SPS对铜电沉积过程的表面作用机理研究
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铜镀锡原理
铜镀锡是一种常见的金属表面处理方法,其主要原理是在铜表面镀上一层薄薄的锡层。
这种处理方法在电子、电器、汽车、航空等行业中广泛应用,能够提高金属表面的耐腐蚀性、导电性、可焊性等性能。
铜镀锡的原理可以简单地概括为“电化学反应”。
在铜表面镀上锡层的过程中,需要一个电解质溶液、一个阴极和一个阳极。
阴极通常是铜制成的,而阳极则是锡制成的。
当电流通过这个系统时,铜表面上的阳极开始溶解,释放出锡离子。
这些离子随后在阴极上还原,形成一层均匀的锡镀层。
这个过程称为电化学沉积。
铜镀锡的原理并不复杂,但是要保证铜表面能够均匀地镀上锡层也有一定的技术难度。
因为在电化学反应中,如果铜表面的电流密度不均匀,就会导致锡的镀层不均匀,从而影响到产品的质量。
为了解决这个问题,工程师们通常会采用一些特殊的工艺技术,比如使用电场分析技术、控制电势差等方法,来确保铜表面的电流密度均匀。
除了技术难度之外,铜镀锡还有一个需要注意的问题,那就是铜表面必须要经过一系列的前处理才能够进行镀锡。
这些前处理包括表面清洗、去油、酸洗等,可以有效地去除铜表面的氧化物和其它污染物,从而提高铜表面与锡层之间的结合力。
铜镀锡是一种非常重要的金属表面处理方法,可以大大提高产品的质量和使用寿命。
虽然铜镀锡的原理并不复杂,但是要想实现高质量、高效率的镀层制备,还需要借助于先进的技术手段和严格的工艺流程。
电镀铜中硫酸的作用硫酸在电镀铜中的作用引言:电镀是一种常用的表面处理方法,其中电镀铜是一种常见的电镀工艺。
在电镀铜的过程中,硫酸起着重要的作用。
本文将详细介绍硫酸在电镀铜中的作用原理和影响因素。
一、硫酸的作用原理1. 提供电解质:硫酸在电镀铜中作为电解质的一部分,提供离子来维持电解液的电导性。
硫酸分解成氢离子(H+)和硫酸根离子(SO4-),其中氢离子作为还原剂,而硫酸根离子则与铜阳离子结合,形成铜离子。
2. 调节酸碱度:硫酸在电镀铜中还起到调节酸碱度的作用。
电镀过程中,电解液的酸碱度对于电镀效果和沉积速度有重要影响。
硫酸能够使电解液保持一定的酸性,从而促进电镀的进行。
3. 抑制杂质:硫酸还可以抑制电镀液中的杂质,提高电镀的质量。
由于硫酸具有较强的酸性,可以与一些杂质发生反应,形成难溶于水的沉淀物,从而减少杂质对电镀质量的影响。
二、硫酸浓度的影响硫酸浓度是影响电镀铜质量的重要因素之一。
适当的硫酸浓度可以提高电镀速度和电镀质量,但过高或过低的浓度都会对电镀产生不利影响。
1. 过高的硫酸浓度:当硫酸浓度过高时,电解液的酸性会增强,导致电镀速度过快,但容易出现膜裂、颗粒粗大等缺陷。
同时,高浓度的硫酸还会导致电镀液的稳定性下降,容易发生剧烈反应,甚至产生爆炸等危险。
2. 过低的硫酸浓度:当硫酸浓度过低时,电解液的酸性不足,会导致电镀速度变慢,甚至无法进行电镀。
此外,低浓度的硫酸还容易造成电镀层的孔洞和松散,降低电镀质量。
三、其他影响因素除了硫酸浓度,还有其他一些因素也会对电镀铜的质量产生影响。
1. 温度:温度是影响电镀速度和质量的重要因素之一。
适当的温度可以提高电镀速度和质量,但过高或过低的温度都会导致电镀质量下降。
2. 电流密度:电流密度是指单位面积上通过的电流量,也是影响电镀速度和质量的重要因素。
适当的电流密度可以提高电镀速度和质量,但过高的电流密度容易导致电镀层粗糙和不均匀。
3. 阴极设计:阴极设计也会影响电镀铜的质量。
