一、填空题（每空2分，共20分）
1、半导体器件特性易受外界环境温度影响,其中 少子 载流子是影响其温度稳定性的主要因素。半导体元器件的最高工作频率受限是由于PN 结存在 电容效应 。
2、晶体管工作在放大区的条件是 B E o n u U >（发射结正偏） 并且
C B C E B E
0u u u ≥≥，即（集电结反偏） 。
3、某晶体管的极限参数CM CM (BR)CEO P = 240 mW I = 120 mA U = 28 V ，，，若它的工作电压CEQ U 为10 V ，则工作电流不得超过 24 mA ；若工作电流
C I = 1 mA ，则工作电压不得超过 28 V 。
4、放大电路的带负载能力是指 输出电压不受负载阻值变化影响的能力 ，一般来说，
输出电阻 越小，带负载能力越强。
5、有一只P 沟道的FET 和一只PNP 的BJT 管，则由它们正确复合的管子类型应该是 P-FET 。
6、某两级放大电路的空载电压增益分别为122040u u A dB A dB ==，,输入输
出电阻分别为1o1250300100
50i i R R R R ΩΩΩΩ====o2，，，,则该电路将输入信号电压放大了 250 倍。
二、 简答题（每题
6分，共24分）
1、试说明晶体管和场效应管放大电路的几种常用基本连接方法，分析比较其各自动态参数()u i o A R R 、、的状况。
答: 接法 共射 共集 共基 共源 共漏 Au 大 小于1 大 大 小于1 Ri 中 大 小 极大 极大 Ro 大 小 大 大 小
2、讨论互补输出级消除放大电路失真的工作原理，并举例说明。 答: 互补输出级产生的失真主要是交越失真,即当输入电压小于晶体管开启电压时,两管均截止而造成在输入信号过零点处发生的失真。消除这种失真的方法是设置合适的静态工作点，使两管在输入信号过零点处处于微导通状态，具体方法有电压倍增电路和在两管间加二极管等。
3、描述场效应管放大电路的两种偏置电路形式？这两种偏置电路分别适用于哪些类型的场效应管？为什么？
答: 场效应管的偏置电路主要有自给偏压电路和分压式偏置电路两种，自給偏压电路适合要求栅源电压和漏源电压极性相反的场效应管，分压式偏置电路则依靠电阻分压提供偏压，适合要求栅源电压和漏源电压极性相同的场效应管。
4、比较单端输入双端输出差动放大电路和双端输入单端输出差动放大电路的异同，他们抑制零点漂移的能力是否相同，为什么？
答: 单端输入双端输出差放输入端一端接信号源一端接地，因此差模信号总是伴随着共模信号输入，但是只要电路对称，共模放大倍数为0，两管的对称性和射极电阻都具有抑制零点漂移的能力。双端输入单端输出差放电路输出为单端接负载电阻，因此共模信号的抑制主要依靠射极反馈电阻，共模放大倍数不为0，但理想情况下输入信号中不含共模信号，尽管如此输出信号中可能仍然有静态工作电压分量。
三、分析题（共32分）
1、（12分）试分析晶体管直接耦合放大电路和晶体管阻容耦合放大电路空载和带负载时负载线分别的变化情况以及其对电路静态工作点的影响,并画图说明。
不论是直接耦合还是阻容耦合放大电路空载和带负载时负载线都会变化，对于直接耦合电路的静态工作点会发生变化，负载线的斜率发生变化；对于阻容耦合电路静态工作点不变，负载线斜率发生变化。
Vcc
Vcc
’
Vcc
Vcc/R
2、（8分）电路如右图所示，其中
312 g g g R R ,R 。
（1）分析电路是否具有稳定静态工作点的功能；
（2）画出小信号等效电路，分析若3g R 电阻所在位置处于开路和短路时，分别会对整个放大电路造成怎样的影响。
（1）该电路为分压式偏置电路，具有稳定静态工作点的功能。 （2）小信号等效电路如下,Rg3若短路，输入阻抗由Rg1和Rg2并联构成，Rg3若开路，则不能提供栅极偏压，电路不能正常工作于放大状态。
3、（12分）某一多级放大电路
如右图所示，假设所有晶体管
参数都相同。
（1）该电路共有几级放大电
路？每一级分别属于何种类型
放大电路?
（2）写出该放大电路的输入输出电阻表达式。
（3）分析电容
C、2C对电路的电压放大倍数有无影响。
1
(1)三级放大电路，第一级为反馈为电流源的差放电路，第二级为共射放大电路，第三级为复合管构成的共集放大电路。
（2）输入阻抗为第一级的输入阻抗即为2r be,输出阻抗为第三级的输出阻抗，为R7//{[(R6＋ r be)/(1+β)+ r be]/ (1+β)}
（3）C1对电路无影响，C2为旁路电容，去掉会对降低总的电压放大倍数。
四、计算题（共24分）
1、（12分）电路如右图所示，已
知晶体管100 100 '
bb
r βΩ=＝，。 （1）求静态工作点Q 。 （2）画出该电路的小信号等效电路，求出u A 、i R 和o R 的值。 （3）求出电容Ce 开路时u A 的值。
(1)Ubq=12*[10/(50+10)]=2V,Ieq=Icq=(2-0.7)/(600+2000)=0.5mA, Ibq=Icq/β=5μA, Ucq=Vcc ’
-Icq*Rc ’
=6-2.5=3.5V, Ucq=2.2 V
(2)
'1226(1)
5.35(//)
7.58
(1)////[(1)]7.410be bb EQ
c L u be f
i b b be f o c mV
r r K I R R A r R R R R r R K R R K ββββ=++≈Ω=-
=-++=++=Ω==Ω
（3）若电容Ce 开路，则Ri 增大，变为
'
1.92L
u f e
R A R R ≈-≈-+ u
减少，变为A
2、（12分）差动放大电路如右图所示，已知电路和晶体管参数如下：
（1）计算静态时两管的集电极电流和集电极电位；
（2）计算该电路的共模抑制比KCMR ；
（3）已知输入信号为正弦信号，其随时间变化的表达式为Asin(wt)，其中A=10mV 为电压幅度值，w 为正弦信号频率，t 为时间，求输出端负载R L 上的电压随时间变化的表达式。 解:(1)Icq1=Icq2=(Vee-Ubeq)/(2*Re)=5.3/10.6=0.5mA Ucq1=6-0.5*5=3.5V,Ucq2=12V (2)
(3)负载上信号由直流交流两部分组成，表达式
()212103510023535cq d C f (t )U A A /sin wt ..sin wt .sin wt -=++?=-≈-
1,10, 5.3,10,12,6,100, 1.5,0.7b c e L EE be BEQ R k R k R k R k Vcc V V V r k U V
β=Ω=Ω=Ω=Ω====Ω=()
()()
()= -100 047
221214622128d C L C L d C b be b be e
c
R //R R //R A A .R r R r R A KCMR .(.)
