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数字电子技术基础试题（一）一、填空题: （每空1分，共10分）1．（30.25）10 = （11110.01 ）2 = （1E.4）16 .2 。
逻辑函数L = + A+ B+ C +D = 1 。
3 . 三态门输出的三种状态分别为：、和。
4 。
主从型JK触发器的特性方程= 。
5 . 用4个触发器可以存储位二进制数。
6 。
存储容量为4K×8位的RAM存储器，其地址线为12 条、数据线为8 条。
1．(30。
25）10 = ( 11110.01 ）2 = （1E。
4 ）16 .2 . 1.3 。
高电平、低电平和高阻态。
4 . .5 . 四。
6 。
12、8二、选择题：（选择一个正确的答案填入括号内，每题3分，共30分)1。
设下图中所有触发器的初始状态皆为0，找出图中触发器在时钟信号作用下，输出电压波形恒为0的是:（C ）图。
2。
下列几种TTL电路中，输出端可实现线与功能的电路是( D）。
A、或非门B、与非门C、异或门D、OC门3。
对CMOS与非门电路，其多余输入端正确的处理方法是（D ).A、通过大电阻接地（〉1.5KΩ）B、悬空C、通过小电阻接地（<1KΩ）B、D、通过电阻接V CC4。
图2所示电路为由555定时器构成的（A ）.A、施密特触发器B、多谐振荡器C、单稳态触发器D、T触发器5。
请判断以下哪个电路不是时序逻辑电路（C )。
A、计数器B、寄存器C、译码器D、触发器6．下列几种A/D转换器中,转换速度最快的是(A ）.A、并行A/D转换器B、计数型A/D转换器C、逐次渐进型A/D转换器B、D、双积分A/D转换器7．某电路的输入波形u I 和输出波形u O 如下图所示，则该电路为（C）.A、施密特触发器B、反相器C、单稳态触发器D、JK触发器8．要将方波脉冲的周期扩展10倍,可采用（C ）。
A、10级施密特触发器B、10位二进制计数器C、十进制计数器B、D、10位D/A转换器9、已知逻辑函数与其相等的函数为( D).A、B、C、D、10、一个数据选择器的地址输入端有3个时，最多可以有( C）个数据信号输出.A、4B、6C、8D、16三、逻辑函数化简（每题5分，共10分）1、用代数法化简为最简与或式Y= A +2、用卡诺图法化简为最简或与式Y= + C +A D，约束条件：A C + A CD+AB=0四、分析下列电路。
电工电子技术基础教材（第一版）主编：马润渊张奋目录第一章安全用电 0第二章直流电路基础 (1)第三章正弦交流电路 (18)第四章三相电路 (24)第五章变压器 (35)第六章电动机 (48)第七章常用半导体 (53)第八章基本放大电路 (58)第九章集成运算放大器 (64)第十章直流稳压电源 (67)第十一章数制与编码 (70)第十二章逻辑代数基础 (73)第十三章门电路和组合逻辑电路 (76)第一章安全用电学习要点：掌握触点急救的方法1。
1 触电方式安全电压:36V和12V两种.一般情况下可采用36V的安全电压,在非常潮湿的场所或容易大面积触电的场所，如坑道内、锅炉内作业,应采用12V的安全电压。
1.1.1直接触电及其防护直接触电又可分为单相触电和两相触电。
两相触电非常危险，单相触电在电源中性点接地的情况下也是很危险的.其防护方法主要是对带电导体加绝缘、变电所的带电设备加隔离栅栏或防护罩等设施。
1.1.2间接触电及其防护间接触电主要有跨步电压触电和接触电压触电。
虽然危险程度不如直接触电的情况，但也应尽量避免.防护的方法是将设备正常时不带电的外露可导电部分接地，并装设接地保护等.1。
2 接地与接零电气设备的保护接地和保护接零是为了防止人体接触绝缘损坏的电气设备所引起的触电事故而采取的有效措施.1.2。
1保护接地电气设备的金属外壳或构架与土壤之间作良好的电气连接称为接地。
可分为工作接地和保护接地两种。
工作接地是为了保证电器设备在正常及事故情况下可靠工作而进行的接地，如三相四线制电源中性点的接地。
保护接地是为了防止电器设备正常运行时，不带电的金属外壳或框架因漏电使人体接触时发生触电事故而进行的接地。
适用于中性点不接地的低压电网。
1.2。
2保护接零在中性点接地的电网中，由于单相对地电流较大，保护接地就不能完全避免人体触电的危险，而要采用保护接零.将电气设备的金属外壳或构架与电网的零线相连接的保护方式叫保护接零。
