RAMTRON铁电存储器选型表

5×5.8 5×5.8 5×5.7 6.3×5.7 6.3×5.7 6.3×4.5 5×5.8 8×6.7 8×6.7
25 22 30 26 35 19 17 25 30
2150 2610 1490 2450 2450 2780 3390 3020 3020
180 220
270
PXT PXE
5×5.8 6.3×5.8
560
680
PXF
6.3×5.8
12
3500
PXT PXK PXF PXF PXF PXE PXE PXA PXH PXF PXE PXA
6.3×5.8 6.3×5.8 6.3×5.8 6.3×7.7 8×6.7 6.3×7.7 8×6.7 8×6.7 8×6.7 8×6.7 8×6.7 8×12
26 16 10 9 10 13 13 23 30 10 13 12
25Vdc
公称 铝壳尺寸 (φD×L) ESR＊1 纹波 电流＊2
10 15 22 27 33 39 PXS PXA PXA PXE PXA PXG PXS PXS PXE PXA PXH 5×5.8 5×5.7 6.3×4.4 5×5.8 6.3×5.7 5×4.5 5×5.8 6.3×5.8 5×5.8 6.3×5.7 6.3×5.7 90 45 45 35 37 50 35 37 35 37 50 1060 1210 1490 2070 2050 1860 1820 2050 2070 2050 2050 PXA PXA PXH PXG PXA 6.3×4.4 6.3×5.7 6.3×5.7 5×4.5 8×6.7 57 50 60 55 45 1300 1650 1650 1770 2000 PXA 6.3×4.4 57 1300

铁电存储器FM1808铁电存储器是Ramtron公司近年来推出的一款掉电不挥发的存储器，它结合了高性能和低功耗的操作，能在没有电源的情况下保存数据。

FRAM克服了EEPROM 和Flash写入时间长、擦写次数少的特点。

其价格又比相同容量的不挥发锂电SRAM低很多，已在工控仪表、办公复印机、高档服务器等系统中应用，具有广阔的应用前景。

本文介绍一种并行接口铁电存储器FM1808的特点。

同时根据某军用装备中数字信号处理系统对该存储器的应用实例，给出了一种双CPU模拟读写时序控制铁电的设计方案。

实现了软件根据数据处理速度需要控制铁电存储器的系统设计。

1.FM1808铁电存储器FM1808是Ramtron公司近年推出的一款低电压，容量为32k×8bitFRAM，其主要特点如下，并行接口；提供SOIC和DIP两种封装；功耗低，静态电流小于15μA，读写电流小于10mA；非易失性，掉电后数据能保存10年；100亿次以上的读写次数。

其内部结构如图1所示。

2.引脚说明附表为FM1808各个引脚的功能。

（1）片选使能端，CE（低电平有效），用于对器件的选择控制。

与众不同的是，CE（低电平有效）端在下降沿对地址数据进行锁存，同时选通器件。

如果地址数据在CE（低电平有效）端呈稳定状态时改变，将会被忽略，不会记录在铁存中。

（2）写使能端，WE（低电平有效），在地址数据被所存后，将数据总线上的数据写入铁存。

读操作时必须保持高电平。

（3）读使能端，OE（低电平有效），控制把数据放到I/O总线上。

读操作时必须保持高电平。

（4）地址端口（A0~A14），15根地址线用以选择铁存中32768个字节单元中的任一个。

（5）数据端口（D0~D7），8根数据线，双向用于记录数据进出铁存。

3.读/写操作FM1808的读操作开始于CE（低电平有效）的下降沿，在这个时刻，地址被锁存同一个内存周期被初始化。

一旦开始，一个完整的内存周期将在内部完成，即使CE（低电平有效）被置为无效。

祖尔（上海）电器制造有限公司变压器选型手册一。

为方便用户选择合适产品型号，特说明如下：SG SBK系列三相干式隔离变压器SG SBK系列三相干式隔离变压器是本厂在参照国际同类产品，结合我国国情的基础上研制生产的新一代节能型电力变压器，从300VA到1600KVA之间，符合IEC439、GB5226等国际、国家标准，绕组采用脱胎整列绕制方法；变压器进行真空浸漆，使变压器的绝缘等级达到F级或H级，产品性能达到国内外先进水平。

