综述报告
高效有机发光二极管（OLEDs）：TADF的突破与进展
专业: 光学
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一、OLEDs 概述：
可弯曲的、轻巧的、低成本的、效率高的显示屏一直是人们追求的目标，这样的显示屏将极大地改变人们的日常生活，增进人类的信息互动能力。有机发光二极管（OLEDs ）已成为了继LED 之后的一个新的开发点，其就有实现此类显示器件的潜力。OLEDs 技术可以将显示屏造的非常的薄，薄到约100nm 左右，超薄的有机半导体分子层使得其易于弯曲、轻便灵活。其基本的原理是：当元件受到直流电所衍生的顺向偏压时，外加之电压能量将驱动电子与空穴分别由阴极与阳极注入元件，当两者在传导中相遇、结合，即形成所谓的电子-空穴对或者称为激子。而当分子受到外来能量激发后，激发态的分子发生辐射跃迁，以光子的形式释放能量。存在两种辐射方式：25%的几率形成为单重态（Singlet ），其所释放的光为所谓的荧光（Fluorescence ）；75%为三重态（Triplet ），其所释放的光为所谓的磷光（Phosphorescence ）。
初代OLED 所利用的光，仅仅是荧光，这意味着其极限的效率为25%。有大部分的能量作为磷光散失掉了。
第二代材料达到了近100%的效率，是因为采用了下转换的方式，将单态的激发态转换到了三重态，利用的是其发出的磷光，虽然效率很高，但是使用了昂贵的稀土金属，且不稳定。新的材料与装置急需研发。
二、TADF ：新的突破
2012年，Chihaya Adachi 等人在NATURE 上报道了他们的工作小组在热激发延迟荧光材料（thermally activated delayed fluorescence ，TADF ）上的发现[1]，他们成功地设计了一类新型的热激发延迟荧光材料。其S1与T1的能量差ST E 较之传统材料而言非常小，以至
于三重态第一激发态可以上转换到单态第一激发态上去，仅仅需要从周围吸收一部分热量。因此100%的激子可以通过荧光发光。通过荧光衰减通道，内在荧光效率超过90％，外部非常高电致发光效率超过19％，在这一方面，可比拟高效磷光OLEDs 。
这是一系列基于咔唑二氰基苯（CDCB ）的高效TADF 发射体，咔唑作为供体，二氰基苯作为电子受体. 由于咔唑单元由于空间位阻在二氰基平面发生扭曲，这些发射体的最高占据分子轨道和最低未占分子轨道分别位于供体和受体部分上，导致小的ST E 。
此外，二氰基苯对于获得高的光致发光效率很重要，而咔唑基对于可以改变发光颜色。密度泛函理论（DFT ）计算预测，使用CDCBs 将具有以下优点：氰基抑制CDA 的S1和T1态的非辐射失活和几何形状的变化，可以形成高量子效率。相反，通过改变周边基团的电子供给能力，可以容易地调节CDCB 的发射波长，这可以通过改变咔唑基或引入的取代基的数目来改变。这样的分子设计不仅可以实现高效的TADF ，而且可以获得广泛的发光颜色。
该工作中通过咔唑基阴离子与氟化二氰基苯在室温（300K ）下氮气氛下反应10小时合成了CDCB 。 通过硅胶柱色谱法，或者再沉淀纯化CDCB 。在光致发光和电致发光光谱测量之前，通过升华进一步纯化CDCB 。
三、FRET，级联能量转移方案
2014年，该工作组在NATURE COMMUNICATIONS上报告了对于蓝色，绿色，黄色，实现外部量子效率高达13.4-18％的有机荧光发光材料[2]。发光材料的激子的生产效率达到近100%。
该工作的重点在于利用铂和铱络合物，由于存在重原子的S1和T1态的自旋轨道耦合，从T1态到基态的辐射衰减速率明显加快，导致三重态激子的辐射减少了近100%。
使用磷光发射体作为三重态敏感剂，通过从诸如iridium 2-phenylpyridine complex
的磷光发射体的T1态，将能量转移到偶极-偶极耦合荧光发射体的S1态,实现了三重态捕获。（即，级联能量转移，FRET）
通过利用高性能分子作为辅助掺杂剂，可以从辅助掺杂剂到荧光发射体的单态和三重态，实现高效率热激活延迟荧光。采用这种激子捕获过程的有机发光材料可以自由从各种常规荧光分子中选择发射体，进而可以获得各种颜色。在TADF发射体中，从T1到S1状态的系统间交叉（ISC）后，可以将能量作为延迟荧光提取，导致从S1状态的有效的辐射衰减。
在这种级联能量转移的基础上，实现了外部量子效率分别为13.5，15.8,18和17.5％的蓝色，绿色，黄色和红色高效OLED。
TADF材料分别是：ACRS、ACRXTN、PXZ-TRZ、tri-PXZ-TRZ。
添加的辅助荧光发射体：TBPe、TTPA、TBRb、DBP，
Host材料：DPEPO、mCP、mCBP、CBP。
四、TAF，TADF辅助荧光系统
由于TADF材料的单态也可以下转换到三重态，于是在荧光发出之前，激子会在两个能级之间来回转换。这也存在着材料加速退化的问题。2015年,他们又引入了TAF系统
（TADF-assisted fluorescence (TAF)）[3,4]，通过组合TADF材料与常规荧光材料，利用TADF材料将三重态上转换到单态，利用常规荧光材料，将单态的能量释放出来作为荧光.
