M(Au、Ag、Ti) TiO2 Pt器件的电致阻变性质
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二硼化钛颗粒材料的电特性及其在故障限流中的应用研究二硼化钛(Titanium Diboride, TiB2)是一种陶瓷材料,具有许多优良的性能,如高熔点、高硬度、高导电性和高热导率等。
因此,它在电特性方面有着广泛的应用潜力。
本文将重点探讨二硼化钛颗粒材料的电特性,并讨论其在故障限流中的应用研究。
首先,二硼化钛具有良好的导电性能。
二硼化钛的电导率较高,可达1.5×10^6S/m,是一种良好的导体。
这使得二硼化钛在电子器件制造领域具有潜在的应用前景。
例如,它可以用于制造低电阻率的薄膜电阻器,用于替代传统的金属导体,以实现更高的电导率和更低的功耗。
其次,二硼化钛具有优异的抗氧化性能。
由于二硼化钛与氧气反应性较弱,因此具有出色的抗氧化性能。
这意味着二硼化钛可以在高温环境下保持其电导性能,而不会受到氧化的影响。
这种特性使得二硼化钛在高温故障限流中具有应用潜力。
例如,在熔断开关中,二硼化钛可以作为电极材料,以确保在高温环境下的稳定性和可靠性。
另外,二硼化钛还具有良好的机械性能和热导率。
二硼化钛的硬度比大部分金属都要高,可以达到30GPa,而热导率高达45W/m·K。
这些性能使得二硼化钛在故障限流过程中表现出色,例如在高电流冲击下仍能保持其形状和性能。
因此,在高压断路器和隔离开关等设备中,二硼化钛可以用作电触点材料,以提高开关的可靠性和寿命。
除了上述应用外,二硼化钛还具有应用于电子封装和热管理等领域的潜力。
由于二硼化钛的热导率高,可以有效地传导和分散电子器件产生的热量,保持器件的稳定性和性能。
因此,在高功率电子器件封装中,可以利用二硼化钛作为散热材料来提高器件的性能和可靠性。
综上所述,二硼化钛颗粒材料具有优良的电特性和热特性,在故障限流以及其他领域中具有广泛的应用潜力。
随着对该材料性能的进一步研究和发展,相信会有更多的领域能够应用二硼化钛,推动其在电子器件制造和能源领域的发展。
TiO2的光催化性能研究摘要:主要介绍二氧化钛的光催化原理,基本途径,以及光催化剂的结构特性和影响因素,还讲述了关于二氧化钛的光催化应用。
关键字:二氧化钛光催化光催化剂二氧化钛,化学式为TiO2,俗称钛白粉,多用于光触媒、化妆品,能靠紫外线消毒及杀菌,现正广泛开发,将来有机会成为新工业。
二氧化钛可由金红石用酸分解提取,或由四氯化钛分解得到。
二氧化钛性质稳定,大量用作油漆中的白色颜料,它具有良好的遮盖能力,和铅白相似,但不像铅白会变黑;它又具有锌白一样的持久性。
二氧化钛还用作搪瓷的消光剂,可以产生一种很光亮的、硬而耐酸的搪瓷釉罩面。
1 TiO 2的基本性质1.1结晶特征及物理常数物性:金红石型锐钛型结晶系:四方晶系四方晶系相对密度:3.9~4.2 3.8~4.1折射率:2.76 2.55莫氏硬度:6-7 5.5-6电容率:114 31熔点:1858高温时转变为金红石型晶格常数:A 轴0.458,c 轴0.795 A 轴0.378,c 轴0.949线膨胀系数:25 C / Ca 轴:7.19X10-6 2.88 ? 10-6c 轴:9.94X10-6 6.44 ? 10-6热导率:1.809 ? 10-3吸油度:16〜48 18〜30着色强度:1650~1900 1200~1300颗粒大小:0.2~0.3 0.3功函数:5.58eV2TiO2的光催化作用2.1光催化作用原理二氧化钛是一种N型半导体材料,锐钛矿相TiO2的禁带宽度Eg =3.2eV , 由半导体的光吸收阈值入g与禁带宽度Eg的关系式:入g (nm>=1240/Eg(eV>可知:当波长为387nm的入射光照射到TO上时,价带中的电子就会发生跃迁,形成电子-空穴对,光生电子具有较强的还原性,光生空穴具有较强的氧化性。