SG系列三相干式隔离变压器广泛适用于交流50Hz至60Hz，电压2000V以下的电路中，广泛用于进口重要设备、精密机床、机械电子设备、医疗设备、整流装置，照明等。

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+ 产品特点在隔离变压器建立新的中线-接地就可解除电网中共模干扰和其它中线的困扰，隔离变压器将三线△接线转换为四线Yo系统，加屏蔽就进一步免除了由变压器内部耦合的高频脉冲干扰和噪音，虽然有屏蔽的隔离变压器对各种N-G来的干扰（脉冲和高频噪声）能有效防止，但变压器必须正确妥善接地，十分严格，否则抗共模干扰将无效果。

本公司可以为客户设计生产高质量的隔离变压器。

+ 特性优点：Ø 高度隔离Ø N-G性能良好Ø 高度共模干扰抑制Ø 将△转换为Y或Y至△Ø 电压抽头容易转换Ø 按用户的特殊性能要求设计+隔离变压器加装在稳压电源的应用一、在电源输入端接入隔离变压器（三角/星形）1、若电网三次谐波和干扰信号比较严重，采用△/Yo隔离变压器，可以去掉三次谐波和减少干扰信号。

2、可以采用△/Yo隔离变压器产生新的中性线，使设备与电网中性线无关，避免由于电网中性线不良造成设备运行不正常。

结构原理
铁电存储器器件结构
目前铁电存储器最常见的器件结构是 Planar (平面式)和Sபைடு நூலகம்ack(堆叠式)结 构，两者的区别在于铁电电容的位置 和电容与MOS管互连的方式。在平面式 结构中，将电容置于场氧上面，通过 金属铝，将电容上电极和MOS管有源区 相连，工艺相对简单，但单元面积较 大；而在堆叠式结构中，将电容置于 有源区，通过塞子(Plug)将电容下电 极和MOS管源端相连，需要CMP工艺， 集成密度较高。另外，堆叠式结构可 以采用铁电电容制作在金属线上的做 法，从而减少铁电电容在形成过程中 对工艺的相互影响。
应用
三、非易失性缓冲
铁电存贮器（FeRAM）可以在其它存储器之前快速存储数据。在此情况 下，信息从一个子系统非实时地传送到另一个子系统去。由于资料的 重要性, 缓冲区内的数据在掉电时不能丢失，在某些情况下，目标系 统是一个较大容量的存储装置。FeRAM以其擦写速度快、擦写次数多使 数据在传送之前得到存储。 典型应用：工业系统、银行自动提款机 (ATM), 税控机, 商业结算系 统 (POS), 传真机，未来将应用于硬盘非易失性高速缓冲存储器。
应用
二、参数设置与存储 FeRAM通过实时存储数据帮助系统设计者解决了突然断电数据丢失的问 题。参数存储用于跟踪系统在过去时间内的改变，它的目的包括在上电 状态时恢复系统状态或者确认一个系统错误。总的来说，数据采集是系 统或子系统的功能，不论何种系统类型，设置参数存储都是一种底层的 系统功能。 典型应用： 影印机,打印机,工业控制,机顶盒,网络设备和大型家用电 器
制造工艺
铁电存储器技术和标准的CMOS制造工艺相兼容。铁电薄膜被放置 于CMOS基层之上，并置于两电极之间，使用金属互连并钝化的方 法完成铁电存储器的制造。

