采用边缘清洗技术控制边缘缺陷提高成品率

收稿日期:2021-02-03新型HDI 盲孔填孔电镀铜技术郝鹏飞，吕麒鹏，王殿(中国电子科技集团公司第二研究所,山西太原030024)摘要:高密度互连(High Density Interconnect Board ,HDI )印制电路板的盲孔电镀铜技术是其孔金属化实现电气互连的难点和关注重点,为此,在目前传统盲孔电镀铜技术和盲孔脉冲电镀铜技术的基础上,提出一种新型的电镀铜填孔技术,通过填孔工艺特定的镀铜添加剂,在传统盲孔电镀铜的技术上改变表面和盲孔的电流效率满足填孔要求,灵活应用于不同盲孔填充;通过试验和分析,该方法在效果、质量和成品率上均优于脉冲电镀,并可实现不同深宽比盲孔电镀铜要求,大大降低了成本。

关键词:高密度互连板;盲孔电镀铜;添加剂;填孔中图分类号:TQ153.1+4文献标志码:B文章编号:1004-4507(2021)02-0033-04A New Filling Electroplating Copper Technology by HDI Blind HoleHAO Pengfei ，Lv Qipeng ，Wangdian(The 2nd Research Institute of CETC ，Taiyuan 030024，China )Abstract:Blind hole copper plating technology of HDI printed circuit board is the difficulty and focus of its hole metallization to realize electrical interconnection.Based on the current traditional blind hole copper plating technology and blind hole pulse copper plating technology ，this paper proposes a new copper plating hole filling technology ，which changes the current of surface and blind hole in the traditional blind hole copper plating technology by using copper plating additives specified in the hole filling process.The efficiency meets the requirements of hole filling ，and can be flexibly applied to different blind hole filling;through the test and analysis ，the method is comparable to pulse electroplating in effect ，quality and yield ，and can realize the requirements of copper electroplating for blind holes with different thickness diameter ratio ，greatly reducing the costKey words:High density interconnect board （HDI ）；Blind hole copper plating ；Additive ；Hole filling印制电路板是电子元器件的支撑体，是电子元器件电气连接的载体，其应用非常广泛，在各类电子产品中均有大量应用。