在半导体悬浮水溶液中,半导体材料的费M能级会倾斜而在界面上形成一个空间电荷层即肖特基势垒,在这一势垒电场作用下,光生电子与空穴分离并迁移到粒子表面的不同位置,还原和氧化吸附在表面上的物质。
退火温度对Ag/TiO2薄膜光致变色特性的影响引言随着科技的不断发展,人们对功能材料的需求越来越高。
Ag/TiO2薄膜具有光致变色、光学记录等多种应用特性,因此在光学器件、信息存储、显示技术等领域得到广泛关注。
其中,光致变色是Ag/TiO2薄膜最重要的特性之一,对其应用性能具有重要影响。
本文将针对Ag/TiO2薄膜的光致变色特性进行研究,探究退火温度对其特性的影响。
实验方法制备Ag/TiO2薄膜的过程如下:首先,将玻璃基板按照一定比例混合TiO2和Ag前体溶液。
然后,将混合溶液通过旋涂的方式均匀撒在玻璃基板上,并在空气中干燥。
最后,将干燥后的薄膜放入流动氩气中进行煅烧处理。
煅烧过程分别在300°C、400°C、500°C、600°C和700°C进行,每个温度下煅烧时间均为2小时。
完成Ag/TiO2薄膜的制备后,使用紫外可见光谱仪(UV-Vis)和X射线衍射仪(XRD)对其进行测试。
然后进行光致变色实验,使用可见光谱仪对光致变色特性进行测试,测量薄膜的吸光度随时间的变化。
实验结果1. UV-Vis光谱分析如图1所示,在不同温度下制备的Ag/TiO2薄膜的UV-Vis吸收光谱呈现出明显差异。
其中,300°C制备的薄膜中,TiO2的吸收峰位于380nm处、Ag的吸收峰位于400nm处;400°C制备的薄膜中,TiO2的吸收峰位于390nm处,Ag的吸收峰位于410nm处;500°C 制备的薄膜中,TiO2的吸收峰位于400nm处,Ag的吸收峰位于450nm处;600°C制备的薄膜中,TiO2的吸收峰位于420nm处,Ag 的吸收峰位于480nm处;而700°C制备的薄膜中,TiO2的吸收峰位于460nm处,Ag的吸收峰位于580nm处。
可以看出,随着煅烧温度的升高,TiO2和Ag的吸收峰逐渐向长波方向移动。
摘要目前,全球面临着环境污染和能源危机两大难题。
半导体光催化剂可以将太阳能转化为化学能,是治理环境污染和解决能源危机的有效途径之一。
其中,以TiO2为代表的光催化剂,由于其具有优异的氧化能力和化学稳定性,而广泛用于光催化分解有机污染物、抗菌杀毒、光解水制氢和太阳能敏化电池等领域。
但是,TiO2是宽禁带半导体(锐钛矿3.2 eV),只能吸收紫外光,且量子效率较低,限制了TiO2在实际生活中的应用。
大量的研究表明,贵金属纳米粒子修饰改性TiO2光催化剂,特别是具有表面等离子体效应的贵金属纳米粒子改性是提高其光催化性能的有效方式之一。
通过具有表面等离子效应的贵金属纳米粒子改性,一方面由于引入金属的费米能级低于TiO2导带能级,促进光生电子的分离和转移,抑制载流子复合,一定程度上提高TiO2的光催化活性。
另一方面由于贵金属纳米粒子的表面等离子体共振效应将TiO2的光响应拓展到可见光区,受激电子从贵金属纳米粒子注入TiO2导带,增强可见光区TiO2的光催化性能。
本博士论文的研究工作主要通过调控TiO2光催化剂的晶型结构、金属组成、形貌等因素,拓展TiO2光响应范围,提高光生载流子的形成、分离和转移效率,抑制电子-空穴的复合,提高催化剂的光催化活性,同时深入研究和讨论了光生电荷行为与光催化活性之间的关系,为设计和制备高性能光催化剂提供了有力依据。
具体工作内容主要包括:(1)第一章介绍了TiO2光催化剂的晶体结构、能带结构、光生电荷行为以及光催化机理,说明了TiO2光催化剂光生电荷行为和光催化性能的影响因素,包括结构设计、掺杂离子、金属纳米粒子以及表面异质结结构等,阐述了贵金属修饰的纳米TiO2光催化剂在光降解环境污染物、光解水制氢、光催化还原二氧化碳等方面的应用。