A =-
=-
=-++++==或βββ
电工学期末考试试题 一、填空题（每空2分，共24分） 1.电路如图1所示，=ab U V ，若选a 点为参考点，则b 点的电位b V = V 。 2.各支路电流如图2所示，则=I A 。 3.各电阻值如图3所示，则端口等效电阻=ab R Ω。 4.已知2202sin(314 135)u t V =- ，则有效值U = V ，周期T = s ，初相位= ，0.01t s =时，u = V 。 5.已知变压器的变比为4:1，测得次绕组中的电流24I A =，则原绕组中的电流1I = A 。 6.一台三相异步电动机，定子电压的频率为150Z f H =，极对数1p =，转差率0.015s =。则同步转速0n = /min r ,转子转速n = /min r ，转子电流频率2f = Z H 。 二、选择题（每题2分，共20分） 1.电路如图4所示，其KVL 方程正确的是（ ）。 .0S A U RI U ++= .0S B U RI U +-= .0S C U RI U -+= .0S D U RI U --= 2.图5所示电路中AB U 为（ ）V . 1.25A . 1.5B . 2C . 2.5D 3.电路如图6所示，叙述正确的是（ ）。 .A 电流源吸收功率，电压源发出功率 .B 电流源和电压源都吸收功率 .C 电流源发出功率，电压源吸收功率 .D 电流源和电压源都发出功率 a 图1 b 5V +- 图4 +-U I R -+s U 1A - I 1A 图2 - +V 10 图6 Ω10 A 2 B A 10Ω 10V + - 图5 2Ω 5V +- 5Ω 6Ω 图3 3Ω 2Ω a b
《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向） 导电性。 2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温 度）有关，而与外加电压（无关）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其 反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集） 放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳 定交流输出电流采用（串联）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路 的放大倍数AF=（1/ F ）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（）， （）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号， 而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互 补功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻 （）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）
模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 3．差分放大电路中，若u I1=100V ，u I 2=80 V 则差模输入电压u Id = 20V ；共模输入电压u Ic =90 V 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有 交越 失真。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 8．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。 a ．不用输出变压器 b ．不用输出端大电容 c ．效率高 d ．无交越失真 9．稳压二极管稳压时，其工作在( C )，发光二极管发光时，其工作在( A )。 a ．正向导通区 b ．反向截止区 c ．反向击穿区 三、放大电路如下图所示，已知：V CC 12V ，R S 10k ，R B1 120k ， R B2 39k ，R C 3.9k ，R E 2.1k ，R L 3.9k ，r bb’ ，电流放大系数 50， 电路中电容容量足够大，要求： 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图
《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章） 一.选择题 1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素,形成N 型半导体。A.二 B.三 C.四 D 五 ２、在P 型半导体中,自由电子浓度 Ｃ 空穴浓度。A ．大于 B.等于 C ．小于 ３、本征半导体温度升高以后， Ｃ 。 A.自由电子增多,空穴数基本不变 B ．空穴数增多,自由电子数基本不变 C ．自由电子数和空穴数都增多，且数目相同 Ｄ.自由电子数和空穴数都不变 4、空间电荷区是由 C 构成的。A ．电子 B.空穴 C.离子 D.分子 5、ＰN 结加正向电压时,空间电荷区将 Ａ 。 Ａ. 变窄 Ｂ． 基本不变 C. 变宽 D ． 无法确定 6、稳压管的稳压区是其工作在 Ｃ 。A. 正向导通 B ．反向截止 C.反向击穿 7、当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 Ｂ. 前者正偏、后者反偏 Ｃ. 前者正偏、后者也正偏 D ． 前者反偏、后者正偏 ８、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。Ａ． 增大 B ． 不变 C. 减小 D. 