《电子技术基础》复习要点课程名称：《电子技术基础》适用专业：2018级电气工程及其自动化（业余）辅导教材：《电子技术基础》张志恒主编中国电力出版社复习要点第一章半导体二极管1.本征半导体❑单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅Si和锗Ge。
❑导电能力介于导体和绝缘体之间。
❑特性：光敏、热敏和掺杂特性。
❑本征半导体：纯净的、具有完整晶体结构的半导体。
在一定的温度下，本征半导体内的最重要的物理现象是本征激发（又称热激发），产生两种带电性质相反的载流子（空穴和自由电子对），温度越高，本征激发越强。
◆空穴是半导体中的一种等效+q的载流子。
空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶体中空位，使局部显示+q电荷的空位宏观定向运动。
◆在一定的温度下，自由电子和空穴在热运动中相遇，使一对自由电子和空穴消失的现象称为复合。
当热激发和复合相等时，称为载流子处于动态平衡状态。
2．杂质半导体❑在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
◆P型半导体：在本征半导体中掺入微量的3价元素（多子是空穴，少子是电子）。
◆N型半导体：在本征半导体中掺入微量的5价元素（多子是电子，少子是空穴）。
❑杂质半导体的特性◆载流子的浓度：多子浓度决定于杂质浓度，几乎与温度无关；少子浓度是温度的敏感函数。
◆体电阻：通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
◆在半导体中，存在因电场作用产生的载流子漂移电流（与金属导电一致），还才能在因载流子浓度差而产生的扩散电流。
3.PN结❑在具有完整晶格的P型和N型半导体的物理界面附近，形成一个特殊的薄层（PN结）。
❑PN结中存在由N区指向P区的内建电场，阻止结外两区的多子的扩散，有利于少子的漂移。
❑PN结具有单向导电性：正偏导通，反偏截止，是构成半导体器件的核心元件。
◆正偏PN结（P+，N-）：具有随电压指数增大的电流，硅材料约为0.6-0.8V，锗材料约为0.2-0.3V。
◆反偏PN结（P-，N+）：在击穿前，只有很小的反向饱和电流Is。
精品文档《电子技术基础》课程习题集西南科技大学成人、网络教育学院版权所有习题【说明】：本课程《电子技术基础》（编号为 08001）共有单选题 , 简答题 , 计算题 1, 作图题 1, 作图题 2, 计算题 2, 分析题 , 化简题等多种试题类型，其中，本习题集中有 [ 计算题 2, 作图题 2] 等试题类型未进入。
一、单选题1.测得 NPN三极管的三个电极的电压分别是U =1.2V ，U =0.5V ，U =3V，该三极管处在（）B E C状态。
A. 击穿B.截止C.放大D.饱和2.二极管的主要特性是（）。
A. 放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性3.在 N 型半导体中（）。
A. 只有自由电子B. 只有空穴C.有空穴也有电子D. 没有空穴也没有自由电子4.三极管的两个PN结都正偏，则晶体三极管的状态是（）。
A. 放大B.饱和C.截止D.倒置5.工作在放大状态的某三极管，当输入电流 I B=10μA时，I C=1mA；而 I B=20μA时，IC=1.8mA，则该三极管的交流电流放大系数为（）。
A.50B.80C.100D.1806.稳压管的稳压是其工作在（）。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿区D.正向死区7.在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、 -10V和 -9.3V，则该管为（）。
A.NPN硅管B.NPN锗管C.PNP硅管D.PNP锗管8.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。
A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷9.测得 NPN型硅三极管三个电极电位分别为：U B=2.8V ， U E=2.1V ， U C＝ 3.6V ，则该管处于（）状态。
