1章 模电常用半导体器件题解

第一章 半导体器件1.1 选择填空（只填a,b,c,…,以下类同）(1) N 型半导体中多数载流子是 b ，P 型半导体中多数载流子是 a 。

（a.空穴，b.电子）(2) N 型半导体 c ，P 型半导体 c 。

（a.带正电，b.带负电，c.呈中性） (3) PN 结中扩散电流的方向是 a ，漂移电流的方向是 b 。

（a.从P 区到N 区，b. 从N 区到P 区）(4) 二极管的伏安特性是I= c 。

（a.KU 2，b. KU 3/2，c. )1(/−T U U e K ）(5) 当PN 结外加反向电压时，扩散电流 b1 漂移电流；（a1.大于，b1.小于，c1.等于）此时耗尽层 a2 。

（a2.变宽，b2.变窄，c2.不变）(6) 变容二极管 c1 ；（a1.是二极管，b1. 不是二极管，c1. 是特殊二极管）它工作在 b2 状态。

（a2.正偏，b2.反偏，c2.击穿）(7) 晶体管工作在放大区时，b-e 间为 a ，b-c 间为 b ，工作在饱和区时b-e 间为 a ，b-c 间为 a 。

（a.正向偏置，b.反向偏置，c.零偏置） (8) 工作在放大区的某晶体管，当I B 从20µA 增大到40µA 时，I C 从1mA 变成2mA。

它们的β约为 b 。

（a.10，b.50，c.100）(9) 场效应管主要是通过改变 b1 （a1.栅极电压，b1. 栅源电压，c1. 漏源电压）来改变漏极电流的，所以是一个 b2 （a2.电流，b2.电压）控制的 a3（a3.电流源，b3. 电压源）。

(10) 用于放大时，场效应管工作在特性曲线的 b 。

（a. 击穿区，b.恒流区，c.可变电阻区）1.2 假设一个二极管在50℃时的反向电流为10µA，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。

解：据已知可得)(25.12102)50()20(3105020A C I C I oS oS µ=×=×=−− )(802102)50()80(3105080A C I C I oS oS µ=×=×=−1.3 某二极管的伏安特性曲线如图(a)所示:（1）如在二极管两端通过1KΩ的电阻上加1.5V 的电压,如图(b)所示,此时二极管的电流I 和电压U 各为多少?（2）将图(b)中的1.5V 电压改为3V,则二极管的电流I 和电压U 各为多少?解：（1）图(b)示二极管的外特性方程为:U=E-IR=1.5-I。

第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时，锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和pA 。

如将此两个二极管串联起来，有1μA 的正向电流流过，试问它们的结电压各为多少？ 解：二极管正偏时，TD U U S eI I ≈ ， ST D I I lnU U ≈ 对于硅管：mV 6.179A1mA1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管：mV 8.556pA5.0mA1ln mV 26U D =≈1-2 室温27C 时，某硅二极管的反向饱和电流I S =。

（1）当二极管正偏压为时，二极管的正向电流为多少？（2）当温度升至67C 或降至10C -时，分别计算二极管的反向饱和电流。

此时，如保持（1）中的正向电流不变，则二极管的正偏压应为多少？ 解：（1）mA 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-（2）当温度每上升10℃时，S I 增加1倍，则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃)，30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时，mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1-3（a ）所示，二极管伏安特性如图P1-3（b ）所示。

已知电源电压为6V ，二极管压降为伏。

试求： （1）流过二极管的直流电流；（2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。

解：（1）mA 53100V7.06I D =Ω-=（2）Ω===Ω==49.0mA 53mA 26I mA 26r 2.13mA53V7.0R D D D1-4 当T=300K 时，硅二极管的正向电压为，正向电流为1mA ，试计算正向电压加至时正向电流为多少？ 解：mA26mA 800SmA26mA 700SU U S e II e I 1mA eI I TD ⨯=⨯=≈则 mA 35.1e I TU 100=≈1-5 双极型晶体管可以等效为二只背靠背的二极管，如图P1-5所示。