浅谈硅片缺陷的控制【摘要】太阳能是一种清洁、高效和永不衰竭的新能源，光伏发电具有安全可靠、无噪声、无污染、制约少、故障率低、维护简便等优点，近年发展势头迅猛。

硅片作为太阳能电池的核心元件，其质量直接影响到太阳能电池的整体性能。

本文介绍了硅片缺陷控制的技术措施。

【关键词】硅片；缺陷控制引语在光伏产业中，硅片的质量在很大程度上影响到成品太阳能电池的短路电流、和断路电压等参数，决定了太阳能电池的发电效率和使用寿命。

在现有技术允许的范围内，最大限度地减少硅片中的缺陷，提高硅片的纯度和质量，是提升太阳能电池性能的必然途径。

目前硅片的缺陷包括点缺陷和晶体原生凹坑缺陷以及金属杂质缺陷等。

本文就这些硅片缺陷的控制阐述了一些观点。

1、硅片中点缺陷控制硅中的点缺陷包括本征点缺陷和非本征点缺陷。

其中，硅的本征点缺陷是指空位和自间隙原子；而硅中的杂质原子则是非本征点缺陷。

所谓空位和自间隙原子，均是由于硅原子的热运动产生的。

硅中的原子在热运动的作用下，脱离了晶格格点，游离在晶格间隙中间，就形成了自间隙原子；而因硅原子脱离而留下的空的格点，即是空位。

很明显，硅的本征点缺陷的浓度主要受温度的影响。

而硅的非本征点缺陷，也就是杂质原子缺陷是指杂质原子占据了硅晶体中的晶格位置。

硅片的电学性能乃至成品率都在很大程度上受到金属杂质的影响。

点缺陷的凝聚会生成更多更严重的缺陷。

对于SOI硅片中的点缺陷控制方法主要是注氧隔离（SIMOX）技术。

即通过向高能状态下的硅片中注入高剂量的氧离子。

然后将硅片进行退火处理以在硅片中形成连续的埋层，而埋层之上则形成单晶体硅层。

该技术是利用氧离子与硅原子的化学反应产生的应力，向外发射硅片中的自间隙原子，并使得自间隙原子扩散到硅层表面，形成表面的原子。

这种方法可以显著得降低硅片中自间隙原子和空位的浓度。

2、硅片中晶体原生凹坑缺陷的控制硅片在清洗液中清洗后，可以发现有小的凹坑。

这种来自于硅晶体内部的缺陷，即所谓晶体原生凹坑缺陷（COP）。

CCD曝光工艺常见缺陷及解决办法高建威;向鹏飞;邓涛;杨修伟;袁安波【摘要】CCD器件曝光过程中会产生各种缺陷,由此会对线宽和图形产生不良影响.文中针对这些缺陷分析了成因并找到相应的解决办法,形成严谨的工艺规范以达到消除缺陷的目的,同时使得工艺能力和成品率得到了显著提升.【期刊名称】《电子科技》【年(卷),期】2014(027)011【总页数】3页(P160-162)【关键词】CCD;曝光;缺陷;图形【作者】高建威;向鹏飞;邓涛;杨修伟;袁安波【作者单位】重庆光电技术研究所第1研究室,重庆400060;重庆光电技术研究所第1研究室,重庆400060;重庆光电技术研究所第1研究室,重庆400060;重庆光电技术研究所第1研究室,重庆400060;重庆光电技术研究所第1研究室,重庆400060【正文语种】中文【中图分类】TP212.9随着电荷耦合器件(Charge Coupled Device，CCD)［1］技术的发展，同等芯片面积的CCD像元数不断增加，像元尺寸不断缩小，光刻特征尺寸随之不断减小［2］。

在工艺制作过程中引入的各种图形缺陷将更易导致器件直流和交流参数的下降，使得器件电学功能、光学性能不正常，比如导致多晶硅同层、层间漏电甚至短路，器件成像产生黑点、黑条、亮点、亮条等缺陷，最终导致器件可靠性下降甚至报废。

在光刻的整个工艺过程中，涂胶、曝光、显影［3］3个步骤中，曝光工艺是重点，决定了光刻工艺质量的优劣［4］。

因此，确定CCD曝光工艺中的图形缺陷类型，分析其形成的原因，提出相应的消除缺陷的措施，对提高器件成品率具有重大意义。

本文以像元尺寸为9μm×9μm的10 000×10 000元可见光CCD作为研究对象，就CCD曝光工艺缺陷及其原因进行了分析，并提出了相应解决办法，使产品的成品率得到提升［5］。

1 实验方法10 000×10 000元可见光CCD的像元为9μm×9μm，而其沟阻、势垒、多晶硅、抗晕漏等多个层次的最小线宽为0.5μm，且具有线条分布密集、线条形貌要求高等特点。

