2011/2012（一）学年
《模拟电子技术基础》期中考试试题
姓名 学号 班级 任课教师
一．判断题（正确的在括号内画√，错误的画×，共15分）
1．N 型半导体可以通过在纯净半导体中掺入三价硼元素而获得。 （ × ）
2．稳压管是一种特殊的二极管，它通常工作在反向击穿状态。 （√ ）， 3. 三极管的外部电流关系是B C
i i β=，这是一个线性方程，所以三极管是线性器件。（ × ）
4．为了保证晶体管BJT 工作在线性放大区，其发射结和集电结都应加上正向偏置电压。（ × ）
5．测出某三极管的共基电流放大系数α小于1，表明该管子没有放大能力。 （ × ）
6．绝缘栅场效应管的栅极静态输入电流比结型场效应管的大。 （×）
7. 小功率场效应晶体管在使用中，其源极和漏极可以互换。 （ √ ）；
8．双极型晶体管具有NPN 或PNP 对称结构，发射极和集电极可以互换。 （ × ）
9．晶体管的输入电阻rbe 是一个动态电阻，所以它与静态工作点无关。 （ × ）
10．在共射放大电路中，当负载电阻RL 减小，电压放大倍数下降。 （ √ ）
11．共集放大电路电压放大倍数小于1，所以不能实现功率放大。 （ × ）
12．如果输入级是共集放大组态，则输入电阻与后级有关。 （ √ ）
13．放大直流信号，只能采用直接耦合方式。 （ √ ）
14．放大交流信号，只能采用阻容耦合方式或变压器耦合方式。 （ × ）
15．一个NPN 管和一个PNP 管可以复合成NPN 管也可以复合成PNP 管。 （ √ ）
二、填空题：（每小题2分，共20分，）
1. P 型半导体的多数载流子为 空穴 ，少数载流子为 电子 。
2. 一个由NPN 型BJT 组成的共射极组态的基本交流放大电路，如果其静态工作点偏低，
则随着输入电压的增加，输出将首先出现 截止 失真；如果静态工作点偏高，则随着输入电压的增加，输出将首先出现 饱和 失真。
3. 已知某三极管的P CM ＝800mW ，I CM ＝500mA,，BR(CEO)V ＝30V 。若该管子在电路中工作
电压V CE ＝10V ，则工作电流I C 不应超过 80 mA ；若V CE ＝1V ，则I C 不应超过 500 mA 。
4. 场效应管栅极的静态输入电流比双极型晶体管基极的静态输入电流 小 ；绝缘栅
型场效应管栅极的静态输入电流比结型场效应管的 小 。
5. 某放大电路在负载开路时的输出电压的有效值为5V ，接入2kΩ负载电阻后，输出电压
有效值降为2.5V ，这说明放大电路的输出电阻R 0 = Ωk 2 。
6. 在共射、共基、共集三种基本放大电路组态中，希望从信号源索取电流小，应选用 共
集组态 放大电路；既能放大电压，又能放大电流，应选用 共射组态 放大电路； 7. 在三级放大电路中，已知各级电压放大倍数分别是251=v A 、1002=v A 、403=v A ，则三
级放大电路=v A 105 折合为 100 dB 。
8. 放大电路对高频信号的放大倍数下降，主要是因为 C 晶体管的极间电容和分布电容
的影响；低频时放大倍数下降，主要是因为 A 耦合电容和旁路电容 的影响。 9. 已知某共发射极放大电路的对数幅频特性如图所示，当信号频率f ＝1KHz 时，电压增
益Au 为40dB ，则当信号频率f ＝10 6 Hz 时，电压增益 Au 实际约为_______37 _____ dB 。此时，对应相频特性上的相位约为__-225_____度。
f Hz
10. 交流放大电路和三极管的输出特性、交、直流负载线如图所示, 负载上获得的最大不
失真输出电压的峰峰值是 3 V
)
(V .0.1.1.2.2.3A
μ
-
O
三、选择题：（每小题2分，共20分，）
1．本征半导体在温度升高后， C 。
A 、自由电子数目增多，空穴数目基本不变；
B 、空穴数目增多，自由电子数目基本不变；
C 、自由电子和空穴数目都增多，且增量相同；
D 、自由电子和空穴数目基本不变。 2． 当PN 结外加正向电压时， 扩散电流 A 漂移电流， 耗尽层
E A ．大于， B ．小于， C ．等于， D ．变宽， E ．变窄，
F 不变
3．用直流电压表测得放大电路中某三极管各管脚电位分别是2V 、6V 、2.7V ，则三个电极分别是 C 。
A 、（
B 、
C 、E ） B 、（C 、B 、E ） C 、（E 、C 、B ）
4．测得某硅晶体三极管的电位如图所示，判断管子的工作状态 是（ C ）。 A ．放大状态 B ．截止状态 C ．饱和状态 D ．击穿状态
5．在如图所示电路中，电阻E R 的主要作用是 B 。 A ．提高放大倍数 B ．稳定直流静态工作点 C ．稳定交流输出 D ．提高输入电阻
u s
1.3V
6．场效应管是一种（ A ）
A ．电压控制器件
B ．电流控制器件
C ．双极型器件
D ．少子工作的器件
7．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。
A.P 沟道增强型MOS 管
B.P 沟道结型场效应管
C.N 沟道增强型MOS 管
D.N 沟道耗尽型MOS 管
8．如下图所示为放大电路及输出电压波形，若要使输出电压0u 波形不失真，则应 B 。
A 、C R 增大
B 、B R 增大
C 、B R 减小
D 、β增大
9．试判断图中复合管的接法哪些是错误的 管②
5
10. 下图所示电路不能正常放大，图中错误连接有 A
A 、电容C 的位置
B 、电源Vcc 的极性
C 、 C2的极性
D 、 Ce 的极性