二、FRAM原理及特点
写入方法与DRAM稍有不同。DRAM利用电容器中有无电荷记录数据，因此使用名 为位线的布线单向加压。而FeRAM由于必须双向加压，因此除位线以外，还添加 了名为板线的线路。写入“1”时，由板线向位线加压。写入“0”时则反过来由 位线向板线加压。 读取方法也不同于DRAM。DRAM根据电容器中有无电荷判定 “1”或“0”。而FeRAM则不能直接读出电容器的状态。因此读取时通过强行写 入“1”，来判定“0”还是“1”。数据为1时由于状态不变，因此电荷移动少。 而数据为0时由于状态发生反转，因此会产生大的电荷移动。利用这种电荷差判 定1和0， FeRAM在读取时也进行写入动作。
铁电存储器成品图
五、FRAM与其它存储技术比较
FRAM与E2PROM FRAM可以作为E2PROM的第二种选择，它除了 E2PROM的性能外，访问速度要快得多。
FRAM与SRAM 从速度、价格及使用方便来看SRAM优于FRAM，但 是从整个设计来看，FRAM还有一定的优势。 非易失性的FRAM可以保存启动程序和配置信息。如 果应用中所有存储器的最大访问速度是70ns，那么可以 使用一片FRAM完成这个系统，使系统结构更加简单。
但是在铁电电容中反复写入会使之加速老化。
也就是说不仅是写入时，读取时FeRAM也会产生 老化，并且FeRAM在读取时与DRAM一样，是破坏 性读取，所以也需要像DRAM那样进行回写操作
FRAM的读操作
FRAM读操作过程是：在存储单元电容上施加一已 知电场，如果原来晶体的中心原子的位置和施加的电 场方向后使中心原子达到的位置相同，则中心原子不 会移动；若不相同，则中心原子将越过晶体中间层的 高能阶到达另一位置，则在充电波形上就会出现一个 尖峰，即产生原子移动的比没有产生移动的多了一个 尖峰，把这个充电波形 同参考位的充电波形进行比较， 便可以判断检测的存储单元中的内容是“1”或“0”。。

铁电存储器激光微束单粒子效应试验研究魏佳男;郭红霞;张凤祁;罗尹虹;潘霄宇;丁李利;赵雯;刘玉辉【摘要】利用脉冲激光微束单粒子效应(SEE)模拟装置,研究了铁电存储器(FRAM)工作频率对其单粒子翻转(SEU)的影响.研究结果表明,随工作频率的降低,被测器件SEU截面显著增大,且翻转是由外围电路引发的.被测芯片1→0翻转截面明显大于0→1翻转截面.对FRAM工作时序及不同芯片使能信号(CE)占空比下SEU截面的分析表明,频率降低导致的CE有效时间延长与SEU截面的增大有直接关系.本文同时开展了FRAM不同功能模块的单粒子锁定(SEL)敏感性试验,获得了相应的SEL阈值能量和饱和截面,并研究了静态和动态工作模式下由SEL引发的数据翻转情况,发现动态模式下被测器件更易受SEL影响而发生翻转.%The influence of operating frequency on single event upset (SEU) in ferro-electric random access memory (FRAM) was studied using the pulsed laser microbeam single event effect (SEE) facility.The experiment results show that the SEU cross section of FRAM increases notably with the decrease of operating frequency, and the SEU is caused by peripheral circuit.The cross section from 1 to 0 upset is larger than that from 0 to 1.The analysis of the function timing of FRAM and the SEU cross section under different duty cycles of chip enable (CE) signal indicates that the extension of CE active time due to reduced operating frequency has a direct relationship with the increase of SEU cross section.The experiment on single event latch-up (SEL) sensitivity of function block in FRAM was also studied and the SEL energy threshold and saturated SEL cross section were presented.Data upsets caused by SEL at both static and dynamic modes were discussed at thesame time respectively.It's found that the test device is more susceptible to SEL-induced upsets at dynamic mode.【期刊名称】《原子能科学技术》【年(卷),期】2017(051)005【总页数】7页(P902-908)【关键词】铁电存储器;单粒子效应;激光微束;工作频率【作者】魏佳男;郭红霞;张凤祁;罗尹虹;潘霄宇;丁李利;赵雯;刘玉辉【作者单位】湘潭大学材料科学与工程学院,湖南湘潭 411105;湘潭大学材料科学与工程学院,湖南湘潭 411105;西北核技术研究所,陕西西安 710024;西北核技术研究所,陕西西安 710024;西北核技术研究所,陕西西安 710024;西北核技术研究所,陕西西安 710024;西北核技术研究所,陕西西安 710024;西北核技术研究所,陕西西安 710024;湘潭大学材料科学与工程学院,湖南湘潭 411105【正文语种】中文【中图分类】TN406在航天电子系统中，半导体存储器在信息的获取和存储方面具有重要作用。

