透明电极前沿
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小研透明导电氧化物薄膜的分析1 引言透明导电氧化物(Transparent Conductive Oxide,TCO)薄膜既是金属氧化物又是半导体薄膜材料,也属于光学材料,具有禁带宽、可见光谱区学透射率高和电阻率低等共同光电特性。
透明导电氧化物薄膜最早出现在20 世纪初,1907 年Badeker[1]首次制备出CdO 透明导电薄膜,1950 年前后出现了SnO2 基和In2O3 基透明导电薄膜,ZnO 基透明导电薄膜兴起于20世纪80 年代。
目前透明导电氧化物薄膜主要包括In、Sb、Zn 和Cd 的氧化物及其复合多元氧化物薄膜材料。
即In2O3、SnO2、ZnO、CdO 及其掺杂体系In2O3:Sn(ITO)、In2O3:Mo(IMO)、SnO2:Sb(ATO)、SnO2:F(FTO)、ZnO:Al(AZO)、CdO:In 等。
这类透明导电薄膜都是通过半导体掺杂贡献载流子来降低其电阻率。
它们的基本特点包括:宽禁带值,一般超过3.0eV,因此也具有紫外截止特性;高的可见光透过率,不小于80%;较低的电阻率,低于10-3Ω·cm。
透明导电氧化物薄膜因其既透明又导电的优异性能而得到广泛的应用。
利用TCO 薄膜可见光透过率高的特性可用于平面液晶显示(LCD)、电致发光显示(ELD)、电致彩色显示(ECD)、太阳能电池透明电极等领域[2,3];利用TCO 薄膜对光波的选择性(对可见光的透射和对红外光的反射)可用作热反射镜,对寒冷地区的建筑玻璃窗起热屏蔽作用,节省能源消耗;利用TCO 薄膜透明表面发热器的功能可用于汽车、飞机等交通工具的玻璃窗上、防雾摄影机镜头、特殊用途眼镜和仪器视窗上形成防雾除霜玻璃[4]。
列出的是透明导电氧化物薄膜的基本特性。
这些材料属于n 型简并半导体,由施主如氧空位和掺杂金属离子等提供约1020cm-3 浓度的自由电子。
2 透明导电氧化物薄膜的制备方法透明导电氧化物薄膜的制备工艺种类繁多。
柔性透明导电薄膜的制备与性能研究柔性透明导电薄膜是一种具有很高应用潜力的新材料,广泛用于柔性电子、光电器件等领域。
本文将就柔性透明导电薄膜的制备方法以及性能研究展开探讨。
一、制备方法1. 溶液法制备溶液法制备柔性透明导电薄膜是一种常见的方法。
首先,将导电材料粉末与溶剂充分混合,得到均匀的导电材料溶液。
然后,通过旋涂、喷涂等方法将溶液涂覆在基底上,并经过烘干、退火等处理,最终制得柔性透明导电薄膜。
2. 蒸发法制备蒸发法制备柔性透明导电薄膜是一种常用的方法。
该方法通过控制蒸发温度和蒸发速率,使导电材料蒸发沉积在基底上,形成薄膜。
该方法具有成本低、易于控制薄膜厚度和均匀性等优点。
3. 等离子体增强化学气相沉积法制备等离子体增强化学气相沉积法是一种高效制备柔性透明导电薄膜的方法。
通过高能电子束或等离子体诱导化学反应,将导电材料气溶胶沉积在基底上,并经过后续处理得到柔性透明导电薄膜。
该方法具有较高的沉积速率和薄膜均匀性。
二、性能研究1. 透明度柔性透明导电薄膜的透明度是评价其性能的重要指标之一。
透明度高意味着薄膜能够有效透过光线,适用于透明电子器件等领域。
因此,在制备过程中,需要选择适当的导电材料和优化工艺,以提高薄膜的透明度。
2. 导电性能导电性能是评价柔性透明导电薄膜的关键指标之一。
导电薄膜要具有低电阻率、低片内电阻和稳定的导电性能。
常用的评价指标包括薄膜的电阻率、载流子迁移率等。
研究人员通过改变导电材料的配比、优化制备工艺等方式来提高薄膜的导电性能。
3. 机械强度由于柔性导电薄膜常应用于弯曲、拉伸等特殊环境中,因此其机械强度是一个重要的研究方向。
通过选择适当的基底材料、调整导电材料的厚度等,可以提高薄膜的机械强度,使其能够承受一定的拉伸和弯曲等应力。
4. 热稳定性柔性透明导电薄膜在加热过程中可能会发生结构变化,导致性能下降。
因此,研究薄膜的热稳定性是很重要的。
研究人员在制备过程中引入交联剂、增加退火工艺等方式,提高薄膜的热稳定性。
测量方法(1)渡越时间(TOP)法适用于具有较好的光生载流子功能的材料的载流子迁移率的测量,可以测量有机材料的低迁移率。
在样品上加适当直流电压,选侧适当脉冲宽度的脉冲光,通过透明电极激励样品产生薄层的电子一空穴对。
空穴被拉到负电极方向,作薄层运动。
设薄层状况不变,则运动速度为μE。
如假定样品中只有有限的陷阱,且陷阱密度均匀,则电量损失与载流子寿命τ有关,此时下电极上将因载流子运动形成感应电流,且随时间增加。
在t 时刻有:若式中L 为样品厚度电场足够强,t≤τ,且渡越时间t0<τ。
则在t0 时刻,电压将产生明显变化,由实验可测得,又有式中L、V 和t0 皆为实验可测量的物理量,因此μ值可求。
(2)霍尔效应法主要适用于较大的无机半导体载流子迁移率的测量。