化学镀铜(Eletcroless Plating Copper)通常也叫沉铜或孔化(PTH)是一种自身催化的氧化还原反应。
双面板以上完成钻孔后即进行TH(plated through hole 镀通孔)步骤。
首先用活化剂处理,使绝缘基材表面吸附上一层活性的粒子,通常用的是金属钯粒子,铜离子首先在这些活性的金属钯粒子上被还原,而这些被还原的金属铜晶核本身又成为铜离子的催化层,使铜的还原反应继续在这些新的铜晶核表面上进行。
PTH目的使孔壁上的非导体部分的树脂及玻璃束进行金属化,以进行后来的电镀铜制程 ,完成足够导电及焊接的金属孔壁.。
孔金属化工艺流程如下:磨板→上板→溶涨→去钻污→中和→整孔→微蚀→预浸→活化→解胶→沉铜→下板刷板目的:1 通过刷棍一定压力的磨刷去除孔口毛刺、粗化铜箔表面;2 通过循环水洗、高压水洗、市水洗冲洗清洁生产板;原理解释:钻孔后的覆铜箔板,其孔口部位不可避免的产生一些小的毛刺(1 未切断的铜丝2 未切断玻璃丝留 ,称为毛刺),这些毛刺因其要断不断,而且粗糙,若不将其除去,将会影响金属化孔的质量,可能造成通孔不良及孔小等。
最简单去毛刺的方法是用200~400号水砂纸将钻孔后的铜箔表面磨光。
机械化的去毛刺方法是采用去毛刺机。
去毛刺机的磨辊是采用含有碳化硅磨料的尼龙刷或毡。
一般的去毛刺机在去除毛刺时,在顺着板面移动方向有部分毛刺倒向孔口内壁,改进型的磨板机,具有双向转动带摆动尼龙刷辊,除了这种弊病。
失误对策:太轻的刷磨会使板材表面的杂质无法顺利的清除干净或者会造成不均匀的表面;太重的刷磨则会去除表面过多的铜层,或是造成一个粗糙的及不匀的表面。
太重或不当的刷磨也会使板材边缘产生流胶现象,或是使刷轮本身也会出现流胶现象。
此种流胶将使得化学镀铜及电镀镀铜制程产生严重的问题。
去钻污段一;容涨1;目的:软化膨松环氧树脂,降低聚合物间的键结能 , 使KMnO4更易咬蚀形成粗糙面2原理解释:初期溶出可降低较弱的键结,使其键结有了明显的差异。
水平沉铜工艺原理水平沉铜工艺是一种将铜沉积在平面基板上的电化学沉积工艺。
在这个工艺中,铜离子从电解液中被还原并沉积在基板表面,形成一层均匀、致密、粘附良好的铜膜。
水平沉铜工艺在电子工业中被广泛应用,特别是在印制电路板制造过程中。
水平沉铜工艺的基本原理可以分为三个方面:电化学原理、液体流动原理和表面化学反应原理。
1. 电化学原理水平沉铜工艺是一种电化学沉积工艺,其基本原理是利用电解质溶液中的铜离子在电场作用下被还原并沉积在基板表面。
在水平沉铜工艺中,基板作为阴极,而铜阳极则位于电解槽中。
当施加电压时,阴极表面的铜离子会被还原成金属铜,并沉积在基板表面。
在电解液中,铜离子通常以硫酸铜的形式存在。
硫酸铜溶液中的铜离子可以通过电解槽中的阳极源源不断地补充。
当电压施加到一定程度时,铜离子会在基板表面沉积形成铜膜。
通过控制施加的电压和电流密度,可以控制沉积速率和铜膜的厚度。
2. 液体流动原理水平沉铜工艺中的液体流动起着重要的作用。
液体流动可以保持电解液中的铜离子浓度均匀,并将沉积在基板表面的氢气和其他杂质带走。
在水平沉铜工艺中,电解槽中的电解液通过机械搅拌或气体搅拌等方式进行流动。
液体流动可以使电解液中的铜离子均匀分布,并将沉积在基板表面的氢气和其他杂质带走,以保持铜膜的均匀和纯净。
液体流动的流速和方向可以通过调整机械搅拌器的转速或气体搅拌的气流量来控制。
合适的液体流动对于获得均匀且无杂质的铜膜至关重要。
3. 表面化学反应原理水平沉铜工艺中的表面化学反应是决定沉积铜膜质量和性能的关键因素之一。
表面化学反应涉及到基板表面的清洁、活化和催化过程。