如何利用边缘计算技术提升工业机器人的操作精度工业机器人在现代生产中发挥着重要的作用，然而，操作精度一直是制约其性能和效率的重要因素。

为了解决这个问题，近年来，边缘计算技术被引入工业机器人领域，以提高其操作精度。

边缘计算技术的核心思想是将计算和数据处理的任务从云端转移到靠近数据源的边缘设备上，从而降低延迟和网络负载，提升实时性和响应性。

本文将介绍如何利用边缘计算技术提升工业机器人的操作精度。

首先，边缘计算技术可以提供更低的延迟和更快的响应速度。

在传统的工业机器人系统中，计算任务通常由远程的服务器或云端处理，然后将结果返回给机器人执行。

这种方式存在很大的延迟，导致机器人无法实时响应环境变化或调整动作。

而采用边缘计算技术，机器人可以将计算任务直接在边缘设备上处理，减少通信和计算的时间，从而实现更快速的响应。

这种实时性的提升可以使机器人在复杂的环境中更加精准地操作和执行任务。

其次，边缘计算技术可以通过优化机器人的感知和决策能力来提升操作精度。

边缘设备上可以安装各种传感器和摄像头，用于实时监测和获取环境信息。

通过边缘计算技术，机器人可以实时对环境进行感知和分析，并根据算法和模型做出快速准确的决策。

例如，在装配线上，通过边缘设备上的传感器，机器人可以实时检测产品的质量、尺寸和位置等信息，然后根据这些信息调整自身动作，实现高精度的装配和加工。

此外，边缘计算技术还可以提供更可靠的机器人控制和监控系统，从而提高操作精度。

在传统的工业机器人系统中，机器人控制和监控通常通过网络连接的方式实现，存在网络故障和延迟等问题。

而边缘计算技术可以使机器人控制和监控系统部署在本地边缘设备上，减少对网络的依赖，提高系统的可靠性和稳定性。

同时，边缘设备可以实时监测和诊断机器人的运行状态和健康状况，及时发现故障并采取相应的措施，保证机器人的操作精度和安全性。

最后，边缘计算技术还可以通过实时数据分析和反馈优化机器人的运行策略，提升操作精度。

袋式全熟料滑子菇栽培技术-蘑菇种植技术滑子菇又名滑菇、珍珠菇，在植物学分类上属真菌门、担子菌亚门、担子菌纲、伞菌目、丝膜菌科、磷伞属。

滑子菇属于珍稀品种，其味道鲜美，营养丰富，是很有发展前途的保健食品和出口创汇产品。

目前我国主要分布在河北北部及辽宁、黑龙江、内蒙古、福建、台湾等地区。

河北省平泉县是目前全国最大的滑子菇生产基地，是“中国滑子菇之乡”。

该县1989年开始规模生产以来，利用本地的资源优势和气候优势，经过广大科技人员的不断技术创新，使滑子菇的产量、质量不断提高，现已成为平泉县食用菌产业的主导产品。

年产量10万吨，占全国滑子菇总产量的40%，占世界产量的25%，拥有较大的市场分额，已成为广大农村脱贫致富的首选项目。

传统的滑子菇栽培模式为半熟料盘栽、块栽或太空包栽培，但随着每年春季气温的升高及北方滑子菇生产规模的不断扩大，环境中的杂菌孢子的危害性也在增加，出现了污染率上升的趋势。

因此，为了提高滑子菇的成品率和转化率，我们通过多年的栽培实践，研究了北方袋式全熟料滑子菇高产栽培技术，该项技术能够做到产量高、污染率低、栽培周期短、收效快等。

现将滑子菇高产标准化栽培技术向广大农民推广，以期为更多的农民脱贫致富奔小康作出贡献。

1生物学特性滑子菇属低温型食用菌，滑子菇子实体多数为丛生、密生或簇生。

由菌盖、菌褶、菌柄组成。

创造良好的生长环境是满足滑子菇菌丝和子实体生长的需要。

一是营养：滑子菇属木腐菌，在自然界中多生长在阔叶树上，尤其是壳斗科的伐根、倒木上。

人工栽培滑子菇以木屑、玉米芯、米糠、麦麸等富含木质素、纤维素、半纤维素、蛋白质的农副产品为人工栽培的培养料。

二是温度：滑子菇菌丝在5～32℃之间均可生长，最适温度为15～20℃。

子实体在10～18℃间都能生长；高于20℃，子实体菌盖薄，菌柄细，开伞早，低于5℃，生长缓慢，基本不生长。

三是光照：滑子菇栽培不需要直射光，但必须有足够的散射光。

菌丝在黑暗环境中能正常生长，但光线对已生理成熟的滑子菇菌丝有诱导出菇的作用。

挤压铝型材表面颗粒状毛刺的形成原因与对策在铝型材的挤压生产中，型材表面不同程度的存在一些小颗粒吸附在型材表面上，这种的缺陷，仅有轻微手感，不仔细观察或手摸较难发现。

但它严重影响氧化、电泳涂漆及喷涂型材的表面美观，降低了生产效率和成品率，更是高档装饰型材的致命缺陷。

因此，对其形成机理进行分析，同时在挤压生产实践中不断地观察分析，总结其成因，及时采取措施，是减少或杜绝这种缺陷的出现的有效手段。

一、颗粒吸附成因分析1、挤压型材表面出现的颗粒状毛刺分为四种：1)空气尘埃吸附，燃煤铝棒加热炉产生的灰尘、铝屑、油污及水份凝结成颗粒附着在热的型材表面。

2)铝棒中的杂质，如：精炼不充分遗留的金属夹杂物和非金属夹杂物。

3)时效炉内的灰尘附着。

4)铝棒中的缺陷及成分中的β相AlFeSi在高温下析出，使金属塑性降低，抗拉强度降低，产生颗粒状毛刺。

“吸附颗粒”的形成2、原因1)铝棒质量的影响由于高温铸造，铸造速度快，冷却强度大，造成合金中的β相AlFeSi不能及时转变为球状α相AlFeSi，由于β相AlFeSi在合金中呈现针状组织，硬度高、塑性差，抗拉强度很低，在高温挤压时不仅会诱发挤压裂纹，而且会产生颗粒状毛刺，这种毛刺不易清理，手感强烈，颗粒附近常伴随有蝌蚪状拖尾，在金相显微镜下观察，呈现灰褐色，成分中富含铁元素。

铝棒中的杂质影响，铝棒在熔铸过程中，精炼不充分，泥土、精炼剂、覆盖剂以及粉末涂料和氧化膜夹杂等混入棒中，这些物质在挤压过程中，使金属的塑性和抗拉强度显著降低，极易产生颗粒状毛刺。