模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1. 半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质（如硅Si、锗Ge）。
2. 特性--- 光敏、热敏和掺杂特性。
3. 本征半导体纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5. 杂质半导体在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性*P 型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）*N 型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）6. 杂质半导体的特性* 载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
* 体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN 结* PN 结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V ，锗材料约为0.2~0.3V 。
* PN 结的单向导电性--- 正偏导通，反偏截止。
8. PN 结的伏安特性二. 半导体二极管* 单向导电性正向导通，反向截止。
* 二极管伏安特性同ＰＮ结。
* 正向导通压降硅管0.6~0.7V ，锗管0.2~0.3V 。
* 死区电压硅管0.5V ，锗管0.1V 。
3. 分析方法将二极管断开，分析二极管两端电位的高低若V 阳>V 阴（正偏），二极管导通（短路）;若V 阳<V 阴（反偏），二极管截止（开路）。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2）等效电路法直流等效电路法* 总的解题手段将二极管断开，分析二极管两端电位的高低若V 阳>V 阴（正偏），二极管导通（短路）;若V 阳<V 阴（反偏），二极管截止（开路）。
*三种模型微变等效电路法三. 稳压二极管及其稳压电路第二章§ 2-1 三极管及其基本放大电路一. 三极管的结构、类型及特点1.类型--- 分为NPN 和PNP 两种。
第一章数字电路基础第一部分基础知识一、选择题1．以下代码中为无权码的为。
A. 8421BCD码B. 5421BCD码C. 余三码D. 格雷码2．以下代码中为恒权码的为。
A.8421BCD码B. 5421BCD码C. 余三码D. 格雷码3．一位十六进制数可以用位二进制数来表示。
A. １B. ２C. ４D. 164．十进制数25用8421BCD码表示为。
A.10 101B.0010 0101C.100101D.101015．在一个8位的存储单元中，能够存储的最大无符号整数是。
A.（256）B.（127）C.（FF）D.（255）1016 10 106．与十进制数（53.5）等值的数或代码为。
10 A.(0101 0011.0101) B.(35.8) C.(110101.1) D.(65.4)8 8421BCD1627．矩形脉冲信号的参数有。
A.周期B.占空比C.脉宽D.扫描期：数为)等值的7.与八进制数(438．8 B.(27.6) C.(27.011)3 ) D. (100111.11).A. (1001112162169. 常用的BCD码有。
码三 D.余421码格 B.雷码 C.8偶A.奇校验码10．与模拟电路相比，数字电路主要的优点有。
A.容易设计B.通用性强C.保密性好D.抗干扰能力强二、判断题（正确打√，错误的打×）1. 方波的占空比为0.5。
（）2. 8421码1001比0001大。
（）3. 数字电路中用“1”和“0”分别表示两种状态,二者无大小之分。
（）4．格雷码具有任何相邻码只有一位码元不同的特性。
（）5．八进制数（18）比十进制数（18）小。
（）108）（。
1为应值上位验校的码验校奇1248在，时5数制进十送传当．6．7．在时间和幅度上都断续变化的信号是数字信号，语音信号不是数字信号。