(2)第二章我们研究了不同晶型结构的一维TiO2纳米线的制备与光生电荷行为。
利用简单环保的方法制备了具有不同晶型结构的TiO2纳米线。
XRD、TEM 和SEM 结果表明样品呈现长度约为十几微米,宽度约为60-80 nm的纳米线状形貌,随退火温度的升高,晶型结构从锐钛矿、锐钛矿/金红石混晶向金红石相转变。
电致变色材料一、定义:电致变色是指材料的光学属性(反射率、透过率、吸收率等)在外加电场的作用下发生稳定、可逆的颜色变化的现象,在外观上表现为颜色和透明度的可逆变化。
工作原理:电致变色材料在外加电场作用下发生电化学氧化还原反应,得失电子,使材料的颜色发生变化,器件工作时,在两个透明导电层之间加上一定的电压,电致变色层材料在电压作用下发生氧化还原反应,颜色发生变化;而电解质层则由特殊的导电材料组成,如包含有高氯酸锂、高氯酸纳等的溶液或固体电解质材料;离子存储层在电致变色材料发生氧化还原反应时起到储存相应的反离子,保持整个体系电荷平衡的作用,离子存储层也可以为一种与前面一层电致变色材料变色性能相反的电致变色材料,这样可以起到颜色叠加或互补的作用。
如:电致变色层材料采用的是阳极氧化变色材料,则离子存储层可采用阴极还原变色材料。
二、电致变色材料的分类1.无机电致变色材料和有机电致变色材料2.无机电致变色材料(三氧化钨(WO3)、五氧化二钒(V2O5)、氧化镍(NIO)、二氧化钛(TIO2))等。
3.有机电致变色材料(有机小分子电致变色材料、高分子电致变色材料)三、电致变色器件及性能指标电致变色器件的典型结构:器件结构从上到下分别为:玻璃或透明基底材料、透明导电层(如:ITO)、电致变色层、电解质层、离子存储层、透明导电层(如:ITO)、玻璃或透明基底材料。
按结构分类:1.溶液型电致变色器件(有机小分子)2.半溶液型电致变色器件(芳香类紫精化合物、含有甲氧基的芴类化合物)等。
3.固态电致变色器件(金属氧化物、普鲁士蓝、含有有机酸基团的紫精以及导电高分子)。
四、电致变色器件性能1.电致变色反差2.电致变色效率3.开关速度4.稳定性5.光学记忆五、电致变色材料应用领域电致变色智能玻璃电致变色智能玻璃在电场作用下具有光吸收透过的可调节性,可选择性地吸收或反射外界的热辐射和内部的热的扩散,减少办公大楼和民用住宅在夏季保持凉爽和冬季保持温暖而必须消耗的大量能源。
二氧化钛在电致变色薄膜中的作用二氧化钛在电致变色薄膜中的作用介绍•电致变色薄膜是一种能够通过施加电场来改变其颜色的薄膜材料。
•二氧化钛作为一种重要的半导体材料,广泛应用于电致变色薄膜中。
电致变色原理•电致变色薄膜的颜色变化是通过电场激发材料内部的电荷传递和电子结构变化完成的。
•当材料处于不同电场强度下,其电子的能级分布和吸收特性也会发生改变,从而产生不同的颜色。
二氧化钛的特性•二氧化钛具有较高的折射率和光学吸收系数,使其能够有效地调节光的透射和反射。
•二氧化钛还具有良好的电子输运性能和较高的载流子迁移率,有助于电场激发下的电荷传递过程。
二氧化钛在电致变色薄膜中的作用1.电致变色调制层–二氧化钛可以作为电致变色薄膜的基础调制层,通过调节二氧化钛的厚度和结构来控制薄膜的颜色响应范围和变色速度。
–二氧化钛的高折射率可以增加光的反射,从而提高薄膜的颜色饱和度和亮度。
2.电荷传递层–二氧化钛具有良好的电子输运性能,可以作为电致变色薄膜中的电子传输层,促进电荷的传递和分布。
–二氧化钛的载流子迁移率高,有助于提高电荷的传输速度和效率。
3.光学调控层–二氧化钛可以通过调节其晶体结构和掺杂离子来调控光的吸收和透射特性,从而实现对薄膜颜色的调控。