将一块通有电流I 的半导体薄片置于磁感应强度为B 的磁场中,则在垂直于电流和磁场的薄片两端产生一个正比于电流和磁感应强度的电势U,这称为霍尔效应。
由于空穴、电子电荷符号相反,霍尔效应可直接区分载流子的导电类型,测量到的电场可以表示为式中R 为霍尔系数,由霍尔效应可以计算得出电流密度、电场垂直漂移速度分量等,以求的R,进而确定μ。
3)电压衰减法通过监控电晕充电试样的表面电压衰减来测量载流子的迁移率。
充电试样存积的电荷从顶面向接地的底电极泄漏,最初向下流动的电荷具有良好的前沿,可以确定通过厚度为L 的样品的时间,进而可确定材料的μ值。
(4)辐射诱发导电率(SIC)法导电机理为空间电荷限制导电性材料。
在此方法中,研究样品上面一半经受连续的电子束激发辐照,产生稳态SIC,下面一半材料起着注入接触作用。
然后再把此空间电荷限制电流(SCLC)流向下方电极。
根据理论分析SCLC 电导电流与迁移率的关系为J=pμε1ε0V2/εDd3 (7) 测量电子束电流、辐照能量和施加电压函数的信号电流,即可推算出μ值。
(5)表面波传输法被测量的半导体薄膜放在有压电晶体产生的场表面波场范围内,则与场表面波相联系的电场耦合到半导体薄膜中并且驱动载流子沿着声表面波传输方向移动,设置在样品上两个分开的电极检测到声一电流或电压,表达式为Iae=μP/Lv.(8) 式中P 为声功率,L 为待测样品两极间距离,v 为表面声波速。
开题报告电子信息科学与技术透明导电薄膜用Sb掺杂SnO2光电特性研究一、选题的背景与意义近年来,随着科技的进一步发展,太阳能电池,高分辨率,大尺寸平面显示器,节能红外反射膜等广泛应用,对透明导电膜的需求越来越大。
透明导电膜主要用于透明电极、屏幕显示、热反射镜、透明表面发热器、柔性发光器件、液晶显示器等领域。
这就要求透明导电膜不但要有好的导电性,还要有优良的可见光透光性。
根据材料的不同,透明导电膜可分为金属透明导电薄膜,氧化物透明导电膜、非氧化物透明导电薄膜及高分子透明导电薄膜。
当前,氧化物及其复合氧化物薄膜的研究十分引人关注。
本课题主要研究的是Sb掺杂SnO2(简称ATO)体系。
ATO主要成分的SnO2因其优良的光电性能而被广泛应用于透明导电、固态气体传感器及催化等领域。
在透明导电膜中,SnO2因其优异的光电性能已被广泛应用,二氧化锡膜是较早获得商业应用的透明导电材料之一,SnO2是透明n 型宽禁带半导体材料,其Eg=3.6 eV(300 K),纯SnO2的电阻率通常较高,其载流子浓度由氧空位决定,在SnO2中掺入少量的Sb离子能大幅度降低SnO2的电阻率并保持良好的透光性。
而随着电子工业以及相关高新技术产业的高速发展,具有半导体特性金属氧化物导电粉末尤其是超细粉末(如掺杂锑的氧化锡)由于其独特的稳定性和广泛的应用领域而得到迅速发展。
ATO(锑掺杂的二氧化锡)是一类新型浅色透明导电粉,它利用锑掺杂取代锡形成缺陷固融体时形成的氧空位或电子作为载流电子导电的。
ATO可做优良隔热粉、导电粉使用。
其良好隔热性能,被广泛的应用于涂料、化纤、高分子膜等领域。
此外作为导电材料,在分散性、耐活性、热塑性、耐磨性、安全性有着其他导电材料无法比拟的优势。
被应用于光电显示器件、透明电极、太阳能电池、液晶显示、催化等方面。
目前制备ATO粉末的方法有多种,主要包括固相法、溶胶-凝胶法、喷雾热解法、金属醇盐水解法、化学共沉淀法、水热法、网络聚合法等等。
《ITO透明导电薄膜的湿法刻蚀及光电特性研究》篇一摘要:本文着重探讨了ITO(氧化铟锡)透明导电薄膜的湿法刻蚀技术及其对光电特性的影响。
通过实验研究,分析了刻蚀液组成、刻蚀时间、刻蚀温度等参数对ITO薄膜刻蚀效果的影响,并进一步探讨了刻蚀后薄膜的光电性能变化。
一、引言ITO透明导电薄膜因其优异的导电性和可见光透过性,在触摸屏、液晶显示、光电器件等领域有着广泛的应用。
然而,为了满足不同器件的特定需求,常需要对ITO薄膜进行精确的图形化加工。
湿法刻蚀技术因其操作简便、成本低廉等特点,成为ITO 薄膜加工的一种重要方法。
本文将详细研究ITO透明导电薄膜的湿法刻蚀工艺及其对光电特性的影响。
二、ITO透明导电薄膜概述ITO薄膜是一种以氧化铟(In2O3)为主要成分,掺杂锡(Sn)的透明导电材料。
其具有高导电性、高可见光透过率及良好的加工性能等特点,广泛应用于光电器件的制造中。
三、湿法刻蚀工艺研究1. 刻蚀液的选择与配制:选择合适的刻蚀液是湿法刻蚀的关键。
常用的刻蚀液包括酸性和碱性溶液。
本文通过实验,探讨了不同浓度和组成的刻蚀液对ITO薄膜刻蚀效果的影响。
2. 刻蚀参数的研究:实验研究了刻蚀时间、刻蚀温度等参数对ITO薄膜刻蚀效果的影响。
通过控制这些参数,可以实现对ITO薄膜的精确图形化加工。
3. 刻蚀工艺的优化:通过实验数据的分析,优化了刻蚀工艺流程,提高了刻蚀效率和刻蚀精度。
四、光电特性研究1. 光学特性:研究了湿法刻蚀后ITO薄膜的可见光透过率变化。