都有可能 ９、工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12μA 增大到２2μA 时，I Ｃ从1m Ａ变为２mA ，那么它的β约为 C 。Ａ. 83 B. ９1 C. 10０ D ． 1０ １0、晶体管是 A 器件。Ａ.电流控制电流 B.电流控制电压 Ｃ．电压控制电压 D.电压控制电流 1１、在正常放大的电路中,测得晶体管三个电极的对地电位如图所示,试判断管子的类型和材料。图1为 Ｄ ；图２为 A 。[基极电位总是处于中间］ A.ＮＰN 硅管 B.P ＮP 硅管 C ．ＮP Ｎ锗管 D.P ＮP 锗管 12、场效应管是 Ｄ 器件。 A ．电流控制电流 B.电流控制电压 C ．电压控制电压 D.电压控制电流 13、基本共射放大电路中,基极电阻R ｂ的作用是 A 。 Ａ.限制基极电流,使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路 Ｂ.把基极电流的变化转化为输入电压的变化C ．保护信号源 D.防止输出电压被短路 １4、基本共射放大电路中,集电极电阻Ｒc 的作用是 Ｂ 。 A ．限制集电极电流的大小 B.将输出电流的变化量转化为输出电压的变化量 C.防止信号源被短路 D.保护直流电压源E Ｃ 15、基本共射放大电路中，输入正弦信号,现用示波器观察输出电压u o 和晶体管集电极电压u c 的波形,二者相位 A 。A.相同 B ．相反 C.相差90° Ｄ.相差270° 16、NP Ｎ管基本共射放大电路输出电压出现了非线性失真，通过减小R b 失真消除, 这种失真一定 ① 0V 5.7V 图 1 ① 9V 2.3V 图2
期末考试试卷_电工学下A 答案 一、填空题:（每空2分，共30分） 1.晶体三极管的输出特性曲线可分为 饱和 区、 放大 区和 截止 区等三个工作区。 2.工作在乙类状态的功率放大电路，在理想工作状态下，其效率最高可达%。 3.放大电路中，若想要增加输入电阻，应引入串联负反馈；若想要减小输出电阻，应引入电压负反馈。 4.理想运算放大电路的开环电压放大倍数V A ＝ ∞ ，输入电阻i r ＝ ∞ 。 5.已知变压器二次侧电压值为10V ，若采用单相半波整流电路，则输出电压平均值O U ＝ V ；若采用单相桥式整流电路，则输出电压平均值O U ＝ 9 V 。 6.10=( )2=( )16。 触发器的特性方程为D Q n =+1。 8.一个半加器有 2 个输入端和 2 个输出端。 二、选择题: （每题2分，共12分） 1.某硅三极管三个电极的电位V e 、V b 和V c 分别为3V 、和，则该管工作在（ A ）状态。 A 、饱和 B 、截止 C 、放大 D 、 损坏 2.放大电路的静态是指电路工作在（ C ）时的状态。 A 、输入幅值不变的交流信号 B 、输入频率不变的交流信 号 C 、输入幅值为0的交流信号 D 、电路的电源电压Vcc 为0 3.图1所示电路引入的级间反馈为（ C ）负反馈。 A 、电压并联 B 、电流并联 C 、电压串联 D 、电流串联 4.下列电路中属于组合逻辑电路的是（ C ）电路。 A 、触发器 B 、寄存器 C 、译码器 D 、计数器 5.同步时序电路和异步时序电路比较，其差异在于后者（ B ）。 A 、没有触发器 B 、没有统一的时钟脉冲 C 、没有稳定状态 D 、输出与电路原来的状态有关 6.已知逻辑函数 ，其反函数 （ B ）。 三、在如图2放大电路中，已知V CC =12V ，β=50，R b1=60K Ω，R b2=20K Ω，R C =4K Ω，R e1=100Ω，R e2=Ω，R L =4K Ω，试估算： (16分) 图1
苏州大学 模拟电子技术 课程期中试卷 共 5 页 考试形式 闭 卷 2013 年 11 月 院系 年级 专业 学号 姓名 成绩 一．选择题 （每小题1分，共10分） 1．三极管工作于放大区时 （ A ） A. 发射结正偏，集电结反偏 B. 发射结正偏，集电结正偏 C. 发射结反偏，集电结反偏 D. 发射结反偏，集电结正偏 2．某放大器的放大倍数为Av=1000，则其分贝表示值为 （ C ） A. 40dB B. 30dB C. 60dB D. 50dB 3．温度影响放大电路的静态工作点，使静态工作点不稳定，其主要原因是温度影响了放大电路中的 （D ） A. 电阻 B. 电容 C. 电感 D. 三极管 4．硅NPN 型BJT 处于放大状态时，其V BE 一般为 （ B ） A. 0.2V B. 0.7V C. –0.2V D. 0V 5．杂质半导体导电能力强是因为 （ D ） A ．原子增多 B. 离子增多 C. 体积增大 D. 载流子增多 6．稳压管又叫 （ B ） A ．二极管 B. 齐纳二极管 C. MOS 管 D. 整流管 7．输入信号频率等于放大电路的上限截止频率H f 时，放大倍数约降为中频时的 （ D ） A. 1/2 B. 1/3 C. 1/3 D. 1/2 8．三极管的三种基本放大电路中，基极输入、集电极输出的放大电路组态是 （ B ） A. 共集电极组态 B. 共射极组态 C. 共基极组态 D. 三种都是 9．二极管的电流和电压在某一静态工作点附近作微小变化时，可以采用以下模型分析 （ D ） A ．理想模型 B. 恒压降模型 C. 折线模型 D. 小信号模型 10．一两级放大器，第一级增益20dB ，第二级40dB ，总增益为 （ D ） A. 40 dB B. 20 dB C. –60 dB D. 60 dB 二．（10分）一个三极管放大电路中，测得BJT 三个引脚1、2、3对地电压分别为U1=0.7V ，U2=0V , U3=5V ，试分析1、2、3分别对应三极管的哪三个引脚，此BJT 为NPN 还是PNP 管，是硅管还是锗管。 1-----基极、2-----发射极、3-----集电极。 此BJT 为NPN 硅管。 三．（15分）二极管电路如图1，二极管是理想的（采用理想模型）， （1）分析二极管的导通条件，即 i v 在什么范围内二极管导通，在什么 范围内二极管截止（6分） （2）分别画出二极管导通和截止时，图1的等效电路（4分） （3）若t v i ωsin 5=（V ），绘出o v 的波形（5分）。 图1
