版图设计规则

讲答：都可以下载到电脑上么？不行的话我发mail.美女1: 可以美女2:有中文版本的吗？讲答：没有讲答：并且所有的厂家提供的design rule都是英文版的美女3:表示英语太差伤不起啊讲答：没事，你看过几份design rule都就好了，大家用词跟在意的点是一样的。

美女3: 是不是都差不多的讲答：嗯美女3: 那就好讲答：并且里面有图指示，然后有的design rule允许copy整段用google翻译，有任何不明白的都可以问。

讲答：刚刚那份文件，1-5页都是讲的过去的版本信息，讲了分别更新了什么，大家可以不看，从第6页开始看。

讲答：第6页，表示文件号为：TD-MM18-DR-2003，这个是告诉你这个工艺文件是0.18 混合信号，1.8伏/5伏的制程的设计规则。

讲答：1.8v/5v的意思呢，是说这个工艺生产出来的device(器件)的耐压，有部分器件是工作在1.8v电源电压下，有部分器件是工作在5v电源电压下。

讲答：如果看到14页了跟我说一下，我给大家解说一下这些层。

讲答：对于14页，在Process Name这一列，就是讲了这个工艺提供的各个layer的命名。

讲答：里面的AA，描述说是active area/SDG，active就是有源区，也就是说我们资料里的DIFF，这个工艺给命名为AA。

讲答：NW --就是N阱，N-Well ，GT--就是poly 。

帅哥1: gt 是gate吗讲答：是的，gt就是gate帅哥1: DNW NW有啥不同？讲答：DNW是另外一个N-Well,解释说是深NWell，就是它往硅片里注入的深度更加的深，当然，掺杂浓度要比NWell浅，意思是NWell如果说是N-,那DNW可以理解为N--。

讲答：SN--nimp，n注入，SP-pimp,p注入，CT就是cont，讲答：DG 这一层，他给的描述是Dual Gate,就是这个意思，我们画nmos/pmos是有的会加上这一层，有的不加，不加这一层的mos的耐压（能够承受的电压）就是1.8v，加了这一层的mos的耐压就是5v，有这一层跟没有这一层，在foundry生产加工上是有区别的。

