各式贴片二极管基本参数
TYPE Io(A) VR(V) VF(V) IR(μA) PD(mW) Package 1N4148W 150mA 75 1.25 1.0 350 SOD-123 1N4448W 250mA 75 1.25 2.5 350 SOD-123 BAV16W 150mA 75 1.25 1.0 400 SOD-123 BAV19W 200mA 100 1.25 0.1 250 SOD-123 BAV20W 200mA 150 1.25 0.1 250 SOD-123 BAV21W 200mA 200 1.25 0.1 250 SOD-123 1N4148WS 150mA 75 1.25 1.0 350 SOD-323 1N4448WS 250mA 75 1.25 2.5 350 SOD-323 BAV16WS 150mA 75 1.25 1.0 400 SOD-323 BAV19WS 200mA 100 1.25 0.1 250 SOD-323 BAV20WS 200mA 150 1.25 0.1 250 SOD-323 BAV21WS 200mA 200 1.25 0.1 250 SOD-323 1SS387 100mA 80 1.2 0.5 150 SOD-523 1SS388 100mA 40 0.6 5.0 150 SOD-523 1SS400 100mA 90 1.2 0.1 150 SOD-523 1SS422 150mA 85 1.2 0.1 150 SOD-523 BAS16X 150mA 75 1.25 1.0 150 SOD-523 BAS516 200mA 75 1.25 1.0 200 SOD-523 1SS400G 100mA 90 1.2 0.1 100 SOD-723 TYPE Io(A) VR(V) VF(V) IR(μA) Trr(nS) Package BAT42W - 30 0.65 0.2 - SOD-123 BAT43W - 30 0.45 0.2 - SOD-123 BAT46W - 30 0.45 0.2 - SOD-123 SD101AW - 60 1.0 0.2 - SOD-123 SD101BW - 50 0.95 0.2 - SOD-123 SD101CW - 40 0.9 0.2 - SOD-123 1N5711W - 70 1.0 0.2 - SOD-123 1N6263W - 60 1.0 0.2 - SOD-123 B0520W 0.5 20 0.385 250 - SOD-123 B0530W 0.5 30 0.43 130 - SOD-123 B0540W 0.5 40 0.62 20 - SOD-123 B5817W 1.0 20 0.75 1000 - SOD-123 B5819W 1.0 40 0.9 1000 - SOD-123 FM120-M-FM1100-M 1.0 20-100 0.5-0.85 1000 - SOD-123 FM220-M-FM2100-M 2.0 20-100 0.5-0.85 1000 - SOD-123 BAT42WS - 30 0.65 0.5 - SOD-323 BAT43WS - 30 0.45 0.5 - SOD-323 BAT54WS - 30 1.0 2.0 - SOD-323
BAS40WS - 40 1.0 0.2 - SOD-323 BAS70WS - 70 1.0 0.1 - SOD-323 SD101AWS - 60 1.0 0.2 - SOD-323 SD101BWS - 50 0.95 0.2 - SOD-323 SD101CWS - 40 0.9 0.2 - SOD-323 SD103AWS - 40 0.37 5.0 - SOD-323 SD103BWS - 30 0.6 5.0 - SOD-323 SD103CWS - 20 0.6 5.0 - SOD-323 MBR0520WS - 20 0.31 0.1 - SOD-323 MBR0530WS - 30 0.36 0.03 - SOD-323 MBR0540WS - 40 0.36 0.03 - SOD-323 1N5711WS - 70 1.0 0.2 - SOD-323 BAT54X 200mA 30 0.8 2.0 - SOD-523 RB520S-30 200mA 30 0.45 0.5 - SOD-523 RB521S-30 200mA 30 0.35 10 - SOD-523 RB751S-40 30mA 40 0.37 0.5 - SOD-523 RB520G-30 100mA 30 0.345 0.5 - SOD-723 RB521G-30 100mA 30 0.35 10 - SOD-723 RB751G-40 30mA 40 0.37 0.5 - SOD-723 FM4001-M-FM4007-M 1.0 50-1000 1.10 5.0 - SOD-123 FFM-101-M-FFM107-M 1.0 50-1000 1.3 5.0 150-500 SOD-123 MURX0505-MURX0560 0.5 50-600 1.35 5.0 75 SOD-123 HFM101-M-HFM107-M 1.0 50-1000 1.0-1.7 5.0 50-75 SOD-123 BB910 a a a a a SOD-123 BZT52C2V4-BZT52C51 1/2W a a a a SOD-123 BZT52C2V0S-BZT52C39S 1/4W a a a a SOD-323 TYPE Io(A) VR(V) VF(V) IR(μA) PD(mW) Package 1SS181 - 80 