（）8．占空比的公式为：q = t / T，则周期T越大占空比q越小。
（）w9．十进制数（9）比十六进制数（9）小。
第1、2 课时（4）按封装形式分：有塑封及金属封等二极管。
(5）按功率分：有大功率、中功率及小功率等二极管。
2、主要参数3、判别办法:用万用表欧姆档判别正、负极及好坏。
4、二极管的伏安特性。
5、特殊功能二极管：稳压管、发光二极管第3、4 课时教学过程一、三极管的基本结构和类型二、三极管在电路中的联接方式三、三极管的电流放大作用及原理三极管实现放大作用的外部条件是发射结正向偏置, 集电结反向偏置。
1)发射区向基区发射电子的过程2）电子在基区的扩散和复合过程3）电子被集电区收集的过程二、特性曲线和主要参数1、输入特性：i B=f（u BE)=CEu常数2、输出特性: i C=f（u CE）=Bi 常数课后小结了解三极管的结构与特性;掌握三极管的类型和电流放大原理；理解三极管的特性曲线和主要参数。
第5、6 课时课题共发射极放大电路课型教学1、了解电路的结构组成II BCβ≈第7、8 课时课题共发射极放大电路的动态分析课型教学目的了解微变等效法定量计算共发射极放大电路的动态参数.重点难点微变等效法定量计算共发射极放大电路的动态参数微变等效电路的画法教学过程一、三极管的微变等效电路:二、放大器的微变等效电路：三、交流动态参数的计算:1、电压放大倍数.uA=..iUU 2.输入输出电课后小结掌握共发射极放大电路的动态分析和交流动态参数的计算。
CiceceubiberbibeubbeubieCiceuc第9、10 课时第11、12 课时第13、14 课时第 15、16课时第17、18 课时第19、20 课时第21、22 课时第23、24 课时第25、26 课时第27、28 课时第29、30 课时第31、32 课时第33、34 课时第35、36 课时第37、38 课时第39、40 课时第41、42 课时第43、44 课时第45、46 课时第47、48 课时第49、50 课时第51、52 课时第53、54 课时第55、56课时第57、58课时第59、60课时第61、62课时第63、64课时第65、66课时第67、68课时第69、70课时第71、72课时第73、74课时第75、76课时第77、78课时。
第1章检测题（共100分，120分钟）一、填空题：（每空0.5分，共25分）1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。
P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。
2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。
三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。
3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。
4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。
扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N区指向P区。
空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用，对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN结形成。
5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的R×1K档位，当检测时表针偏转度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。
检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老化。
6、单极型晶体管又称为场效应（MOS）管。
其导电沟道分有N沟道和P沟道。
7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。
8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空，务必将各电极短接。