实用文档模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。

( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。

( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保R大的特点。

( √ )证其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。

( × )(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。

模电复习重点第1章常用半导体器件自测题一、判断以下说法能否正确，用“×〞和“√〞表示判断结果填入空内。

( 1)在N型半导体中假如掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。

(√)( 2)因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

(×)〔电中性〕(3)PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

(√)( 4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。

(×)〔基区非平衡少子〕( 5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层蒙受反向电压，才能保证其R GS大的特色。

(√)(6 )假定耗尽型N沟道MOS管的U GS大于零，那么其输入电阻会显然变小。

(×)二、选择正确答案填入空内。

(l)PN结加正向电压时，空间电荷区将A。

(2 )稳压管的稳压区是其工作在C。

(3 )当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为B。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4)UGS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A、C。

管习题选择适合答案填入空内。

在本征半导体中参加(A)元素可形成N型半导体，参加(C)元素可形成P型半导体。

A.五价B.四价C.三价(2)当温度高升时，二极管的反向饱和电流将(A)。

A.增大B.不变C.减小工作在放大区的某三极管，假如当I B从12uA增大到22uA时，I C从lmA变成2mA，那么它的β约为(C)。

-1-(4)就地效应管的漏极直流电流I D从2mA 变成4mA时,它的低频跨导g m将(A)。

A.增大；B.不变；C.减小电路以下列图，u i10sin t(V)，试画出u i与u o的波形。

设二极管导通电压可忽视不计。

图解图解：u i与u o的波形如解图所示。

电路以下列图,二极管导通电压U D=0.7V,常温下U T26mV，电容C对沟通信号可视为短路；u i为正弦波，有效值为10mV。

试问二极管中流过的沟通电流的有效值为多少？解：二极管的直流电流I D (VU D)/R其动向电阻:r D U T/I D 10 图故动向电流的有效值：I d U i/r D1mA现有两只稳压管，稳压值分别是6V和8V，正导游通电压为。

模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。

( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。

( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R大的特点。

( √)其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。

( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。

第 1 章常用半导体器件一、选择题 (6 小题 ,共 10.0 分 )(02 分 )1.从括号中选择正确答案，用 A 、B 、 C、填空。

在纯净半导体中掺入三价硼元素后，形成____（A ．P 型B． N 型）半导体；其导电率（ C．增大，D．减小，E．不变）；这种半导体的多数载流子是____，少数载流子是 ____ （ F．空穴，G．自由电子）。

(01 分 )2.选择正确的答案用A、 B 、C 填空。

随着温度升高，晶体管的电流放大系数____，穿透电流____，在IB 不变的情况下 b-e 结电压 U BE____。

（ A．增大，B．减小，C．不变）(02 分 )3.选择正确的答案用 A 、 B 、C填空。

随着温度升高，晶体管的共射正向输入特性曲线将_______________ ，输出特性曲线将 _______________，输出特性曲线的间隔将 _______________ 。

（ A ．上移，B．下移，C．左移，D．右移，E．增大，F．减小，G．不变）(01 分 )4.用“大”、“小”填空：场效应管栅极的静态输入电流比双极型晶体管基极的静态输入电流_____；绝缘栅型场效应管栅极的静态输入电流比结型场效应管的____。