该工作组使用 (4s,6s)-2,4,5,6-间苯二甲腈 (4CzIPN-Me)作为TADF物质。使用
tetra(tbutyl)-rubreneTBRb作为常规荧光材料。将TBRb结合到4CzIPN-Me OLED中，使得从4CzIPN-Me中荧光变更为从TBRb中荧光，依然可以达到达到100％的内部效率。TAF系统也能产生广泛的工作波长。
TAF系统的另一个优点是可以将激子转移到许多不同的荧光发射体。利用这一点，我们使用蓝色TADF发射体（DMACDPS）制造了一种白色OLED，它将一些能量转移到一个单独的层中的红色荧光发射体（DBP）和绿色荧光发射体（TTPA）。另外我们可以根据发射极浓度来调节能量转移和发射光谱。
DMACDPS：bis[4-(9,9-dimethyl-9,10-dihydroacridine)phenyl]sulfone
DBP：tetraphenyldibenzoperiflanthene
TTPA：9,10-bis[N,N-di-(p-tolyl)-amino]anthracene
五、TADF-OLEDs
电致发光的颜色覆盖整个可见光范围，而仅使用常见的TADF分子限制了荧光分子的选择，因此需要更灵活的器件设计。
该工作组于2015年，于Advanced Materials报道了其新的工作：基于TADF的蓝色激子产生和发射层+绿色与红色的荧光发射体的新概念白色OLED [5]。通过利用TADF分子作为单态激子的源，TADF辅助荧光-OLED方法建立了基于常规荧光发射体发射的OLED结构,使用通常的荧光分子作为发射物质。作为一种有发展潜力的OLED结构，其能够提高稳定性，以及提供近100％的内部效率。
在TAF-OLED中，应该消除荧光分子上的直接载体重组，通过使用TADF和荧光分子的合适组合来获得高内部效率。通过包含额外的荧光分子和控制TADF分子的激子形成来扩展这个设计理念，进而覆盖整个可见光范围，使用多种荧光分子，就有可能实现高效率的白光发射。
虽然由“基于TADF的蓝色荧光体+绿色和红色磷光体”组成的混合器件架构，实现了高性能白色OLED，但仍然值得研究“基于TADF的蓝色激子产生和发射层+绿色与红色的荧光发射体”的新概念白色OLED。原则上，这种理念可以实现内部荧光效率100％的白色OLED，同时，并不使用稀有金属络合物，有潜力制造低成本白色OLED。
为了转移单重态激子的能量，也就是使TADF分子上的三重态“上转换”到荧光激子受体，激子受体的基态吸收与激子供体的荧光发射之间,存在大的光谱重叠是必需的。为此，选择蓝色TADF发射体DMACDPS作为激子供体，使用红色荧光发射体DBP和绿色荧光发射体TTPA作为激子受体。
蓝色TADF分子DMACDPS被作为多个荧光发射体共同的“三重态收割器”，这些发射体分别具有不同的荧光颜色，从而实现白光发射。为了抑制荧光分子上的主要载体重组，工作组将被认为是激子供体的“三重态收割器”（也就是蓝色TADF分子），从作为激子受体的荧光分子在空间上隔离开。使用这种方法，实现了具有超过12％的高电致发光量子效率的白色TAF-OLED。
六、总结
TADF是一种有潜力的有机发光二极管的候选材料。基于这种材料，先后实现了多种具备应用前景的发光结构：FRET级联能量转移、TAF辅助荧光系统、基于TADF的蓝色荧光体+绿色和红色磷光体的白色OLED、基于TADF的蓝色激子产生和发射层+绿色与红色的荧光发射体的白色OLED。
TADF材料在其中的主要作用均为“三重态收割器”，即使得三重态T1上转换到单态S1能级。通过能量转移到其他荧光发射体或者磷光发射体上去，形成广谱发射。
其内部效率可以达到100%，外部效率均在10%以上。由于可以不使用稀土金属，进而可以降低成本，这种材料具备广泛的应用前景。
参考文献:
[1] Uoyama H, Goushi K, Shizu K, et al. Highly efficient organic light-emitting diodes from delayed fluorescence.[J]. Nature, 2012, 492(7428):234.
[2]Nakanotani H, Higuchi T, Furukawa T, et al. High-efficiency organic light-emitting diodes with fluorescent emitters[J]. Nature Communications, 2014, 5:4016.
[3] Adachi C. Organic molecules for efficient bendable displays and lighting[J]. Spienewsroom, 2015.
[4] Nakanotani H, Adachi C. High efficiency organic light-emitting diodes with conventional fluorescent emitters[C]// Solid-State and Organic Lighting. Optical Society of America, 2014.
[5] Higuchi T, Nakanotani H, Adachi C. High‐Efficiency White Organic Light‐Emitting Diodes Based on a Blue Thermally Activated Delayed Fluorescent Emitter Combined with Green and Red Fluorescent Emitters[J]. Advanced Materials, 2015, 27(12):2019.
暨南大学 研究生课程论文 论文题目：有机发光二极管显示研究现状与发展 学院：理工学院 学系：物理系 专业：物理电子学 课程名称：发光与显示技术 学生姓名：汤华清 学号：1034234006 指导教师：刘彭义 2011年06 月15 日