电子系统设计与实践
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2013/5/12
Cortex-M3
电子系统设计与实践
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2013/5/12
Cortex-M4
电子系统设计与实践
30
2013/5/12
CMSIS
ARM Cortex 微控制器软件接口标准
(CMSIS) 是 Cortex-M 处理器系列的与 供应商无关的硬件抽象层。 使用 CMSIS，可以为接口外设、实时操作系 统和中间件实现一致且简单的软件接口， 从而简化软件的重用、缩短新微控制器 开发人员的学习过程，并缩短新产品的 上市时间。
电子系统设计与实践
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2013/5/12
嵌入式处理器（常见）
ADI
ADSP-BF53x/56x （Blackfin 16bits） TI OMAP2、DM64x、达芬奇 （ARM+TI DSP） Intel Pentium-M C-M 、 Core-Duo （x86） Via C7 （x86） Altera NiosII （NiosII soft core） Xilinx PowerPC（硬核）/MicroBlaze 软核 Magiceyes MMSP2 MP25xx （Dual ARM9） ARM Cortex内核（Cortex-A8/Cortex-A9）
Cortex-M核芯片
意法半导体-- STM STM32 F0xx系列（M0 48MHZ） STM32 Lxxx系列(M3 32MHZ) STM32 F1xx系列(M3 72MHZ) STM32 F2xx系列(M3 120MHZ) STM32 F4xx系列(M4 168MHZ)
电子系统设计与实践
17
2013/5/12

与EEPROM系列不同的是，FM24CL64以 总线速度进行写操作，无须延时。数据发到 FM24CL64后直接写到具体的单元地址， 下一 个总线操作可以立即开始。 FM24CL64的读写 寿命是EEPROM的很多倍速，而且由于无需要 内部电压提升电路，FM24CL64在写操作期间 功耗比EEPROM低得多。
第 4页
源正常或者没有新的地址被写入，那么内部地址将一 直保持。读操作总是使用当前地址，如果要执行一个 随机地址读操作，那么必须执行一个写操作，这一点 将在下面进行描述。 每一个字节传送后，FM24CL64内部地址锁存器在应答 前递增。这样在没有另外的寻址要求情况下，就可以
访问下一个顺序字节。在最后一个地址１ＦＦＦＨ到达后， 地址计数器的内容又返回到００００Ｈ。在一个读写操作
主机每次应答一个字节后，标明ＦＭ２４ＣＬ６４将读出 下一个顺序字节。 有四种方式可以正确的终止读操作，失败地终止 读操作就很有可能会造成总线竞争，此时 FM24CL64总是试图读出额外的数据送到总线上。
数据/地址传送
所有数据传送（包括地址）都发生在SCL为高电平 的时候，除了以上两种情况外，SDA信号在SCL 为高电平时不能改变。
应答
在任何传送中，应答信号出现在第8位数据位被传 送之后，在这个状态下，发送方应该释放SDA信号 以便由接收方驱动。接受方驱动SDA为低电平，以
应答收到一个字节数据。如果接收方没有发出 应答信号，那么这是一个无应答状态，操作 将被中止。有两个明显的理由使得接收方没有发
第 2页
总体概述
FM24CL64是一种串行非易失存储器，它的 结构容量为8，192*8位，接口方式为工业标准二 线制造串行接口，与串行EEPROM的功能操作相 似，与EEPROM具有相同的引脚排列，不同之处 在于，FM24CL64具有非常出色的写操作性能。

16Kbit非易失性铁电存储器（FRAM）芯片FM25C160原理及其应用哈尔滨理工大学测控技术与通信工程学院周宝国The Principle of 16-Kbit Nonvolatile FRAM Chip FM25C160 and ItsApplicationZhou Baoguo摘要：FM25C160是美国Ramtron公司生产的非易失性铁电介质读写存储器。

它具有高速读写，超低功耗和无限次写入等特性。

文中介绍了FM25C160的性能特点﹑管脚定义﹑内部结构和工作原理。

给出了AT89C51单片机与FM25C160的接口电路图和对FM25C160的写操作流程图。

关键词：铁电存储器(FRAM)；FM25C160；SPI总线；写保护1．概述传统半导体存储器主要有两大体系：易失性存储器（volatile memory）和非易失性存储器（non-volatile memory）。