实验发现,合理的湿法刻蚀工艺能保持ITO薄膜的高可见光透过率。
2. 电学特性:通过测量薄膜的电阻率,研究了湿法刻蚀对ITO薄膜电导率的影响。
实验结果表明,适度的湿法刻蚀可以减小ITO薄膜的电阻,提高其导电性能。
3. 表面形貌分析:利用扫描电子显微镜(SEM)对湿法刻蚀后的ITO薄膜表面形貌进行了观察,分析了刻蚀过程中薄膜表面的变化。
五、结论本文通过实验研究,探讨了ITO透明导电薄膜的湿法刻蚀工艺及其对光电特性的影响。
透明胶带导电透明胶带导电是一种特殊的胶带,它具有导电性能,可以用于电子设备的制造和维修。
它通常由聚乙烯薄膜和铜箔组成,具有优异的导电性能和良好的透明度。
透明胶带导电可以在不影响产品外观的情况下,实现电路连接和信号传输。
透明胶带导电的制造过程需要经过多道工序。
首先是将铜箔剪切成所需尺寸,并清洗表面以去除污垢和氧化物。
然后将铜箔粘贴在聚乙烯薄膜上,并通过高温高压的方法使其牢固地粘合在一起。
最后,对胶带进行切割、卷绕、包装等处理,以便于使用。
透明胶带导电具有广泛的应用领域。
它可以用于手机、平板电脑、笔记本电脑、智能手表等消费电子产品中,用于连接各种元器件和芯片。
此外,它还可以用于汽车、航空航天等领域中的电子设备制造。
透明胶带导电相比传统的导电材料具有许多优点。
首先,它具有较好的透明度,可以使产品外观更加美观。
其次,由于其柔性和可塑性较强,可以适应不同形状和尺寸的元器件。
此外,它还具有良好的耐热性和耐腐蚀性能。
使用透明胶带导电需要注意一些问题。
首先,在使用前需要检查胶带表面是否干净,并且避免在潮湿或者油腻的环境中使用。
此外,需要注意胶带的尺寸和粘合力是否符合要求。
最后,在使用过程中如果发现胶带出现损坏或者老化等情况,应及时更换以确保电路连接的稳定性。
总之,透明胶带导电是一种重要的电子材料,在现代电子设备制造和维修中发挥着重要作用。
它具有优异的导电性能、良好的透明度和可塑性等特点,并且广泛应用于消费电子、汽车、航空航天等领域中。
在使用过程中需要注意一些问题,以确保其稳定性和可靠性。
《磁控溅射法低温制备ITO透明导电薄膜工艺研究》一、引言随着现代电子技术的飞速发展,透明导电薄膜在太阳能电池、触摸屏、液晶显示等领域得到了广泛应用。
ITO(氧化铟锡)因其高导电性、高可见光透过率等优点,成为了透明导电薄膜的首选材料。
而磁控溅射法作为一种制备ITO透明导电薄膜的常见方法,具有薄膜质量高、工艺控制灵活等优点。
本文旨在研究磁控溅射法在低温环境下制备ITO透明导电薄膜的工艺过程及其性能表现。
二、磁控溅射法的基本原理磁控溅射法是一种物理气相沉积技术,其基本原理是在真空环境下,利用高能粒子轰击靶材表面,使靶材中的原子或分子脱离表面,并沉积在基底上形成薄膜。
在磁控溅射过程中,磁场的作用使得等离子体在靶材表面形成环状运动,提高了等离子体的密度和利用率,从而提高了薄膜的制备效率和质量。
三、低温制备ITO透明导电薄膜的工艺研究1. 靶材选择与预处理选择纯度较高的ITO靶材,并进行预处理,如清洗、抛光等,以提高薄膜的质量。
同时,根据需要调整靶材的形状和尺寸,以满足不同的工艺需求。
2. 基底的选择与预处理选择合适的基底材料,如玻璃、石英等,并进行清洗、干燥等预处理,以提高基底与薄膜的结合力。
3. 磁控溅射工艺参数设置(1)溅射气体:选择氩气作为溅射气体,通过调整气体流量和压力来控制溅射速率和薄膜质量。
(2)溅射功率:根据实验需求调整溅射功率,以获得合适的薄膜厚度和导电性能。
(3)基底温度:在低温制备过程中,基底温度的控制尤为重要。
通过调整加热装置,将基底温度控制在合适的范围内,以保证薄膜的结晶性能和导电性能。
4. 薄膜制备过程及性能表征在磁控溅射过程中,通过实时监测薄膜的生长过程,观察薄膜的形貌、厚度等参数。
同时,利用X射线衍射、四探针测试等手段对薄膜的结晶性能、导电性能等进行评价。
根据实验结果,优化工艺参数,提高薄膜的性能。
四、实验结果与讨论1. 薄膜的形貌与结构分析通过SEM(扫描电子显微镜)观察薄膜的表面形貌,发现薄膜表面光滑、致密,无明显缺陷。
《ITO透明导电薄膜的湿法刻蚀及光电特性研究》篇一摘要:本文针对ITO(氧化铟锡)透明导电薄膜的湿法刻蚀技术进行了深入的研究,并探讨了其光电特性。
通过实验分析和理论计算,详细地介绍了刻蚀工艺的优化以及刻蚀前后薄膜的光电性能变化。
一、引言ITO作为一种重要的透明导电材料,因其优异的导电性和光学性能被广泛应用于太阳能电池、触摸屏等光电领域。
而薄膜的精确刻蚀是实现这些应用的关键步骤之一。
因此,对ITO透明导电薄膜的湿法刻蚀及光电特性的研究显得尤为重要。
二、ITO透明导电薄膜的湿法刻蚀1. 刻蚀原理:湿法刻蚀是利用化学溶液对ITO薄膜进行刻蚀的方法。
通过选择适当的化学溶液,使ITO薄膜在溶液中发生化学反应,从而实现薄膜的精确刻蚀。
2. 刻蚀工艺:(1)溶液选择:选择合适的刻蚀液是关键。