有机发光二极管显示研究现状与发展 汤华清 （暨南大学物理系,广州510632） 摘要：有机电致发光二极管( OLED) 因其白光材料的多样性、制程的简单性和成本低廉性, 特别是其面光源的属性, 相较于电致发光二极管( LED) 的点光源, 更有望成为未来显示器件的主角。本文介绍OLED 显示技术的最新进展, 分别阐述了OLED的显示原理，分类及优缺点。OLED器件的显示材料,OLED制备的核心工艺与技术, 其中包括氧化铟锡（ITO）基片的清洗和预处理、阴极隔离柱制备、有机功能薄膜和金属电极的制备、彩色化技术、封装技术、显示驱动技术。并简要介绍了OLED技术的应用前景。 Abstract:Because the organic electroluminescence diode (OLED) its white light material's multiplicity, the system regulation's simplicity and cost inexpensive, specially its photo source's attribute, compares in the electroluminescence diode (LED) the point source, will become in the future display device's lead hopefully. This article introduced that the OLED display technology the newest progress, elaborated the OLED display principle separately, the classification and the good and bad points. , OLED component's demonstration material, OLED preparation core craft and technology, including the indium oxide tin (ITO) the substrate clean and the pretreatment, the negative pole insulated column preparation, the organic function thin film and metal electrode's preparation, the multicolored technology, the seal technology, the demonstration actuation technology. And introduced the OLED technology application prospect briefly. 关键词：OLED；显示技术；发光元件；彩色化技术；驱动电路 1.引言 OLED 具有全固态、主动发光、高对比度、超薄、低功耗、无视角限制、响应速度快、工作范围宽、易于实现柔性显示和3D显示等诸多优点，将成为未来20 年最具“钱景”的新型显示技术。同时，由于OLED 具有可大面积成膜、功耗低以及其它优良特性，因此还是一种理想的平面光源，在未来的节能环保型照明领域也具有广泛的应用前景。 2.OLED概述 2.1 OLED发展过程 1963年Pope发表了世界上第一篇有关OLED的文献，当时使用数百伏电压，加在有机芳香族Anthracene（葸）晶体上时，观察到发光现象。但由于电压过高，发光效率低，未得到重视。直到1987年伊士曼柯达公司的C.W. Tang及Steve Van Slyke等人发明以真空蒸镀法制成多层式结构的OLED器件后，研究开发才活越起来。同年，英国剑桥大学卡文迪许实验室的Jeremy Burroughes证明高分子有机聚合物也有电致发光效应。1990年英国剑桥大学的Friend等人成功的开发出以涂布方式将多分子应用在OLED上，即Polymer（多聚物，聚和物） LED，亦称PLED。不但再次引发第二次研究热潮，更确立了OLED在二十一世纪产业中所占的重要地位。近年来有源OLED（TFT－OLED）成为研究热点。OLED所用的TFT需采用多晶硅技术，与LCD所用的TFT有很大差别。OLED与低温多晶硅技术结合使得开发较大尺寸的显示屏成为可能。OLED的应用大概可以分为三个阶段：
二极管 一、二极管的种类 二极管有多种类型：按材料分，有锗二极管、硅二极管、砷化镓二极管等；按制作工艺可分为面接触二极管和点接触二极管；按用途不同又可分为整流二极管、检波二极管、稳压二极管、变容二极管、光电二极管、发光二极管、开关二极管、快速恢复二极管等；接构类型来分，又可分为半导体结型二极管，金属半导体接触二极管等；按照封装形式则可分为常规封装二极管、特殊封装二极管等。下面以用途为例，介绍不同种类二极管的特性。 1．整流二极管 整流二极管的作用是将交流电源整流成脉动直流电，它是利用二极管的单向导电特性工作的。 因为整流二极管正向工作电流较大，工艺上多采用面接触结构。南于这种结构的二极管结电容较大，因此整流二极管工作频率一般小于3kHz。 整流二极管主要有全密封金属结构封装和塑料封装两种封装形式。通常情况下额定正向T作电流LF在l A以上的整流二极管采用金属壳封装，以利于散热；额定正向工作电流在lA以下的采用全塑料封装。另外，由于T艺技术的不断提高，也有不少较大功率的整流二极管采用塑料封装，在使用中应予以区别。 由于整流电路通常为桥式整流电路(如图1所示)，故一些生产厂家将4个整流二极管封 装在一起，这种冗件通常称为整流桥或者整流全桥(简称全桥)。常见整流二极管的外形如图2所示。 选用整流二极管时，主要应考虑其最大整流电流、最大反向丁作电流、截止频率及反向恢复时间等参数。 普通串联稳压电源电路中使用的整流二极管，对截止频率的反向恢复时间要求不高，只要根据电路的要求选择最大整流电流和最大反向工作电流符合要求的整流二极管(例如l N 系列、2CZ系列、RLR系列等)即可。 开关稳压电源的整流电路及脉冲整流电路中使用的整流二极管，应选用工作频率较高、
有机发光二极管原理及应用 梁亮5030209282 有机发光二极管诞生于1979年，由柯达公司罗切斯特实验室的邓青云博士及同事范斯莱克所发明。 ⑴有机发光二极管(OLED)的原理 有机发光二极管(OLED)同普通发光二极管（LED）发光的原理相同，即利用半导体经过渗透杂质处理后形成PN结，电子由P型材料引入，当电子与半导体内的空穴相遇时，有可能掉到较低的能带上，从而放出能量与能隙相同的光子，从而形成发光二极管。发光二极管的光线波长取决于发光材料的能隙大小。若要使二极管产生可见光，就要使材料的低能带与高能导带之间的能隙大小必须落在狭窄的范围内，大约2至3电子伏特。能量为一电子伏特的光子波长为1240纳米，处于红外区，当能量达到3电子伏特时，发出光子的波长约为400纳米左右，呈紫色。 有机发光二极管与传统发光二极管的区别在于，有机发光二极管所采用的半导体材料为有机分子材料。按照分子大小区分，可分为两大类：小分子的称之为低分子OLED,大分子的称为高分子OLEDP型有机分子。当P型有机分子和N型有机分子接触时，在两者的接触面就会产生类似发光二极管一样的发光现象。此外，采用氧化铟锡作为P型接触材料。由于氧化铟锡为透明导电材料，易于载流子注入，而且具有光线传播还需要有透明性能，非常适合做P型接触材料。 OLED的典型结构非常简单：玻璃基板（或塑料基衬）上首先有一层透明的氧化铟锡阳极，上面覆盖着增加稳定性的钝化层，再向上就是P型和N型有机半导体材料，最顶层是镁银合金阴极。