1.2 0.5 150 SOT-23 1SS184 - 80 1.2 0.5 150 SOT-23 1SS187 - 80 1.2 0.5 150 SOT-23 1SS190 - 80 1.2 0.5 150 SOT-23 1SS193 - 80 1.2 0.5 150 SOT-23 1SS196 - 80 1.2 0.5 150 SOT-23 1SS226 - 80 1.2 0.5 150 SOT-23 BAL99LT1 - 70 1.25 2.5 350 SOT-23 BAS116LT1 - 75 1.25 5.0 300 SOT-23 BAS16LT1 - 75 1.25 1.0 225 SOT-23 BAS19LT1 - 120 1.25 0.1 225 SOT-23 BAS21LT1 - 250 1.25 1.0 225 SOT-23 BAV70LT1 - 70 1.0 5.0 350 SOT-23
BAW56LT1 - 70 1.0 2.5 350 SOT-23 BAV74LT1 - 50 1.0 0.1 225 SOT-23 BAV99LT1 - 70 1.25 2.5 225 SOT-23 DAN202K - 70 1.25 2.5 225 SOT-23 DAP202K - 70 1.25 2.5 225 SOT-23 MA147 - 80 1.2 100 - SOT-23 MA153 - 40 1.2 0.1 - SOT-23 MA153A - 80 1.2 0.1 - SOT-23 MA157A - 80 1.2 0.1 - SOT-23 MMBD914LT1 - 75 1.25 2.5 225 SOT-23 MMBD2836LT1 - 75 1.0 0.1 225 SOT-23 MMBD2838LT1 - 75 1.2 0.1 225 SOT-23 MMBD6050LT1 - 70 1.1 0.1 225 SOT-23 MMBD7000LT1 - 100 1.1 5.0 225 SOT-23 SDS7000 - 100 1.1 5.0 225 SOT-23 BAS16W - 75 1.25 1.0 200 SOT-323 BAS19W - 100 1.25 0.1 200 SOT-323 BAS20W - 150 1.25 0.1 200 SOT-323 BAS21W - 200 1.25 0.1 200 SOT-323 BAV70W - 75 1.25 2.5 200 SOT-323 BAV99W - 75 1.25 2.5 200 SOT-323 BAW56W - 75 1.25 2.5 200 SOT-323 MMBD4148W - 75 1.25 1.0 200 SOT-323 MMBD4448W - 75 1.25 2.5 200 SOT-323 BAS16T - 85 1.25 2.0 150 SOT-523 BAW56T - 85 1.25 2.0 150 SOT-523 BAV70T - 85 1.25 2.0 150 SOT-523 BAV99T - 85 1.0 2.0 150 SOT-523 DAN222 - 80 1.2 0.1 100 SOT-523 DAP222 - 80 1.2 0.1 100 SOT-523 BAV70DW - 75 1.25 2.5 200 SOT-363 BAV756DW - 75 1.25 2.5 200 SOT-363 BAV99BRW - 75 1.25 2.5 200 SOT-363 BAV99DW - 75 1.25 2.5 200 SOT-363 BAW56DW - 75 1.25 2.5 200 SOT-363 MMBD4148TW - 75 1.25 1.0 200 SOT-363 BAS16TW - 75 1.25 1.0 200 SOT-363 MMBD4448HADW-HTW - 80 1.25 0.1 200 SOT-363 TYPE Io(A) VR(V) VF(V) IR(μA) Trr(nS) Package BAS40LT1 - 40 1.0 100 - SOT-23
BAS70LT1 - 30 0.45 100 - SOT-23
BAS70LT1-04 - 70 1.0 100 - SOT-23
BAS70LT1-05 - 70 1.0 100 - SOT-23
BAS70LT1-06 - 70 1.0 100 - SOT-23 BAT54A - 30 1.0 2.0 - SOT-23
BAT54C - 30 1.0 2.0 - SOT-23
BAT54S - 30 1.0 2.0 - SOT-23
1N5817 - 20 0.75 1.0 - SOT-23-3L
1N5819 - 40 0.9 1.0 - SOT-23-3L
RB400D - 40 0.55 0.5 - SOT-23-3L
RB420D - 40 0.45 0.01 - SOT-23-3L
RB421D - 40 0.34 0.01 - SOT-23-3L
RB425D - 40 0.34 0.01 - SOT-23-3L
RB491D - 25 0.45 1.0 - SOT-23-3L
RB495D - 25 0.5 0.2 - SOT-23-3L
BAS40W - 40 1.0 0.2 - SOT-323
BAS40W-04 - 40 1.0 0.2 - SOT-323
BAS40W-05 - 40 1.0 0.2 - SOT-323
BAS40W-06 - 40 1.0 0.2 - SOT-323
BAS70W - 70 1.0 0.1 - SOT-323
BAS70W-04 - 30 1.0 0.1 - SOT-323