通常采用含有硝酸、盐酸等成分的混合溶液作为刻蚀液。
(2)温度控制:控制刻蚀液的温度,以获得最佳的刻蚀速率和刻蚀效果。
(3)时间控制:刻蚀时间的长短直接影响刻蚀的深度和精度,需通过实验确定最佳刻蚀时间。
三、光电特性研究1. 光学性能:ITO薄膜具有较高的光学透过率,对可见光波段的透光率可达80%《ITO透明导电薄膜的湿法刻蚀及光电特性研究》篇二摘要:本文着重探讨了ITO(氧化铟锡)透明导电薄膜的湿法刻蚀技术及其对光电特性的影响。
通过分析刻蚀过程中不同参数对薄膜性能的影响,以及刻蚀后薄膜的光电性能测试,为ITO薄膜在光电器件中的应用提供了理论依据和实践指导。
一、引言ITO(氧化铟锡)透明导电薄膜因其良好的导电性和光学透过性,在液晶显示、触摸屏、太阳能电池等领域得到了广泛应用。
而湿法刻蚀技术作为一种重要的薄膜加工方法,在ITO薄膜的制备和形状控制中发挥着重要作用。
因此,研究ITO透明导电薄膜的湿法刻蚀及其光电特性,对于提高光电器件的性能和优化其生产工艺具有重要意义。
二、ITO透明导电薄膜的湿法刻蚀技术2.1 刻蚀原理ITO透明导电薄膜的湿法刻蚀主要是利用化学反应将薄膜上的部分材料去除,以达到改变薄膜形状或尺寸的目的。
tco层镀膜工艺TCO层镀膜工艺介绍TCO(透明导电氧化物)层镀膜工艺是一种用于制备透明导电膜的技术。
该技术广泛应用于太阳能电池、液晶显示器、光电子器件等领域。
本文将介绍TCO层镀膜工艺的原理、应用和最新研究进展。
原理TCO层镀膜工艺使用一种或多种氧化物作为镀膜材料。
这些氧化物具有良好的导电性和透明性,因此非常适合用于制备透明导电膜。
在制备过程中,先将基底材料进行清洗和预处理,然后将氧化物溶液沉积在基底上。
通过热处理或化学反应,形成均匀、透明的导电膜。
应用TCO层镀膜工艺在太阳能电池、液晶显示器、光电子器件等领域具有广泛的应用。
太阳能电池在太阳能电池中,TCO层镀膜工艺可以用来制备透明导电膜,提高太阳能电池的光吸收效率和电流输出。
此外,TCO层还能够降低电池表面的反射,提高光的利用率。
液晶显示器在液晶显示器中,TCO层镀膜工艺可以用于制备透明导电电极,用于控制液晶分子的取向和光的透射。
通过使用TCO层,可以提高液晶显示器的图像质量和响应速度。
光电子器件TCO层镀膜工艺还可以用于制备光电子器件中的透明导电膜,如光伏电池、有机光电转换器件等。
这些器件需要透明的导电膜来收集和输送电流,TCO层镀膜技术能够满足这一需求。
最新研究进展TCO层镀膜工艺在近年来得到了广泛的研究和应用。
研究人员致力于提高TCO层的导电性、透明性和稳定性。
他们通过控制材料的组成、厚度和制备工艺等参数,不断优化TCO层的性能。
此外,还有研究者尝试将TCO层和其他材料结合起来,以实现更多样化的功能。
结论TCO层镀膜工艺是一种重要的制备透明导电膜的技术。
它在太阳能电池、液晶显示器、光电子器件等领域有着广泛的应用前景。
随着技术的不断进步和研究的深入,相信TCO层镀膜工艺将会在未来发展出更多的应用和创新。
优势与挑战优势•高透明性:TCO层具有高透明性,可以使光线穿透并达到下层材料。
•优良的导电性:TCO层有较低的电阻,能够有效地传导电流。
异质结电池透明导电膜层的主要作用异质结电池透明导电膜层是一种用于提高光电转化效率的关键技术,主要用于太阳能电池和光电器件中。
它具有多种作用,包括提高光电转化效率、增强光吸收能力、提高光电子传输效率、保护电池结构、改善光电器件的光学性能等。
下面将对这些作用进行详细的阐述。
首先,异质结电池透明导电膜层可以提高光电转化效率。
光电转化效率是指太阳能光线转化为电能的比例。
透明导电膜层可以有效地增强太阳能电池的光吸收能力,并将吸收的光能高效地传导到电池的有源区,从而提高光电转化效率。
透明导电膜层的导电性能可以用来将光能转化为电能,使光电池产生电流,从而实现光电转换。
其次,透明导电膜层能够增强光吸收能力。
太阳能电池的效率取决于其对光的吸收能力。
透明导电膜层通常具有较高的透光率和较低的反射率,可以减少光的反射和折射,提高光的吸收率。
此外,透明导电膜层还可以调节光的入射角度,使其更好地与光池相互作用,增加了光的有效使用效率。
再次,透明导电膜层可以提高光电子传输效率。
光电子传输效率指的是光能转化为电能的效率。
透明导电膜层具有良好的电子传输性能,可以快速传导电子到电池结构中,减小电子传输损耗,提高光电子的传输效率。
透明导电膜层的高导电性能可以提供更好的电子传输通道,保证光电子的顺利传输,从而提高光电流的输出。
此外,透明导电膜层还能够保护电池结构。
太阳能电池常常会受到外界环境的影响,如氧化、湿气、灰尘等,这些因素都会对电池内部的材料和结构造成损害。
透明导电膜层可以起到一定的防护作用,阻挡外界有害物质的侵入,保护电池的内部结构不受损害。
最后,透明导电膜层还可以改善光电器件的光学性能。
透明导电膜层具有较高的透明度和较低的反射率,可以增强光电池和光电器件的透光性能,提高其在光学器件中的应用效果。