这些涂层都是热蒸镀到玻璃基板上的，厚度非常薄，只有100到150纳米，小于一根头发丝的1%，而传统LED的厚度至少需要数微米。在电极两端加上2V到10V的电压，PN结就可以发出相当明亮的光。这种基本结构多年来一直没有太大的变化，人们称之为柯达型。由于组成材料的分子量很小，甚至小于最小的蛋白质分子，所以柯达型的OLED 又被称为低分子OLED。 第二种有机发光材料为高分子聚合物，也称为高分子发光二极管(PLED)，由英国剑桥大学的杰里米伯勒德及其同事首先发现。聚合物大多由小的有机分子以链状方式结合在一起，以旋涂法形成高分子有机发光二极管。 旋转涂布工艺采用的原理是：在旋转的圆盘上（通常为每分钟1200转至1500转）滴上数滴液体，液体会因为旋转形成的离心力而呈薄膜状分布。在这种状态下，液体凝固后便可在膜体上形成晶体管等组件。膜体的厚度可通过调节液体粘度及旋转时间来调整。旋涂之后，要采取烘干的步骤来除去溶剂。 最初PLED是由一种称之为次苯基二价乙烯基（PPV）单层活性聚合物，夹于氧化铟锡和钙之间形成。铟锡氧化物为载流子注入层，而钙为电子传递层。现在的PLED又增添了一层聚合物载流子注入层。PPV聚合物产生黄光，具有效率高寿命长的特点，这是由于在低压工作环境下，聚合物层具有良好的导电性能。这种PLED应用于计算机显示器，其寿命可长达
发光二极管的作用及分类详细资料1.发光二极管的作用 发光二极管（LED）是一种由磷化镓（GaP）等半导体材料制成的、能直接将电能转变成光能的发光显示器件。当其内部有一定电流通过时，它就会发光。图4-21是共电路图形符号。 发光二极管也与普通二极管一样由PN结构成，也具有单向导电性。它广泛应用于各种电子电路、家电、仪表等设备中、作电源指示或电平指示。 2．发光二极管的分类 发光二极管有多种分类方法: 按其使用材料可分为磷化镓(GaP)发光二极管、磷砷化镓(GaAsP)发光二极管、砷化镓(GaAs)发光二极管、磷铟砷化镓(GaAsInP)发光二极管和砷铝化镓(GaAlAs)发光二极管等多种。 按其封装结构及封装形式除可分为金属封装、陶瓷封装、塑料封装、树脂封装和无引线表面封装外，还可分为加色散射封装（D）、无色散射封装（W）、有色透明封装（C）和无色透明封装（T）。 按其封装外形可分为圆形、方形、矩形、三角形和组合形等多种，图4-22为几种发光二极管的外形。
塑封发光二极管按管体颜色又分为红色、琥珀色、黄色、橙色、浅蓝色、绿色、黑色、白色、透明无色等多种。而圆形发光二极管的外径从￠2~￠20mm，分为多种规格。 按发光二极管的发光颜色又可人发为有色光和红外光。有色光又分为红色光、黄色光、橙色光、绿色光等。 另外，发光二极管还可分为普通单色发光二极管、高亮度发光二极管、超高亮度发光二极管、变色发光二极管、闪烁发光二极管、电压控制型发光二极管、红外发光二极管和负阻发光二极管等。 3．普通单色发光二极管 普通单色发光二极管具有体积小、工作电压低、工作电流小、发光均匀稳定、响应速度快、寿命长等优点，可用各种直流、交流、脉冲等电源驱动点亮。它属于电流控制型半导体器件，使用时需串接合适的限流电阻。 图4-23是普通发光二极管的应用电路。 普通单色发光二极管的发光颜色与发光的波长有关，而发光的波长又取决于制造发光二极管所用的半导体材料。红色发光二极管的波长一般为650~700nm，琥珀色发光二极管的波长一般为630~650 nm ，橙色发光二极管的波长一般为610~630 nm左右，黄色发光二极管的波长一般为585 nm左右，绿色发光二极管的波长一般为555~570 nm。
一，LED的概述 在全球能源危机、环保要求不断提高的情况下，寿命长、节能、安全、绿色环保、色彩丰富、微型化的半导体LED照明已被世界公认为一种节能环保的主要途径。作为一种新型固态照明技术，它被誉为21世纪必然取代高能耗的白炽灯和易污染环境的汞蒸气激发的荧光灯的新一代照明光源，在节能的绿色照明领域越来越受到人们的关注。 LED = Light Emitting Diode，发光二极管，是一种能够将电能转化为可见光的固态的半导体器件，它可以直接把电转化为光。发光二极管是结型发光器件。它的基本结构是一块电致发光的半导体晶片，臵于一个有引线的架子上，然后四周用环氧树脂密封，能起到保护内部芯线的作用，使得LED的抗震性能好。图1-1是发光二极管的基本结构图。其核心部分是一个由P型半导体和N型半导体组成的半导体晶片，晶片的一端附在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如。GaAs(砷化稼)、GaP(磷化嫁)、GaAsP(磷砷化惊)、AlGaInP(磷化铝嫁锢)等半导体制成的，其核心是P-N结。因此它具有一般P-N结的I-N特性，即正向导通，反向截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区。这些电子与价带上的空穴复合，复合时得到的能量以光能的形式释放，从而把电能直接转换为光能。这就是P一结发光的原理，如图1-2所示。利用这种注入式电致发光原理制作的二极管即是发光二极管，简称LED。当它处于正向工作状态时(即两端加上正向电压)，电流从LED阳极流向阴极，半导体晶体就发出从紫外到红外不同颜色的光线，光的强弱与电流有关，而光的颜色是由P-N结的材料决定的。 自LED出现以来，人们一直在追求固体照明光源，自1993年蓝光LED问世以来，白光LED于1996年在LED蓝光芯片的基础上被成功开发出来。因其具有体积小(可多芯片多种组合，可单一芯片与荧光粉多种组合)、耗电量低(供电电压
二极管钳位电路 钳位电路 (1)功能：将输入讯号的位准予以上移或下移，并不改变输入讯号的波形。 (2)基本元件：二极管D、电容器C及电阻器R（直流电池VR）。 (3)类别：负钳位器与正钳位器。 (4)注意事项 D均假设为理想，RC的时间常数也足够大，不致使输出波形失真。 任何交流讯号都可以产生钳位作用。 负钳位器 (1)简单型 工作原理 Vi正半周时,DON,C充电至V值,Vo=0V。 Vi负半周时，DOFF，Vo=－2V。 (2)加偏压型 工作原理 Vi正半周时，二极管DON，C被充电至V值（左正、右负），Vo=+V1(a)图或－V1(b)图。 Vi负半周时，二极管DOFF，RC时间常数足够大，Vo=V C + Vi（负半周）=2V。 re5838电子-技术资料-电子元件-电路图-技术应用网站-基本知识-原理-维修-作用-参数-电子元器件符号 几种二极管负钳位器电路比较
正钳位器 (1)简单型 工作原理 Vi负半周时，DON，C充电至V值（左负、右正），Vo=0V。Vi正半周时，DOFF，Vo=V C + V i（正半周） =2V。 (2)加偏压型