易失性存储器主要包括静态随机存储器SRAM和动态随机存储器DRAM。

非易失性存储器主要包括掩模只读存储器OTP RAM﹑可紫外线擦除可编程只读存储器EPROM﹑可电擦除可编程只读存储器EEPROM﹑可快速电擦除可现场编程的快闪存储器Flash Memory和用高能量锂电池作静态读写存储器后备电源的非易失静态读写存储器NVSRAM。

SRAM和DRAM等易失性存储器在没有电的情况下都不能保存数据。

EPROM﹑EEPROM和Flash等非易失性存储器虽然在断电后仍能保存资料，但由于这类存储器均源于只读存储器（ROM）技术，因此都有不易写入的缺点。

FRAM是由美国Ramtron公司生产的非易失性铁电介质读写存储器。

其核心技术是铁电晶体材料，这一特殊材料使得铁电存贮产品同时拥有随机存储器(RAM) 和非易失性存储器的特性。

铁电晶体材料的工作原理是: 当我们把电场加载到铁电晶体材料上，晶阵中的中心原子会沿着电场方向运动，到达稳定状态。

晶阵中的每个自由浮动的中心原子只有两个稳定状态，一个我们记作逻辑0，另一个记作逻辑1。

自动转换，安全隔 离
PC型
用于不频繁接通与 分段电路
40A,50A,63A,80A,100A.
125A、160A、200A、 250A、315A、400A、 500A、630A、1000A、 1250A、1600A、2000A、
用于不频繁接通与 分段电路
交流50Hz，额定电压660V直流额定电 压440V，额定电流3150A。分柜内操作 和柜外操作
630A、700A、800A
10A、16A、20A、25A、 32A、40A、50A、63A、 80A、100A、 100A、125A、160A、 180A、200A、225A、 250A
200A、225A、250A、 315A、350A、400A
400A、500A、630A
A型：N极不安装过电流脱扣器，且N极
名 称
型号
标法
BM65-63系列
BM65-63C(D)/(1-4)P-(16-63)A
小
型
断 BM65H-100系列 BM65H-100/(1-4)P-(63-125)A
路
器
BM65N-32“相线+中 性线”系列
BM65N-32/1P+N-(6-32)A
北元电器快速选型表
实例
BM65-63C/1P-16A BM65-63D/1P-16A
BW1-6300/3P-4000A BW1-6300/4P-4000A
电器快速选型表
额定工作电流
用途
6A、10A、16A、20A、 25A、32A、40A、50A、 过载、短路保护 63A
63A、80A、100A、
过载、短路保护
备注
C型（5-10ln）D型(10-50ln)

AT24C AT24C系列 24
AT45DB系列25 EEPROM选型 EEPROM选型
M25P系列 25P
M45P系列 45P
芯片选型对比表
缺点
1，容量小，一般小于100K 2，速度中等100KHZ或400KHZ 3，停产
生产商
使用情况
ATMEL
块擦除2块或者整个芯片擦除时间慢大于500ms4soic封装占用空间小5速度快75mhz6芯片容量大价格较贵7有商业级和工业级芯片8引脚兼容fm25系列m45p系列1支持spi总线传输引脚少1厂商2008建厂投产供货有待注意2支持硬件保护机制2价格较高3支持字节页读和写
EEPROM芯片选型对比表 EEPROM芯片选型对比表
1，厂商停止供货 2，价格较高 ATMEL
1,价格高 RAMTRON
1，不支持页擦除，写入字节和页数据 需要擦除整块 2，块或者整个芯片擦除时间慢大于500ms ST
1，厂商2008建厂投产，供货有待注意 2，价格较高 3，擦和写速度稍慢，小于10ms ST
备注
型号
优点
1，支持I2C总线传输，引脚少 2，支持硬件保护机制 3，支持字节读和写。寿命长 4，SOIC封装，占用空间小 5，价格低 6，有商业级和工业级芯片 1，支持SPI总线传输，引脚少 2，支持硬件保护机制 3，支持字节/页读和写。寿命长 4，SO-W封装，占用空间小 5，速度较快20MHZ 6，芯片容量较大，一般几百K以上。 7，有商业级和工业级芯片 1，支持SPI总线传输，引脚少 2，支持硬、软件保护机制 3，支持字节读和写。寿命长 4，SOIC封装，占用空间小 5，速度快40MHZ，立即写入，无缓冲，类似于RAM 6，芯片容量种类多，选择方案多。供货稳定 7，工业级芯片 1，支持SPI总线传输，引脚少 2，支持硬、软件保护机制 3，只支持字节/页读。块擦除 4，SOIC封装，占用空间小 5，速度快75MHZ 6，芯片容量大，价格较贵 7，有商业级和工业级芯片 8，引脚兼容FM25系列 1，支持SPI总线传输，引脚少 2，支持硬件保护机制 3，支持字节/页读和写。寿命长 4，SO-W封装，占用空间小 5，速度较快75MHZ 6，芯片容量较大，一般几百K以上。 7，有商业级和工业级芯片 8，引脚兼容AT45DB系列