二、是非题 (3 小题 ,共 6.0 分 )(02 分 )1.判断以下说法的正误，用√表示正确，用×表示错误。

1．晶体三极管具有两个PN 结，因此把两个二极管反向串联起来，也能具有放大能力。

（）2．测出某晶体管的共基电流放大系数小于1，表明该管子没有放大能力。

（）3．由于晶体管的发射区和集电区的掺杂浓度不同，所以发射极和集电极互换后电流放大能力大大减小。

（）(02 分 )2.判断以下说法的正误，在相应括号内画√表示正确，画×表示错误。

1．场效应管的优点是有很高的输入电阻和很低的输出电阻。

（）2．绝缘栅场效应管的栅极静态输入电流比结型场效应管的小。

（）3．耗尽型绝缘栅场效应管的栅极静态电流比增强型绝缘栅场效应管的小。

模电第四版习题答案模拟电子技术是电子工程领域中非常重要的基础课程，其习题答案对于学生理解和掌握课程内容至关重要。

以下是模拟电子技术第四版习题的部分答案，供参考：第一章：半导体基础1. 半导体材料的导电性介于导体和绝缘体之间。

在室温下，硅的电阻率大约是1kΩ·cm，而锗的电阻率大约是0.6kΩ·cm。

2. N型半导体中，多数载流子是自由电子，而P型半导体中，多数载流子是空穴。

3. PN结的正向偏置是指给P型半导体加上正电压，N型半导体加上负电压，此时PN结导通。

第二章：二极管1. 整流二极管主要用于将交流电转换为脉动直流电，稳压二极管主要用于电路中稳定电压。

2. 一个理想的二极管在正向偏置时电阻为零，反向偏置时电阻无穷大。

3. 齐纳二极管是一种特殊类型的稳压二极管，它在反向偏置时具有稳定的电压。

第三章：双极型晶体管1. 双极型晶体管（BJT）分为NPN和PNP两种类型，其中NPN型BJT在基极-发射极结正向偏置时导通。

2. 晶体管的放大区是基极电流变化引起集电极电流变化的区域。

3. 晶体管的饱和区是指基极电流足够大，使得集电极电流达到最大值，此时晶体管不能进一步放大信号。

第四章：场效应晶体管1. 场效应晶体管（FET）的工作原理是通过改变栅极电压来控制源极和漏极之间的电流。

2. JFET（结型场效应晶体管）和MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是两种常见的FET。

3. MOSFET在截止状态下，其源极和漏极之间的电阻非常大，几乎相当于断路。

第五章：放大器基础1. 放大器的主要功能是接收一个电信号并将其转换为更大的电流或电压信号。

2. 共射放大器是最常见的BJT放大器配置之一，它具有较高的电压增益和中等的电流增益。

3. 差分放大器能够放大两个输入信号之间的差值，对共模信号不敏感。

第六章：反馈放大器1. 反馈放大器通过将输出信号的一部分反馈到输入端来稳定放大器的性能。

2. 负反馈可以提高放大器的稳定性和线性度，但可能会降低增益。

《模拟电子技术基础》典型习题解答第一章半导体器件的基础知识1.1 电路如图P1.1所示，已知u i＝5sinωt (V)，二极管导通电压U D＝0.7V。

试画出u i 与u O的波形，并标出幅值。

图P1.1 解图P1.1 解：波形如解图P1.1所示。

1.2 电路如图P1.2（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。

试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。

图P1.2解：u O的波形如解图P1.2所示。

解图P1.21.3 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。

试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值范围。

图P1.3解：稳压管的最大稳定电流 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin ，所以其取值范围为Ω=-=k 8.136.0ZZ I ～I U U R1.4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。

（1） 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值； （2） 若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象?为什么？图P1.4解：（1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。

故V33.3I L LO ≈⋅+=U R R R U当U I ＝15V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。

故LO I L5VR U U R R =⋅≈+ 当U I ＝35V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V 。

（2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。

模拟电子技术基础第1章 常用半导体器件1.9测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.9所示。

在圆圈中画出管子，并说明它们是硅管还是锗管。

图P1.9解:如解图1.9。

解图1.9第2章 基本放大电路习题2.5在图P2.5所示电路中,已知晶体管的β=80,ber =1kΩ,20iU mV = ,静态时0.7BEQ U V =,4CEQ U V =,20BQ I A μ=。

