模拟电子技术第一章课件-1常用半导体器件常用半导体器件(题解38
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1章模电习题解常⽤半导体器件题解第⼀章常⽤半导体器件⾃测题☆⼀、判断下列说法是否正确,⽤“√”和“×”表⽰判断结果填⼊空内。
(1)在N 型半导体中如果掺⼊⾜够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。
()(2)因为N 型半导体的多⼦是⾃由电⼦,所以它带负电。
()(3)PN 结在⽆光照、⽆外加电压时,结电流为零。
()(4)处于放⼤状态的晶体管,集电极电流是多⼦漂移运动形成的。
()(5)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其R G S ⼤的特点。
()(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的U G S ⼤于零,则其输⼊电阻会明显变⼩。
()解:(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)×☆⼆、选择正确答案填⼊空内。
(1)PN 结加正向电压时,空间电荷区将。
A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽(2)设⼆极管的端电压为U ,则⼆极管的电流⽅程是。
A. I S e U B. TU U I eS C. )1e (S -T U U I(3)稳压管的稳压区是其⼯作在。
A. 正向导通B.反向截⽌C.反向击穿(4)当晶体管⼯作在放⼤区时,发射结电压和集电结电压应为。
A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏※(5)U G S =0V 时,能够⼯作在恒流区的场效应管有。
A. 结型管 B. 增强型MOS 管 C. 耗尽型MOS 管解:(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C☆三、写出图T1.3所⽰各电路的输出电压值,设⼆极管导通电压U D=0.7V。
图T1.3解:U O1≈1.3V,U O2=0,U O3≈-1.3V,U O4≈2V,U O5≈1.3V,U O6≈-2V。
☆四、已知稳压管的稳压值U Z=6V,稳定电流的最⼩值I Z mi n=5mA。
求图T1.4所⽰电路中U O1和U O2各为多少伏。
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证R大的特点。
( √)其GSU大于零,则其输入电阻会明显变小。
( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。
第一章常用的半导体器件半导体基础知识导体:非常容易导电一般金属都是导体结构:低价元素,最外层电子少于4个其最外层电子在外电场作用下很容易产生定向移动,形成电流。
1.1绝缘体:基本不导电如:橡胶、陶瓷、塑料等高价元素,原子的最外层电子受原子核的束缚力很强1.2半导体:导电性能介于导体和绝缘体之间常用的硅、锗均为四价元素1.11本征半导体现代电子学中,用的最多的半导体材料是硅和锗,它们的最外层电子(价电子)都是四个。
通过一定的提纯工艺过程,可以将半导体制成晶体。
完全纯净的、具有晶体结构的半导体,称为本征半导体。
即本征半导体是纯净的晶体结构的半导体。
一、本征半导体的晶体结构晶体中的原子在空间形成排列整齐的点阵,它们分别与周围的四个原子的价电子形成共价键。
共价键中的价电子为这些原子所共有,并为它们所束缚,形成本征半导体的共价键结构。
常温下价电子很难脱离共价键的束缚成为自由电子,因此本征半导体中的自由电子很少,其导电能力很弱。
温度升高或受到光的照射时,有的价电子可以挣脱原子核的束缚,而参与导电,成为自由电子。
因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的,称为电子空穴对。
半导体在热激发下产生自由电子和空穴对的现象称为本征激发。
本征半导体外加电场:由电子定向移动,形成电子电流价电子依次填补空穴,空穴定向移动,形成空穴电流本征半导体电流是两个电流之和。
本征半导体中有两种载流子,自由电子和空穴均参与导电。
二、本征半导体中载流子的浓度一定温度下,本征半导体中载流子的浓度是一定的,且自由电子与空穴的浓度相等。
温度升高,热运动加剧,自由电子增多,空穴也随之增多,即载流子的浓度升高,导电性能增强。
本征半导体载流子的浓度是环境温度的函数。
T=0K,自由电子与空穴的浓度均为零,本征半导体为绝缘体。
本征半导体的导电性能很差,且与环境温度密切相关。
1.1.2 杂质半导体在本征半导体中掺入掺入少量合适的杂质元素一、N型半导体掺入五价元素(如磷)杂质原子最外层有五个价电子,除了与其它硅原子形成共价键,还多出一个电子。