精品文档10.P 型半导体中的自由电子浓度（）空穴浓度。
A. 大于B.小于C.等于D.大于或等于11.N 型半导体是在纯净的本征半导体中加入（）。
A. 自由电子B.空穴C.硼元素D.磷元素12.三极管工作在放大区的条件是（）。
电子技术基础模拟试题A一、填空题（每空2分）1．二极管主要由一个构成，因此具有的特性。
2．整流滤波电路可以输出较平滑的直流电压，但当和变化时，会引起输出直流电压的波动。
3．三极管具有作用，即的微小变化控制了的较大变化。
4．直流通路用于分析放大器的。
5．放大器必须设置，才能避免产生非线性失真。
6．电路中引入负反馈可以稳定输出电压。
7．引入负反馈后，放大器的放大倍数、稳定性。
8．自激振荡器电路主要由和两部分组成。
9．自激振荡器电路的条件是：和。
10．直流放大器在输入信号为零时，其输出端电压出现忽大忽小、忽快忽慢、无规则变化的现象叫做。
11．工作于线性区的理想运放具有以下特点：两输入端的电位、输入电流。
12．串联型稳压电源由以下、四个环节组成。
13．电压放大器和功率放大器分别工作于信号状态。
14．平滑的、连续变化的电压或电流叫，离散的、断续变化的电压或电流叫。
15．与非门的逻辑功能为、。
16．半加指两个一位二进制数求和，只计算，不管。
17．JK触发器中，J = 、K= 时，实现计数功能。
18．寄存器具有存储数码和信息的功能，分为和。
19．是存储信息的基本单元。
20．D/A 转换用于把信号转换为信号。
二、选择题（每题2分）1．二极管加上0.3V的正向电压时，其状态为( )。
A．导通B．饱和C．截止2．变压器次级交流电压为20V，单项桥式整流时，负载上的平均电压为( )。
A．9V B．18V C．20V3．测得NPN型三极管的三个电极的电压分别是6V、1.6V、1V，它处于（）状态。
A．放大B．饱和C．截止4．在放大电路中，通常用于调整静态工作点的元件是（）。
A．电源B．基极偏置电阻C．集电极负载电阻5．差动放大器中发射极电阻Re的作用是（）A．交流负反馈减小失真B．对共模信号负反馈C．对差模信号负反馈6．无信号时甲乙功率放大器中两个三极管的工作状态为（）A．都截止B．都导通C．都轻微导通7．OTL功率放大器中，静态时耦合电容上的电压为（），其中电源电压为G C 。
电子技术基础1复习题一、电压放大1、放大电路如图所示，已知三极管β=50，U BEQ=0.7V，r bb’=200Ω。
电路中各参数标示图中。
（1）试估算电路的静态工作点I CQ、U CEQ；（3）求电压放大倍数A u、输入电阻R i和输出电阻R O；（4）若信号源内阻R S=600Ω，求源电压放大倍数A us。
（5）若去掉旁路电容，则A u、R i和R O如何变化？2、放大电路如图所示，已知三极管β=50，U BEQ=0.7V，r bb’=200Ω。
电路中各参数标示图中。
（1）估算静态工作点I CQ、U CEQ；（2）估算电压放大倍数A u；（3）求输入电阻和输出电阻；（4）若C E断开，电压放大倍数将有何变化？CC o二、功放1、OTL功率放大器如图所示，试回答：（1）静态时，A点的电位应是多少？（2）若两管子的饱和压降均为2V，计算最大不失真输出功率P omax和效率η；（3）分析VD1、VD2的作用。
2、OCL功率放大器如图所示，试回答：（1）静态时，A点电位是多少？（2）若两管子的饱和压降均为3V，计算最大不失真输出功率P omax和效率η；（3）说明图中VD1、VD2的作用。
ccu Su ou o－+o三、运算电路1、运算电路如下图所示，（1）A1组成何种运算电路，有何特点？（2）当u i=1V，计算输出电压u o1值和u o值。
2、运算电路如下图所示，（1）A1、A2分别组成何种运算电路？（2）当u i1=0.1V，u i2=2V，试计算输出电压u o1值和u o 值。
四、深度负反馈的近似计算1、负反馈放大电路如下图所示，试：（1）判断反馈类型，说明该负反馈稳定输出电压还是稳定输出电流？分析其反馈类型对电路输入电阻、输出电阻的影响；（2）估算在深度负反馈条件下，闭环电压放大倍数A uf。
（3）指出运放的反相输入端是否为虚地端。
2、1、（14分）负反馈放大电路如下图所示，试：（1）判断反馈类型，说明该负反馈稳定输出电压还是稳定输出电流？分析此反馈类型对电路输入电阻、输出电阻的影响；（2）估算在深度负反馈条件下，闭环电压放大倍数A uf。