飞秒脉冲激光辐照FRAM诱发的毁伤效应及热演化乔相信;成艺光;唐恩凌;韩雅菲【摘要】空间高能粒子辐照航天器电子器件诱发的毁伤和热演化特征,直接关系到航天器的在轨安全运行和在轨任务的顺利实施.本文利用自行构建的飞秒脉冲激光辐照系统、激光诱发毁伤的数据采集系统、数据读写系统和红外热成像系统,开展了不同激光输出重复频率、不同作用区域下辐照铁电存储器(FRAM)实验,获取激光辐照于铁电存储器被照面的稳态温度场和铁电存储器的暂态失效和永久失效出现时间,并观测了辐射效应对铁电存储器的毁伤效果,经MATLAB软件处理得到了激光辐照铁电存储器不同区域热演化过程的温度场分布.实验结果表明:在激光输出功率近似相同的飞秒脉冲激光辐照条件下,激光脉冲输出重复频率越低,诱发永久性毁伤出现时刻的时间越长,近似呈非线性增长;随着激光输出重复频率的增大,激光对铁电存储器的作用由激光电离存储器介质产生的高能带电粒子对铁电体自发极化的破坏为主,逐步转变为以热辐射与热应力诱发的毁伤;当激光在器件表面产生的最高温度接近存储器最高工作温度时,永久毁伤的出现时间将显著延长.并通过对回归参数的计算和假设检验,给出了回归参数的置信度1-α为95％的条件下激光辐照区域1与区域2的最高辐射温度与激光输出重复频率的拟合关系式.【期刊名称】《发光学报》【年(卷),期】2019(040)006【总页数】11页(P815-825)【关键词】飞秒脉冲激光;毁伤效应;铁电存储器(FRAM);温度场分布【作者】乔相信;成艺光;唐恩凌;韩雅菲【作者单位】沈阳理工大学装备工程学院,辽宁沈阳 110159;沈阳理工大学装备工程学院,辽宁沈阳 110159;沈阳理工大学装备工程学院,辽宁沈阳 110159;沈阳理工大学装备工程学院,辽宁沈阳 110159【正文语种】中文【中图分类】O432.1+21 引言目前，空间辐射效应及其衍生问题严重影响航天器的在轨安全运行，单粒子效应(SEE)已成为空间高能粒子辐射下电子设备故障的主要原因，而激光辐射的热效应及其带来的热演化问题是单粒子效应中的关键问题［1-2］。

内存结构
FM24CL64内部地址可分为8，192个字单 元，每个字单元为8位，数据位被串行移出。它 使用两线协议，包括一个从机地址（区别于其他 存储器或器件），一个16位的字节地址。字节地 址只有低13位有效，用于对内存字节单元进行寻 址，字节地址高3位必须设置为0以兼容将来的高 容量器件。
. FM24CL64的大多数功能由两线协议控制 或由片上电路自动完成。它以二线制总线的速度 进行读写，与EEPROM不同，FM24CL64不必对 器件进行轮循以等待一个就绪状态，因为器件是 以总线速度进行写操作， 一个新的总线转输将 数据移入器件的同时，写操作已经完成，更为详 尽的描述将在下面的接口界面章节进行描述。
需要指出的是，FM24CL64 没有类似内部电源
管理电路而仅有一个简单的上电复位电路，因
此，用户应保证电源电压（VDD）在数据表规
定的误差范围内，防止器件出现误操作。
第 3页
停止
当主机把SDA从低电平拉为高电平，同时SCL信号 为高电平时认为是停止信号，FM24CL64所进行的 所有操作都必须以此信号结束，如果一个操作还未 完成而此时出现了一个停止信号，那么这个操作将 被中止。为了发布停止信号，主机必须控制SDA 总线。
以上的这些特性使得FM24CL64对于某些 非易失性应用场合非常理想，在这些场合，系 统操作频率及读写速度要求非常高。举例来说， 数据采集应用中，系统对写周期的要求很高， EEPROM较长的写入周期可能会导致数据丢 失，FM24CL64A的这些综合特性使系统具有更 快的写操作速度和更少的系统开销。
FM24CL64 为使用串行 EEPROM 的用户 提供了便利，它在硬件上可以直接替换 EEPROM。FM24CL64 使用工业标准两线接口， 8 脚 SOP 封装，操作温度范围：－４０℃至＋８５℃。