–二氧化钛的光学吸收系数高,可以增加光的吸收量,提高薄膜的变色效果。
应用前景•二氧化钛在电致变色薄膜中的作用使得其具备了广泛的应用前景。
•电致变色薄膜可以应用于智能窗、防眩光眼镜、显示器件等领域,为人们的生活和工作带来便利和舒适。
结论•二氧化钛作为电致变色薄膜中的关键组成材料,在电场激发下的电子结构变化和电荷传递过程中起到了重要作用。
•进一步研究二氧化钛的性质和调控方法,将有助于提高电致变色薄膜的性能和应用范围,推动该领域的发展进程。
在进一步研究中,可以探索以下方向: - 深入理解二氧化钛的光学特性:通过调控二氧化钛的晶体结构和成分,进一步增强其光学吸收特性,提高薄膜的变色效果和响应速度。
阴极电沉积法制备二氧化钛膜及其电化学行为的开题报告一、研究背景二氧化钛是一种广泛应用于光电、催化等领域的重要材料。
在光电领域中,二氧化钛作为一种半导体材料,具有优异的光电转换性能,在可见光和紫外光区域具有广泛的吸收光谱,并且也可以通过光催化反应降解污染物等。
此外,二氧化钛还具有电化学性质,可以作为一种电极材料,用于电化学能量转换、储能及传感器等方面的应用。
二氧化钛膜的制备方法有很多种,其中电化学方法是一种简单易行且成本较低的制备方法,因此受到了广泛关注。
阴极电沉积法是其中一种常用的方法,通过在阴极表面沉积金属钛的氧化物,在酸性电解液中形成均匀的二氧化钛膜。
然而,二氧化钛膜的性能与其制备条件密切相关,因此需要对其电化学行为进行深入的研究。
二、研究目的本文旨在通过阴极电沉积法制备二氧化钛膜,研究其电化学行为,包括电化学响应、电荷传递速率等方面的性能,并探讨其在能源转换和储能以及传感器等领域的应用前景。
三、研究方法(1) 二氧化钛膜的制备方法:采用阴极电沉积法制备二氧化钛膜,钛基阴极放置于含有适量电解质的酸性电解液中,经过不同时间的沉积后,用扫描电镜(SEM)观察二氧化钛膜的形貌,用X射线衍射(XRD)分析其晶体结构,用紫外-可见漫反射光谱(UV-Vis)分析其光学性质。
(2) 电化学性质的测试:使用循环伏安法(CV)、恒电位电化学阻抗谱(EIS)等方法测试二氧化钛膜的电化学响应、电荷传递速率等性能,并与商用二氧化钛膜进行比较。
四、研究意义通过研究阴极电沉积法制备的二氧化钛膜的电化学行为,可以为其在能源转换和储能以及传感器等领域的应用提供理论支持,同时也可以为开发更优异的二氧化钛膜材料提供启示。
M(Au、Ag、Ti) TiO2 Pt器件的电致阻变性质作者:李璐邹利兰杨庆生谭聪林来源:《科技资讯》2019年第01期摘要:该文分析了不同的类型的金属顶电极对TiO2薄膜电致阻变效应的影响,通过对器件I-V曲线的分析,发现器件Au/TiO2/Pt和Ag/TiO2/Pt具有稳定的电致阻变性质,且Ag/TiO2/Pt器件的置位电压和复位电压较小。
相反的,器件Ti/TiO2/Pt的电致阻变性质具有不稳定的电致阻变性质,这与Ti电极容易被氧化在界面处形成氧化物有关,界面处氧化物的形成影响了器件的电致阻变性质。
结合电致阻变效应机制的分析,表明顶电极材料会影响RRAM器件的电致阻变性质。
关键词:二氧化钛薄膜电致阻变顶电极中图分类号:TP391.41 文献标识码:A 文章编号:1672-3791(2019)01(a)-00-03Abstract:The effect of top electrode on resistive switching behavior of TiO2 thin film was investigated. Three different electrode metals, such as Au, Ag and Ti, were used as a top electrode (TE) to evaluate