电工学期末考试试题 4. 已知 u =220 Jsin （314t - 135 V ，则有效值 U = _____ V ，周期 T 二 _______ s ，初相位二 ______ t = 0.01s 时，u 二 ____ V o 5. 已知变压器的变比为4:1，测得次绕组中的电流l 2=4A ，则原绕组中的电流h 二 ____________ A o 6. 一台三相异步电动机，定子电压的频率为 f^50H Z ，极对数p=1，转差率s = 0.015。则同步转 速n 0二 ________ r /min ,转子转速 n 二 ___ r /min ，转子电流频率 f 2二 _______ H Z 。 、选择题（每题2分，共20 分） 1. 电路如图4所示，其KVL 方程正确的是（ ） 2. 图5所示电路中U AB 为（ ）V 3. 电路如图6所示，叙述正确的是（ ） A. 电流源吸收功率，电压源发出功率 C.电流源发出功率，电压源吸收功率一、填空题 1.电路如图 （每空2分，共24分） 1所示，U ab b J Q — 5V - 图1 2.各支路电流如图2所示, 3.各电阻值如图3所示，则端口等效电阻R ab - Q o A. U S RI U =0 B. Us RI -U =0 C. U s -RI U =0 D. U s - RI -U =0 B. 1.5 C. 2 D. 2.5 + O ------- 10V C )( )5/ A — 5Q — 1QQ | B Q B.电流源和电压源都吸收功率 D.电流源和电压源都发出功率 A. 1.25 21' 1 图5 10V
《模拟电子技术基础（1）》期末试题 （A 卷）参考答案及评分标准 一、填空（每空1分，共20分） 1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结 正偏 、集电结 反偏 。 2. 放大器级间耦合方式有三种： 直接 耦合； 阻容 耦合； 变压器 耦合；在集成电路中通常采用 直接 耦合。 3. 差分放大器的基本特点是放大 差模信号 、抑制 共模信号 。 4. 乙类推挽放大器的主要失真是 交越失真 ，要消除此失真，应改用 甲乙 类推挽放大器。 5. 图1所示两级放大电路，图中级间采用 阻容 耦合方式，1T 接成 共基 组态，2T 接成 共集 组态，1R 和2R 的作用是 为T1管提供基极偏置 。 6. 在阻容耦合放大器中，若要降低下限频率，应将耦合电容的值 增大 。 7. 共射－共基组合电路中，由于共射电路的上限频率 小于 共基电路的上限频率，故此组合电路的上限频率主要取决于 共射 电路。 8. 负反馈系统产生自激的条件是1)(-=ωj T ，相应的振幅条件是1)(=ωj T ，相位条件是()πω?±=T 。
二、简答（共3小题，每小题5分，共15分） 1. 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图2所示 （1）判断它们各是NPN 管还是PNP 管，在图中标出e ，b ，c 极； 答：见图中标识（判断NPN 管还是PNP 管各1分，标出e ，b ，c 极1分， 共3分） （2）估算(b)图晶体管的β和α值。 601 .06 === B C I I β， 985.01≈+= ββα （各1分，共2分）
2.电路如图3所示，试回答下列问题 （1）要使电路具有稳定的输出电压和高的输入电阻，应接入何种负反馈？ R f 应如何接入？（在图中连接） 答：应接入电压串联负反馈（1分） R接法如图（1分） f （2）根据前一问的反馈组态确定运放输入端的极性（在图中“□”处标出），并根据已给定的电路输入端极性在图中各“○”处标注极性。 答：见图中标识（3分）（共6空，两个1分） 3.简述直流电源的主要组成部分及各部分功能。 答：直流电源主要由整流电路、滤波滤波、稳压电路组成，其中整流电路的作用是将交流电压转换为直流电压，滤波电路的作用是减小电压的脉动，稳压电路的作用是使输出直流电压基本不受电网电压波动和负载电阻变化的影响，从而获得足够高的稳定性。（组成部分3分，功能2分）
试题一 一、选择题：（每小题2分，共24分） （1）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（ B ）。 A.前者反偏、后者反偏 B .前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者正偏 （2）N 型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（ C ）。 A.电子 B.三价硼元素 C .五价磷元素 （3）为了减小零点漂移，通用型运放的输入级大多采用（ C ）。 A.共射电路 B.乙类放大电路 C .差动放大电路 （4）高通滤波电路可以用于（ A ）。 A . 滤除低于某一频率的无用信号 B. 滤除高于某一频率的无用信号 C. 让低于某一频率的有用信号通过 （5）长尾式差动放大电路抑制零点漂移的主要原因是（ C ）。 A.采用了双极型电源 B.电路和参数对称性好 C .引入了电流串联型负反馈 （6）、电路如图所示，其输出电压u O 等于（ B ）。 A.i2i1u u - B .i1i2u u - C. i2i1u u + （7）当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时，放大倍数的值约下降到中频时的0.7倍,即增益下降（ A ）。 A .3d B B.4dB C.5dB （8）( B )运算电路可将三角波电压转换成方波电压。 A ．同相比例 B ．微分 C ．同相求和 （9）PN 结加正向电压时，空间电荷区将( A )。 A . 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （10）OCL 功率放大电路如图所示，当u i 为正半周时，则( A )。