BAS70W-05 - 30 1.0 0.1 - SOT-323
BAS70W-06 - 30 1.0 0.1 - SOT-323
BAT54W - 30 1.0 2.0 - SOT-323
BAT54AW - 30 1.0 2.0 - SOT-323
BAT54CW - 30 1.0 2.0 - SOT-323
BAT54SW - 30 1.0 2.0 - SOT-323
RB706F-40 - 30 1.0 1.0 - SOT-323
RB715F - 30 1.0 1.0 - SOT-323
RB715W - 40 0.37 1.0 - SOT-523 BAT54TW-SDW - 30 1.0 2.0 - SOT-363 BZX84C2V4-BZX84C75 a a a a a SOT-23 AZ23C2V7-C51 aaaaaa a a a a SOT-23 BZX84C2V4W-BZX84C39W a a a a a SOT-323 TYPE Io(A) VR(V) VF(V) IR(μA) Trr Package DL4001-DL4007 1.0 50-1000 1.1 5.0 - MELF DL120-DL160 1.0 20-60 0.55-0.70 1000 - MELF DL5817-DL5819 1.0 20-40 0.45-0.60 100 - MELF DLF101-DLF106 1.0 50-800 1.3 5.0 150-500 MELF DL4933-DL4937 1.0 50-600 1.3 5.0 200 MELF
肖特基（势垒）二极管（简称SBD）整流二极管的基本原理?FCH10A15型号简称：10A15 ?主要参数：IF(AV)=10A, VRRM=150V ?产品封装：TO-220F ?脚位长度：6-12mm ?可测试参数：耐压VRRM 正向压降(正向直流电压)VF 漏电IR ?型号全名：FCH20A15 ?型号简称：20A15 ?主要参数：20A 150V ?产品封装：TO-220F ?可测试参数：耐压VRRM 正向压降(正向直流电压)VF 漏电IR ?在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。 其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间特别地短。因此，能制作开关二极和低压大电流整流二极管。 肖特基整流二极管的主要参数 ?以下是部分常用肖特基二极管型号，以及耐压和整流电流值：
肖特基二极管 肖特基二极管常用参数大全 型号制造商封 装 If/A Vrrm/V 最大Vf/V 1SS294 TOS SC-59 0.1 40 0.60 BAT15-099 INF SOT143 0.11 4 0.32 BAT54A PS SOT23 0.20 30 0.50 10MQ060N IR SMA 0.77 90 0 .65 10MQ100N IR SMA 0.77 100 0.9 6
0.34 SS12 GS DO214 1.00 20 0.50 MBRS130LT3 ON - 1.00 30 0 .39 10BQ040 IR SMB 1.00 40 0 .53 RB060L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0.55 RB160L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0.55 SS14 GS DO214 1.00 40 0.50 MBRS140T3 ON - 1.00 40 0 .60 10BQ060 IR SMB 1.00 60 0 .57 SS16 GS DO214 1.00 60 0.75 10BQ100 IR SMB 1.00 100 0.7 8 MBRS1100T3 ON - 1.00 100 0.7 5 10MQ040N IR SMA 1.10 40 0 .51 15MQ040N IR SMA 1.70 40 0 .55 PBYR245CT PS SOT223 2.00 45 0.45
SD101AWS-SD101CWS SCHOTTKY DIODES Case : Molded plastic body Terminals : Plated leads solderable per MIL-STD-750, Method 2026 Polarity : Polarity symbols marked on case Marking: SD101AWS:S1, SD101BWS:S2, SD101CWS:S3 FEATURES MECHANICAL DATA MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS 60SD101AWS 15502.0200300 -65 to +125 Low forward voltage drop Guard ring construction for transient protection Negligible reverse recovery time Maximum ratings and electrical characteristics, Single diode @T A =25 C VOLTS SYMBOLS UNITS V RRM V RMS V DC Peak repetitive peak reverse voltage Working peak reverse voltage DC Blocking voltage RMS Reverse voltage Forward continuous current Repetitive peak forward current @t <1.0s @t=10us Power dissipation Thermal resistance junction to ambient Storage temperature R ΘJA T STG V mA mA A mW C/W C SD101BWS SD101CWS 504042 3528 V R(RMS)I FM I FRM Pd A =25 PARAMETER SOD-323 Dimensions in millimeters and (inches)