首先,基板表面需要经过清洁处理,以去除表面的杂质和氧化物。
常用的清洁方法包括碱性清洗、酸性清洗和电解清洗等。
接下来,基板表面需要经过活化处理,以提高铜离子在基板表面的吸附能力。
活化处理通常采用酸性活化剂,如硫酸、硝酸等。
最后,基板表面需要经过催化处理,以提高铜离子的还原速率。
铜电极原理铜电极是一种常用的电化学电极,广泛应用于电化学分析、电沉积、电解等领域。
铜电极具有良好的导电性和化学稳定性,能够在不同电化学反应中发挥重要作用。
本文将从铜电极的原理入手,介绍其在电化学中的应用及相关实验方法。
首先,铜电极的原理主要涉及到电化学反应和电极电位的形成。
在电化学反应中,铜电极可发生氧化还原反应,其原理可用如下方程式表示:Cu → Cu2+ + 2e(氧化反应)。
Cu2+ + 2e→ Cu (还原反应)。
在这个过程中,铜电极表面会生成Cu2+离子,并释放出电子,形成电极电位。
这种电位的形成是铜电极发挥作用的基础,也是其在电化学分析和电沉积中的重要应用之一。
其次,铜电极在电化学分析中的应用十分广泛。
例如,在电化学传感器中,铜电极可以作为工作电极,通过测量电极电位的变化来分析溶液中的物质浓度。
此外,在电解质溶液中,铜电极也可用于测定溶液中的氧化还原物质的含量,具有较高的灵敏度和准确性。
除了在电化学分析中的应用,铜电极还常用于电沉积过程中。
电沉积是一种利用电流将金属离子沉积到电极表面形成金属薄膜的方法,铜电极因其良好的导电性和化学稳定性,常被用于电镀工艺中。
通过控制电流密度和沉积时间,可以在不同基底材料上制备出均匀致密的铜薄膜,从而实现对基底材料的保护和功能化。
最后,针对铜电极的实验方法,需要注意以下几点。
首先,选择合适的电极材料和电极结构,保证电极表面的光洁度和稳定性。
其次,控制实验条件,如溶液浓度、温度、电流密度等,确保实验结果的准确性和可重复性。
最后,对实验数据进行准确分析和处理,得出科学的结论。
综上所述,铜电极作为一种重要的电化学电极,在电化学分析、电沉积等领域发挥着重要作用。
了解铜电极的原理和应用,对于深入理解电化学反应机理、开展相关实验研究具有重要意义。
希望本文能够对读者有所帮助,谢谢阅读。
电镀铜阴阳极反应
电镀铜阴阳极反应是指在电解质溶液中,利用电流的作用将阴极表面电化学沉积一层铜金属,同时在阳极表面发生氧化反应,将阳极上的铜溶解成正离子,以维持电路中的电荷平衡。
电镀铜是一种重要的表面处理技术,可用于改善金属表面
的导电性、耐腐蚀性、光泽度等特性,因此在制造电子器件、电子电路板、机械零部件等领域广泛应用。
电镀铜的过程中,阴极表面先发生还原反应,将溶液中的铜离子还原成固态铜金属,同时释放出电子,形成阴极极化层。
在阳极表面,由于电流的作用,铜金属会溶解成正离子,并与电解质中的阴离子结合形成溶液中的铜离子,同时放出电子,形成阳极极化层。
由于阴极极化层的存在,阴极表面比电解质溶液中的铜离子更容易接受电子,从而促进了铜金属的沉积,使其成为电解质中的主要还原物质。
电镀铜的反应机理还受到许多因素的影响,如电流密度、温度、pH值、离子
浓度、阴极材料等,因此在实际应用中需要进行充分的实验设计和参数优化。
此外,为了提高电镀铜的质量和效率,还需要采用一些辅助措施,如机械搅拌、电解液
循环、添加表面活性剂等,以提高反应速率和沉积均匀性,减小产生杂质和缺陷的可能性。
总之,电镀铜阴阳极反应是一种重要的化学反应过程,具有广泛的应用前景。
在实践中,需要充分理解反应机理和影响因素,并采取相应的优化措施,以提高
反应效率和质量。