棒的组织缺陷常见的有疏松、晶粒粗大、偏析、光亮晶粒等，所有这些铸棒缺陷有一个共同点，就是与铸棒基体焊合不好，造成了基体流动的不连续性，在挤压过程中，夹渣极易从基体中分离出来，通过模具的工作带时，粘附在入口端，形成粘铝，并不断被流动的金属拉出，极易产生颗粒状毛刺。

2)模具的影响在挤压生产中，模具是在高温高压的状态下工作的，受压力和温度的影响，模具产生弹性变形。

湿法清洗及湿法腐蚀目录一：简介二：基本概念三：湿法清洗四：湿法腐蚀五：湿法去胶六：在线湿法设备及湿法腐蚀异常简介七．常见工艺要求和异常一：简介众所周知，湿法腐蚀和湿法清洗在很早以前就已在半导体生产上被广泛接受和使用，许多湿法工艺显示了其优越的性能。

伴随IC集成度的提高,硅片表面的洁净度对于获得IC器件高性能和高成品率至关重要, 硅片清洗也显得尤为重要.湿法腐蚀是一种半导体生产中实现图形转移的工艺,由于其高产出,低成本,高可靠性以及有很高的选择比仍被广泛应用.二 基本概念腐蚀是微电子生产中使用实现图形转移的一种工艺，其目标是精确的去除不被MASK 覆盖 的材料，如图1：图 1腐蚀工艺的基本概念 ：E T C H R A T E (E /R ) ------腐蚀速率：是指所定义的膜被去除的速率或去除率，通常用Um/MIN ，A/MIN 为单位来表示。

E /R U N IF O R M I T Y ------ 腐蚀速率均匀性,通常用三种不同方式来表示:U N I F O R M I T Y A C R O S S T H E W A F E RW A F E R T O W A F E RL O T T O L O T腐蚀速率均匀性计算U N I F O R M I T Y =（E R H I G H - E R L O W ）/（E R H I G H + E R L O W ）*100%S E L E C T I V I T Y -------选择比是指两种膜的腐蚀速率之比,其计算公式如下:S E L A /B = （E /R A ）/（E /R B ）选择比反映腐蚀过程中对另一种材料（光刻胶或衬底）的影响，在腐蚀工艺中必须特别注意SEL ，这是实现腐蚀工艺的首要条件。

G o o d s e l e c t i v i t y P o o r s e l e c t i v i t y (U n d e r c u t )I S O T R O P Y -------各向同性：腐蚀时在各个方向上具有相同的腐蚀速率；如湿法腐蚀就是各向同性腐蚀。

改善晶圆边缘有效芯片缺陷的新焦距补偿方法研究秦利鹏（上海华力微电子有限公司，上海，201203）摘要：良率（yield）是反应集成电路产品成品率的一项关键参数，在实际生产中由于晶圆边缘的平整度等与晶圆中心存在很大的差异，导致晶圆边缘有效芯片（die）的良率很容易受多种因素的影响，造成良率损失，因此提高晶圆边缘有效die的良率是光刻工艺的一个研究重点。

本文通过对比分析正常和异常die 中对聚焦值（focus）变化影响较敏感的光阻稀疏沟槽图形（ISO trench image）差异,在明确了散焦（defo-cus）程度和产生原因的前提下，提出了一种新的结合晶圆载物台倾斜（wafer stage tilt）加上曝光区域（shot）聚焦值调整来补正晶圆边缘有效die聚焦值的方法。

新方法与旧方法相比，对同一shot内其他die 的影响明显降低，有显著的使用优势。

从新方法的补正结果来看，较好的解决了晶圆边缘有效die的defocus问题，避免了缺陷的产生。

关键词：晶圆边缘；散焦缺陷；新焦距补偿方法；载物台倾斜The new focus compensate solution foravoiding wafer far edge die defectQIN Li-peng（Shanghai Huali Microelectronics Corporation,Shanghai201203,China）Abstract:Yield is a key parameter for integrated circuit production,own to the different flatness between wafer far edge and wafer center in actual production wafer,many reasons cause the yield loss of wafer far edge dies,thus,it is one of a key project for improving the yield of wafer far edge dies.In this article,through compare with the normal dieand not good die ISO trench pattern which is easy impacted by the focus change,and based on the focus impact level and definite the root cause,give a new focus compensate solution through changing wafer stage tilt and tuning focus for avoiding wafer edge die defect.The new method is small impact for other normal die in same shot,so it is a better so-lution for actual production.The results after compensate also approve that the new solution solve the defocus defect of wafer far edge and avoid defocus defect.Key words:wafer far edge;defocus defect;new focus compensate solution;changing wafer stage tilt1引言集成电路（integrated circuit）在人们生活中扮演着重要的角色。