肖特基二极管特性详解 我们所熟知的二极管被广泛应用于各种电路中，但我们真正了解二极管的某些特性关系吗?如二极管导通电压和反向漏电流与导通电流、环境温度存在什么样的关系等，让我们来扒扒很多数据手册中很少提起的特性关系和正确合理的选型。下面就随半导体设计制造小编一起来了解一下相关内容吧。 我们都知道在选择二极管时，主要看它的正向导通压降、反向耐压、反向漏电流等。但我们却很少知道其在不同电流、不同反向电压、不同环境温度下的关系是怎样的，在电路设计中知道这些关系对选择合适的二极管显得极为重要，尤其是在功率电路中。接下来我将通过型号为SM360A(肖特基管)的实测数据来与大家分享二极管鲜为人知的特性关系。 1、正向导通压降与导通电流的关系 在二极管两端加正向偏置电压时，其内部电场区域变窄，可以有较大的正向扩散电流通过PN结。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”，锗管约为0.2V，硅管约为0.6V)以后，二极管才能真正导通。但二极管的导通压降是恒定不变的吗?它与正向扩散电流又存在什么样的关系?通过下图1的测试电路在常温下对型号为SM360A的二极管进行导通电流与导通压降的关系测试，可得到如图2所示的曲线关系：正向导通压降与导通电流成正比，其浮动压差为0.2V。从轻载导通电流到额定导通电流的压差虽仅为0.2V，但对于功率二极管来说它不仅影响效率也影响二极管的温升，所以在价格条件允许下，尽量选择导通压降小、额定工作电流较实际电流高一倍的二极管。 图1 二极管导通压降测试电路
图2 导通压降与导通电流关系 2、正向导通压降与环境的温度的关系 在我们开发产品的过程中，高低温环境对电子元器件的影响才是产品稳定工作的最大障碍。环境温度对绝大部分电子元器件的影响无疑是巨大的，二极管当然也不例外，在高低温环境下通过对SM360A的实测数据表1与图3的关系曲线可知道：二极管的导通压降与环境温度成反比。在环境温度为-45℃时虽导通压降最大，却不影响二极管的稳定性，但在环境温度为75℃时，外壳温度却已超过了数据手册给出的125℃，则该二极管在75℃时就必须降额使用。这也是为什么开关电源在某一个高温点需要降额使用的因素之一。 表1 导通压降与导通电流测试数据
贴片TVS二极管5.0SMDJ160CA型号 硕凯电子（Sylvia） 一、编带规格 二、产品图 三、选型与应用 ①TVS管使用时，一般并联在被保护电路上。为了限制流过TVS管的电流不超过管子允许通过的峰值电流IPP，应在线路上串联限流元件，如电阻、自恢复保险丝、电感等。
②击穿电压VBR的选择：TVS管的击穿电压应根据线路最高工作电压UM按公式：VBRmin ≥1.2UM或VRWM≥1.1UM选择。交流：UM=1.414Uac,如，对于220V的交流电，其UM=1.414*220=311（V）；直流：UM=Udc。 四、脉冲降额曲线 五、产品特性 1、为表面安装应用优化电路板空间 2、低泄漏 3、双向单元 4、玻璃钝化结 5、低电感 6、优良的钳位能力 7、5000W的峰值功率能力在10×1000μ波形重复率（占空比）：0.01% 8、快速响应时间：从0伏特到最小击穿电压通常小于1.0ps 9、典型的，在电压高于25V时，反向漏电流小于5μA
10、高温焊接：终端260°C/40秒 11、典型的最大温度系数△Vbr=0.1%x Vbr@25°C x△T 12、塑料包装有保险商实验室可燃性94V-0 13、无铅镀雾锡 14、无卤化，符合RoHS 15、典型失效模式是在指定的电压或电流下出现 16、晶须测试是基于JEDEC JESD201A每个表4a及4c进行的 17、IEC-61000-4-2ESD15kV(空气)，8kV(接触) 18、数据线的ESD保护符合IEC61000-4-2(IEC801-2) 19、数据线的EFT保护符合IEC61000-4-4(IEC801-4) 六、最大额定值 Notes: 1.Non-repetitive current pulse,per Fig.3and derated above TA=25°C per Fig. 2. 2.Mounted on5.0mm x5.0mm(0.03mm thick)Copper Pads to each terminal. 3.8.3ms single half sine-wave,or equivalent square wave,Duty cycle=4pulses per minutes maximum. 4.VF<3.5V for VBR<200V and VF<6.5V for VBR>201V. 七、双向I-V曲线特性