放电等离子体烧结技术(SPS)一、S PS合成技术的发展▪最初实现放电产生“等离子体”的人是以发现电磁感应法则而知名的法拉第(M.Farady),他最早发现在低压气体中放电可以分别观测到相当大的发光区域和不发光的暗区。
▪ngmuir又进一步对低压气体放电形成的发光区,即阳光柱深入研究,发现其中电子和正离子的电荷密度差不多相等,是电中性的,电子、离子基团作与其能量状态对应的振动。
他在其发表的论文中,首次称这种阳光柱的状态为“等离子体”。
等离子体特效图▪1930年,美国科学家提出利用等离子体脉冲电流烧结原理,但是直到1965年,脉冲电流烧结技术才在美、日等国得到应用。
日本获得了SPS技术的专利,但当时未能解决该技术存在的生产效率低等问题,因此SPS技术没有得到推广应用。
▪SPS技术的推广应用是从上个世纪80年代末期开始的。
▪1988年日本研制出第一台工业型SPS装置,并在新材料研究领域内推广应用。
▪1990年以后,日本推出了可用于工业生产的SPS第三代产品,具有10~100t 的烧结压力和5000~8000A脉冲电流,其优良的烧结特性,大大促进了新材料的开发。
▪1996年,日本组织了产学官联合的SPS研讨会,并每年召开一次。
▪由于SPS技术具有快速、低温、高效率等优点,近几年国外许多大学和科研机构都相继配备了SPS烧结系统,应用金属、陶瓷、复合材料及功能材料的制备,并利用SPS进行新材料的开发和研究。
▪1998年瑞典购进SPS烧结系统,对碳化物、氧化物、生物陶瓷登材料进行了较多的研究工作。
▪目前全世界共有SPS装置100多台。
如日本东北大学、大阪大学、美国加利福尼亚大学、瑞典斯德哥尔摩大学、新加坡南洋理工大学等大学及科研机构相继购置了SPS系统。
▪我国近几年也开展了利用SPS技术制备新材料的研究工作,引进了数台SPS烧结系统,主要用于纳米材料和陶瓷材料的烧结合成。
▪最早在1979年,我国钢铁研究总院自主研发制造了国内第一台电火花烧结机,用以批量生产金属陶瓷模具,产生了良好的社会经济效益。
PCB电镀铜为什么要使用含磷的铜球首先,含磷的铜球可以提高电镀液的导电性。
电镀液是指在电解过程中使用的溶液,其中含有金属离子和其他添加剂。
铜球的加入可以增加金属离子的溶解度,使电镀液更容易传导电流,提高电镀效果。
此外,含磷的铜球还可以增加电镀液的粘度,提高电镀液的润湿性,使其更容易在基材表面均匀分布。
其次,含磷的铜球能够提高铜沉积层的结晶性和结构均匀性。
电镀铜的质量与结晶性息息相关,好的结晶性能可以提高电导率和机械强度。
而含磷的铜球中的磷元素能够作为结晶的晶核,促使铜沉积层得到更细小的晶粒和更均匀的结构,提高电镀铜的结晶性和均匀性。
此外,含磷的铜球还可以起到抑制氧化反应的作用。
在电镀过程中,由于电解液接触到空气,铜离子很容易氧化,产生氧化铜。
氧化铜会影响电镀的均匀性和质量,甚至导致电镀层脱落。
而含磷的铜球中的磷元素与氧化铜发生反应,生成稳定的磷氧化铜(Cu3PO4),抑制后续的氧化反应,提高电镀铜的质量和稳定性。
最后,含磷的铜球还可以减少电镀液中的杂质。
电镀液中常常含有各种杂质,如铁离子、杂质离子等。
这些杂质会影响电镀液的稳定性和导电性。
含磷的铜球中的磷元素可以与这些杂质离子发生反应,形成不溶性的沉淀物,并且可以通过过滤等处理方法从电镀液中去除,从而提高电镀液的纯净度和稳定性。
综上所述,含磷的铜球在PCB电镀铜过程中起到多种重要作用。
通过提高电镀液的导电性、改善铜沉积层的结晶性和结构均匀性、抑制氧化反应和减少电镀液中的杂质,可以提高电镀铜的质量和稳定性,满足PCB制造的要求。
