怎样用万用表测量可控硅的好坏

双向可控硅检测

用万用表即可判断双向可控硅的好坏，但具体参数测不出来。用万用表测量的方法如下。

T2极的确定:用万用表R*1档或R*100档，分别测量各管脚的反向电阻，其中若测得两管脚的正反向电阻都很小(约100欧姆左右)，即为T1和G极，而剩下的一脚为T2极。

T1和G极的区分:将这两极其中任意一极假设为T1极而另一极假设为G极，万用表设置为R*1档，用两表笔(不分正负极)分别接触已确定的T2极和假设的T1极，并将接触T1的表笔同时接触假设的G极，在保证不断开假设的T1极的情况下，断开假设的G极，万用表仍显示导通状态。将表笔对换，用同样的方法进行测量，如果万用表仍然显示同样的结果，那么所假设的T1极和G极是正确的。如果在保证不断开假设的T1极的情况下，断开假设的G极，万用表显示断开状态，说明假设的T1和G极相反了，从新假设再进行测量，结果一定正确。

如果测量不出上述结果，说明该双向可控硅是坏的。这种方法虽然不能测出具体参数，但判断是否可用还是可行的。

双向触发二极管是与双向晶闸管同时问世的，常用来触发双向晶闸管。

双向触发二极管的结构、符号、等效电路及伏安特性如图1所示。它是三层、对称性质的二端半导体器件，等效于基极开路、发射极与集电极对称的NPN晶体管。其正、反向伏安特性完全对称。

当器件两端的电压小于正向转折电Ubo时，呈高阻态;当 U>Ubo 时进入负阻区。同样，当|U|超过反向转折电压|Ubr| 时，管子也能进入负阻区。

转折电压的对称性用?Ub表示

Ub=Ubo-|Ubr|

一般要求 ?Ub<2U。 双向触发二极管的耐压值 Ubo 大致分三个等级:

20——60V，100——150 V，200——250 V 。

在实际应用中，除根据电路的要求选取适当的转折电压 Ubo 外，还应选择转折电流 Ibo 小、转折电压偏差?Ub小的双向触发二极管。

双向触发二极管除用来触发双向晶闸管外，还常用在过压保护、定时、移相等电路，图2就是由双向触发二极管和双向晶闸管组成的过压保护电路。当瞬态电压超过DIAC和Ubo时，DIAC迅速导通并触发双向晶闸管也导通，使后面的负载免受过压损害。

可控硅如何测量好坏？单向可控硅与双向可控硅怎么区分？

可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 简称SCR，是一种大功率电器元件，也称晶闸管。它具有体积小、效率高、寿命

长等优点。在自动控制系统中，可作为大功率驱动器件，实现用小功率控件控制大功率设备。它在交直流电机调速系统、调功

系统及随动系统中得到了广泛的应用。

单向可控硅是一种可控整流电子元件，能在外部控制信号作用下由关断变为导通，但一旦导通，外部信号就无法使其关

断，只能靠去除负载或降低其两端电压使其关断。单向可控硅是由三个PN结PNPN组成的四层三端半导体器件与具有一个PN结

的二极管相比，单向可控硅正向导通受控制极电流控制；与具有两个PN结的三极管相比，差别在于可控硅对控制极电流没有放

大作用。

“双向可控硅”：是在普通可控硅的基础上发展而成的，它不仅能代替两只反极性并联的可控硅，而且仅需一个触发电

路，是比较理想的交流开关器件。其英文名称TRIAC即三端双向交流开关之意。

一、可控硅的测量方法

1、单向可控硅：

可控硅质量好坏的判别可以从四个方面进行。第一是三个PN结应完好；第二是当阴极和阳极间电压反向连接时能够阻

断，不导通；第三是当控制极开路时，阳极和阴极间的电压正向连接时也不导通；第四是给控制极加上正向电流，给阴极和阳

极加正向电压时，可控硅应当导通，把控制极电流去掉，仍处于导通状态。

用万用表的欧姆挡测量可控硅的极间电阻，就可对前三个方面的好坏进行判断。具体方法是：用R×1k或R×10k挡测阴极

和阳极之间的正反向电阻（控制极不接电压），此两个阻值均应很大。电阻值越大，表明正反向漏电电流愈小。如果测得的阻

值很低，或近于无穷大，说明可控硅已经击穿短路或已经开路，此可控硅不能使用了。

用R×1k或R×10k挡测阳极和控制极之间的电阻，正反向测量阻值均应几百千欧以上。

用R×1k或R×100挡，测控制极和阴极之间的PN结的正反向电阻在几千欧左右，如出现正向阻值接近于零值或为无穷大，

IGBT、晶闸管（可控硅)、MOS场效应管的测量

IGBT好坏判断 :