判断输出波形的简易方法 1 由参考电压V1决定输出波形于坐标轴上的参考点。 2 由二极管D的方向决定原来的波形往何方向移动，若二极管的方向为，则波形必 须向上移动；若二极管的方向为，则波形必须往下移动。 3 决定参考点与方向后，再以参考点为基准，将原来的波形画于输出坐标轴上，即为我们所求。 几种二极管正钳位器电路比较
补充：二极管的钳位作用，是指把高电位拉到低电位；二极管的稳压作用，是指一种专用的稳压管，它是有固定稳压参数的，在电路上是把负极接在电路的正极上，正极接在地端，当电路中的电压高于稳压二极管稳压值时，稳压二极管瞬间对地反向导通，当把电压降到低于该稳压值时二极管截止，起到稳压保护电路中元件的作用。 不一定非得用稳压二极管来稳压，用一般的二极管串联也行，例如三个二极管串联，负极接地正极一路接负载，一路接一足够大的电阻再接电源就可以实现伏的稳压。
有机发光二极管显示原理及应用 摘要：有机电致发光二极管( OLED) 因其白光材料的多样性、制程的简单性和成本低廉性, 特别是其面光源的属性, 相较于电致发光二极管( LED) 的点光源, 更有望成为未来显示器件的主角。本文介绍OLED 显示技术的最新进展, 分别阐述了OLED的显示原理，分类及优缺点。OLED器件的显示材料,OLED制备的核心工艺与技术,并简要介绍了OLED技术的应用前景。 关键词：OLED；显示技术； 1.引言 OLED 具有全固态、主动发光、高对比度、超薄、低功耗、无视角限制、响应速度快、工作范围宽、易于实现柔性显示和3D显示等诸多优点，将成为未来20 年最具“钱景”的新型显示技术。同时，由于OLED 具有可大面积成膜、功耗低以及其它优良特性，因此还是一种理想的平面光源，在未来的节能环保型照明领域也具有广泛的应用前景。 2.OLED发展过程 OLED的应用大概可以分为三个阶段： （1）1997-2001年，OLED的试验阶段，在这个阶段，OLED开始走出实验室，主要应用在汽车音响面板，PDA手机上。但产量非常有限，产品规格也很少，均为无源驱动，单色或区域彩色，很大程度上带有试验和试销性质。2001年全球销售额仅1.5亿美元。
（2）2002－2005年，OLED的成长阶段，这个阶段人们将能广泛接触到带有OLED的产品，包括车载显示器，PDA、手机、DVD、数码相机、头盔用微显示器和家电产品。产品正式走入市场，主要是进入传统LCD、VFD等显示领域。仍以无源驱动、单色或多色显示、10英寸以下面办为主，但有源驱动的、全彩色和10英寸以上面板也开始投入使用。 （3）2005年以后，OLED的成熟阶段，随着OLED产业化技术的日渐成熟，OLED将全面出击显示器市场并拓展属于自己的应用领域。其各项技术优势将得到充分发掘和发挥。 3.OLED显示原理 图1.：OLED结构图
1.塑封整流二极管 序号型号IF VRRM VF Trr 外形 A V V μs 1 1A1-1A7 1A 50-1000V 1.1 R-1 2 1N4001-1N4007 1A 50-1000V 1.1 DO-41 3 1N5391-1N5399 1.5A 50-1000V 1.1 DO-15 4 2A01-2A07 2A 50-1000V 1.0 DO-15 5 1N5400-1N5408 3A 50-1000V 0.95 DO-201AD 6 6A05-6A10 6A 50-1000V 0.95 R-6 7 TS750-TS758 6A 50-800V 1.25 R-6 8 RL10-RL60 1A-6A 50-1000V 1.0 9 2CZ81-2CZ87 0.05A-3A 50-1000V 1.0 DO-41 10 2CP21-2CP29 0.3A 100-1000V 1.0 DO-41 11 2DZ14-2DZ15 0.5A-1A 200-1000V 1.0 DO-41 12 2DP3-2DP5 0.3A-1A 200-1000V 1.0 DO-41 13 BYW27 1A 200-1300V 1.0 DO-41 14 DR202-DR210 2A 200-1000V 1.0 DO-15 15 BY251-BY254 3A 200-800V 1.1 DO-201AD 16 BY550-200～1000 5A 200-1000V 1.1 R-5 17 PX10A02-PX10A13 10A 200-1300V 1.1 PX 18 PX12A02-PX12A13 12A 200-1300V 1.1 PX 19 PX15A02-PX15A13 15A 200-1300V 1.1 PX 20 ERA15-02～13 1A 200-1300V 1.0 R-1 21 ERB12-02～13 1A 200-1300V 1.0 DO-15 22 ERC05-02～13 1.2A 200-1300V 1.0 DO-15 23 ERC04-02～13 1.5A 200-1300V 1.0 DO-15 24 ERD03-02～13 3A 200-1300V 1.0 DO-201AD 25 EM1-EM2 1A-1.2A 200-1000V 0.97 DO-15 26 RM1Z-RM1C 1A 200-1000V 0.95 DO-15 27 RM2Z-RM2C 1.2A 200-1000V 0.95 DO-15 28 RM11Z-RM11C 1.5A 200-1000V 0.95 DO-15 29 RM3Z-RM3C 2.5A 200-1000V 0.97 DO-201AD 30 RM4Z-RM4C 3A 200-1000V 0.97 DO-201AD 2.快恢复塑封整流二极管 序号型号IF VRRM VF Trr 外形 A V V μs （1）快恢复塑封整流二极管 1 1F1-1F7 1A 50-1000V 1.3 0.15-0.5 R-1 2 FR10-FR60 1A-6A 50-1000V 1. 3 0.15-0.5 3 1N4933-1N4937 1A 50-600V 1.2 0.2 DO-41 4 1N4942-1N4948 1A 200-1000V 1.3 0.15-0. 5 DO-41 5 BA157-BA159 1A 400-1000V 1.3 0.15-0.25 DO-41 6 MR850-MR858 3A 100-800V 1.3 0.2 DO-201AD