BAT54WS SCHOTTKY DIODE Case : Molded plastic body Terminals : Plated leads solderable per MIL-STD-750, Method 2026 Polarity : Polarity symbols marked on case Marking : L9 FEATURES MECHANICAL DATA MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS 21100200300600200625125 -65 to +150 30 Low forward voltage drop Fast switching time Surface mount package ideally suited for automatic insertion Maximum ratings and electrical characteristics, Single diode @T A =25C SYMBOLS UNITS V R DC Blocking voltage Average rectified output current Forward continuous current Repetitive peak forward current Forward surge current Power dissipation Termal resistance,junction to ambient air Junction temperature Storage temperature Non-Repetitive peak reverse voltage R ΘJA T j T STG LIMITS I FRM Pd A =25C PARAMETER I FSM I FM V RM I O V mA mA mA mA mW K/W C C V SOD-323 Dimensions in millimeters and (inches)
关于肖特基二极管、型号的命名、字母含义、解释 肖特基二极管的命名： 肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的， 完整的叫法是：肖特基整流二极管（Schottky Rectifier Diode 缩写成SR）， 也有人叫做：肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode 缩写成SBD）的简称。 肖特基：Schottky 整流：Rectifier SR：即为肖特基整流二极管 Schottky Rectifier Diode：肖特基整二极管，简称：SR，比如：SR107，SR10100CT...... 肖特基：Schottky 势垒：Barrier SB：即为肖特基势垒二极管 肖特基二极管也称肖特基势垒二极管（简称SBD），国内厂家也有叫做“SB1045CT、SR10100、 SL....、BL.... Schottky Barrier Diode：肖特基势垒二极管，简称：SB，比如：SB107，SB1045CT...... Schottky Barrier Diode：也有简写为：SBD来命名产品型号前缀的。但SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。 因此，SBD也称为金属-半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。 关于肖特基MBR系列 为什么国际通用常见的肖特基二极管都以“MBR”字头命名？ 因为最早是世界著名半导体公司－摩托罗拉半导体命名的产品型号 M：是以最早MOTOROLA的命名，取M B：Bridge 桥；Barrier：势垒 R：Rectifier，整流器 “MBR”意为整流器件 例如：MBR10200CT M：MOTOROLA 缩写M B：Barrier缩写B R：Rectifier 缩写R 10：电流10A 200：电压200V C：表示TO-220AB封装，常指半塑封。 T：表示管装 MBR1045CT，其中的“C”：表示TO-220封装；MBR6045PT，其中的“P”：表示TO-3P封装 元件的封装形式也在型号的前缀第四位字母中体现，例如： MBRD10100CT：第四位的D，表示贴片DPAK封装 MBRB10100CT：第四位的B，表示贴片D2PAK封装 MBRF10100CT：第四位的F，表示TO-220全塑封 TO-252，也就是贴片DPAK封装；TO-263，也就是贴片D2PAK封装；任何型号的命名都有它的规律性可循。例如：MBR20100CT，型号中就20100是阿拉伯数字，20100中，20是电流，100是电压。以此类推。 MBR、SR、SL、SB、STB、STP都是常见的半导体公司对肖特基产品的型号命名。各厂家命名有不同。
SD103AWS-SD103CWS Case : Molded plastic body Terminals : Plated leads solderable per MIL-STD-750, Method 2026 Polarity : Polarity symbols marked on case Mounting Position : Any Marking : SD103AWS:S4, SD103BWS:S5, SD103CWS:S6 FEATURES MECHANICAL DATA MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS Low forward voltage drop Guard ring construction for transient protection Negligible reverse recovery time low reverse capacitance =25 A =25 SOD-323 Dimensions in millimeters and (inches) SCHOTTKY DIODES
RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES SD103AWS-SD103CWS 0 10 20 30 40 V R REVERSE VOLTAGE(V) FIG. 2-TYP. JUNCTION CAPACITANCE VS REVERSE VOLTAGE FIG. 1- TYPICAL FORWARD CHARACTERISTICS I F ,F O R W A R D C U R R E N T (m A ) C J , C A P A C I T A N C E (p F ) 100 10 1.0 0.1 0 0.5 1.0 1000 100 10 1.0 0.1 0.01V R REVERSE VOLTAGE(V)
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-323 Plastic-Encapsulate Diodes BAS40W/-04/-05/-06 SCHOTTKY BARRIER DIODE FEATURES z Low Forward Voltage z Fast Switching BAS40W MARKING: 43? BAS40W-06 MARKING: 46 BAS40W-05 MARKING ：45 BAS40W-04 MARKING ：44 Maximum Ratings @T a =25℃ Parameter Symbol Limit Unit Peak repetitive peak reverse voltage Working peak reverse voltage DC b locking v oltage V RRM V RWM V R 40 V Forward continuous c urrent I FM 200 mA Power d issipation P D 150 mW Thermal r esistance j unction to a mbient R θJA 667 ℃/W Junction temperature T J 125 ℃ Storage temperature range T STG -55~+150 ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions M in M ax U nit Reverse breakdown voltage V (BR) I R = 10μA 40 V Reverse voltage leakage current I R V R =30V 200 nA Forward voltage V F I F =1mA I F =40mA 380 1000 mV Diode capacitance C D V R =0,f =1MHz 5 pF Reverse r ecovery time t r r I rr =1mA, I R =I F =10mA R L =100? 5 n s B,Jul,2012 【领先的片式无源器件整合供应商—南京南山半导体有限公司】 https://www.doczj.com/doc/9a14196237.html,
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE Product Summary @T A = +25°C V RRM (V) I O (mA) V Fmax (V) I Rmax (μA) 40 200 1.0 0.2 Description 200mA surface mount Schottky Barrier Diode in SOT23 package, offers low forward voltage drop and fast switching capability, designed with PN Junction Guard Ring for Transient and ESD Protection, totally lead-free finish and RoHS compliant, ”Green” device. Features and Benefits ? Low Forward Voltage Drop ? Fast Switching ? PN Junction Guard Ring for Transient and ESD Protection ? Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) ? Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) ? Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability Mechanical Data ? Case: SOT23 ? Case Material: Molded Plastic. UL Flammability Classification Rating 94V-0 ? Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020D ? Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208 ? Lead Free Plating (Matte Tin Finish annealed over Alloy 42 leadframe). ? Polarity: See Diagrams Below ? Weight: 0.008 grams (approximate) Top View BAS40 BAS40-04 BAS40-05 BAS40-06 Ordering Information (Note 4 & 5) Part Number Case Packaging BAS40-7-F / BAS40Q-7-F SOT23 3000/Tape & Reel BAS40-04-7-F / BAS40-04Q-7-F SOT23 3000/Tape & Reel BAS40-05-7-F / BAS40-05Q-7-F SOT23 3000/Tape & Reel BAS40-06-7-F / BAS40-06Q-7-F SOT23 3000/Tape & Reel BAS40-13-F / BAS40Q-13-F SOT23 10000/Tape & Reel BAS40-04-13-F / BAS40-04Q-13-F SOT23 10000/Tape & Reel BAS40-05-13-F / BAS40-05Q-13-F SOT23 10000/Tape & Reel BAS40-06-13-F / BAS40-06Q-13-F SOT23 10000/Tape & Reel Notes: 1. No purposely added lead. Fully EU Directive 2002/95/EC (RoHS) & 2011/65/EU (RoHS 2) compliant. 2. See https://www.doczj.com/doc/9a14196237.html,/quality/lead_free.html for more information about Diodes Incorporated’s definitions of Halogen- and Antimony-free, "Green" and Lead-free. 3. Halogen- and Antimony-free "Green” products are defined as those which contain <900ppm bromine, <900ppm chlorine (<1500ppm total Br + Cl) and <1000ppm antimony compounds. 4. For packaging details, go to our website at https://www.doczj.com/doc/9a14196237.html,/products/packages.html. 5. Products manufactured with Date Code V9 (week 33, 2008) and newer are built with Green Molding Compound. Products manufactured prior to Date Code V9 are built with Non-Green Molding Compound and may contain Halogens or Sb 2O 3 Fire Retardants. e3
肖特基（SCHOTTKY）系列二极管 本文主要介绍济南半导体所研制生产的肖特基二极管系列产品。介绍军品级、工业品级肖特基二极管的种类、性能特点、正反向电参数。对产品的正向直流参数、反向温度特性及正向、反向抗烧毁能力等进行了质量分析，并与国外公司制造的同类产品进行了比较。最后，着重介绍了2DK030高可靠肖特基二极管的性能特点用途，1N60超高速肖特基二极管的性能特点用途，以及功率肖特基二极管在开关电源方面的应用。 本文主要包括下面六个部分： 一．肖特基二极管简介 二．我所肖特基二极管生产状况 三．我所肖特基二极管种类 四．我所肖特基二极管的特点及性能质量分析 五．介绍我所生产的两种肖特基二极管 (1)2DK030高可靠肖特基二极管 (2)1N60超高速肖特基二极管 六．功率肖特基二极管在开关电源方面的应用 下面只对部分常用的参数加以说明 (1) V F正向压降Forward Voltage Drop (2) V FM最大正向压降Maximum Forward Voltage Drop (3) V BR反向击穿电压Breakdown Voltage (4) V RMS能承受的反向有效值电压RMS Input Voltage (5) V RWM 反向峰值工作电压Working Peak Reverse Voltage (6) V DC最大直流截止电压Maximum DC Blocking Voltage (7) T rr反向恢复时间Reverse Recovery Time (8) I F(AV)正向电流Forward Current (9) I FSM最大正向浪涌电流Maximum Forward Surge Current (10) I R反向电流Reverse Current (11) T A环境温度或自由空气温度Ambient Temperature (12) T J工作结温Operating Junction Temperature (13) T STG储存温度Storage Temperature Range (16) T C管子壳温Case Temperature 一．肖特基二极管简介：
常用肖特基二极管型号: 常用的有引线式肖特基二极管有D80-004、B82-004、MBR1545、MBR2535等型号，各管的主要参数见表4-43。
常用的表面封装肖特基二极管有FB系列，其主要参数见表4-44。 特基二极管F5KQ100 F5KQ100 肖特基二极管30CPQ140 30CPQ140 肖特基二极管30CPQ100 30CPQ100 肖特基二极管30CPQ090 30CPQ090 肖特基二极管30CPQ060