二、判断正误：（每小题1分，共10分）1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。
（错）2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。
第二章运算放大器2.1 集成电路运算放大器2。
1。
1答；通常由输入级,中间级，输出级单元组成，输入级由差分式放大电路组成，可以提高整个电路的性能.中间级由一级或多级放大电路组成，主要是可以提高电压增益。
输出级电压增益为1，可以为负载提供一定的功率。
2.1.2答：集成运放的电压传输曲线由线性区和非线性区组成，线性区的直线的斜率即Vvo很大,直线几乎成垂直直线.非线性区由两条水平线组成，此时的Vo达到极值，等于V+或者V-。
理想情况下输出电压+Vom=V+，-Vom=V-。
2.1.3答:集成运算放大器的输入电阻r约为10^6欧姆，输出电阻r约为100欧姆，开环电压增益Avo约为10^6欧姆。
2.2 理想运算放大器2.2。
1答：将集成运放的参数理想化的条件是:1.输入电阻很高,接近无穷大。
2。
输出电阻很小，接近零.3.运放的开环电压增益很大。
2.2。
2答：近似电路的运放和理想运放的电路模型参考书P27。
2。
3 基本线性运放电路2.3。
1答：1.同相放大电路中，输出通过负反馈的作用，是使Vn自动的跟从Vp,使Vp≈Vn，或Vid=Vp-Vn≈0的现象称为虚短。
2。
由于同相和反相两输入端之间出现虚短现象，而运放的输入电阻的阻值又很高，因而流经两输入端之间Ip=In≈0,这种现象称为虚断。
3.输入电压Vi通过R1作用于运放的反相端，R2跨接在运放的输出端和反相端之间,同相端接地。
由虚短的概念可知,Vn≈Vp=0,因而反相输入端的电位接近于地电位，称为虚地。
虚短和虚地概念的不同:虚短是由于负反馈的作用而使Vp≈Vn,但是这两个值不一定趋向于零，而虚地Vp,Vn接近是零.2.3.2答：由于净输入电压Vid=Vi—Vf=Vp—Vm,由于是正相端输入，所以Vo为正值,Vo等于R1和R2的电压之和，所以有了负反馈电阻后，Vn增大了，Vp不变，所以Vid变小了，Vo变小了,电压增益Av=Vo/Vi变小了。
由上述电路的负反馈作用，可知Vp≈Vn,也即虚短。
《电子技术基础》复习要点课程名称：《电子技术基础》适用专业：2018级电气工程及其自动化（业余）辅导教材：《电子技术基础》张志恒主编中国电力出版社复习要点第一章半导体二极管1.本征半导体❑单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅Si和锗Ge。
❑导电能力介于导体和绝缘体之间。
❑特性：光敏、热敏和掺杂特性。
❑本征半导体：纯净的、具有完整晶体结构的半导体。
在一定的温度下，本征半导体内的最重要的物理现象是本征激发（又称热激发），产生两种带电性质相反的载流子（空穴和自由电子对），温度越高，本征激发越强。
◆空穴是半导体中的一种等效+q的载流子。
空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶体中空位，使局部显示+q电荷的空位宏观定向运动。
◆在一定的温度下，自由电子和空穴在热运动中相遇，使一对自由电子和空穴消失的现象称为复合。
当热激发和复合相等时，称为载流子处于动态平衡状态。
2．杂质半导体❑在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
◆P型半导体：在本征半导体中掺入微量的3价元素（多子是空穴，少子是电子）。
◆N型半导体：在本征半导体中掺入微量的5价元素（多子是电子，少子是空穴）。
❑杂质半导体的特性◆载流子的浓度：多子浓度决定于杂质浓度，几乎与温度无关；少子浓度是温度的敏感函数。
◆体电阻：通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
◆在半导体中，存在因电场作用产生的载流子漂移电流（与金属导电一致），还才能在因载流子浓度差而产生的扩散电流。
3.PN结❑在具有完整晶格的P型和N型半导体的物理界面附近，形成一个特殊的薄层（PN结）。
❑PN结中存在由N区指向P区的内建电场，阻止结外两区的多子的扩散，有利于少子的漂移。