TVS瞬态电压抑制二极管（钳位二极管）原理参数 瞬态电压抑制二极管(TVS)又叫钳位二极管，是目前国际上普遍使用的一种高效能电路保护器件，它的外型与普通二极管相同，但却能吸收高达数千瓦的浪涌功率，它的主要特点是在反向应用条件下，当承受一个高能量的大脉冲时，其工作阻抗立即降至极低的导通值，从而允许大电流通过，同时把电压钳制在预定水平，其响应时间仅为10-12毫秒，因此可有效地保护电子线路中的精密元器件。 瞬态电压抑制二极管允许的正向浪涌电流在TA＝250C，T＝10ms条件下，可达50～200A。双向TVS可在正反两个方向吸收瞬时大脉冲功率，并把电压钳制到预定水平，双向TVS适用于交流电路，单向TVS一般用于直流电路。可用于防雷击、防过电压、抗干扰、吸收浪涌功率等，是一种理想的保护器件。耐受能力用瓦特(W)表示。 瞬态电压抑制二极管的主要电参数 （1）击穿电压V(BR) 器件在发生击穿的区域内，在规定的试验电流I(BR)下，测得器件两端的电压称为击穿电压，在此区域内，二极管成为低阻抗的通路。 （2）最大反向脉冲峰值电流IPP 在反向工作时，在规定的脉冲条件下，器件允许通过的最大脉冲峰值电流。IPP与最大钳位电压VC(MAX)的乘积，就是瞬态脉冲功率的最大值。 使用时应正确选取TVS，使额定瞬态脉冲功率PPR大于被保护器件或线路可能出现的最大瞬态浪涌功率。 瞬态电压抑制二极管的分类 瞬态电压抑制二极管可以按极性分为单极性和双极性两种，按用途可分为各种电路都适用的通用型器件和特殊电路适用的专用型器件。如：各种交流电压保护器、4~200mA电流环保器、数据线保护器、同轴电缆保护器、电话机保护器等。若按封装及内部结构可分为：轴向引线二极管、双列直插TVS阵列（适用多线保护）、贴片式、组件式和大功率模块式等。 瞬态电压抑制二极管的应用 目前已广泛应用于计算机系统、通讯设备、交/ 直流电源、汽车、电子镇流器、家用电器、仪器仪表（电度表）、RS232/422/423/485、 I/O、LAN、ISDN 、ADSL、USB、M P3、PDAS、GPS、CDMA、GSM、数字照相机的保护、共模/差模保护、RF耦合/IC驱
IGBT发展综述 引言 由于电能的广泛应用，所以与之相关的功率处理器件应运而生。作为电力电子器件发展的核心，功率半导体器件在相当大的程度上决定了各种电力电子体系的运作可靠性以及实现所需成本，因而成为现代电力电子技术发展的重要环节之一。电力电子技术是一门应用在电力领域的新兴电子技术，就是利用电力电子器件（如晶闸管、IGBT、MOSFET 等）对电能进行变换与控制的技术。自1957年美国GE公司研制出世界上第一个工业晶闸管开始，电力电子技术得到了迅猛的发展，在当前信息化和工业化社会中，电能的利用无处不在，小到家庭的照明系统，大到机车的牵引，电力电子技术因其功能特征具有高效节能、智能便捷而得到越来越多的应用，在世界范围内，用电总量经过电力电子装置变换和调节的比例已经成为衡量用电水平的重要指标。功率半导体器件作为电力电子技术的基础，其主要用于电力系统的传输、变换、配送，机车牵引，工业节能，以及智能电路控制系统。自半导体器件发明以来，依次出现了功率二极管、功率三极管、晶闸管、可控硅、MOSFET、IGBT、Cool MOS 等[4]，根据其工作方式的不同，主要分作两大类：其中一类是门极电流来驱动的器件，其主要代表是晶闸管、可控硅等；另外一类是新型的门极电压控制器件，其主要代表是MOSFET、IGBT 等，这种新型器件驱动电路简单，能实现较高的工作频率。在其主要范围和应用领域内具有各自的优势。从以往电力电子技术的发展历史可以看出，功率电子技术是随着理论研究的提高与制造工艺技术的革新而迅速发展的。 自1982 年，通用电气公司和美国无线电公司为解决MOSFET 在高压应用时导通损耗与耐压水平之间的矛盾而提出了绝缘栅双极晶体管（Insulate Gate BipolarTransistor，IGBT）的结构。为了更进一步改善IGBT 的性能，研究人员针对IGBT的三个重要结构，即MOS 结构、N 型基区（包括N+缓冲层）和P+集电极区，考虑了能够提高器件电特性参数的改进方，尤其是在改善正向饱和压降V CE(sat)和关断时间t off 之间的折中关系方面不遗余力。IGBT提出以来，已经历三十几年的快速发展，各大科研机构及功率半导体公司争先投入巨额资金开发IGBT器件。随着工艺水平的不断提高以及工艺设备的不断更新与换代，其电性能参数与可靠性也日趋完善。针对不断发展起来的IGBT 产品，人们多以各阶段
有机发光二极管（OLED）的应用和发展 摘要: 有机电致发光现象最早发现于上世纪50年代。这项技术最早存在很大的缺点，一开始并未引起广泛的研究兴趣。直到20年前发生的突破性进展，OLED得以实现了各种功能化，并成为了最有前途的显示和发光器件。本文先介绍了OLED的历史，然后讲解了OLED的原理，并重点介绍了OLED 的应用化技术和在各种方面的应用，最后提出了对我国OLED 技术发展的展望。 关键词电致发光；半导体；有机发光二极管；显示器；OLED 照明光电综合；显示驱动电路 1Abstract:phenomenon of OLED is found in 1950s.This technology had many disadvantages at early time,at the beginning ,researchers have no interests on it.Until the breakthrough progressment of 20 years ago,OLED just could accomplish every kind of effection and became the most promising showing and optical apparatus.First of all,this article introduces the history of OLED,then explains the theory,and puts more attention on applied technologies and applies of every aspect,at last,it involves the development of OLED technologies .
《有机发光二极管》课程教学大纲 一、课程基本信息 课程编号：13103209 课程类别：专业选修课程 适用专业：材料物理 总学时：54 总学分：3 课程简介： 有机发光二极管（OLED）技术是一种新生的显示和照明技术，目前处于关键的发展阶段，已有少量商业化产品。有机发光二极管很多方面的工作尚都处于探索阶段，没有成熟到可商业化阶段，需要研究机构和学术界进一步研究。有机发光二极管涉及物理、化学、材料和电子等多学科交叉领域。本课程从材料、器件结构、器件物理等方面介绍了有机电致发光的原理及物理机制，并对OLED器件的驱动（薄膜晶体管）机理，以及显示屏的构造、工作机制、制造方法等作了详细介绍。 授课教材：《有机电致发光:从材料到器件》，城户淳二, 肖立新, 陈志坚，北京大学出版社; 第1版，2012年。 参考书目： [1] 《OLED梦幻显示器:材料与器件》，陈金鑫, 黄孝文，人民邮电出版社，2011年。 [2] 《有机电致发光材料与器件导论》，黄春辉，李富友,黄维，复旦大学出版社, 2005年。 二、课程教育目标 学生通过本课程的学习要求利用材料合成和半导体固体物理学的基本概念、基本原理和方法，掌握它们有机发光二极管技术中的应用，为学生进一步学习专业课和毕业后从事科研和高新技术工作打下坚实的基础。 三、教学内容与要求 第一章有机EL时代来临 教学重点：有机电致发光的概念 教学难点：有机电致发光与液晶显示的不同 教学时数：4学时 教学内容： 1、下一代显示器的最具优势技术 2、凌驾于液晶之上的有机EL 教学方式：课堂讲授 教学要求：掌握有机电致发光的概念，理解有机电致发光与其它显示方式的不同。 第二章有机EL的结构 教学重点：有机EL的结构和原理