透明导电膜层的光学性能可以提高光电器件的亮度、对比度和清晰度,使其显示效果更加出色。
综上所述,异质结电池透明导电膜层具有提高光电转化效率、增强光吸收能力、提高光电子传输效率、保护电池结构、改善光电器件的光学性能等多种作用。
ito纳米银线用法ITO纳米银线是一种新型材料,由银纳米线和ITO纳米颗粒组成。
它具有优异的导电性、透明性和抗氧化性等优良性能,被广泛应用于电子、光电子、生物医学等领域。
本文将介绍ITO纳米银线的用法及其在各个领域的应用。
1. 电子领域ITO纳米银线在电子领域的应用主要是用于制造导电膜和透明电极。
传统的导电材料如ITO和金属银等存在导电性不足、成本高昂和耐久性差等问题,而ITO纳米银线具有优异的导电性能和耐久性,可以制造高效、高可靠性的导电膜和透明电极。
目前,ITO纳米银线已广泛应用于智能手机、平板电脑、电视、电子书、电子游戏机等电子产品中。
2. 光电子领域ITO纳米银线在光电子领域的应用主要是用于制造柔性光电子器件。
传统的光电子材料如ITO和金属银等存在刚性、脆性等问题,而ITO纳米银线具有柔性、可塑性的优良性能,可以制造柔性光电子器件,如柔性显示器、柔性太阳能电池等。
目前,ITO纳米银线已广泛应用于柔性显示器、柔性太阳能电池等柔性光电子器件中。
3. 生物医学领域ITO纳米银线在生物医学领域的应用主要是用于制造生物传感器和生物芯片。
传统的生物传感器和生物芯片使用的材料如金属银等存在生物毒性和生物兼容性等问题,而ITO纳米银线具有良好的生物相容性和生物安全性,可以制造高灵敏度、高选择性的生物传感器和生物芯片。
目前,ITO纳米银线已广泛应用于生物传感器、生物芯片等生物医学器械中。
4. 其他领域除了上述领域外,ITO纳米银线还可以应用于其他领域,如智能家居、新能源等。
在智能家居领域,ITO纳米银线可以制造智能玻璃、智能窗帘等智能家居产品;在新能源领域,ITO纳米银线可以制造高效、高稳定性的太阳能电池和燃料电池等新能源产品。
总之,ITO纳米银线具有广泛的应用前景,在各个领域都有着重要的应用价值。
随着科技的不断发展和创新,ITO纳米银线的应用将会越来越广泛,为人们的生活和工作带来更多的便利和效益。
觸控面板及其透明導電膜之最新發展(二)編輯室/2009.05 觸控面板市場動向根據市調公司Display Research 的預測,觸控面板的全球生產量,2007年約為12億美元,到2015年將成長為52億美元,達07年的4倍以上。
2008年承載觸控面板的產品增加了,代表例子如配上觸控面板的衛星導航系統和手機、具獨持操作的可攜式遊戲機「任天堂-DS」等。
一般預測2008年觸控面板生產額成長為07年的一倍。
美國微軟預定2010年年初推出可對應觸控面板輸入系統的「Windows 7」,對觸控面板市場擴大將作出貢獻。
PC用觸控面板產值2015年預估將比07年增加約5倍,達6億7,000萬美元。
手機用觸控面板07年為3億3,200萬美元,到2015年成長為8億9,500萬美元。
一、電阻膜式觸控面板的市場動向近年來由於可攜式個人多媒體的蓬勃發展,電阻式觸控面板之產量也因此扶搖直上,佔產值市場的70%以上,其中以亞洲為主,又以日本為首。
韓國及臺灣廠商大多也以電阻式為主要生產產品。
日本以富士通(Fujitsu)、寫真(Nissha)、昆士(Gunze)等為主要製造商;韓國有Inotouch 、Hantouch等;臺灣則有宇宙光電、奇菱…等。
電阻式觸控面板之設計主要又可區分為4線式、5線式和8線式。
4線式約佔了50%以上的市場佔有率,目前電阻式觸控面板在亞洲廠商全力加碼下,產能大增,但卻並未替廠商帶來豐厚利潤。
尤其許多關鍵性材料的技術(如ITO Film)仍掌握在少數公司的手中。
長遠來看,對於無法掌握關鍵性材料的生產者來說,確實存在相當大的隱憂。
台灣已有少數團隊轉而開始研發關鍵性材料的技術,期待臺灣能在觸控面板產業突破重圍,擺脫美日的牽制,進而成為觸控面板產業的另一支大老虎。
LCD公司現在承載的觸控面板90%以上為電阻膜式,而且內藏被稱為「In Cell」的顯示器正在商品化中。
表一為各種觸控面板技術之比較,由表可知電阻膜式的技術課題在於透光率低、反射率、打鍵耐久性以及防污性等的提升。
TCO薄膜的简介透明导电氧化物(transparentconductiveoxide简称TCO)薄膜主要包括In、Sb、Zn和Cd的氧化物及其复合多元氧化物薄膜材料,具有禁带宽、可见光谱区光透射率高和电阻率低等共同光电特性,广泛地应用于太阳能电池、平面显示、特殊功能窗口涂层及其他光电器件领域。
透明导电薄膜以掺锡氧化铟(tindopedindiumoxide简称ITO)为代表,研究与应用较为广泛、成熟,在美日等国已产业化生产。
近年来ZnO薄膜的研究也不断深入,掺铝的ZnO薄膜(简称AZO)被认为是最有发展潜力的材料之一。
