发射机的框图，各个部件输出端和输入端的波形[笔记]。

2、无线通信接收机的种类。

调幅制和调频制超外差式接收机的框图，各个部件名称以及输出端和输入端的波形[笔记] 。

3、无线通信将信号调制后再发送的原因[笔记]。

二、选频网络
1、选频网络的种类：LC带通滤波器、陶瓷、石英晶体、声表面波滤波器。

2、普通集总串联（或并联）谐振网络和回路[笔记]
1）电路结构及其模型，注意有载和无载的区别，另外并联谐振网络的模型多一个串并转换的步骤。

2）回路电流（或电压）的频响表达式，谐振频率和非谐振频率上回路电流（或电压）的计算。

3）谐振频率、谐振时有载和无载品质因数、窄相对带宽情形下有载和无载半功率通频带的计算。

4）窄相对带宽情形下广义失谐的定义和近似公式。

5）谐振时电容和电感两端电压（或电流）的计算。

3、电感抽头式并联谐振电路[笔记]
1）接入系数的计算。

2）抽头端对地输入阻抗和整个电感两端输入阻抗的关系。

3）负载部分接入的电感抽头式并联谐振电路的等效电路模型。

4）电流源部分接入的电感抽头式并联谐振电路的等效电路模型。

4、双并联电容耦合振荡回路的耦合因数，不同耦合因数下的三种耦合状态：过耦合、临界耦合、欠耦合，以及前两种状态下半功率通频带和矩形系数的计算。

[笔记]
三、高频小信号放大器
1、晶体管的高频小信号y参数等效电路及y参数的含义。

[P60-62]
2、单级单调谐回路晶体管谐振放大器
1）单调谐回路晶体管谐振放大器的结构[P76 例3.3.3图；P120 题3.9图]：晶体管、选频和级间耦合网络、偏置电路等。

2）直流通路和交流通路的绘制，小信号等效模型的绘制。

3）谐振频率、空载谐振电导和有载总谐振电导、有载和无载品质因数的计算。

[P71-72] 注：有载选频网络的谐振频率一般近似为其无载谐振频率（晶体管部分接入的电容量相对很小）
4）有载半功率通频带、插入损耗的计算。

[P74, P73]
5）谐振频率上的电压增益和功率增益的计算。

[P71-72]
6）使谐振功率增益达到最大的匹配条件，以及此时的谐振电压增益和谐振功率增益。

[P71，P72]
3、多级单调谐回路谐振放大器比单级单调谐回路谐振放大器的矩形系数小，因而邻道选择性好。

4、双调谐回路谐振放大器比单调谐回路放大器通频带宽、矩形系数小，因而邻道选择性好。

5、晶体管高频谐振小信号放大器的稳定性问题：
1）不稳定和自激的概念及其产生原因。

[P82-84]
2）稳定措施及种类。

四、高频功率放大器
1、丙类晶体管高频谐振功率放大器[笔记]
1）简化电路结构：[P177 图5.2.1 ]。

2）采用丙类工作状态（半电流通角小于90度）的原因：提高效率；选频网络的作用：滤波和阻抗匹配。

3）通常为兼顾输出功率和集电极效率，丙类功率放大器的电流流通角取为140度（即半电流通角为70度）。

4）负载谐振电阻R p的定义式。

[P178]
5）丙类晶体管高频谐振功率放大器三种工作状态（欠压、临界和过压）的含义、与负载谐振电阻R p的关系。

[P188]
6）欠压或临界状态下，输出集电极电流直流分量、基波分量和各次谐波分量振幅的计算（利用尖顶余弦脉冲的分解系数）。

[P184]
7）输出电压振幅和集电极电压利用系数的计算，输出功率、集电极电源功率、集电极耗散功率和集电极效率的计算。

[P180]
8）工作在欠压状态的丙类功放可看作是一个恒流源（在欠压状态下集电极电流各频率分量，包括基波和直流分量近似不随R p的改变而改变）；工作在过压状态的丙类功放可看作是一个恒压源（在过压状态下输出电压振幅近似不随R p的改变而改变）。

9）丙类晶体管高频谐振功率放大器的集电极效率在弱过压状态时达到最大；输出功率在临界状态下达到最大。

六、调制与调制电路
1、调幅的种类：普通调幅、双边带调幅、单边带调幅和残留单边带调幅
2、普通调幅（AM）基础知识[笔记]
1）调制信号为单音正弦信号、多音信号（含周期信号）下的调幅波时域表达式。