报告编号：1638200
行业市场研究属于企业战略研究范畴，作为当前应用最为广泛的咨询服务，其研究成果以报告形式呈现，通常包含以下内容： 一份专业的行业研究报告，注重指导企业或投资者了解该行业整体发展态势及经济运行状况，旨在为企业或投资者提供方向性的思路和参考。 一份有价值的行业研究报告，可以完成对行业系统、完整的调研分析工作，使决策者在阅读完行业研究报告后，能够清楚地了解该行业市场现状和发展前景趋势，确保了决策方向的正确性和科学性。 中国产业调研网基于多年来对客户需求的深入了解，全面系统地研究了该行业市场现状及发展前景，注重信息的时效性，从而更好地把握市场变化和行业发展趋势。
一、基本信息 报告名称： 报告编号：1638200←咨询时，请说明此编号。 优惠价：￥6750 元可开具增值税专用发票 网上阅读： 温馨提示：如需英文、日文等其他语言版本，请与我们联系。 二、内容介绍 《中国二极管市场现状调研与发展趋势分析报告（2016-2022年）》依据国家权威机构及二极管相关协会等渠道的权威资料数据，结合二极管行业发展所处的环境，从理论到实践、从宏观到微观等多个角度对二极管行业进行调研分析。 《中国二极管市场现状调研与发展趋势分析报告（2016-2022年）》内容严谨、数据翔实，通过辅以大量直观的图表帮助二极管行业企业准确把握二极管行业发展动向、正确制定企业发展战略和投资策略。 中国产业调研网发布的中国二极管市场现状调研与发展趋势分析报告（2016-2022年）是二极管业内企业、相关投资公司及政府部门准确把握二极管行业发展趋势，洞悉二极管行业竞争格局，规避经营和投资风险，制定正确竞争和投资战略决策的重要决策依据之一。 正文目录 第一章二极管的概述 二极管的定义 电子元器件及元器件行业简介 半导体及半导体产品介绍 二极管的定义 二极管的工作原理 二极管的导电特性 二极管的主要参数
For personal use only in study and research; not for commercial use 1.塑封整流二极管 序号型号IF VRRM VF Trr 外形 A V V μs 1 1A1-1A7 1A 50-1000V 1.1 R-1 2 1N4001-1N4007 1A 50-1000V 1.1 DO-41 3 1N5391-1N5399 1.5A 50-1000V 1.1 DO-15 4 2A01-2A07 2A 50-1000V 1.0 DO-15 5 1N5400-1N5408 3A 50-1000V 0.95 DO-201AD 6 6A05-6A10 6A 50-1000V 0.95 R-6 7 TS750-TS758 6A 50-800V 1.25 R-6 8 RL10-RL60 1A-6A 50-1000V 1.0 9 2CZ81-2CZ87 0.05A-3A 50-1000V 1.0 DO-41 10 2CP21-2CP29 0.3A 100-1000V 1.0 DO-41 11 2DZ14-2DZ15 0.5A-1A 200-1000V 1.0 DO-41 12 2DP3-2DP5 0.3A-1A 200-1000V 1.0 DO-41 13 BYW27 1A 200-1300V 1.0 DO-41 14 DR202-DR210 2A 200-1000V 1.0 DO-15 15 BY251-BY254 3A 200-800V 1.1 DO-201AD 16 BY550-200～1000 5A 200-1000V 1.1 R-5 17 PX10A02-PX10A13 10A 200-1300V 1.1 PX 18 PX12A02-PX12A13 12A 200-1300V 1.1 PX 19 PX15A02-PX15A13 15A 200-1300V 1.1 PX 20 ERA15-02～13 1A 200-1300V 1.0 R-1 21 ERB12-02～13 1A 200-1300V 1.0 DO-15 22 ERC05-02～13 1.2A 200-1300V 1.0 DO-15 23 ERC04-02～13 1.5A 200-1300V 1.0 DO-15 24 ERD03-02～13 3A 200-1300V 1.0 DO-201AD 25 EM1-EM2 1A-1.2A 200-1000V 0.97 DO-15 26 RM1Z-RM1C 1A 200-1000V 0.95 DO-15 27 RM2Z-RM2C 1.2A 200-1000V 0.95 DO-15 28 RM11Z-RM11C 1.5A 200-1000V 0.95 DO-15 29 RM3Z-RM3C 2.5A 200-1000V 0.97 DO-201AD 30 RM4Z-RM4C 3A 200-1000V 0.97 DO-201AD 2.快恢复塑封整流二极管 序号型号IF VRRM VF Trr 外形 A V V μs （1）快恢复塑封整流二极管 1 1F1-1F7 1A 50-1000V 1.3 0.15-0.5 R-1 2 FR10-FR60 1A-6A 50-1000V 1. 3 0.15-0.5 3 1N4933-1N4937 1A 50-600V 1.2 0.2 DO-41 4 1N4942-1N4948 1A 200-1000V 1.3 0.15-0. 5 DO-41