四川师范大学学报(自然科学版)/990114四川师范大学学报(自然科学版) JOURNAL OF SICHUAN NORMAL UNIVERSITY (NATURAL SCIENCE) 1999年 第22卷 第1期 Volume22 No.1 1999
聚二硫二丙烷磺酸钠对铜电沉积过程 的表面作用机理研究
李 权 摘要 酸性镀铜溶液中表面活性剂聚二硫二丙烷磺酸钠的表面作用机理表现为:吸附态的聚二硫二丙烷磺酸钠与Cu+形成表面络合物阻化铜离子的电沉积.铜的电结晶过程符合二维圆盘状瞬时成核模式. 关键词 聚二硫二丙烷磺酸钠; 电沉积; 镀铜 中图法分类号 O646.541
STUDY ON SURFACE ACTION MECHANISM OF SODIUM POLYDITHIO-DIPROPYL SULFONATE FOR COPPER ELECTRODEPOSITION
Li Quan (Department of Chemistry, Sichuan Normal University, Chengdu 610066, Sichuan)
Abstract The surface action mechanism of sodium polydithio-dipropyl sulfonate in acidic Cu-plating bath indicates that the surface complex produced by adsorbed sodium polydithio-dipropyl sulfonate and Cu+ resists copper ions’ electrodeposition. The electro crystallization process of copper corresponds to two dimensional disc instaneous coregrowing model. Key words Sodium polydithio-dipropyl sulfonate; Deposition; Cu-plating
电镀添加剂大多数是有机物质,结构复杂,在电镀过程中表现出光亮、整平、细化晶粒等宏观作用.显然,这些宏观特征是由添加剂的分子结构及其在电极溶液界面上的电化学微观机理决定的.所以,非常有必要研究讨论添加剂的微观作用机理. 已有的研究表明[1],酸性光亮镀铜添加剂聚二硫二丙烷磺酸钠(Sodium Polydithio-dipropyl
Sulfonate,结构式:具有光亮、整平等宏观作用.作者在本文采用微电极两点法[2,3]研究讨论了聚二硫二丙烷磺酸钠的表面作用机理.
1 实验 1.1 循环伏安(CV)实验 (1) 实验仪器:BAS-100电化学综合测试仪(美国);两电极体系:20 μ铂微电极(研究电极),大纯
铜片电极(辅助电极).
(2) 研究体系:CuSO4.5H2O(200 g/L)+H2SO4(60 g/L)(浓)+聚二硫二丙烷磺酸钠(20 mg/L).
(3) 测试步骤:在室温 24℃下,用BAS-100仪,以70 mV/s的扫描速度对研究体系进行CV扫描. 1.2 电位阶跃实验 (1) 实验仪器和研究体系:同上.
file:///E|/qk/scsfdxxb/scsf99/scsf9901/990114.htm(第 1/4 页)2010-3-23 6:21:47四川师范大学学报(自然科学版)/990114 (2) 测试步骤:在室温24℃下,用BAS-100,从零电位开始进行-216 mV的电位阶跃扫描.
