(整理)湿法清洗及腐蚀工艺
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精品文档 湿法清洗及湿法腐蚀
目 录
一：简介
二：基本概念
三：湿法清洗
四：湿法腐蚀
五：湿法去胶
六：在线湿法设备及湿法腐蚀异常简介
七．常见工艺要求和异常
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精品文档 一：简 介
众所周知，湿法腐蚀和湿法清洗在很早以前就已在半导体生产上被广泛接受和使用，许多湿法工艺显示了其优越的性能。伴随IC集成度的提高,硅片表面的洁净度对于获得IC器件高性能和高成品率至关重要, 硅片清洗也显得尤为重要.湿法腐蚀是一种半导体生产中实现图形转移的工艺,由于其高产出,低成本,高可靠性以及有很高的选择比仍被广泛应用.
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精品文档 二 基本概念
腐蚀是微电子生产中使用实现图形转移的一种工艺，其目标是精确的去除不被MASK覆盖
的材料，如图1：
图 1
腐蚀工艺的基本概念 ：
ETCH RATE (E/R) ------腐蚀速率：是指所定义的膜被去除的速率或去除率，通常用Um/MIN，A/MIN为单位来表示。
E/R UNIFORMITY------ 腐蚀速率均匀性,通常用三种不同方式来表示:
UNIFORMITY ACROSS THE WAFER
WAFER TO WAFER
LOT TO LOT
腐蚀速率均匀性计算UNIFORMITY=（ERHIGH - ERLOW）/（ERHIGH + ERLOW）*100%
SELECTIVITY-------选择比是指两种膜的腐蚀速率之比,其计算公式如下:
SEL A/B= （E/R A）/（E/R B）
选择比反映腐蚀过程中对另一种材料（光刻胶或衬底）的影响，在腐蚀工艺中必须特别注意SEL，这是实现腐蚀工艺的首要条件。
Good selectivity Poor selectivity (Undercut)
ISOTROPY-------各向同性：腐蚀时在各个方向上具有相同的腐蚀速率；如湿法腐蚀就是各向同性腐蚀。具体如下图：
ISOTROPY SIN PR PR
SIN
SIO2 SIO2
SUB PR PR 精品文档
精品文档 ANISOTROPY-------各向异性：腐蚀速率在纵向和横向上具有不同的腐蚀，一般纵向速率远大于横向速率；如干法腐蚀大多数是各向异性腐蚀。具体如下图：
ANISOTROPY
CD（CD LOSS）----条宽（条宽损失）：腐蚀对图形条宽的影响。
CD LOSS= PHOTO CD --FINAL CD
LOADING EFFECT------ 负载效应：E/R依赖于暴露的被腐蚀面积总量的一种现象，叫负载效应，一般在干法腐蚀工艺中较常用到。这包括两个方面A）E/R取决于在腔体中的硅片数，在这种情况下，由于腐蚀性粒子的消耗，其总体E/R会变慢。B）另一种是取决于单一硅片表面被腐蚀的面积。但须注意被腐蚀的面积会随工艺的进程而有所变化。
OVER ETCH------ 过腐蚀：是指在正常腐蚀量的基础上增加的腐蚀量，一般用来保证腐蚀结果，但过量的过腐蚀也将造成异常（如CD偏小，OXIDE LOSS 大等）。
CONTACT ANGLE-----接触角:是衡量表面张力的一种参数，表面张力越大，接触角越大。
PROFILE -------剖面形貌：是指在腐蚀后的剖面图形的拓扑结构，它主要影响台阶覆盖等，为获得满意得剖面形貌，须进行不同性质得处理（如进行等离子体处理或进行各向同性和各向异性腐蚀的组合）。常见得剖面形貌如下图：
PR
SIO2
SUB 精品文档
精品文档 三、湿法清洗
伴随IC集成度的提高,硅片表面的洁净度对于获得IC器件高性能和高成品率至关重要。那么对清洗目的与要求就更严格。清洗是为减少沾污,因沾污会影响器件性能,导致可靠性问题,降低成品率，这就要求在每层的下一步工艺前或下一层前须进行彻底的清洗。由于有许多可能情形的沾污从而使清洗显得很复杂，下面就讲一下沾污的种类以及各种去除方法。
沾污源及其检测
两类主要的沾污源为颗粒和膜，随器件尺寸的缩小，由颗粒所导致的缺陷数就增加，因此对清洗的要求就越来越高。有时膜沾污会变成颗粒沾污。
1: 颗粒
颗粒源主要包括: 硅晶尘埃,石英尘埃,灰尘,从净化间外带来的颗粒,工艺设备,净化服中的纤维丝,以及硅片表面掉下来的胶块,DI WATER中的细菌等，随特征尺寸的缩小，颗粒的大小会使缺陷上升，从而影响电路的成品率。
2: 薄膜型
硅片表面的另一种沾污源是膜沾污源，主要有油膜,药液残留,显影液,金属膜，有时膜可能会变成颗粒。
无论是化学清洗或湿法去胶工艺常被用来去除膜沾污同样也能去除颗粒，针对不同的沾污情况,采用分离的清洗程序各自去除,不仅是化学试剂的清洗还是颗粒清洗工艺,均是为获得一个洁净的硅片表面。但提醒一下,如能去除沾污源是最有效的，虽然在当前工艺步能去除沾污，但必须保证在后续工艺中不被重新沾污.