同时,人们还开发了Zn2SnO4、In4Sn3O12、MgIn2O4、CdIn2O4等多元透明氧化物薄膜材料。
TCO薄膜的制备工艺以磁控溅射法最为成熟,为进一步改善薄膜性质,各种高新技术不断被引入,制备工艺日趋多样化。
本文综述以ITO和AZO为代表的TCO 薄膜的研究进展及应用前景。
一、TCO薄膜的发展TCO薄膜最早出现于20世纪初,1907年Badeker首次制成了CdO透明导电薄膜,引起了人们的较大兴趣。
但是,直到第二次世界大战,由于军事上的需要,TCO薄膜才得到广泛的重视和应用。
1950年前后出现了SnO2基和In2O3基薄膜。
ZnO基薄膜兴起于20世纪80年代。
相当长一段时间,这几种材料在TCO薄膜中占据了统治地位。
直到上世纪90年代中期,才有新的TCO薄膜出现,开发出了多元TCO薄膜、聚合物基体TCO薄膜、高迁移率TCO薄膜以及P型TCO薄膜。
而SnO2基和In2O3基材料也通过掺加新的元素而被制成了高质量TCO 薄膜。
最近,据媒体报导,美国俄勒冈大学研究人员对TCO材料的研究取得重大突破,他们研制出一种便宜、可靠且对环境无害的透明导电薄膜材料。
该材料可用于制作透明晶体管,用来制造非常便宜的一次性电子产品、大型平面显示器和可折叠又方便携带的电器。
科学家称,这项研究成果将引导新产业和消费领域的发展。
基于印刷电子的透明导电薄膜研究进展赵文秀;周奕华;钱俊【摘要】透明导电薄膜是一种在可见光范围内透光率较高、导电性优良的薄膜材料.近年来随着智能手机、平板电脑等电子产品日益普及,透明导电薄膜受到越来越多的关注.本文分析了目前占据市场统治地位的掺锡氧化铟透明导电薄膜的缺点以及近年来国内外对透明导电薄膜开展的研究工作,总结了目前在印刷电子领域透明导电薄膜的主要研究方向,一方面是在传统金属氧化物薄膜基础上的改进;另一方面是寻找新型透明导电薄膜材料,并分别综述了各个研究方向的最新进展.【期刊名称】《影像科学与光化学》【年(卷),期】2015(033)003【总页数】13页(P251-263)【关键词】透明导电薄膜;印刷电子;喷墨打印;图案化;透明电极【作者】赵文秀;周奕华;钱俊【作者单位】武汉大学印刷与包装系,湖北武汉430079;武汉大学印刷与包装系,湖北武汉430079;武汉大学印刷与包装系,湖北武汉430079【正文语种】中文近年来,电子科学技术不断发展,各类电子产品日益普及,市场需求不断扩大。
作为许多电子器件(如液晶显示器、触屏等)的关键部分,透明导电薄膜受到越来越多的关注。
透明导电薄膜(transparent conductive film,简称 TCF),是一种在可见光范围内(波长380nm~780nm)透光率较高、导电性优良的薄膜材料。
透明导电薄膜广泛应用于液晶显示屏、触屏、薄膜太阳能电池、发光器件和电磁屏蔽装置等[1,2]。
尽管目前市场上基于金属氧化物的透明导电薄膜已经较为成熟,但是还是存在很多缺点。
国内外针对透明导电薄膜的研究逐渐成为热点,人们期望开发出一些新的生产工艺,或者开发出一些新型的透明导电薄膜材料,以克服这些缺点。
1 主流商业化透明导电薄膜的缺点目前商业化的透明导电薄膜中占统治地位的是掺锡氧化铟(tin doped indium oxide,简称ITO),占据了超过97%的透明导电薄膜市场[1]。
一种ito导电玻璃的电极制作方法导电玻璃是一种在玻璃表面镀上导电膜的新型材料,常用于显示器、太阳能电池等领域。
其中,ITO(Indium Tin Oxide)导电玻璃因其低电阻率、透明度高、化学稳定性好等特点,成为最常用的导电玻璃材料之一。
本文将介绍一种简单、高效的ITO导电玻璃电极制作方法。
一、制备ITO导电玻璃首先,我们需要制备ITO导电玻璃。
通常采用的方法是在玻璃表面镀上一层ITO膜。
这里我们介绍一种离子束溅射法(Ion Beam Sputtering,IBS)制备ITO导电玻璃的方法。
离子束溅射法是一种利用高能离子轰击材料表面,使其溅射出原子或分子形成薄膜的方法。
其优点是薄膜致密、结构均匀、成膜速度快、适用于各种材料。
具体步骤如下:1. 准备ITO靶材和玻璃基板。
2. 将玻璃基板放置于真空室内的旋转台上。
3. 把ITO靶材放在离子束溅射装置的靶枪中。
4. 开启真空泵,将真空室抽成10^-4Pa以下的高真空度。
5. 开启靶枪,使得离子束轰击ITO靶材,产生ITO原子或分子。
6. ITO原子或分子在离子束的轰击下,沉积在玻璃基板上,形成一层ITO膜。
7. 当ITO膜达到一定厚度后,关闭靶枪和真空泵,取出ITO导电玻璃。
二、制作ITO导电玻璃电极制备好ITO导电玻璃后,我们需要将其制成电极。
这里我们介绍一种利用光刻技术制作ITO导电玻璃电极的方法。
光刻技术是一种将光敏材料曝光、显影、蚀刻等过程结合起来,制作出微细图形的技术。
其优点是精度高、重复性好、适用于各种材料。
具体步骤如下:1. 在ITO导电玻璃表面涂覆一层光刻胶。