判断下列结论是否正确，在括号内打“√”和“×”表示。

(1)342002010uA -=-=-⨯ (×) (2)4 5.710.7uA =-=- (×) (3)8054001u A ⨯=-=- (×) (4)80 2.52001uA ⨯=-=- (√) (5)20120i R k k =Ω=Ω (×) (6)0.7350.02i R k k =Ω=Ω (×) (7)3i R k ≈Ω (×) (8)1i R k ≈Ω (√) (9)5OR k =Ω (√) (10) 2.5O R k =Ω (×)(11)20S U mV ≈ (×) (12)60SU mV ≈ (√)2.7电路如图P2.7所示，晶体管的β=80 ，'100bb r =Ω。

分别计算L R =∞和3L R k =Ω时的Q 点、uA 、i R 和o R 。

解：在空载和带负载情况下，电路的静态电流、be r 均相等，它们分别为：22CC BEQBEQ BQ bsV U U I A R R μ-=-≈1.76CQ BQ I I mA β=≈'26(1)1.3be bb EQmVr r k I β=++≈Ω 空载时，静态管压降、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻分别为：6.2CEQ CC CQ c U V I R V =-≈； 308c ubeR A r β=-≈-// 1.3i b be be R R r r k =≈≈Ω； 93beusube sr A A r R ≈⋅≈-+5o c R R k ==Ω3L R k =Ω时，静态管压降、电压放大倍数分别为：(//) 2.3LCEQ CC CQ c L L cR U V I R R VR R =-≈+用基尔霍夫电流定律容易理解(//)115c L u be R R A r β=-≈- 34.7be us ube sr A A r R ≈⋅≈-+ // 1.3i b be be R R r r k =≈≈Ω 5o c R R k ==Ω。