2 结果与讨论 2.1 Cu2+与聚二硫二丙烷磺酸钠的界面反应动力学 循环伏安实验测得的结果(如图1所示).由图1可看
出:在镀铜溶液中加入聚二硫二丙烷磺酸钠后,使Cu2+的电沉积复杂化,并呈现出特殊的规律性.具体
分析如下: 从400 mV向负方向扫描时在-150 mV处有一小电流平阶,放电过程是
图1 CuSO4.5H2O+H2SO4(浓)+聚二硫二丙烷磺酸钠体系的CV曲线 -200~-700 mV间的曲线表明电化学控制步骤拉得较长,沉积的一价铜有一个较恒定的表面电化学阻抗(约5.7×104Ω).这种现象证明了吸附态的聚二硫二丙烷磺酸钠首先与Cu+发生表面络合,而后放电.
其过程可表述为
扫描电位超过-700 mV以后,立刻出现电流跃升,且一次比一次跃升幅度大;相应回扫的成核感抗环增大.这说明吸附态的聚二硫二丙烷磺酸钠发生了脱附或分解,Cu+脱离络合迅速放电生成大量晶核.
其过程可描述为:
回扫电位在100 mV处有一锐峰,200 mV处的溶出峰相对较纯,在300 mV处又有一电流峰,其溶出过程为
file:///E|/qk/scsfdxxb/scsf99/scsf9901/990114.htm(第 2/4 页)2010-3-23 6:21:47四川师范大学学报(自然科学版)/990114 络合态的Cu+再失电子较难,故峰较锐、未络合的吸附的聚二硫二丙烷磺酸钠在300 mV时脱附.其过程为
以上分析可见:聚二硫二丙烷磺酸钠的作用主要是通过在电极表面的吸附并与Cu+形成表面络合物来阻化铜离子放电.整个阴极过程以Cu+的表面络合物得电子步骤成为阴极反应的速率控制步骤.而整个阳
极过程的速率控制步骤则是Cu+的表面络合物失电子反应.再由反应(Ⅲ)可知:阴极电位超过-700 mV,聚
二硫二丙烷磺酸钠会失去其阻化作用,Cu+直接放电,呈现出镀层粗糙、缺乏光亮等宏观结果.
2.2 Cu2+与聚二硫二丙烷磺酸钠电结晶的动力学行为 实验1.2的结果如图2所示.整个曲线分为
OA、AB、BC三段,各段的力学机理不一样.
图2 CuSO4.5H2O+H2SO4(浓)+聚二硫二丙 烷基磺酸钠体系的电位阶跃曲线
OA段电流与时间成直线关系,符合二维圆盘状瞬时成核公式[4].该成核机理表明:在电位阶跃
初期,聚二硫二丙烷磺酸钠还未扩散至电极表面阻化Cu2+放电.因此Cu2+是按以下机理快速放电:
AB段电流上升趋势减缓,表明聚二硫二丙烷磺酸钠已扩散至电极表面并吸附起到了阻化作用.此时电流与时间的二次方成正比,符合二维圆盘状连续成核公式[4].
BC段聚二硫二丙烷磺酸钠已达饱和吸附,并在电极表面构成恒定的络合力均阻化Cu2+放电.BC段电
流增大很小,与时间仍成线性关系,满足二维圆盘瞬时成核公式.但机理与OA段完全不同.原因是吸附态的聚二硫二硫二丙烷磺酸钠的络合阻化作用,中心离子Cu+得电子后无法在平面移动进入晶格,故形成
晶核后的生长过程受到阻碍,表现为低电流增长的瞬时成核模式,这也是电化学控制步骤的表现.
file:///E|/qk/scsfdxxb/scsf99/scsf9901/990114.htm(第 3/4 页)2010-3-23 6:21:47四川师范大学学报(自然科学版)/9901144 结论 在聚二硫二丙烷磺酸钠的作用下,Cu2+沉积表现为瞬时成核模式,决定了其细化晶粒的作用.二维
圆盘状成核模式使得电结晶只能沿侧面生长或生成新晶核.这样在电极表面的突起或凹处,晶层沿表面平伸,使其表现出几何结晶与晶体结构的高度有序性使其具有光亮作用. 聚二硫二丙烷磺酸钠通过吸附并与Cu+形成表面络合物来阻化铜离子的放电.