铁电存储器FM24C16原理及其综合应用Ramtron铁电存储器FRAM1、铁电存储器技术原理、特性及应用美国Ramtron公司铁电存储器(FRAM)的核心技术是铁电晶体材料。

这一特殊材料使铁电存储器同时拥有随机存取记忆体(RAM)和非易失性存储器的特性。

铁电晶体的工作原理是：当在铁电晶体材料上加入电场，晶体中的中心原子会沿着电场方向运动，达到稳定状态。

晶体中的每个自由浮动的中心原子只有2个稳定状态，一个记为逻辑中的0，另一个记为1。

中心原子能在常温、没有电场的情况下，停留在此状态达100年以上。

铁电存储器不需要定时刷新，能在断电情况下保存数据。

由于整个物理过程中没有任何原子碰撞，铁电存储器有高速读写、超低功耗和无限次写入等特性。

铁电存储器和E2PROM比较起来，主要有以下优点：(1)FRAM可以以总线速度写入数据，而且在写入后不需要任何延时等待，而E2PROM在写入后一般要5～10ms的等待数据写入时间；(2)FRAM有近乎无限次写入寿命。

一般E2PROM的寿命在十万到一百万次写人时，而新一代的铁电存储器已经达到一亿个亿次的写入寿命。

(3)E2PROM的慢速和大电流写入使其需要高出FRAM 2 500倍的能量去写入每个字节。

由于FRAM有以上优点，其特别适合于那些对数据采集、写入时间要求很高的场合，而不会出现数据丢失，其可靠的存储能力也让我们可以放心的把一些重要资料存储于其中，其近乎无限次写入的使用寿命，使得他很适合担当重要系统里的暂存记忆体，用来在于系统之间传输各种数据，供各个子系统频繁读写。

从FRAM问世以来，凭借其各种优点，已经被广泛应用于仪器仪表、航空航天、工业控制系统、网络设备、自动取款机等。

在设计的碳控仪系统中，由于对控制碳势适时性的要求较高，而且系统由2个子系统构成，每个子系统都要频繁读写存储器，所以我们把原来的X25045换成FM24C16以满足要求。

2 FM24C16引脚说明及工作过程FM24C16-P(8脚双列直插)外形图及引脚定义如图1及表1所示。

The DATASHEET China Service Center of RAMTRONa b s o r b e d i n f e r r o e l e c t r i c sprofessional technology and attentive service特性高集成度用于替换多个器件 l 串行非易失性存储器 l 实时时钟 l 低电压复位 l 看门狗记数器l 早期电压失效告警/NMI l 双16位事件记数器 l 串行数字标识 铁电非易失性RAMl 4Kb 、16Kb 、64Kb 、256 Kb 版本 l 无限制的读写次数 l 10年掉电数据保存期 l 无延时写操作 实时时钟/日历l 备用电流低至1UAl 秒至年采用BCD 格式编码 l 自动闰年调整l 使用标准的32.768KHZ 晶振（6PF ） l 时钟软件校准l 支持电池及电容后备处理器辅助功能l 电源及看门狗低有效复位输出 l 可编程低电压复位门限 l 手动复位l 可编程看门狗记数器l 电池后备的双事件记数器用于记录系统干扰或其它事件l 比较器用于电源失效中断或者其它用途 l 带锁定的64位串行数字标识 快速的二线制串行接口l 最高达1M 总线时钟频繁l 支持以前的100K&400K 总线速度 l 器件选择管脚用于最多四只芯片寻址l RTC 、监测控制功能统一通过进行二线制接口操作方便使用的构造l 操作电源范围2.7V-5.5V l 小封装14引脚SOICl 低操作电流，150UA 的静态工作电流 l -40°C 至 +85°C 温度操作范围描述FM31系列产品是一族包含基于处理器系统的通用功能需求的集成器件，主要功能包含各种容量大小的铁电非易性存储器、实时时钟、低电压复位、看门狗记数器、非易失的事件记数器、可锁定的串行数字标识，和一个通用的比较器，用于电源失效中断输出或其它用途，所有器件的操作电压范围为2.7V-5.5V .。