引言 由于电能的广泛应用，所以与之相关的功率处理器件应运而生。作为电力电子器件发展的核心，功率半导体器件在相当大的程度上决定了各种电力电子体系的运作可靠性以及实现所需成本，因而成为现代电力电子技术发展的重要环节之一。电力电子技术是一门应用在电力领域的新兴电子技术，就是利用电力电子器件（如晶闸管、 IGBT、 MOSFET 等）对电能进行变换与控制的技术。自1957年美国GE公司研制出世界上第一个工业晶闸管开始，电力电子技术得到了迅猛的发展，在当前信息化和工业化社会中，电能的利用无处不在，小到家庭的照明系统，大到机车的牵引，电力电子技术因其功能特征具有高效节能、智能便捷而得到越来越多的应用，在世界范围内，用电总量经过电力电子装置变换和调节的比例已经成为衡量用电水平的重要指标。功率半导体器件作为电力电子技术的基础，其主要用于电力系统的传输、变换、配送，机车牵引，工业节能，以及智能电路控制系统。自半导体器件发明以来，依次出现了功率二极管、功率三极管、晶闸管、可控硅、 MOSFET、 IGBT、 Cool MOS 等[4]，根据其工作方式的不同，主要分作两大类：其中一类是门极电流来驱动的器件，其主要代表是晶闸管、可控硅等；另外一类是新型的门极电压控制器件，其主要代表是MOSFET、IGBT 等，这种新型器件驱动电路简单，能实现较高的工作频率。在其主要范围和应用领域内具有各自的优势。从以往电力电子技术的发展历史可以看出，功率电子技术是随着理论研究的提高与制造工艺技术的革新而迅速发展的。 自1982 年，通用电气公司和美国无线电公司为解决MOSFET 在高压应用时导通损耗与耐压水平之间的矛盾而提出了绝缘栅双极晶体管（ Insulate Gate BipolarTransistor，IGBT）的结构。为了更进一步改善IGBT 的性能，研究人员针对IGBT的三个重要结构，即MOS 结构、N 型基区（包括N+缓冲层）和P+集电极区，考虑了能够提高器件电特性参数的改进方，尤其是在改善正向饱和压降V CE(sat)和关断时间t off 之间的折中关系方面不遗余力。IGBT提出以来，已经历三十几年的快速发展，各大科研机构及功率半导体公司争先投入巨额资金开发IGBT器件。随着工艺水平的不断提高以及工艺设备的不断更新与换代，其电性能参数与可靠性也日趋完善。针对不断发展起来的IGBT 产品，人们多以各阶段V CE(sat)和t off 的典型值作为划分的依据。
有机发光二极管制备 编写：2015级硕士许昆一.实验目的 ⒈了解有机发光二级管的工作原理。 ⒉掌握制备有机发光二极管的方法。 ⒊对制备的器件做电学及光学测试。 二.实验仪器及耗材 ITO, 抗腐蚀胶带，浓盐酸，镊子，秒表，NPB，Alq3，铝条，电极掩膜板，真空蒸发台，乙醇，丙酮，去离子水。 三.实验原理 OLED属于双注入型器件。当OLED正向偏置时，空穴和电子从ITO（阳极）和Al（阴极）分别注入到空穴传输层（HTL）的最高被占据分子轨道（HOMO能级）和电子传输层(ETL)的最低未被占据分子轨道（LUMO能级），之后在外场的作用下，传输到电子传输层和空穴传输层的界面，此处即为有机发光二极管的发光层。空穴和电子在发光层内相遇形成电子-空穴对，当处于激发态的电子再次回到基态时，就会辐射出光子。而有机发光二极管反向偏置时处于阻断状态，不发光。 依上图结构，本次试验制备简单结构的有机发光二极管，只依次制备制备ITO层、NPB层、Alq3发光层和Al电极。 四.实验内容 （1）实验准备 1、刻蚀阳极ITO，在擦拭干净后的ITO表面，将剪成2毫米长条状的耐腐蚀胶 带贴于其上，为防止边沿渗入腐蚀ITO的浓盐酸导致边沿不规整，务必剪裁平齐并粘贴紧密。之后用镊子放入纯浓盐酸中，浸泡10min。取出后用清水冲洗，撕掉胶带并用酒精棉擦拭。 2、将刻蚀好的ITO玻片依次放入依次盛有丙酮，乙醇，去离子水的烧杯中，在 超声波清洗机中各超10 min； 3、掩膜板洗去之前残存杂质后有去离子水冲洗，吹干，放入50烘箱烘干待用；
4、坩埚用丙酮擦拭并用丙酮超10min后，再用氮气吹干，存放于培养皿中放入 烘箱烘干待用； （2）蒸镀有机发光二极管 5、使用分析天平称量20mgNPB材料。擦洗真空台腔室，风干后将称量好的NPB 材料放入坩埚中，均匀铺平，放入真空蒸发台热源中，放好样品及样品托。 开机，开水，开扩散泵，待真空度达到3.1×10-3Pa时，打开热源，预设270℃，加电压至30V，观察温度至250℃时，挡板上有圆斑出现，遂将温度保护开关设置在260℃。当温度达到255℃时，开挡板，计时20s后，蒸发完毕，关挡板，关热源，待温度降至100℃以下关大阀。60℃以下升钟罩，在坩埚中放入称量好的25mg Alq3材料，再抽真空待真空度达到3.1×10-3Pa时，打开热源，预设300℃，加电压至30V，观察温度至280℃时，挡板上有淡黄色圆斑出现，遂将温度保护开关设置在290℃，当温度达到285℃时，开挡板，计时50s后，蒸发完毕，关挡板，关热源，待温度降至100℃以下关大阀。60℃以下升钟罩，在钨丝上挂好4条铝条，在样品托中先放入电极掩膜板，再将蒸好有机层的样品小心放在上面。抽真空待真空度达到5×10-3Pa时，打开蒸发，使蒸发电流在40-45A时，铝丝开始熔化，恒定在45A维持6~7min，观察腔室内铝丝全部融化，关蒸发，关扩散泵，6min以后关大阀，待扩散泵冷却以后关机械泵，关水，关机 五.测试结果 A．有机发光二极管I-V测试：
二极管箝位电路与二极管限幅电路 箝位电路 箝位的作用是使信号的起始电平固定在某个数值上，以图１说明： 当电路输入一矩形波信号Ui。若无D时，Ui中的直流分量U被C隔开，只有交流分量传至输出端，使用输出信号失去直流分量而改变了起始电平，用了箝位二极管D后，当Ui=E时，D截止，C充电，因时间常数RC很大，所以输出Uo 稍微下降了△U；当Ui突然变至零时，D导通；C经D很快放电，输出从-△U 很快趋于零，因此输出信号被D箝位于零起始电平，也可以说，恢复了直流分量。 图１二极管箝位电路 箝位电路可以把信号箝位于某一固定电平上，如图２（a）电路，当输入Ui=0期间，D截止，Uo=-Eo；而当输入Ui突变到Um瞬间，电容C相当短路，输出U o由-Eo突变至Um，这时D截止，C经R及Eo充电，但充电速度很慢，使Uo随C充电稍有下降；当Ui从Um下降为零瞬间，Uo也负跳幅值Um，此时D导通，C放电很快，因此输出信号起始电平箝位于-Eoo同理，电路（b）的输出信号箝位于Eoo值得注意的是，箝位电路不仅使输出信号的起始电平箝位于某一电平，而且能使输出信号的顶部电平箝位于某一数值，电路元件估算公式如下： 式中：Rf、Rr为二极管正向、反向电阻。箝位电路的电容量为： C= 式中：C′≤Tρ/3Rs+Rf C″≥100（Tr/R) 其中Tp为输入脉冲信号持续期，Tr为间歇期，Rs为输入信号源内阻。要选用正、反电阻相差大的二极管，如要求变化速度快及反向恢复时间短，则选硅二极管如2CK型为宜，若要求箝位靠近零电平，则选锗二极管2AK型为合适。
图２任意电平箝位电路 限幅电路 图３是二极管限幅电路，电路（a）是并联单向限同上电路，电路（b）是串联单向限幅电路；电路（C)是双向限幅电路，三种电路的工作原理相同，现以电路（C）说明：分析电路原理时认为二极管的正向电阻Rf为零反向电阻Rr为无限大，当Ui>E1时，D1导通，则Uo=E1；反之，当Ui< E2时，D2导通，则Uo= -E2;而当E2〈Ui
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