芯片版图设计芯片版图设计是芯片设计的核心环节，它是将芯片电路设计文件转化为实际可以被制造的芯片版图的过程。

芯片版图设计涉及到电路布局、布线规则、功耗和信号完整性等方面，对芯片性能和可靠性有重要影响。

本文将介绍芯片版图设计的主要内容和流程。

芯片版图设计的主要内容包括电路网表、物理布局、电路布局、布线规则和接口电路设计等。

电路网表是芯片设计的基础，它描述了芯片中各个元件之间的互连关系。

物理布局是将电路网表中的元件在芯片上的具体物理位置确定下来，它考虑了元件之间的相对位置和布局约束。

电路布局是在物理布局的基础上对各个元件的电路连接进行布局，它考虑了信号的传输和电路的功耗。

布线规则是指芯片上各个元件之间的电路布线时需要满足的约束条件，它包括布线层次、电源与地的布线和电路阻抗的控制等。

接口电路设计是指芯片与外部系统之间的数据传输和信号处理的设计，它包括输入输出接口、时钟和复位电路的设计。

芯片版图设计的流程一般包括以下几个步骤。

首先是电路网表的生成，可以通过芯片设计软件自动生成，也可以手动编辑。

然后是物理布局的确定，根据芯片的规格和性能目标，确定各个元件的布局和位置。

接着是电路布局的设计，包括电路连接的布局和信号线的长度控制。

布线规则的制定是在芯片布局的基础上进行的，根据芯片的制造工艺和布线层次的限制，确定布线规则的相关参数。

接口电路的设计是芯片版图设计的最后一个环节，通过设计输入输出接口、时钟和复位电路等，确保芯片与外部系统的正常通信和工作。

芯片版图设计需要充分考虑芯片规格和性能要求，同时也要考虑制造工艺和布线层次的限制。

在设计过程中，需要进行电路模拟和仿真，确保电路的正确性和可靠性。

此外，布局和布线的优化也是芯片版图设计的关键，可以通过布线层次的合理划分、电源和地的布局和导引线的优化等手段，提高芯片的性能和可靠性。

综上所述，芯片版图设计是芯片设计中不可或缺的环节，它直接影响芯片的性能和可靠性。

芯片版图设计的内容包括电路网表、物理布局、电路布局、布线规则和接口电路设计等。

第十四讲集成电路版图设计刘毅主要内容z版图概述•设计规则•天线效应z模拟电路的版图技术•叉指晶体管•对称性•参考源的分布z设计规则文件z(1)由于制造过程中不可避免地存在对准偏差，所以为保证晶体管被包含在n阱内，应使n阱环绕器件时留有足够的余量。

z(2)每个有源区(源/漏区以及与n阱相连的n区)都被相应的注入区图形包围，且有源区边界与注入区边界之间有足够的间距。

z(3) 栅区需要一块独立的掩模。

z(4)接触孔掩模窗口提供了有源区和多晶硅到第一层金属的连接。

最小宽度z定义：掩模上定义的几何图形的宽度(和长度)必须大于一个最小值，该值由光刻和工艺的水平决定。

最小间距z定义：在同一层掩模上，各图形之间的间隔必须大于最小间距，在某些情况下，不同层的掩模图形的间隔也必须大于最小间距。

最小包围最小延伸z有些图形在其它图形的边缘外还应至少延长一个最小长度。

CMOS工艺通常包括了150个以上的版图设计规则z A1：有源区一有源区间距z A2；金属宽度z A3：金属一金属间距z A4：有源区对接触孔的包围z A5：多晶硅—有源区间距z A6：有源区一阱间距z A7：阱对有源区包围z A8：多晶硅一多晶硅间距天线效应z假设一个小尺寸MOS管的栅极与具有很大面积的第一层金属连线接在一起，在刻蚀第一层金属时，这片金属就像一根“天线”，收集离子，使其电位升高。

因此，在制造工艺中这个MOS管的栅电压可增大到使栅氧化层击穿，而这个击穿是不能恢复的。

模拟电路的版图技术z叉指晶体管z对称性z参考源的分布叉指晶体管对称性参考源的分布设计规则文件z设计规则文件z基本语法z设计规则的建立基本语法z(gate1) = (Poly) AND (Active)z1.1 Well Minimum WidthType: Minimum Width, Distance: 10 Lambda Layer: N Wellz1.3 Well to Well(Same Potential) SpacingType: Spacing, Distance: 6 Lambda Layer: N Wellz2.4a WellContact(Active) to Well Edge Type: Surround:0, Distance: 3 Lambda Layer: n ActiveLayer: ActiveANDLayer: N SelectANDNOT Layer: NPN IDLayer: N Wellz7.4 Metal1 Overlap of ActiveContact Type: Surround, Distance: 1 Lambda Layer: Active ContactLayer: Metal1z3.3 Gate Extension out of Active Type: Extension, Distance: 2 Lambda Layer: ActiveLayer: Poly。

第一章绪论1、什么是Scaling-down，它对集成电路的发展有什么重要作用？在器件按比例缩小过程中需要遵守哪些规则（CE，CV，QCE），这些规则的具体实现方式（1）为了保证器件性能不变差，衬底掺杂浓度要相应增大。