❑PN结具有单向导电性：正偏导通，反偏截止，是构成半导体器件的核心元件。
◆正偏PN结（P+，N-）：具有随电压指数增大的电流，硅材料约为0.6-0.8V，锗材料约为0.2-0.3V。
◆反偏PN结（P-，N+）：在击穿前，只有很小的反向饱和电流Is。
通信电子电路基础第一章半导体器件§1-1 半导体基础知识一、什么是半导体半导体就是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。
（导电能力即电导率）（如：硅Si 锗Ge等＋4价元素以及化合物）二、半导体的导电特性本征半导体――纯净、晶体结构完整的半导体称为本征半导体。
硅和锗的共价键结构。
（略）1、半导体的导电率会在外界因素作用下发生变化•掺杂──管子•温度──热敏元件•光照──光敏元件等2、半导体中的两种载流子──自由电子和空穴•自由电子──受束缚的电子（－）•空穴──电子跳走以后留下的坑（＋）三、杂质半导体──N型、P型（前讲）掺杂可以显著地改变半导体的导电特性，从而制造出杂质半导体。
•N型半导体（自由电子多）掺杂为＋5价元素。
如：磷；砷P──＋5价使自由电子大大增加原理：Si──＋4价P与Si形成共价键后多余了一个电子。
载流子组成：o本征激发的空穴和自由电子──数量少。
o掺杂后由P提供的自由电子──数量多。
o空穴──少子o自由电子──多子•P型半导体（空穴多）掺杂为＋3价元素。
如：硼；铝使空穴大大增加原理：Si──＋4价B与Si形成共价键后多余了一个空穴。
B──＋3价载流子组成：o本征激发的空穴和自由电子──数量少。
o掺杂后由B提供的空穴──数量多。
o空穴──多子o自由电子──少子结论：N型半导体中的多数载流子为自由电子；P型半导体中的多数载流子为空穴。
§1-2 PN结一、PN结的基本原理1、什么是PN结将一块P型半导体和一块N型半导体紧密第结合在一起时，交界面两侧的那部分区域。
2、PN结的结构分界面上的情况：P区：空穴多N区：自由电子多扩散运动：多的往少的那去，并被复合掉。
留下了正、负离子。
（正、负离子不能移动）留下了一个正、负离子区──耗尽区。
由正、负离子区形成了一个内建电场（即势垒高度）。
方向：N--> P大小：与材料和温度有关。
（很小，约零点几伏）漂移运动：由于内建电场的吸引，个别少数载流子受电场力的作用与多子运动方向相反作运动。
《电子技术基础》课程学习指导书第14章 半导体二极管和三极管一、选择题：14.1 半导体的导电能力（ c )。
(a) 与导体相同 （b) 与绝缘体相同 (c) 介乎导体和绝缘体之间14。
2 P 型半导体中空穴数量远比电子多得多，因此该半导体应（ c )。
(a ） 带正电 (b ） 带负电 （c) 不带电 14。
3 N 型半导体的多数载流子是电子，因此它应（ c ）. （a) 带负电 （b ） 带正电 (c) 不带电14.4 将PN 结加适当的反向电压，则空间电荷区将（ b ）。
(a ） 变窄 （b ） 变宽 (c) 不变 14。
5 普通半导体二极管是由( a )。
(a ）一个PN 结组成 （b ）两个PN 结组成 （c ）三个PN 结组成14。
6 电路如图所示，直流电压U I =10 V,稳压管的稳定电压U Z =6 V ，则限流电阻R 上的压降U R 为（ c ）。
(a)10V （b ）6V （c)4V (d ）—4VRO14。
7 电路如图所示，已知u I=3V，则晶体管T此时工作在（ b )。
（a)放大状态 (b）截止状态 (c）饱和状态10V1kΩβ=50二、填空题：14。
8 半导体二极管的主要特点是具有单向导电性 .14。
9 理想二极管的正向电阻为 0 .14.10 理想二极管的反向电阻为无穷大 .14。
11 二极管导通的条件是加在二极管两端的电压是正向电压大于PN结的死区电。
14。
12 N型半导体中的多数载流子是自由电子。
14。
13 P型半导体中的多数载流子是空穴。
三、计算题14.14 电路如图所示，二极管D为理想元件，U S=5 V，求电压u O。
u OUo=Us=5V14.15 电路如图所示，二极管为理想元件，u i=3sin ωt V ，U =3V ，当ωt =0瞬间,求输出电压u O 。
u OUo=0v14。