清洗的种类及其机理
1：擦片（包括超声擦片及高压喷淋和机械擦片相结合）
超声擦片是让硅片浸没在带有超声或兆声的药液中，在超声的作用下药液中产生微小的泡，泡破裂产生冲击波，冲击硅片表面，使硅片表面的颗粒离去或松动，为防止脱离下来的颗粒再次沾污及重新沉积在硅片表面，脱落下来的颗粒必须被带走，常采用溢流和过滤的方法。
高压喷淋和机械毛刷擦片常用于抛光工艺后，及金属化，CVD外延等工艺前，毛刷擦片是利用一转旋的毛刷通过刷洗硅片表面(实际不于硅片直接接确),通过类似于溶剂的一种分离动作达到清洗的目的.
2：溅射前自然氧化层的清洗(稀HF清洗)
当硅材料暴露在空气中时会产生SIO2膜,被称为自然氧化层,这些物质会对后续工艺产生严重的影响,如接确电阻,溅射时影响接口结合力,因此在溅射前须对自然氧化层进行清洗(一般用稀HF进行漂洗)。一般其浓度为HF：H2O=1：10—1：100。
3:化学清洗(主要是RCA 清洗及SH清洗和HF LAST 清洗)
A: RCA清洗(两步工艺 SC-1， SC-2) 精品文档
精品文档 主要是对SI和SIO2在高温作业前的清洗，如氧化，扩散，外延或合金工序前。
SC-1 组分： DI WATER + H2O2（30%）+ NH4OH（29%）
主要去除硅片表面的颗粒，有机物以及金属杂质
SC-2 组分： DI WATER + H2O2（30%）+ HCL（37%）
主要去除硅片表面的原子和离子杂质沾污，SC-2不腐蚀SI和SIO2，但重新沉积在硅片表面的颗粒无法用SC-2去除。
典型的组分及工艺条件如下表：
Ratio(by Vol.) Constituents Temp Time Purpose of Clean
SC-1 5:1:1—5:1:0.25 DI
water:30%H2O2:29%NH4OH 75℃ 5Min 去除硅片表面的颗粒，有机物以及金属杂质
SC-2 6:1:1 DI
water:30%H2O2:37%HCL 80℃ 5-10Min 去除碱离子，硅片表面的金属原子和难溶金属氧化物等
清洗步骤：
1：预清洗: 如有胶,则先去胶,然后用DI WATER进行冲洗;
2:去除有机残留及某些金属: 使用SC-1大约75-80C 10-15MIN;
3:去除第2步形成的氧化膜: 在稀HF中漂20-30SEC,直接进入4;
4:去除残留的金属原子及离子: 使用 SC-2 75-80C,10-15MIN
5:甩干片子,通热N2保存.
在清洗中，化学试剂的纯度是非常重要的，同时由于H2O2很容易分解，所以如在腐蚀槽中进行清洗时须经常加入新的H2O2。SC-1药液以很低的速率腐蚀SI，这会使硅片表面微毛从而更易去除颗粒。当前，对SC-1药液的组分进行了优化，降低NH4OH的浓度，会使去除颗粒的效果提高。
B: Piranha Clean
是指H2SO4及H2O2的混和液(98%H2SO4:30%H2O2 ==10:14:1) ，已被半导体工业长时间广泛使用，在H2SO4中加入H2O2有去除再次沉积在硅片上的颗粒，实现更有效的清洗，它主要用于去胶,去除有机残留,以及METAL 前的各层清洗,一般清洗时间为3-5MIN.
当使用腐蚀槽进行清洗时有几个重要的因素需要考虑：
a)：在H2SO4中加入H2O2是一个很强的放热反应，加入H2O2会使槽温升至90℃左右。
b):槽子的清洗效率可以在硅片进入腐蚀槽时用肉眼观察到，由于H2SO4和有机物反应时在H2O2的强氧化作用下生成H2O和CO2，会在硅片表面出现雾，如效率好时在硅片进入槽子几秒内出现雾。
c):H2O2在高温下易分解生成H2O和O2，此分解影响H2SO4的浓度和降低槽子的去胶效率，因此定期的加入（补充）H2O2是十分必要的。
C: RESIDUE CLEAN
主要用于去除在腐蚀时产生的付产品的清洗,如AL腐蚀后用ACT-CMI，EKC265等进行清洗,在钝化后进行清洗等. 清洗前后的SEM图片对比如下： 精品文档
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F: SPECIALITY CLEAN
具有特殊功效的清洗：如 FRECKLE 药液用于去除残留的SI-渣等.
常用于清洗的药液:
H2O2, Dilute HF , NH4OH , NH4F， H2SO4 , HCL ,Speciality Etchant
EKC265，DMF ，ACT-CMI