A. T1导通T2截止 B. T1截止T2导通 C. T1，T2导通 （11）整流的目的是（ A ）。 A. 将交流变为直流 B. 将高频变为低频 C. 将正弦波变为方波（12）电路如图所示，二极管D为理想元件，输入信号u i为如图所示的三角波，则输出电压u o的最大值为（ B ）。 A. 5 V B. 7 V C. 2 V 二、填空题：（总16 分，每空 2 分） （1）、一只晶体管在放大电路中，用万用表测出管脚对地电压分别是：A脚为12伏，B脚为11.7伏，C脚为6伏，则该管为PNP型锗管，A为e 极，B为 b 极，C为 c 极。 （2）工作在放大区的晶体管，当I B从10μA增大到20μA，I C从1mA增大到2mA，它的β为 100 。 （3）由于不易制造大容量电容，集成电路采用直接耦合放大方式。
模拟电子技术基础期中考试 系（专业）________班 学号____________姓名________ ____________________________________________________________________________ 一、选择题(本题满分27分)： 1. 在图1所示的稳压电路中，稳压管的稳定电压为8V ，稳 压管电流小于2mA 时不能稳压。为了使稳压管起稳压作 用，则负载电阻R L 应大于 【 】 A. 4 k Ω B. 1 k Ω C. 800Ω D. 667Ω 2. 图2为场效应管电路和它的输出特性曲线，若R g =1M Ω，R d =5 k Ω，则从图中可知场效应管工作在 【 】 A. 可变电阻区 B. 放大区 C. 截止区 D. 临界饱和 图 2 3. 三极管放大电路的三种组态 【 】 A. 都有电压放大作用 B. 都有电流放大作用 C. 都有功率放大作用 D. 只有共射电路有功率放大作用 图1
4. 单管直耦放大电路如图3所示，设V CES=0V。已知A v＝－10，且当V I＝1V时，V O ＝6V，则当V I＝1.01V时，V O为【】 A. 10.1V B. 5.9V C. 6.1V D. –10.1V 图 3 图4 5. 上题中，又当V I＝0V时，V O变为【】 A. 16V B. 0V C. 10V D. 6V 6. 有一NPN三极管组成的基本共射放大电路如图4所示，在室温下工作正常，但将它 放入60℃的恒温箱中，发现输出波形失真，且幅度增大。这时电路产生了【】 A. 饱和失真 B. 截止失真 C. 饱和失真和截止失真 D. 交越失真 7. 一个理想的集成运算放大器【】 A. 只能放大交流信号，不能放大直流信号 B. 只能放大直流信号，不能放大交流信号 C. 只能放大差模信号，不能放大共模信号 D. 只能放大共模信号，不能放大差模信号
电工学-下册（电子技术）第六版-秦曾煌期末考试试题
电工学期考试卷01-电子技术B 一、填空题：（每空2分，共30分） 1. 晶体三极管工作在放大状态时，其发射结处于正向偏 置，集电结处于反向偏置。 2. 放大电路中，若想要减小输入电阻，应引入并联负反 馈；若想要增加输出电阻，应引入 电流 负反馈。 3. 理想运算放大电路工作在线性区时，有 虚断 和 虚短 两个重要概念。 4. 已知变压器二次侧电压U =10V,采用单相半波整流电路， 二极管承受的最高反向压降 -M = 14.1 V 若采用单相桥 式整流电路，则二极管承受的最高反向压降U RM = 14.1 V 5. （57.5） 10=（ 111001.1 ） 2=（ 39.8 ） 16。 6. 三变量的逻辑函数共有_8—个最小项。其全部最小项之 和为J_。 7. TTL 三态门的输出包括 高电平、低电平和 高阻态 等 三 种工作状态。 二、选择题：（每题2分，共12分） 2. 工作在甲 乙类状态的互补对称功率放大电路， 通常提供 一个偏置电路以克服（D ）失真 3. 电路如图1所示，引入的反馈为（ A 、电压并联 B 、电流并联 C 、电压串联 D 电流串联 1. 某硅三极管三个电极的电 位 3.7V 和6V ,则该管工作在（ A 、饱和 B 、截止 Ve Vb 和Vc 分别为3V 、 A ）状态。 C 、放大 D 损坏 A 、截止 越 B 、饱和 C 、截止和饱和 D 、交 C D ）个触发
4.下列电路中属于时序逻辑电路的是（ A、加法器 B、编码器 C译码器D计数器 5.构成一个十二进制的计数器，需要（
昆明冶金高等专科学校试卷(A) 学院: 专业: 课程: 考试学期: 年季学期考试时间: 分钟试卷类别: 闭卷 行政班级: 学生姓名: 学号: 一、填空题(每空1分,共30分) 1. PN结正向 ,反向 ,具有性。 2.三极管按其结构可分为与。 3.三极管的三种工作状态就是、与。 4.三极管处于放大状态的外部工作条件就是。 5.当环境温度下降时,会导致三极管的集电极电流 Ic 。 6.多级放大电路常用的耦合方式有、与。 7.差动放大电路的主要功能就是可以有效抑制。 8.功率放大电路从其静态工作点的设置情况可分为、 与三种类型。 9.OTL功放的含意就是。 10.集成运算放大器的输入级常采用电路,中间级常采 用电路,输出级常采用电路。11.理想集成运算放大器的两条重要性质就是 与。 12.振荡电路能够起振的条件就是与。
13.LC振荡电路的振荡频率为。 14.直流稳压电源主要由、、与 四个部分构成。 二、判断题(每题1分,共12分) 1.当PN结承受正向电压时,内电场被削弱,空间电荷区变宽。( ) 2.二极管两端承受正向电压时,一定会导通。 ( ) 3.NPN型三极管工作于放大状态时,E极电位最高。 ( ) 4.三极管的Au体现了其电流放大功能。 ( ) 5.开关三极管工作于截止区与饱与区。 ( ) 6.三极管的β值越高越好。 ( ) 7.多级放大电路的总放大倍数等于各级放大倍数之与。 ( ) 8.电压负反馈可以稳定输出电流。 ( ) 9.放大电路的通频带越宽越好。 ( ) 10、单管共射放大电路,输出与输入电压相位差0度。 ( ) 11、共基放大电路,输出与输入电压相位差90度。 ( ) 12、为消除乙类功放的交越失真,应使其工作在甲乙类。 ( ) 三、选择题(每题2分,共10分) 1、能将矩形波转变成三角波的电路就是( ) A、比例运算电路 B、微分运算电路 C、积分运算电路 D、加法电路 2、如要求能放大两个信号的差值,又能抑制共模信号,采用( )方式的电路: A、反相输入 B、同相输入 C、双端输入