2. 将光刻胶暴露在紫外线下,形成所需的电极图形。
3. 把ITO导电玻璃放入显影液中,去除未暴露的光刻胶。
4. 把ITO导电玻璃放入蚀刻液中,将未被光刻胶保护的ITO膜蚀掉。
5. 清洗ITO导电玻璃,去除残留的光刻胶和蚀刻液。
6. 制备好的ITO导电玻璃电极即可用于各种电子器件中。
从液晶面板、触摸屏到电子纸、太阳能电池,ITO*曾被广泛用作透明电极材料。目前,替代ITO的新型透明电极材料正逐步走向实用化。其原因在于新材料具有可轻松弯曲、有助于降低成本以及光线透过率高等特点。新材料已开始应用于触摸屏,电子纸也成为继触摸屏之后的又一应用领域。在不远的将来,新材料的应用范围还有望向太阳能电池及液晶面板领域扩展。最近,已有厂商开始在部分用途中采用新材料来替代原来的ITO(图1、图2)。 普利司通采用导电性高分子材料替代ITO制作透明电极,并试制出了电子纸,于2009年6月进行了发布。“我们打算用印刷技术以极低成本来制造又薄又轻且弯曲时也不会破裂的电子纸。但采用现行的ITO材料,存在过度弯曲时容易破裂的危险”(普利司通)。现行ITO材料无法应用于印刷技术。因此,普利司通对能够用印刷技术成膜的、可弯曲的新型透明电极材料进行了各种尝试。“虽然目前在特性上还不够充分,但两年后有望达到实用水平。我们将尽快实现在产品中的应用”(普利司通)。
纷纷在触摸屏中采用新材料 尽管尚未正式发布,但已有厂商开始在产品上采用新材料作为透明电极。触摸屏就是其中之一。据TDK介绍,该公司使用涂布法成膜的ITO(以下称涂布型ITO)制成了ITO薄膜“FLECLEAR”,并且“已得到部分触摸屏产品的采用”(该公司)。
实际上,对ITO进行替换的行动今后在触摸屏领域有可能迅速推进。触摸屏大厂商日本写真印刷将采用在溶液中掺入微小Ag丝的透明导电性墨水(Ag丝墨)作为投影型静电容量式*触摸屏的透明电极材料。虽然应用于产品的具体时间尚未公布,但日本写真印刷正在为此与美国风险企业Cambrios Technologies共同开发Ag丝墨。
*投影型静电容量方式是触摸传感器使用的检测方式之一,被称作Projected Capacitive Type。已被iPhone等采用。通过在印刷线路板及透明薄膜上形成电极图案,对手指接近而产生的电极间的静电变化进行检测。此外,静电容量方式还有表面型(Surface Capacitive Type)。
决定采用新材料的日本写真印刷设定了多个目标。首先是以低成本制造可更忠实表现影像色调的、几乎无色的触摸屏。目前的触摸屏用ITO薄膜大多发黄,而采用新材料的话便可实现几乎无色的状态。在制造方法上,原来的ITO使用真空工艺,而Ag丝墨则能够用涂布法成膜。因此有望以低成本进行制造(图3)。 日本写真印刷的另一目标是实现能够粘贴在曲面上的三维触摸屏。现有ITO的抗弯曲性不足,而Ag丝墨则可轻松弯曲。
另外,阿尔卑斯电气打算在该公司的触摸屏上采用ZnO类透明电极来替代ITO,目前正在大力进行研发。ZnO可高效透射ITO难以透射的短波长光线,使屏幕更清晰。此外,阿尔卑斯与普利斯通及日本写真印刷一样,对ZnO类透明电极的柔软性及弯曲性出色这一点也寄予了厚望。
新型透明电极材料与原来的ITO相比,光线透过率等特性出色,可轻松弯曲,能够以更低成本进行制造。发挥这些特点的用途不仅仅是触摸屏及电子纸。在太阳能电池及液晶面板等领域也有可能获得良好效果。
其中,在太阳能电池领域,新型透明电极材料的采用今后有望顺利推进。太阳能电池有多种方式,利用ITO的是薄膜硅太阳能电池等。
太阳能电池“要求使用透射率高且方块电阻值低的透明电极”(产业技术综合研究所太阳能发电研究中心硅新材料小组研究员鲤田崇)。原因是便于提高太阳能电池的转换效率。透射率越高,到达太阳能电池光吸收层的光线量就越多。方块电阻值越低,就越能够高效利用由光电转换产生的电流。
但是要实现在液晶面板领域中的应用,新型透明电极材料也许还需等上很长一段时间。原因是要跨越的门槛较高。尤其是在大屏幕液晶电视等使用的52英寸及65英寸等液晶面板中,实现起来更非易事。 这是因为必须要满足大尺寸玻璃底板的要求。在液晶面板行业,使用第十代玻璃底板的大尺寸面板已于2009年内开始生产。当然,这些液晶面板所使用的ITO,其靶材也达到了第十代玻璃底板的要求,而且还在为提高液晶面板成品率而不断优化。在这种情况下,缺乏实际业绩的新材料短期内很难替代现有的ITO。对新材料而言,今后要做到的是,在证实通过印刷技术等能够大幅降低成本的基础上,建立面向大尺寸面板的大规模生产体制。在完成这些工作之后,新型透明电极材料替代ITO便指日可待了(图4)。
已实用化或正以实用化为目标进行开发的新材料主要有5种。除了前面提到的涂布型ITO、Ag丝墨及导电性高分子之外,还有ZnO及Ag丝。
这些材料具有的共同特点大致有四:①柔软及弯曲性出色,②色调好,③易降低成本,④形成透明电极的基材选择自由度高(表1)。