作者简介:李权 男 31岁 博士生作者单位:四川师范大学化学系, 成都 610066参考文献 1 周绍民. 厦门大学学报,1980,1:14 2 叶云川. 电镀与精饰,1990,4:10 3 叶云川,袁华. 现代电镀,1988,4:7 4 周绍民编著. 金属电沉积原理与方法. 上海:上海科技出版社,1987.213~220
(编辑 李德华)收稿日期 1998-05-05
file:///E|/qk/scsfdxxb/scsf99/scsf9901/990114.htm(第 4/4 页)2010-3-23 6:21:47聚二硫二丙烷磺酸钠对铜电沉积过程的表面作用机理研究作者:李权, Li Quan作者单位:四川师范大学化学系,成都,610066刊名:四川师范大学学报(自然科学版)
英文刊名:JOURNAL OF SICHUAN NORMAL UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE)年,卷(期):1999,22(1)被引用次数:3次
1.周绍民 查看详情 19802.叶云川 查看详情 19903.叶云川.袁华 查看详情 19884.周绍民 金属电沉积原理与方法 1987
1.会议论文 黄令.辜敏.杨防阻.许书楷.周绍民 聚二硫二丙烷磺酸钠对铜电沉积初期行为的影响研究 2002 运用循环伏安和计时安培法研究聚二硫二丙烷磺酸钠对铜电沉积初期行为的影响,结果表明,铜的电沉积经历了晶核形成过程,其电结晶按瞬时成核和三维生长方式进行,聚二硫二丙烷磺酸钠对铜的电沉积具有阻化作用,但不改变铜的电结晶机理.
2.会议论文 李强.辜敏.鲜晓红 添加剂PEG/CL/SPS对铜在玻碳电极上电结晶的影响 2007 用电沉积的方法实现铜在芯片上高深宽比的刻槽中的超等角填充具有独特的优势.要保证微纳米尺寸的电沉积铜线性质的连续性,选择合适的能提高镀液深镀能力的添加剂是关键。作为电沉积法实现铜超等角填充的关键添加剂,聚乙二醇(PEG),Cl<'->,和聚二硫二丙烷磺酸钠(SPS)已经受到人们广泛关注,但是这些研究主要在于探讨PEG,Cl<'->,和SPS对铜电沉积实现超等角填充的作用,而对其电结晶过程行为没有予以足够的重视。本文应用循环伏安(CV)和计时安培法(CA)研究了上述添加剂作用下的铜电结晶行为。
3.会议论文 钟琴.辜敏 添加剂MPS作用下铜电沉积的研究 2009 @@超大规模集成电路(VLSI)互连工艺中铜的电沉积在国内外都已经有大量的研究,研究表明为了实现铜在芯片亚微米级刻槽中的超等角填充,添加剂是很关键的.目前采用的有机添加剂主要包括促进剂,如聚二硫二丙烷磺酸钠(SPS)或者3-巯基-1-丙烷磺酸钠(MPS),和抑制剂,如聚乙二醇(PEG);有的还包含少量的整平剂[1].促进剂在铜的电沉积中有着很重要的作用,国外对于促进剂MPS 对铜电沉积的影响作用已经有一定的研究.在酸性镀铜液中,MPS 单独作用时对电沉积起抑制作用[2],但是对于MPS 对于铜的电结晶的成核机理的研究很少.本文主要采用循环伏安 (CV)、线性电位扫描(LSV)和计时安培 (CA)电化学方法和电镜扫描(SEM)法对促进剂MPS 作用下铜的电化学行为进行了研究.
1.李强.辜敏.鲜晓红 铜电结晶的研究进展[期刊论文]-化学进展 2008(4)2.刘烈炜.吴曲勇.卢波兰.杨志强 氯离子对酸性镀铜电沉积的影响[期刊论文]-电镀与环保 2004(5)3.刘烈炜.吴曲勇.卢波兰.杨志强 有机染料对酸性镀铜电沉积的影响[期刊论文]-材料保护 2004(7)