-------------------------------------密-----------------------封-----------------------线--------------------------------- 系部___________ 班级___________ 考场_________ 姓名______________ 学号_________ 一、 选择题：（共得分 评卷人 1.下列各物理量中，不能用伏特衡量其大小的是A ．电动势 2.描述单位时间内通过导体某横截面的电荷多少之物理量及其国际标准单位分别是______。 A ．电量，库仑 3.电流的实际方向与产生这一电流的电子运动方向A ．相同 B ．相反 4.直流两端网络如下列四图所示。其中的性质的是______。 5.下列关于电器额定值、实际值的说法正确的是A ．额定值就是实际值B ．照明负载额定值就是实际值C ．电机额定值就是实际值D ．为保证设备的安全和寿命，实际值应该等于或小于额定值 6.如图所示，c 点电位A ．-2 B ．2 C ．12 D ．-5 7.如图，某局部电路，I 1=______A 。 A ．-1 B ．4 C ．5 D ．-4 8.如图，U AB =______。 A ．0 V B ．25 V C ．-25 V D ．50 V 9.某直流电阻电路如图，已知V A =24 V ，E =12 V ，I E =2 A ，R 1= R 2= 4 Ω，则V B =______V 。 题号 一 二 三 四 五 六 七 八 总分 得分
A．8 B．-8 C．32 D．4 10.电路如图，已知：R2= 3 R3，R1= 5 R3，I3=3 A，则I1=______。 A．4 A B．1.33 A C．0.67 A D．5 A 11.某具有内阻的直流电源与负载电阻构成的简单供电网络如图，当开关SA打开及闭合时，电压表的读数分别为24 V、20 V ，若R L =1 Ω，则内阻R0=______。A．2 Ω B．0.4 Ω C．0.2 Ω D．0.33 Ω 12.一段含源支路如图，其电流I的表达式为______。A． R U E I - = B． R U E I + = C． R E U I - = D． R U E I - - = 13.已知发电机电动势为115 V ，内阻为0.5 Ω，仅给一电炉子供电。电炉子的阻值为20 Ω，则电炉子的端电压为______。 A．115 V B．112.2 V C．100V D．117.9 V 14.图示电路中I4=______ A．6 A B．8 A C．10 A D．0 A 15.电冰箱工作时，实际消耗的电功率是100 W，假设它的停歇时间与工作时间之比为3，一个月（按30天计）电冰箱消耗电能是______。 A．72 kW·h B．18 kW·h C．36 kV A D．36度
电工学期末考试试题 一、填空题（每空2分，共24分） 1.电路如图1所示，= ab U V，若选a点为参考点，则b点的电位 V=V。 2.各支路电流如图2所示，则= I A。 3.各电阻值如图3所示，则端口等效电阻= ab RΩ。 4.已知135) u t V =-o，则有效值U=V，周期T=s，初相位=， 0.01 t s =时，u=V。 5.已知变压器的变比为4:1，测得次绕组中的电流 2 4 I A =，则原绕组中的电流 1 I=A。 6.一台三相异步电动机，定子电压的频率为 1 50 Z f H =，极对数1 p=，转差率0.015 s=。则同步转 速 n=/min r,转子转速n=/min r，转子电流频率 2 f= Z H。 二、选择题（每题2分，共20分） 1.电路如图4所示，其KVL方程正确的是（）。 .0 S A U RI U ++=.0 S B U RI U +-=.0 S C U RI U -+=.0 S D U RI U --= 2.图5所示电路中 AB U为（）V . 1.5 B.2 C. 2.5 D
3.电路如图6所示，叙述正确的是（ ）。 .A 电流源吸收功率，电压源发出功率 .B 电流源和电压源都吸收功率 .C 电流源发出功率，电压源吸收功率 .D 电流源和电压源都发出功率 4.若将同一白炽灯分别接入到220V 直流电源和有效值为220V 的交流电源上，则（ ）。 .A 接至直流电源时较亮 .B 接至交流电源时较亮 .C 两者亮度相同 .D 以上答案均不正确 5.下列哪个表达式成立？（ ） V e V t u A j ο ο 604)60sin(4. -=-=ω V t V e U B j )30sin(255. 30οο +==? ω V u C ο 458. -∠= V U D ο 3010. -∠=? 6.电感和电容均为理想元件的正弦交流电路中，下列表达式正确的是（ ）。 .A I CU ω= .m m L B U jX I ? ? =- .C U j I C ω? ? =- .m m D I LU ω= 7.三角形接法的对称三相负载接至相序为C B A 、、的对称三相电源上，已知相电流A I AB ο010∠=? 则线电流A I ? =( ) A 。 . 30A o . 30B -o . 10/30C o . 10/30D -o 8.下列说法中不符合 R 、L 、C 串联谐振特征的是( )。 .A 电路对电源呈现电阻性 .B 电路的阻抗模最大 .C L C U U = .D 电流最大 9.三相异步电动机转动的原理是（ ）。 .A 定子磁场与定子电流的相互作用 .B 转子磁场与转子电流的相互作用 .C 旋转磁场与转子电流的相互作用 .D 旋转磁场与定子电流的相互作用 10.Y- ?换接起动起动转矩=Y st T ( )ΔS t T 。 . 1/3A . 1/B . C . 3D 三、分析计算题（5小题，共56分） 1.有源二端网络N 的开路电压0U 为9V ，若联接如图7()a 所示，则得电流为1A 。若联接成图7()b 所示，当电流源电流为1A ，求电路中的电流I 为多少？(10分) 图6