铁电存储器的三个典型应用2009-07-24 09:46:51 来源：与非网摘要:铁电存储器(FRAM)以其非挥发性,读写速度块, 擦写次数多,和低功耗等特点被广泛应用各行各业. 文章首先介绍铁电的原理, 之后分别介绍铁电储存器在电表, 税款机, 和电子道路收费系统的典型应用.关键词: 铁电储存器, 应用1 铁电储存器的原理上图是铁电的原子结构图. 当一个电场施加到铁电晶体时, 中心原子会顺着电场的方向在晶体里移动. 当原子移动通过一个能量壁垒时, 会引起电荷击穿. 内部电路感应到电荷击穿并设置储存器. 移去电场后, 中心原子保持不动, 储存器的状态也得以保存.铁电储存器不需要定时更新, 调电后数据却能够继续保存, 速度快而且不容易写坏. 铁电储存器就是根据该原理设计而成.2 铁电储存器的典型应用2.1 铁电存储器在电表存储中的应用2.1.1 概述在电子技术日新月异、新型多功能电能表层出不穷的今天，电能表中存储器的选择也是多种多样，存储器的好坏直接关系到电能表的正常使用和测量精度。

目前应用最多的方案仍是SRAM加后备电池、EEPROM、NVRAM 这三种。

但这三种方案均存在着缺陷。

其中SRAM加后备电池的方法增加了硬件设计的复杂性，同时由于加了电池又降低了系统的可靠性；而EEPROM的可擦写次数较少(约100万次)，且写操作时间较长(约10 ms)；而NVRAM的价格问题又限制了它的普及应用。

因此，工程人员在设计电能表的存储模块时，往往要花很大的精力来完善方案，才能使电表数据准确无误的写入存储器中。

由于所有的非易失性记忆体均源自ROM技术。

你能想象到,只读记忆体的数据是不可能修改的。

所有以它为基础发展起来的非易失性记忆体都很难写入，而且写入速度慢，它们包括EPROM（现在基本已经淘汰）,EEPROM和Flash，它们存在写入数据时需要的时间长，擦写次数低,写数据功耗大等缺点。

鉴于以上情况，越来越多的设计者将目光投向了新型的非易失性铁电存储器(FRAM)。

断路器 额定电流
In(A)
1000 1250 1600 2000 2500 3200 4000 5000
断路器极限 短路分断能力
Icu(kA)
65 65 65 65 65 65 65 100
过载长延时 脱扣器整定电流
Ir1(A)
774.4 975.7 1239.7 1548.8 1936.0 2478.3 3097.6 3873.1
变压器选型、配合表
序号
变压器容量 （kVA）
变压器额定电 高压进线电缆
流（A）
(mm2)
低压母线段规格
（TMY）
进线断路器选择
型号
可供选择附件
1
500
2
630
3
800
4
1000
5
1250
616007 Nhomakorabea2000
8
2500
704 887 1127 1408 1760 2253 2816 3521
3x70 3x95 3x95 3x95 3x120 3x120 3x150 3x150
800 1000 1250 1600 2000 2500 3200 4000
短路短延时 脱扣器整定电流
Ir2(A)
Ir2=4Ir1 Ir2=4Ir1 Ir2=4Ir1 Ir2=4Ir1 Ir2=4Ir1 Ir2=4Ir1 Ir2=4Ir1 Ir2=4Ir1
短路短延时 接地故障
脱扣时间 脱扣器整定电流
tr2(s)
Ir4(A)
0.4
Ir4=0.3Ir1
0.4
Ir4=0.3Ir1
0.4
Ir4=0.3Ir1
0.4
Ir4=0.3Ir1