16 电路如图所示，输入信号u i=6sin ωt V 时，求二极管D 承受的最高反向电压。
5k Ωu OU 最高反向电压=3v14.17 电路如图所示，二极管为同一型号的理想元件，电阻R =4 k Ω,电位u A =1V ，u B =3V,计算电位u F 的值。
u A u Bu FUF=UA=1v14。
18 用直流电压表测得工作在放大区的某晶体管三个极1，2，3的电位分别为：V1=2V，V2=6V，V3=2。
7V，试判别管子的三个管脚,并说明是硅管还是锗管？是PNP型还是NPN型？答:1为发射极E 2为集电极C 3为基极B 硅管NPN 型第15章基本放大电路本章练习题：一、选择题：15。
1 共射放大电路的输入输出公共端是( ）。
（a) 集电极(b) 发射极（c）基极15.2 固定偏置放大电路中，晶体管的β＝50，若将该管调换为β=80 的另外一个晶体管，则该电路中晶体管集电极电流I C将（）.（a）增加（b）减少 (c）基本不变15。
3 分压式偏置单管放大电路的发射极旁路电容C E因损坏而断开，则该电路的电压放大倍数将（ ).（a) 增大 (b) 减小（c) 不变15。
4 就放大作用而言，射极输出器是一种 ( )。
(a）有电流放大作用而无电压放大作用的电路(b）有电压放大作用而无电流放大作用的电路(c) 电压和电流放大作用均没有的电路15.5 射极输出器的输入输出公共端是 ( )。
（a) 集电极(b）发射极(c) 基极15.6 两级共射阻容耦合放大电路，若将第二级换成射极输出器,则第一级的电压放大倍数将( ）。
（a）提高(b) 降低（c）不变15。
7 微变等效电路法适用于( )。
(a) 放大电路的动态分析(b）放大电路的静态分析(c）放大电路的静态和动态分析15。
8 直接耦合放大电路产生零点漂移的最主要原因是（ )。
（a) 温度的变化（b）电源电压的波动(c）电路元件参数的变化15.9 在直接耦合放大电路中，采用差动式电路结构的主要目的是（）.(a) 提高电压放大倍数（b) 抑制零点漂移(c）提高带负载能力15。
10 差动放大电路中所谓共模信号是指两个输入信号电压( ）。
（a）大小相等，极性相反(b) 大小相等，极性相同(c) 大小不等，极性相同二、填空题：15.11 对放大电路进行静态分析的主要任务是 .15.12 固定偏置放大电路中,晶体管的β＝50,若将该管调换为β=80的另外一个晶体管，则该电路中晶体管集电极电流I C 将 。
（增加？减少？不变？） 15.13 电路如下图所示，晶体管工作在 状态。
+6 V++β=402k Ω51k Ω15。
14 某两级阻容耦合共射放大电路,不接第二级时第一级的电压放大倍数为100倍,接上第二级后第一级电压放大倍数降为50倍， 第二级的电压放大倍数为50倍, 则该电路总电压放大倍数为 倍.15.15 为了放大变化缓慢的信号或直流信号,多极放大器级与级之间必须采用 耦合.三、计算题15.16 放大电路如图所示，设晶体管β=50，R C ＝1。
5k ,U BE ＝0.6V ，为使电路在可变电阻R W ＝0 时,晶体管刚好进入饱和状态,计算电阻R 的取值。
15。
17 固定偏置放大电路如图所示，已知U CCV =20，U BE.V =07，晶体管的电流放 大系数β=100，欲满足I CmA =2，U CEV =4的要求，试求电阻R B，R C的阻值。
oU CC15.18 放大电路如图所示，已知晶体管β=50,be1 k r=Ω，试求:(1）放大电路的静态工作点(设BE0.7 V U =)；(2)放大电路的电压放大倍数。
++V2ioBE12V图1 图2+－+－k Ωk Ω15。
19 放大电路如图所示,已知晶体管β=50，rbek =1 Ω，试求：（1）放大电路的静态工作点（ 设U BEV =-03.）；(2) 放大电路的电压放大倍数.12V15。
20 电路如图1,已知T 1的β=50,rbek =1 Ω，要求：(1)画出电路的微变等效电路;(2）计算电路的电压放大倍数和输入电阻，输出电阻；(3）根据以上计算结果，试简要说明放大电路的特点和应用场合。