通过Scaling-down使集成电路的集成度不断提高，电路速度也不断提高，因此Scaling-down是推动集成电路发展的重要理论。

（2）在CE规则中，所有几何尺寸，包括横向和纵向尺寸，都缩小k倍；衬底掺杂浓度增大k倍；电源电压下降k倍。

（3）在CV规则中，所有几何尺寸都缩小k倍；电源电压保持不变；衬底掺杂浓度增大k2倍。

（4）在QCE规则中，器件尺寸k倍缩小，电源电压α/k倍（1<α<k）变化，衬底掺杂浓度增大αk倍2、什么是摩尔定律？集成电路容量每18个月增加一倍。

3、什么是版图设计？包含哪两个要素？（1）版图设计就是按照线路的要求和一定的工艺参数，设计出元件的图形并进行排列互连，以设计出一套供IC制造工艺中使用的光刻掩膜版的图形，称为版图或工艺复合图（2）一定功能的电路结构；一定的工艺规则4、集成电路全定制和半定制设计的过程，及区别自动化技术：半定制，标准单元技术手工技术：全定制，一般用于高性能数字电路或者模拟电路第二章电路基础知识1、管子的串并联，电阻模型分析。

串联：两个宽长比为W/L的管子串联，若等价为一个管子，其宽长比为多少？并联：两个宽长比为W/L的管子并联，若等价为一个管子，其宽长比为多少？2、管子的尺寸标注3、复杂逻辑门的功能分析（写出逻辑表达式），或根据逻辑表达式，画出CMOS电路图4、传输门结构，原理（1）由两个增强型MOS管（一个P沟道，一个N沟道）组成。

（2）C=0，！C=1时，两个管子都夹断，传输门截止，不能传输数据。

（3）C=1，！C=0时，传输门导通。

（4）双向传输门：数据可以从左边传输到右边，也可以从右边传输到左边，因此是一个双向传输门。

集成电路版图设计什么是集成电路版图设计？所谓的集成电路版图设计是根据逻辑与电路功能和性能要求以及工业水平要求来设计芯片制造时光刻用的掩模版图，实现IC设计的最终输出其中版图是一组相互套合的图形，各层版图表示不同的工艺步骤，每层版图用不同的图案表示。

DRS和LVS开始前需要做哪些准备？DRC开始前需要准备好版图文件和DRC规则文件，LVS开始前需要准备好版图文件、电路图文件和runset文件为什么需要进行版图数据处理？在形成整体的版图并通过DRC、LVS的验证后，版图设计过程就完成了，但这个时候的版图GDS数据还不能拿去制作掩模版，还需要对GDS数据进行处理。

该版图GDS数据中的层次跟最终模板的层次并不是完全一致的，该版图GDS 数据还需要进行工艺涨缩处理，以满足掩模版制作需求。

集成电路设计流程：功能要求、电路设计、电路仿真、版图设计、版图验证、后仿及优化。

光刻工艺流程：底膜处理、涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、显影检测、刻蚀、去胶、最终检验。

工艺要求：特征尺寸、集成度、晶圆尺寸工艺文件夹包含：技术文件、显示文件DRC步骤：建立DRC运行目录、修改规则文件、导出gds2文件、编译规则文件、执行DRC检查、DRC结构分析狗骨电阻的优点：能够控制电流走向，使电阻误差减小。

集成电路发展的趋势是什么？制程工艺越来越精细、集成度越来越高、电路功能越来越强大、越来越趋向于智能化集成电路中的电阻分为哪几种？有扩散电阻、多晶硅电阻、阱电阻简述为什么尽可能多地设计阱接触？能大大减小寄生电阻的阻值，有效抑制闩锁。

在绘制PMOS版图时，为什么在接触区域进行SN注入？SN注入降低了接触电阻，接触孔容易刻蚀，形成欧姆接触。

简述什么是闩锁效应？闩锁效应是CMOS工艺所特有的寄生效应，严重会导致电路的失效，甚至烧毁芯片。

什么是保护环，保护环的主要作用？能抑制闩锁效应的设计方式就是保护环作用: 1.阻碍少子保护环 2.载流子注入类型为少子 3.保护类型为少子 4.电位保持PN结反偏 5.起分流作用。