模电第1章半导体器件练习2016(有答案)二极管和三极管练习题1、N型半导体中的多数载流子是( A )，而P型半导体中的多数载流子是( B )。

A.自由电子B.空穴C.正离子D. 负离子2、要得到P型半导体，可在本征半导体硅或锗中掺入少量的( A )，要得到N 型半导体，则需要掺入少量的( C )。

A.三价元素B.四价元素C.五价元素D.六价元素3、杂质半导体中多数载流子浓度( B )。

A.只与温度有关B.取决于掺杂浓度，几乎与温度无关C.与温度无关D.与掺杂浓度和温度都无关4、PN结正偏是指( B )。

A.N区电位高于P区B.P区电位高于N区C.与外加电压无关D.P区和N区电位相等5、在常温下，硅二极管的开启电压约为( C )V。

A.0.1B.0.7C.0.5D.0.26、当温度升高时，二极管伏安特性曲线的正向部分( C )，反向特性曲线( B )。

A.上移B.下移C.左移D.右移7、理想二极管模型相当于( A )。

A.一个理想开关B.一个恒压源C.一个动态电阻D.一条斜线8、理想二极管构成的电路如图所示，则（ C ）。

A．V截止U0＝－10VB．V截止U0＝－3VC．V导通U0＝－10VD．V导通U0＝－6V9、由理想二极管构成的电路如图所示，电压U AB=( B )。

A. -3VB. -12VC. 0VD. - 15V10、理想二极管构成的电路如图，则( D )。

A.V截止U0=-4VB.V导通U0=+4VC.V截止U0=+8VD.V导通U0=+12V11、图示电路中，D1、D2为理想二极管，则ao两端的电压为（C）。

A．－3VB．0VC．1VD．4V12、图示电路，二极管VD1，VD2为理想元件，则U AB 为（ C ）伏。

A．－12VB．15VC．0VD．3V13、如图所示电路中的二极管性能均为理想，电路中的电压U AB=（C）。

A.-12VB.-3VC.-15VD.3V14、二极管电路如图所示。

模拟电子线路随堂练习第一章半导体器件作业1-1一、习题（满分100分）1.N型半导体带负电，P型半导体带正电。

（）2.以空穴为主要导电方式的半导体称为P型半导体。

（）3.PN结处于正向偏置时，正向电流小，电阻大，处于导通状态。

（）4.晶体二极管的反向电压上升到一定值时，反向电流剧增，二极管被击穿，就不能再使用了。

（）5.硅二极管两端只要加上正向电压时立即导通。

（）6.在本征半导体中，空穴和自由电子两种载流子的数量不相等。

（）7.晶体三极管的基极，集电极，发射极都不可互换使用。

（）8.晶体三极管工作在饱和状态的条件是：发射结正偏，集电结正偏。

（）9.晶体三极管有三种工作状态，即：放大状态，饱和状态，导通状态。

（）10.三极管是一种电压控制器件，场效应管是一种电流控制器件。

（）11.温度升高后，在纯净的半导体中（）。

A.自由电子和空穴数目都增多，且增量相同B.空穴增多，自由电子数目不变C.自由电子增多，空穴不变D.自由电子和空穴数目都不变12.如果PN结反向电压的数值增大（小于击穿电压），则（）。

A.阻当层不变，反向电流基本不变B.阻当层变厚，反向电流基本不变C.阻当层变窄，反向电流增大D.阻当层变厚，反向电流减小作业1-2一、习题（满分100分）1.N型半导体（）。

A.带正电B.带负电Ｃ.呈中性Ｄ.不确定2.如果二极管的正反向电阻都很大，则该二极管（）。

A.正常B.断路Ｃ.被击穿Ｄ.短路3.对于晶体二极管，下列说法正确的是（）。

A.正向偏置时导通，反向偏置时截止B.反向偏置时无电流流过二极管C.反向击穿后立即烧毁D.导通时可等效为一线性电阻4.工作在放大状态的三极管两个电极电流如图，那么，第三个电极的电流大小、方向和管脚自左至右顺序分别为（）。

A.0.03mA 流出三极管e、c、bB.0.03mA 流进三极管e、c、bC.0.03mA 流出三极管c、e、bD.0.03mA 流进三极管c、e、b5.测得电路中晶体三极管各电极相对于地的电位如图，从而可判断该晶体管工作在（）。

模拟电子技术基础第1章 常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。

(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。

A.五价B. 四价C. 三价(2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。

A.增大B.不变C.减小(3)工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。

A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。

A.增大；B.不变；C.减小1.2电路如图P1.2 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。

设二极管导通电压可忽略不计。

图P1.2 解图P1.2 解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。

1.3电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。

试画出i u 与o u 的波形图，并标出幅值。

图P1.3 解图P1.31.4电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U =0.7V ,常温下mV U 26≈，电容C 对交流信号可视为短路；i u 为正弦波，有效值为10mV 。

试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？解：二极管的直流电流()/ 2.6D D I V U R mA =-=其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω 图P1.4故动态电流的有效值：/1d i D I U r mA =≈1.5现有两只稳压管，稳压值分别是6V 和8V ，正向导通电压为0.7V 。

试问：(1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？(2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？解：(1)串联相接可得4种：1.4V ；14V ；6.7V ；8.7V 。

(2)并联相接可得2种：0.7V ；6V 。

第一章半导体二极管及其电路【教学要求】本章主要介绍了半导体的基础知识及半导体器件的核心环节—PN结。

PN结具有单向导电特性、击穿特性和电容特性。

介绍了半导体二极管的物理结构、工作原理、特性曲线和主要参数。

理想情况下，二极管相当于开关闭合与断开。

介绍了二极管的简单应用电路，包括整流、限幅电路等。

同时还介绍了稳压二极管、发光二极管、光电二极管、变容二极管。

教学内容、要求和重点见如表1.1。

表1.1 教学内容、要求和重点【例题分析与解答】【例题1-1】二极管电路及其输入波形如图1-1所示，设U im>U R,，二极管为理想，试分析电路输出电压，并画出其波形。