the dependency of the resistive switching characteristics on the TE of the metal/TiO2/Pt structure. From a detailed analysis of the I –V curves, it was found that theAu/TiO2/Pt and Ag/TiO2/Pt memory devices showed stable resistive switching in contrast to theTi/TiO2/Pt devices due to the formation of oxide between Ti electrode and films probably. Meanwhile, the set and reset voltages of Ag/TiO2/Pt devices are lower. Combining with the analysis of resistive switching mechanism, the results indicated that the top electrode play an important role in resistive switching behavior of TiO2 thin films.Key Words:TiO2Thin Film; Resistive Switching; Top Electrodes二氧化钛是一种典型的电致阻变材料,基于二氧化钛电致阻变性质的相关研究工作和实验基础可知,电极材料的选择对研究二氧化钛材料的电致阻变性质的工作意义重大。
电致阻变效应的几种模型,如电化学金属型、价态变化型和热化学效应型等[1-4]。
在电化学金属型的机制中,器件的电致阻变效应由金属电极在电场下的氧化还原反应引起的,故在由电化学金属型主导的电致阻变效应的器件中,必须选择电化学活性金属,如Ag和Cu作为电极材料[5]。
而在一些采用电化学惰性金属(Pt、Au)作为电极的器件中,其电致阻变效应主要由材料中的氧缺陷(氧离子或氧空位)在电场下迁移从而在器件内引起一系列相关的变化而导致的。
在这类器件的电致阻变效应中,电极不参与电化学或者其他化学反应,电极材料的选择主要为Pt、Au 等化学性质较稳定的金属或者合金[4]。
在另一类以电化学惰性金属(Ti、Al等)为电极材料的RRAM器件中,电极材料不易在电场的作用下发生氧化还原反应,但是它们的化学性质不稳定,易与空气中的氧发生反应而形成氧化物[6]。
故在制备以金属(Ti、Al等)为电极材料的RRAM器件中,在电极材料上面必须再镀上一层Pt或者Au的保护层。
由于Ti和Al等金属化学性质不稳定,易与氧发生反应,能够吸收薄膜中的氧离子,在薄膜与电极的界面处形成一层薄的氧化物层。
有关的研究表明,界面氧化物的形成会影响器件的电致阻变性质[7]。
根据金属与半导体接触理论可知,当金属和半导体接触时,由于金属和半导体的功函数差,在金属和半导体界面会形成肖特基势垒。
通常,我们在制备RRAM器件的过程中,为了提高薄膜的质量,旋转涂覆后得到的薄膜需要经过一个高温后续退火的过程。
有研究证明,高温退火过程会使Pt衬底中的粘附层Ti扩散至薄膜中并与薄膜中的氧发生反应,在薄膜和底电极的界面处会存在大量的氧缺陷,底电极与薄膜的接触为欧姆接触。
在I-V曲线的测试过程中,由于顶电极与薄膜之间肖特基势垒的存在,I-V曲线会表现出类似P-N结的整流特性。
实际上,金属和半导体接触时,除了两者功函数之外,它们之间的接触势垒还会受到表面态、缺陷密度及电极材料的电负性的影响。