[P312-313]
2）单音调制时，调幅波中的载波振幅和包络振幅，调幅指数或调幅度的定义和计算，过调幅的判断。

正常调幅情况和过调幅情况下的时域波形。

[P312, P311]
3）调制信号为单音或多音信号时调幅波的频谱结构和频带宽度，上下边带的概念。

[P313-314]
4）单音调制时普通调幅波的总平均功率，载波平均功率、总的边带平均功率以及上边带平均功率或下边带平均功率的计算。

[P316-317]
3、载波抑止的双边带调幅波时域表达式和频谱结构、频带宽度。

[笔记]
4、单边带调幅波的时域表达式（单音调制时）、频谱结构、频带宽度，以及相比于普通调幅的优点。

[笔记] [P326-327]
5、高电平调幅电路：基极调幅器和集电极调幅器的电路结构、工作原理。

6、基极调幅器未调幅时和调幅时的各平均功率和效率的计算（以单音调制为例）。

[P335 例7.8.1]
未调幅时：直流电源提供的功率（直流输入功率）P=T、载波输出功率P oT、集电极耗散功率P cT。

（同丙类谐振功放的情形）
调幅时：总（平均）输入功率P=av=直流电源提供的功率P=T +调制信号源提供的功率P=T·m a2∕2；
总（平均）输出功率P oav=载波输出功率P oT+两个边带功率P oT·m a2∕2；
总（平均）集电极耗散功率P cav=总（平均）输入功率P=av−总（平均）输出功率P oav；
最大点（调幅峰）处的最大输入功率P=max =P=T·(1+ m a)2、最大输出功率P omax =P oT·(1+ m a) 2、最大集电极耗散功率P cmax =P cT·(1+ m a)2。

不管是否调幅，集电极效率维持不变，即：ηc=P oT∕P=T=P oav∕P=av=P omax∕P=max。

8、调角：调频（FM）和调相（PM）的基础知识[笔记]
1）调频波和调相波的定义和时域表达式，调频和调相灵敏度k f、k p，调制信号为单音信号时的特殊时域表达式。

[P358-359、P360]、
2）调频波和调相波的瞬时频率和瞬时相位表达式。

[P358-359]
3）调频波和调相波的最大频移（频偏）、最大相移（调制指数）的定义，单音调制时两者的表达式以及相互之间的关系。

[P358-361]
4）调频波和调相波的总平均功率等于未调制时载波的平均功率。

[P362-363]
5）调频波和调相波频带宽度的近似公式，以及在窄带调频/相、宽带调频/调相情形下的简化公式。

[P363] 6）调制信号频率影响调频波和调相波频带宽度的规律。

[P363-365]
7）调制信号振幅影响调频波和调相波频带宽度的规律。

9、调频波的抗干扰性能比调幅波强。

10、利用变容二极管实现压控电容的原理。

11、直接调频和间接调频电路的原理和优缺点。

[P367-368, P380, P385]
七、解调电路
1、振幅解调（检波）之包络检波：适用于普通调幅波的解调。

1）包络检波电路的结构。

[P340 图7.9.3]
2）包络检波器的检波器负载电阻（直流负载电阻）和交流负载电阻的计算。

[P340]
3）包络检波器的电压传输系数、高频等效输入电阻的计算。

[P337-338]
4）惰性失真和负峰切割失真产生的原因和评判公式。

[P339-341]
5）非线性失真和频率失真产生的原因。

[P341-342]
2、振幅解调（检波）之同步检波：
1）特点：理想情况下，要求接收端本地振荡信号与载波具有相同的频率和初始相位，即同步。

2）乘积型同步检波器的框图和工作原理。

[P343-344]
3）同步状况不理想时乘积型同步检波器可能产生的失真类型。

[P344, P348]
八、混频器
1、混频和混频器的概念，本地振荡频率和本地振荡信号的概念，中频和中频信号的概念。

[P144-145]
2、混频器的变频电压增益和功率增益的概念。

[P146]
3、晶体管混频器
1）基本结构和工作原理（利用时变跨导概念）。

[P136-138, P146-148]
2）高频已调波信号进入晶体管混频器后输出的信号包含的成分：直流分量、基波分量、谐波分量、和频和差频分量。

[P137]
3）晶体管混频器的等效电路模型以及变频电压增益和功率增益的计算（包括最大功率增益和最大电压增益的计算以及相应的条件）。

[笔记]
4、混频器中的干扰种类。

[P158-159]
5、组合副波道干扰的含义、表现形式及产生的原因。

[P159-P160]
1）中频干扰的定义。

[P160]
2）镜像频率干扰的定义及与之相关的干扰电台频率的估算。

[P160]
6、混频器中干扰的克服措施。

[P163]。