将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT 的漏极（D)，红表笔接IGBT 的源极(S)，此时万用表的指针指在无穷处。用手指同时触及一下栅极(G）和漏极(D),这时IGBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下源极(S)和栅极（G),这时IGBT 被阻断，万用表的指针回到无穷处。此时即可判断IGBT 是好的。

注意:若进第二次测量时，应短接一下源极（S)和栅极（G）。

任何指针式万用表皆可用于检测IGBT.注意判断IGBT 好坏时，一定要将万用表拨在R×10KΩ挡，因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT 导通,而无法判断IGBT 的好坏。此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管（P-MOSFET）的好坏.

场效应管好坏的简单判断:

用机械万用表的R×1挡，红表笔接场效应管的漏极D，黑表笔接源极s,这时表针应该摆在中间位置，除这样测量有阻值以外，其余各脚问都不应该有阻值,然后交换表笔，黑表笔接D,红表笔接s，万用表置高阻挡(内部电池电压高),用左手的食指触摸一下G极,此时表针如果摆动到接近零位，说明场效应管是好的.

晶闸管（可控硅）的好坏判断:

1、将万用表拨在R×1Ω挡,黑笔接A（阳极)，红笔接K（阴极），指针不动；

2、短接A(阳极）、G（控制极)，指针向右摆动，读数为几十Ω；

3、断开导线，读数不变，指针保持不动；

4、短接G（控制极)、K（阴极)，指针回归到原位置无穷大处。

场效应管的好坏判断：

1、R×10KΩ档,黑笔接G，红笔接S，充电3秒，指针不动；

2、黑笔接D，红笔接S，指针回摆到0Ω附近，说明触发成功;

3、红笔接G，黑笔接S，指针在左边无穷大处；

4、黑笔接D,红笔接S，指针在左边无穷大处，说明MOS管是好的。

如何判断可控硅模块的好坏？

可控硅又称晶闸管（晶体闸流管），是一种常用的功率型半导体器件，其最主要的功能是功率控制。

可控硅可分为单向可控硅、双向可控硅、可关断可控硅等。

可控硅的特点是具有可控的单向导电性，以小电流控制大电流，以低电压控制高电压。

可控硅可以用万用表进行检测。

一、检测单向可控硅

单向可控硅是PNPN四层结构，形成3个PN结，具有3个外电极：阳极A、阴极K、控制极G。单向可控硅的引脚如下图所示。

检测时，万用表置于“Rx10Ω”档，黑表笔（表内电池正极）接单向可控硅的控制极G，红表笔（表内电池负极）接单向可控硅的阴极K，这时测量的是单向可控硅PN结的正向电阻，应有较小的阻值。如下图所示。 对调两表笔后，测其反向电阻，应比正向电阻明显大一些。

万用表黑表笔仍接单向可控硅控制极G，红表笔改接单向可控硅的阳极A，阻值应为无穷大，如下图所示。对调两表笔后，再测，阻值仍应为无穷大。这是因为G、A间为两个PN结反向串联，正常情况下其正、反向阻值均为无穷大。

二、检测单向晶闸管导通特性

万用表置于Rx1Ω档，黑表笔接单向可控硅阳极A，红表笔接单向可控硅阴极K，表针应指示为无穷大。这是用金属导体将控制极G与阳极A短接一下（短接后马上断开），表针应向右偏并保持在十几欧姆位置，如下图所示，否则说明单向可控硅已损坏。 三、检测双向可控硅

双向可控硅是一种交流型功率控制器件。

双向可控硅的3个引脚分别是控制极G，主电极T1和主电极T2，如下图所示。由于双向可控硅的两个主电极是对称的，因此使用中可以任意互换。

检测时，万用表置于Rx1Ω档，先用两表笔测量双向可控硅的控制极G与主电极T1之间的正、反向电阻，均应为较小阻值。如下图所示。 再用万用表两表笔测量双向可控硅的控制极G与主电极T2之间的正、反向电阻，均应为无穷大，如下图所示。

四、检测双向可控硅的导通特性

万用表置于Rx1Ω档，黑表笔接双向可控硅主电极T1，红表笔接主电极T2，表针指示应为无穷大，这是将控制极G与主电极T2短接一下，表针应向右偏转并保持在十几欧姆位置，如下图所示。否则说明该双向可控硅已坏。