①中提到的柔软性及弯曲性越出色,就越能适用于具有曲面的立体形状以及自由弯曲的用途。可实现多次触摸也不易破裂的触摸屏,以及可弯曲的电子纸。而已有的ITO存在过度弯曲时存在发生破裂的危险。比如,“厚度约100μm的ITO薄膜,不会破裂的极限是曲率半径为6mm左右”(日本触摸屏研究所代表董事社长三谷雄二)。
而新材料不同,5种材料均显示出了超过已有ITO的柔软性及弯曲性。比如,Cambrios公司的Ag丝墨“即使在半径为4mm的圆棒上缠绕多少圈也不会发生破裂”(Cambrios销售代理商住友商事)。
色调好 ②中提到的色调好的特点是指接近无色。换句话说,就是光透射率因波长不同而引起的变化较少,透射光谱几乎为平坦状态。越是无色就越容易在显示屏上忠实再现颜色。
被触摸屏用得最多的要属以树脂为基材的ITO薄膜,其透射率在500n~550nm以下的波长区域时会下降,看上去显黄色或茶色。其原因在于,为了防止薄膜受热劣化,将ITO的成膜温度控制在了低达数十℃的水平。在数十℃的温度环境下进行ITO成膜时,ITO不会完全结晶化,而呈现非晶质状态。因为ITO的结晶化温度高达200℃左右。非晶化的ITO难以透射蓝色等短波长的光。结果就是看上去显黄色。
而5种新材料中除导电性高分子外,其他4种均为近无色状态。比如,ZnO与ITO相比,其在短波长区域的透射率较高(图5)。导电性高分子因材料各异而特性稍有不同,大多发淡蓝色。尽管如此,与ITO薄膜相比,导电性高分子的情况仍在不断改善,已在550nm以下波长区域实现较高光透射率。
目标是成本减至ITO的一半 ③中提及的与已有ITO相比,新材料易于降低成本的理由改变了制造方法及材料。5种新材料的制造方法大致可分为两种。一种是基于印刷技术的湿式工艺,另一种是以溅射为代表的干式工艺。
可用湿式工艺成膜的是涂布型ITO、Ag丝墨、导电性高分子及Ag丝。均可利用印刷技术轻松降低制造成本。比如,利用印刷技术制造Ag丝的大日本印刷表示,其“目标是将成本减至ITO薄膜的一半”。
利用干式工艺制造的是ZnO。ZnO在利用溅射这一点上与已有ITO相同。不过,由于可在常温下成膜,因此与在数十℃以上高温下成膜的ITO相比,可轻松降低制造成本。另外,从原料来看,ZnO所使用的Zn,其产量要高于ITO所使用的In,因此还可降低材料成本。“某制造装置厂商在推算后表示,可将成本降低至ITO的约一半”(日本高知工科大学综合研究所材料设计中心负责人山本哲也教授)注1)。
注1)不过,也有材料成本比ITO高的情况。比如TDK的涂布型ITO薄膜,其ITO的膜厚达到1μm,是普通ITO的25~50倍。因此材料成本会上升。
基材的选择性高 ④中提及的成膜基材的选择无限制的优点,可应用于在光学特性出色的特殊基材上成膜,可用于要求高画质的触摸屏及电子纸等。 TDK的涂型ITO被触摸屏产品采用就得益于这一优点(图6)。从已有ITO薄膜来看,其基材即薄膜的厚度为300μ~400μm以下,而TDK的塗布型ITO在厚达1~10cm的基材上也可形成。能够在较厚基材上形成ITO膜是因为可在常温下成膜注2)。在变更基材时,只需改换对ITO层和基材进行接合的粘合层材料即可。
注2)制造方法如下。首先在薄膜上涂布用有机粘合剂固定的ITO微粒子。然后再以卷到卷方式将薄膜上的ITO转印到基材上进行成膜。由于是在常温下进行成膜,所以基材与ITO膜之间不会产生很强的热应力,ITO不易发生破裂。因此还可在较厚基材上涂布。
前面提到的①~④是5种新材料都具有的共同特点。而在形成透明电极后的光透射率和方块电阻值方面,5种新材料间却存在着特性上的差异。 一般而言,光线透射率与方块电阻值存在此消彼长的关系。为了降低方块电阻而加厚导电膜的话,光线就会很难透过,透射率会随之下降。相反,为了提高光线透射率而减薄导电膜的话,方块电阻值就会上升。
5种新材料可实现与已有ITO同等或以上的高透射率及低方块电阻值。其中,透射率尤其高的是Ag丝墨(图7)。从Cambrios公司涂布有Ag丝墨的薄膜产品来看,方块电阻值为250Ω/□的品种,其全光线透射率高达91%以上。而普通ITO薄膜的话,在同等程度的方块电阻值下,其全光线透射率仅为88%左右。要想实现超过90%的透射率,就必须使用防反射膜等,成本会因此而上升。而Ag丝以外的其他新材料在250~300Ω/□时的透射率与已有ITO为同等程度。
5种新材料中方块电阻值最低的是Ag丝。从可视光区域的光透射率达到80%以上的产品来看,大日本印刷的品种可实现0.1Ω/□、富士胶片的品种可实现0.2Ω/□的极低方块电阻(图8)。这一方块电阻值水平相当于已有ITO薄膜的1/10以下注2)。Ag丝以外的其他新材料的方块电阻值几乎与已有ITO为同等程度。
注2)制造方法如下。首先在薄膜上涂布用有机粘合剂固定的ITO微粒子。然后以卷到卷方式将薄膜上的ITO转印到基材上进行成膜。由于是在常温下进行成膜,所以基材与ITO膜之间不会产生很强的热应力,ITO不易发生破裂。因此还可在较厚基材上涂布。