终端结构简介好的终端设计能有效提高器件的耐压、可靠性和降低器件漏电。

终端按基本结构可分为两大类型：延伸型和截断型。

延伸型终端延伸型终端主要是通过在主结外围设置一些特殊结构来降低或分担主结处的高电场，从而起到提高击穿电压的作用。

延伸型的终端结构主要有：场板 (Field Plate，FP)、场限环 (Field Limit Ring，FLR)、结终端扩展 (Junction Termination Extension，JTE)、横向变掺杂 (Variation of Lateral Doping，VLD)、RESURF 等。

1. 场板 (Field Plate，FP)场板可以单独使用降低结电场峰值，提高击穿电压。

另一方面，也可以减少杂质电荷对器件稳定性的影响，此时场板不能作为耐压结构。

若要做耐压结构，需要调整场板的长度，使场板外侧的电场峰值小于P型掺杂区外侧底部的电场峰值。

在图 1.7(a) 中，场板覆盖在结边缘处的场氧上。

1) 当场板上没有施加偏压时，场板不起作用，N 区的耗尽层与柱面结类似。

2) 当场板上施加相对于漏极的正向偏压时，场板会吸引 N- 区的电子向表面移动，从而导致耗尽层向着 P 区收缩，这会增加 P 区外侧的电场强度，从而使击穿电压降低。

3) 当场板施加相对于漏极的负向偏压时，会起到相反的作用，使得耗尽层向外扩张，减小了P 区外侧的电场，从而提高了击穿电压。

如果场板上施加的电压合适，此终端结构能够将柱面结电压提升到平行平面结电压，但是这种方法需要额外的封装引线，并且需要设计场板偏置电路，这在功率器件中是不现实的。

一种有效的方法是将 P 区与场板相连，如图 1.7(b) 所示。

在这种情况下，场板的电势是与P 区相等的负偏压，使得耗尽层向外扩展，在一定程度上可以提高击穿电压。

但同时会在硅表面靠近场板边沿处引入一个高电场，如果设计的不合理也会导致此处提前击穿而降低击穿电压。

场板由于简单有效，直到现在仍然广泛应用，并且出现了电阻场板、多级场板、多段场板等新的技术，而场板与其他终端结构的搭配使用，在提高终端效率、减小表面电荷影响、增加器件稳定性也有帮助。

一般说来，如图1所示，你可以在一条生产线中四个生产步骤的任意一步之后有效地运用AOI。

以下几个段落将分别介绍AOI在SMT PCB生产线上的四个不同生产步骤后的应用。

我们可以粗略地将AOI分为预防问题与发现问题两类。

在接下来的描述中，锡膏印刷之后、(片式)器件贴放之后和元件贴放之后的检测可以归为预防问题一类，而最后一个步骤——回流焊接之后的检测——则可以归于发现问题一类，因为在这个步骤检测并不能阻止缺陷的产生。

◆锡膏印刷之后：在很大程度上有缺陷的焊接均来源于有缺陷的锡膏印刷。

在这个阶段，你可以很容易、很经济地清除掉PCB上的焊接缺陷。

大多数2-D检测系统便能监控锡膏的偏移和歪斜、不足的锡膏区域以及溅锡和短路。

3-D系统还可以测量焊锡的量。

◆(片式)器件贴放之后：这个阶段的检测可以检查出(片式)器件缺件、移位、歪斜和(片式)器件的方向故障。

这个检测系统同时还可以检查用于连接密间距和球栅阵列（BGA）元件的焊盘上的锡膏。

◆元件贴放之后：在设备向PCB上贴装元件之后，检测系统能够检查PCB上缺失、偏移以及歪斜的元件，还能查出元件极性的错误。

◆回流焊接之后：在生产线的末端，检测系统可以检查元件的缺失，偏移和歪斜的情况，以及所有极性方面的缺陷。

该系统还一定要对焊点的正确性以及锡膏不足、焊接短路和翘脚等缺陷进行检测。

如果需要，你还可以在第2、3和4步骤加入光学字符识别（OCR）和光学字符校验（OCV）这两种方法进行检测。

工程师和厂商对不同检测方法利弊的讨论总是无休无止，其实选择的主要标准应该着眼于元件和工艺的类型、故障谱和对产品可靠性的要求。

如果使用许多B GA、芯片级封装（CSP）或者倒装芯片元件，就需要将检测系统应用到第一和第二步骤，以发挥其最大的功效。

另外，在第四阶段后进行检测可以有效地发现低档消费品的缺陷。

而对运用在航空航天、医学及安全产品（汽车气囊）领域的PCB来说，由于对质量要求十分严格，则可能会要求在生产线上的许多地方都进行检测，尤其是在第二和第四步骤后。