物理与电信工程学院2011－2012学年（二）学期期中考试 《模拟电子电路》试题 年级班级姓名学号 一、填空题(9小题，每空1分，共28分) __变大_____，发射结压降变 1. 当温度升高时，晶体三极管集电极电流I c 小，共射电流放大倍数___变大______。 2. PN结正偏时导通，反偏时截止，所以PN结具有单向导电性。 3. 本征半导体掺入 +5 价元素可生成N型半导体，其少数载流子的浓度主要取决于空穴，二极管的最主要特性是单向导电性。 4.NMOS管的衬底是__P______型半导体，使用时应接到比源极和漏极电位___低_____的电位上。 5. 某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入12kΩ的负载电阻后，输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为 4kΩ。两级放大电路的第一级电压放大倍数为100，即电压增益为40 dB，第二级电压增益为26dB，则两级总电压增益为66 dB。 R0 //R L / R0 =3/4 解得R0=4kΩ 6.在共射、共集、共基三种基本放大电路中，可以放大电压、不能放大电流的是__共基_____，不能放大电压、可以放大电流的是__共集_____，输入电阻最小的是__共基_____，输出电阻最小的是__共集_____。 7. 结型场效应管的栅源极间必须加_反向______偏置电压才能正常放大；P沟道MOS管的栅源极间必须加__反向____偏置电压才能正常放大。 8. 三极管的共射输出特性可以划分为三个区：饱和区、截止区和放大区。为了对输入信号进行线形放大，避免产生严重的非线形性失真，应
使三极管工作在放大区内。当三极管的静态工作点过分靠近截止区时容易产生截止失真，当三极管的静态工作点靠近饱和区时容易产生饱和失真。 9. 二极管电路如图所示，设二极管具有理想特性，图中二极管是V1截止，V2导通(导通还是截止)，U AO= -6 V。 二、判断题（8小题，每题1分，共8分） 1. 双极型三极管是电流控制器件，场效应管是电压控制器件。 ( 对 ) 2. 半导体中的空穴带正电。（对） 3. P型半导体带正电，N型半导体带负电。（错） 4. 因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（错） 5. PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（对） 6. 处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（错）。 7. 若耗尽型N沟道MOS管的U 大于零，则其输入电阻会明显变小。（错） GS 8. 只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。（错） 三、选择题（10小题，每空2分，共30分） 1. N型半导体主要是依靠（ A ）导电。 A、电子 B、空穴 C、少数载流子 D、原子 2. 共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（B），此时应该（ E ）偏置电阻。 A、饱和失真 B、截止失真 C、交越失真 D、增大 E、减小 3. 在（A）、（B）、（C）三种电路中输入电阻最大的电路是（ B ），既能放大电流，又能放大电压的电路是（ C ）。
一、 选择题（将一个正确选项前的字母填在括号内）（每小题2分、共30分） 1． 在一个NPN 管组成的基本共发射极放大电路中，当输入幅度为5mV ，频率为1kHz 的正弦波时，输出电压波形出现了顶部削平失真 （1）这种失真是 ( ) A. 饱和失真 B. 截止失真 C. 交越失真 D. 频率失真 （2）为了消除这种失真应 ( ) A. 减小集电极电阻R C B. 减小电源电压U CC C. 增大基极电阻R B D. 减小基极电阻R B 2．放大电路的空载是指 ( ) A. R C ＝0 B. R C ＝∞ C. R L ＝0 D. R L ＝∞ 3．若要增大某放大器的输入电阻和使输出电流稳定，可加入下列负反馈： ( ) A.电流串联 B.电压串联 C.电流并联 D.电压并联 4．甲乙类功率放大器在输入信号整个周期中，管子只导通 ( ) A.一个周期 B.半个周期 C.大于半个周期小于一个周期 5．欲将方波电压转换成三角波电压，应选用 ( ) A.反相比例运算电路 B. 同相比例运算电路 C.微分电路 D.积分电路 6．三端稳压电源输出正电源并可调的是 （ ） A ．CW78XX 系列 B ．CW337系列 C ．CW317系列 7．在单相桥式整流电容滤波电路中，则负载上的电压 （ ） A ．U 2 B ．1.2U 2 C ．1.414U 2 D ．2U 2 8．开关型直流电源比线性直流电源效率高的原因是 （ ） A ．调整管工作在开关状态 B ．输出端有LC 滤波电路 C ．可以不用电源变压器 9． 有220V 、25W 的电烙铁，其电源控制电路如图所示，烙铁温度最高的是 （ ） A ．S 1、S 2均接通 B ．S 1断开，S 2接通 C ．S 1接通，S 2断开 D ．S 1、S 2均断开 10．若稳压二极管V 1和V 2的稳定电压为6V 和10V ，则下图的输出电压 （ ） A. 10V B. 6V C. 16V D. 4V 11. 如图所示为示波器测量正弦波波形参数的画面，若“TIME/DIV ”的指示值是5μs ，则所测 正弦波的频率为 （ ） A ．100kHz B ．50kHz C ．25kHz D ．20kHz 12. 若载波u C (t)=U C cos ωC t,调制信号u Ω(t)= U Ωcos Ωt ，则双边带调幅波的表达式为（ ） A ．u DSB (t)=U C cos （ωC t ＋m a sin Ωt ） B ．u DSB (t)=U C cos （ωC t ＋m a cos Ωt ） C ．