GaAs(100)表面钝化和Mg／S／GaAs界面的SRPES研究

GaAs(100)面硫钝化的HREELS与XPS研究
朱建红;候晓远;丁训民;金晓峰;陈平
【期刊名称】《半导体学报：英文版》
【年(卷),期】1991(12)12
【摘要】用高分辨电子能量损失谱(HREELS)结合XPS研究了硫钝化的GaAs(100)面.HREELS的结果与XPS一致,证明钝化后GaAs(100)面的自然氧化物被完全除去,样品表面形成了一层主要由As-S键构成的钝化层.钝化样品表面的沾污主要是
H_2O与碳氢化合物.在钝化前增加样品在浓HC1中浸泡的处理,能使沾污物在真空退火后被彻底除去.
【总页数】6页(P737-742)
【关键词】GaAs;硫纯化;HREELS;XPS;氧化物
【作者】朱建红;候晓远;丁训民;金晓峰;陈平
【作者单位】复旦大学应用表面物理国家重点实验室
【正文语种】中文
【中图分类】TN304.23
【相关文献】
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5.用XPS研究Na_2S钝化的GaAs(100)表面 [J], 任殿胜;李雨辰;严如岳;王为因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。

利用CBE技术在Si衬底上生长GaAs薄膜邢益荣【期刊名称】《半导体学报：英文版》【年(卷),期】1994(15)4【摘要】采用化学束外延（ＣＢＥ）技术，以三乙基镓（ＴＥＧ）和砷烷（ＡｓＨ３）为源，在Ｓｉ（００１）衬底上生长ＧａＡｓ薄膜．利用Ｈａｌｌ效应、卢瑟福背散射（ＲＢＳ）和高分辨率透射电子显微镜（ＨＲＴＥＭ）检测了外延层的质量．结果表明，ＧａＡｓ薄膜具有ｎ型导电性，载流子浓度为１．３×１０１５ｃｍ－３，其杂质估计是Ｓｉ，它来自衬底的自扩散．外延层的质量随着膜厚的增加而得到明显的改善．在ＧａＡｓ／Ｓｉ界面及其附近，存在高密度的结构缺陷，包括失配位错、堆垛层错和孪晶．这些缺陷完全缓解了ＧａＡｓ外延层和Ｓｉ衬底之间因晶格失配引起的应力，使ＧａＡｓ薄膜的上部分具有好的质量．【总页数】8页(P229-234)【关键词】砷化镓薄膜;硅衬底;外延生长【作者】邢益荣【作者单位】中国科学院半导体研究所,中国科学院表面物理国家重点实验室【正文语种】中文【中图分类】TN304.055【相关文献】1.利用P-MBE方法在(400)Si衬底上生长ZnO薄膜 [J], 梁红伟;吕有明;申德振;刘益春;李炳辉;张吉英;范希武2.利用P-MBE在Si(111)衬底上生长氧化锌薄膜及其光学性质的研究 [J], 颜建锋;梁红伟;吕有明;刘益春;李炳辉;申德振;张吉英;范希武3.生长在Si(001)衬底上的超晶格(Si2)4/(GaAs)4的电子能带结构及光学性质 [J], 徐至中4.用低压MOCVD技术在Si衬底上一步生长GaAs层 [J], 师庆华5.Si衬底上生长的GaAs薄膜中0．96eV发光带的特性研究 [J], 赵家龙;靳春明;高瑛;刘学彦;窦恺;黄世华;虞家琪;梁家昌;高鸿楷因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。

成平行二聚体模型， 并且 Ｉ 的吸附不会对 Ｓ Ｏ １ 衬底造成影响 。 对于 Ｉ 原子在氢钝化 Ｓ（０ ） ｎ ｉ ０） （ 。 ． ｎ ｉ１０ 表面的 吸附， 由于氢原子的表面钝化作用使得 Ｉ 原子在 ｓ 表面的生长模式发生 了很大改变． ｎ ｉ 通过总能计算（ 见表 １ 可 以看 出 ： ） 在双氢 Ｓ（０ ） 面单个 Ｉ ｉ１０ 表 ｎ原子 易于 吸附在 位 置 ； 单氢 ｓ（０ ） 面 ， 对 ｉ１０ 表 单个 Ｉ 子 易于 吸 ｎ原 附在 ｎ位 置 ， 吸附位 置如 图 ２所示 ． 其
图 １ Ｉ 附 在 Ｈ Ｓ（０ 表 面 ｎ吸 ／ ｉ１０） 收 稿 日期 ：０ ０ １１ ２ １ － ．６ ０
基金项 目： 山东省 自然科学 基金（ ２０ Ａ ６ 和菏泽学院 自然科学基金 （ Ｙ ８ ０ ， Ｙ ９ ０ ） Ｙ ０８ １） Ｘ ０ ＷＬ ２ Ｘ Ｏ ＷＬ ２ 资助项 目 作者简介 ： 玉山（ ９０ ） 男 ， 李 １８ － ， 山东临沂人 ， 师 ， 讲 硕士 ， 主要 从事凝聚态物理研究．
子发生交换 ．
关键 词 ： 重构； 氢钝化； 铟吸附； 吸附能 中图分 类号 ： ９ Ｏ４ ６ 文献标 识码 ： Ａ
硅作 为 半导体 材料 已经应 用 了有 半个 世 纪 ， 究最 多 的就是 Ｓ （ ０ ） 面 ， 在半 导 体 工业 中有着 广 泛 研 ｉ１ ０ 表 它
的应 用 ， 几乎所 有 的集成 电路都是 建 造在 这一 表 面上 的． 近年 来 ， 人们 研究 发现 氢原 子 钝 化后 的 ｓ表 面 氧化 ｉ
子 易 在 衬 底 表 面形 成 团簇 ． Ｉ 子 是 否 会 向衬 底 扩 散并 与 Ｈ 原 子 发 生 交 换 的研 究 结 果 表 明 ： 对 ｎ原 Ｉ 子 吸 ｎ原

开、关闭时间,可以获得形貌较好的 AlN 薄膜。 通过调整优化获得的 MME 方案为:首先 Al 源快门打开 30 s,然后 Al
源和 N 源快门打开 60 s,最后单独打开 N 源快门 72 s;单一周期内,Al 源快门打开时间与 N 源快门打开时间比例为
0. 7。 以上述方案为一个周期进行循环生长 40 个周期,可获得粗糙度低至 0. 3 nm(2 μm × 2 μm) ,几乎无凹坑的 AlN
MOCVD) 法、反应磁控溅射法等 [4] 。 其中,MBE 系统的超高真空环境可以有效避免 MOCVD 反应器中严重
的寄生反应和镁受体的氢钝化效应;其另一个优点是可以精确控制快速快门的打开和关闭,从而实现复杂的
结构和尖锐的异质界面 [5-6] ,可用来外延生长超晶格、多重量子阱、p 型高铝组分 AlGaN 等。 在外延 AlN 的过
Abstract:In this paper, conventional continuous epitaxial growth and metal modulated epitaxial ( MME) growth of AlN were
investigated with the plasma-assisted molecular beam epitaxy ( PA-MBE) system. It is difficult to control the growth mode of
1 实 验
本文实验使用 RIBER Compact 21 等离子体辅助分子束外延( plasma-assisted molecular beam epitaxy, PA-
MBE) 系统,此系统配备了几种Ⅲ族金属( Al、Ga 和 In) 的蒸发源和氮等离子体源。 所有样品都生长在由