解：求解这类电路的基本思路是确定二极管D在信号作用下所处的状态，即根据理想二极管单向导电的特性及具体构成的电路，可获得输出U o的波形。

本电路具体分析如下：当U i增大至U R时，二极管D导通，输出U o被U R嵌位，U o=U R，其他情况下，U o=U i。

这类电路又称为限幅电路。

图1-1【例题1-2】二极管双向限幅电路如图1-2 (a)所示，若输入电压U i=7sinωt (V)，试分析并画出电路输出电压的波形。

（设二极管的U on为0.7V，忽略二极管内阻）。

图1-2解：用恒压降等效模型代替实际二极管，等效电路如图1-2(b)所示，当U i<－3.7V时，D2反偏截止，D1正偏导通，输出电压被钳制在－3.7V；当－3.7V<U i <3.7V时，D1、D2均反偏截止，此时R中无电流，所以U o=U i；当3.7V<U i时，D1反偏截止，D2正偏导通，输出电压被钳制在3.7V。

综合上述分析，可画出的波形如图1-20(c)所示，输出电压的幅度被限制在正负3.7V 之间。

【例题1-3】电路如图1-3（a），二极管为理想，当B点输入幅度为±3V、频率为1kH Z的方波，A点输入幅度为3V、频率为100kH Z的正弦波时，如图1-3（b），试画出Uo点波形。

第一章 常用半导体器件1.1 在晶体管放大电路中，测得晶体管的各个电极的电位如图1.1所示，该晶体管的类型是[ ]A.NPN 型硅管B.PNP 型硅管 C.NPN 型锗管 图D. PNP 型锗管 1.3V b1.2 某三极管各个电极的对地电位如图1-2所示，可判断其工作状态是[ ]A. 饱和B. 放大C. 截止 图1.2D. 已损坏1.3 在如图1.3所示电路中，当电源V=5V 时，测得I=1mA 。

若把电源电压调整到V=10V ，则电流的大小将是 [ ]A.I=2mAB.I<2mAC.I>2mAD.不能确定图1.31.4 在如图1-7所示电路中电源V=5V 不变。

当温度为20O C 时测得二极管的电压U D =0.7V 。

当温度上生到为40O C 时,则U D 的大小将是[ ]A.仍等于0.7VB.大于0.7VC. 小于0.7VD.不能确定图1.41.5 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 [ ]A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷1.6 对于同一个晶体管而言，反向电流最小的是 [ ]A.I CBOB.I CESC.I CERD.I CEO1.7二极管的主要特性是 [ ]A.放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性1.8 温度升高时，晶体管的反向饱和电流ICBO将[ ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定1.9 下列选项中，不属三极管的参数是[ ]A.电流放大系数βB.最大整流电流IFC.集电极最大允许电流ICM D.集电极最大允许耗散功率PCM1.10 温度升高时，三极管的β值将A.增大B.减少C.不变D.不能确定1.11 在N型半导体中，多数载流子是[ ]A. 电子B. 空穴C.离子D. 杂质1.12 下面哪一种情况二极管的单向导电性好[ ]A.正向电阻小反向电阻大B. 正向电阻大反向电阻小C.正向电阻反向电阻都小D. 正向电阻反向电阻都大1.13 在如图1.13所示电路中，设二极管的正向压降可以忽略不计，反向饱和电流为0.1 mA, 反向击穿电压为25V且击穿后基本不随电流而变化，这时电路中的电流I等于[ ]A. 0.1 mAB. 2.5mAC. 5mAD. 15 mA图 1.131.14 在P型半导体中，多数载流子是[ ]A. 电子B. 空穴C.离子D. 杂质1.15 下列对场效应管的描述中，不正确的是[ ]A 场效应管具有输入电阻高，热稳定性好等优点；B 场效应管的两种主要类型是MOSFET和JFET；C 场效应管工作时多子、少子均参与导电；D 场效应管可以构成共源、共栅、共漏这几种基本类型的放大器。