u DSB (t)=U C （1＋m a cos Ωt ）cos ωC t D ．u DSB (t)=kU ΩU C cos ωC tcos Ωt 13. 鉴相的描述是 （ ） A ．调幅信号的解调 B ．调频信号的解调 C ．调相信号的解调 14．下图所示框图能实现何种功能？ （ ） 其中u s (t)= U s cos ωc tcos Ωt ， u r (t)= U r cos ωc t A ． 振幅调制 B ． 检波 C ． 混频 D ． 鉴频 15. MC1596集成模拟乘法器可以用作 （ ） A ．混频 B ．频率调制 C ．相位调制 二、填空题（每空1分，共14分） 1．测得某正常线性放大电路中晶体管三个管脚x 、y 、z 对地的静态电压分别为6.7伏、2.4伏、1.7伏，则可判断出分别为三极管的_______极、_______极、________极。 2．已知某放大电路的第一级电压增益为40dB ，第二级电压增益为20dB ，总的电压增益为____________dB 。 3．差动放大电路中共模信号是指 。 4．调幅波的几种调制方式是 、 、 和 。 5．在图所示电路中，调整管为 ，采样电路 由 组成，基准电压电路由 组 成， 比较放大电路由 组成， 输出电压最小值的表达式 。 常州信息职业技术学院 学年第 学期 模拟电子线路 课程期末试卷 班级 姓名 学号 成绩 装 订 线
模拟电子技术基础期中试卷解答 系（专业）________班 2005年12月10日 ____________________________________________________________________________ 一、选择题(本题满分27分)： 1. 在图1所示的稳压电路中，稳压管的稳定电压为8V，稳 压管电流小于2mA时不能稳压。为了使稳压管起稳压作 用，则负载电阻R L应大于【C】 A. 4 kΩ B. 1 kΩ 图1 C. 800Ω D. 667Ω 2. N沟道结型场效应管工作在线性放大区时，【C】 A. V GS为正电压，V DS为正电压 B. V GS为正电压，V DS为负电压 C. V GS为负电压，V DS为正电压 D. V GS为负电压，V DS为负电压 3. 图2为场效应管电路和它的输出特性曲线，若R g=1MΩ，R d=5 kΩ，则从图中可知场 效应管工作在【A】 A. 可变电阻区 B. 放大区 C. 截止区 D. 临界饱和 图 2
4. 三极管放大电路的三种组态【C】 A. 都有电压放大作用 B. 都有电流放大作用 C. 都有功率放大作用 D. 只有共射电路有功率放大作用 5. 单管直耦放大电路如图3所示，设V CES=0V。已知A v＝－10，且当V I＝1V时，V O＝ 6V，则当V I＝1.01V时，V O为【B】 A. 10.1V B. 5.9V C. 6.1V D. –10.1V 图 3 图4 6. 上题中，又当V I＝0V时，V O变为【C】 A. 16V B. 0V C. 10V D. 6V 7. 有一NPN三极管组成的基本共射放大电路如图4所示，在室温下工作正常，但将它 放入60℃的恒温箱中，发现输出波形失真，且幅度增大。这时电路产生了【A】 A. 饱和失真 B. 截止失真 C. 饱和失真和截止失真 D. 交越失真 8. 为了使高输出电阻的放大电路与低阻值的负载很好地配合，可以在放大电路与负载 之间接入【B】 A. 共射电路 B. 共集电路 C. 共基电路
1.某个处于放大状态的电路，当输入电压为1０mV,输出电压 为6.5Ｖ,输入电压为１5mV时，输出电压为7V(以上均为直 流电压),它的电压增益为( Ｃ) ａ、70０b、6５0 ｃ、100 d、－１０0 2.当输入信号频率为f L或ｆH时,电压增益的幅值约下降为中 频时的( Ｂ） ａ、05. b、0．７c、0．9 ｄ、１ 3.当输入信号频率为fL或ｆH时, 电压增系下降了( B )。 Ａ、2 ｄＢB、3ｄＢC、４ｄＢD、6dB 4.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接3KΩ 的负载 电阻后输出电压降为３V,这说明放大电路的输出电阻为（C) ａ、１0KΩb、2KΩｃ、1 KΩｄ、0．5KΩ 5.用两个A U相同的放大电路A和B分别对同一个具有相同内阻的电压 信号进行放大，测试结果输出电压V OＡ>ＶOＢ,由此可知A比B（ B ） a、一样 b、差 c、好 d、无法判别 6.用两个放大电路A和Ｂ分别对同一电压信号进行放大。当输出端开路时Ｖ =V OB,都接入负载R L时，测得V OＡ a、虚短 b、虚断ｃ、虚地d、以上均否 8.如图示,运放Ａ为理想器件,则其输出电压V0为（A ） a、０V b、３V c、6Ｖｄ、9Ｖ 9.如图示,运放Ａ为理想器件，则其输出电压V O为（Ｃ) a、9Ｖｂ、6Vｃ、0V d、3Ｖ 10.设ＶN、V P和Ｖ0分别表示反相输入端、同相输入端和输 出端，则V0与V N、V P分别成( Ｄ) a、同相、同相 b、反相、反相 c、同相、反相 d、反相、同相 11.若要将幅度为±Uｍ的矩形波转变为三角波，则应选用( D ) A、反相比例运算电路?Ｂ、同相比例运算电路?C、微分运算电路 D、积分运算电路 半导体 12.N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的( Ｄ)。 ａ、电子b、空穴c、三价硼元素d、五价磷元素 13.半导体中有两种载流子，它们分别是（Ｃ) ａ、电子和受主离子b、空穴和施主离子 c、电子和空穴 d、受主离子和施主离子 14.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( B ） a、温度 b、杂质浓度 c、掺杂工艺ｄ、晶体缺陷 15.在室温附近，当温度升高时,杂质半导体中浓度明显增加是（C ） a、载流子ｂ、多数载流子c、少数载流子d、正负离子
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