Zhong等报道了电极材料的电负性对I-V曲线的影响,在Pt/TiOx/M/Pt(M为Ag、Cu、Ti、Al、Pt)中,通过改变制备工艺使底电极和界面的接触为欧姆接触,即Pt/TiOx界面处为欧姆接触。
图1为各金属材料的电负性及金属功函数,从图1中可以看出,在金属Ag、Ti、Al的功函数相差不大的情况下,器件Pt/TiOx/M/Pt (M为Ag、Ti、Al)的I-V曲线的实验测试结果不同,以Ag为顶电极的器件的I-V曲线表现出整流特性,而Ti、Al与TiOx薄膜的接触为欧姆接触。
由上面的分析可知,金属的电负性会影响金属和薄膜之间的接触,从而影响器件的I-V特性。
Ti和Al的电负性小,化学性质不稳定,能够与薄膜中的氧发生化学反应,界面处的薄膜材料氧缺陷增多,导致金属与薄膜的接触为欧姆接触,故器件Pt/TiO2/M/Pt(M为Al、Ti)的I-V曲线未表现出整流特性。
基于前面的分析,我们把电极的材料归为3类:电化学活性金属(Ag、Cu)、化学性质稳定的金属(Pt、Au)、化学性质较活泼金属(Ti)。
1 器件的制备我们采用溶胶凝胶法在Pt上面制备二氧化钛薄膜,制备好的薄膜在管式炉中后续退火,退火温度为600℃,升温速率为5℃/min,保温时间为1h。
采用离子溅射法在制备好的薄膜表面镀上电极,构成三明治结构的M/TiO2/Pt(M分别为Ag、Au、Ti)RRAM器件。
2 薄膜的微观结构表征图2为衬底Pt/TiO2/SiO2/Si衬底上制备的二氧化钛薄膜的横截面图和表面形貌图。
从图2中可以看出,经过600℃后续退火的薄膜表面光滑平整,晶粒大小均匀,晶粒尺寸约为20~30nm,薄膜的厚度约为110nm。
3 M/TiO2/Pt(M为Ag、Au、Ti)器件的电致阻变效应初始态时,器件处于高阻态,需要一个较大的电压将薄膜初始化(Forming)。
图3为器件M/TiO2/Pt(M为Ag、Au、Ti)初始化之后的I-V曲线图。
M/TiO2/Pt(M为Ag、Au、Ti)器件具有双极型的电致阻变性质:在正电压区由高阻态转化为低阻态,发生置位过程;在负电压区由低阻态转化成高阻态,发生复位过程。
但由于电致阻变性质机理不同,高低阻态电流值、置位和复位电压的范围、需要的限制电流大小都有区别。
在Au/TiO2/Pt器件中,Au为电化学惰性金属,在电场的作用下不发生氧化还原反应,器件的电致阻变性质主要由TiO2薄膜中氧缺陷在电场作用下迁移所导致,器件Au/TiO2/Pt的电致阻变性质与Pt/TiO2/Pt类似,但由于器件置位过程中所需要的限制电流较小,器件内热效应作用不明显,导电丝的形成与熔断过程主要由电场作用下氧空位与氧离子的迁移所致,故器件具有双极型的电致阻变性质。
值得注意的是,器件复位过程中的复位电流的大小大于限制电流的大小,也称为过冲现象(Overshoot),有文献资料报导,过冲现象会影响RRAM器件的稳定性,但具体原因仍在进一步的研究中。
就Ag/TiO2/Pt器件而言,其电致阻变机理可归结于电化学金属化机制,器件的电致阻变效应源于电极材料Ag在电场的作用下发生氧化还原反应与迁移。
在Ti/TiO2/Pt器件中,由于Ti的化学性质不稳定,能与薄膜中的氧发生反应,在界面处形成一层氧化层TiOx, Ti/TiO2/Pt器件的双极型的电致阻变效应主要源于器件内部氧空位与氧离子在电场作用下的迁移。
4 结语我们采用溶胶凝胶法制备的二氧化钛薄膜,为了研究不同的电极对薄膜电致阻变性质的影响,我们制备了M/TiO2/Pt(M为Ag、Au、Ti)器件并测试了它们的I-V特征曲线。
从器件的I-V曲线分析可以得出,电极材料的选择会影响薄膜的电致阻变性质。
在实际的应用过程中,我们可以根据应用的需要选择适合的电极材料。
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