++V2ioBE12V图1 图2+－+－k Ωk Ω15.21 电路如图所示，已知T 2的β=50,rbek =1 Ω，要求：（1)画出电路的微变等效电路;（2）计算电路的电压放大倍数和输入电阻，输出电阻；(3)根据以上计算结果,试简要说明放大电路的特点和应用场合.2Vo－图215.22 电路如图所示,已知晶体管的电流放大系数β=40,管子的输入电阻r bek =1Ω，要求:（1）画出放大电路的微变等效电路；（2)计算放大电路的输入电阻r i；(3）写出电压放大倍数A u的表达式。
oU CCV第16章 集成运算放大器本章练习题： 一、选择题：16。
1 集成运算放大器是( ).(a ）直接耦合多级放大器 (b)阻容耦合多级放大器 (c ）变压器耦合多级放大器16.2 集成运算放大器对输入级的主要要求是（ ）. (a ）尽可能高的电压放大倍数 (b ）尽可能大的带负载能力（c ）尽可能高的输入电阻，尽可能小的零点漂移 16.3 集成运算放大器输出级的主要特点是( )。
(a ）输出电阻低，带负载能力强 (b ）能完成抑制零点漂移(c)电压放大倍数非常高16.4 运算放大器接成图示电路后，其输入输出方式为（ )。
(a ）双端输入双端输出 （b)双端输入单端输出 （c)单端输入单端输出 (d ）单端输入双端输出O-∞＋R F16.5 集成运算放大器的共模抑制比越大,表示该组件( ）。
（a ）差模信号放大倍数越大 (b)带负载能力越强（c)抑制零点漂移的能力越强16。
6 理想运算放大器的开环输出电阻r o 是（ ）. (a)无穷大 (b ）零 (c ）约几百欧姆16.7 理想运算放大器的开环差模输入电阻r id 是（ )。
（a)无穷大 （b ）零 (c)约几百千欧二、填空题：16。
8 集成运放级间耦合方式是 。
16。
9 理想运算放大器的开环输出电阻r o 是 . 16。
10 理想运算放大器的开环差模输入电阻r id 是 。
16.11 理想运算放大器的两个输入端的输入电流等于零，其原因是 。
16。
12 理想运算放大器的开环电压放大倍数A u O是 .16。
13 电路如图所示，则该电路为 运算电路。
-∞＋＋三、计算题:16。
14 电路如图所示，输入信号 1.414sin iu t ω= V ，求输出电压ou 。
∞O16。
15 比例运算电路如图所示,求电路的电压放大倍数.∞16.16 电路如图所示，求平衡电阻R 。
-∞＋u u O16。
17 电路如图所示,当R 1 =R 2=R 3时，写出输出电压ou 的表达式 . -∞＋＋u ou i1u i216。
18 电路如图所示，R 1 = R 2 = R 3 = R 4 ， 当i1u =2 V ，u i2= 2 V ，求输出电压 u O 。
-∞＋R 2Ou i2u i1第17章 电子电路中的反馈本章练习题： 选择题：17.1 射极输出器是( ). (a ） 串联电压负反馈电路 (b) 串联电流负反馈电路（c）并联电压负反馈电路17.2 电路如图所示，电阻R E1引入的反馈为（ )。
（a) 串联电压负反馈(b）串联电流负反馈(c) 并联电压负反馈（d）并联电流负反馈UCC17.3 在负反馈放大电路中，随着反馈深度的增加，则闭环电压放大倍数的稳定性将( )。
(a）降低（b) 提高(c）不变17.4 若要求负载变化时放大电路的输出电压比较稳定，并且取用信号源的电流尽可能小，应选用（）。
（a）串联电压负反馈(b）串联电流负反馈（c）并联电压负反馈（d) 并联电流正反馈17.5 同相输入比例运算放大器电路中的反馈极性和类型属于（）。
（a）正反馈 (b）串联电流负反馈(c）并联电压负反馈（d)串联电压负反馈17.6 在运算放大器电路中，引入深度负反馈的目的之一是使运放（ ).(a）工作在线性区，降低稳定性（b）工作在非线性区，提高稳定性(c）工作在线性区，提高稳定性二、填空题：17.7 电路如图所示,电阻R E引入的反馈为。
CC17.8 放大电路如图所示，R F支路引入的反馈为。
CC17.9 欲使放大电路的输入电阻增加，输出电阻减小，应引入。
17.10 电路如图所示，R F引入的反馈为。
R∞∞三、综合判断题：17.11 电路如图所示，R L为负载电阻，判断R F引入的反馈类型。
+R17。
12 电路如图所示，判断R F引入的反馈类型。
∞17.13 运算放大器电路如图所示，判断该电路中的反馈极性和类型为。
∞17.14 电路如图所示，判断R F引入的反馈类型。
∞第18章 直流稳压电源本章练习题： 一、选择题:18。
1 在单相半波整流电路中，所用整流二极管的数量是（ ）。