30CPQ060 肖特基二极管30CPQ045 30CPQ045 肖特基二极管MBRS260T3G MBRS260T3G 肖特基二极管MBRS130T3G MBRS130T3G 肖特基二极管MBRS320T3G MBRS320T3G 肖特基二极管MBRS340T3G MBRS340T3G 肖特基二极管MBRS140T3G MBRS140T3G 肖特基二极管MBRS240LT3 MBRS240LT3 肖特基二极管MBRS230LT3 MBRS230LT3 肖特基二极管MBRS2040LT MBRS2040LT 肖特基二极管MBR20100 MBR20100 肖特基二极管MBR3045 MBR3045 肖特基二极管MBR2545 MBR2545 肖特基二极管MBR2045 MBR2045 肖特基二极管MBR1545 MBR1545 肖特基二极管MBR1045
MBR1045 肖特基二极管MBR745 MBR745 肖特基二极管MBR3100 MBR3100 肖特基二极管MBR360 MBR360 肖特基二极管DSC01232 DSC01232 肖特基二极管SB3040 SB3040 肖特基二极管IN5817 IN5817 肖特基二极管IN5819 IN5819 肖特基二极管IN5818 IN5818 肖特基二极管IN5822 IN5822 肖特基二极管HER107 HER107 肖特基二极管HER207 HER207 肖特基二极管HER307 HER307 肖特基二极管FR105 FR105 肖特基二极管FR2050
肖特基二极管 肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。 肖特基二极管是近年来问世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千毫安。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。 一、肖特基二极管原理 肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B 为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的多属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度表面逐渐降轻工业部，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B →A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。 典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳极（阻档层）金属材料是钼。二氧化硅（SiO2）用来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高100%倍。在基片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数，可在基片与阳极金属之间形成合适的肖特基势垒，当加上正偏压E时，金属A和N型基片B分别接电源的正、负极，此时势垒宽度Wo变窄。加负偏压-E时，势垒宽度就增加。 综上所述，肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别，通常将PN结整流管称作结整流管，而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管，近年来，采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二极管也已问世，这不仅可节省贵金属，大幅度降低成本，还改善了参数的一致性。 肖特基整流管仅用一种载流子（电子）输送电荷，在势垒外侧无过剩少数载流子的积累，因此，不存在电荷储存问题（Qrr→0），使开关特性获得时显改善。其反向恢复时间已能缩短到10ns以内。但它的反向耐压值较低，一般不超过去时100V。因此适宜在低压、大电流情况下工作。利用其低压降这特点，能提高低压、大电流整流（或续流）电路的效率。 二、肖特基二极管作用
肖特基二极管常用参数大全型号制造商封装I f/A Vrrm/V 最大Vf/V 1SS294 TOS SC-59 0.1 40 0.60 BAT15-099 INF SOT143 0.11 4 0.32 BAT54A PS SOT23 0.20 30 0.50 10MQ060N IR SMA 0.77 90 0.65 10MQ100N IR SMA 0.77 100 0.96 10BQ015 IR SMB 1.00 15 0.34 SS12 GS DO214 1.00 20 0.50 MBRS130LT3 ON - 1.00 30 0.39 10BQ040 IR S MB 1.00 40 0.53 RB060L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0.55 RB160L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0.55 S S14G S D O214 1.00400.50 M B R S140T3O N- 1.00400.60 10B Q060I R S M B 1.00600.57 S S16G S D O214 1.00600.75 10B Q100I R S M B 1.001000.78
M B R S1100T3O N- 1.001000.75 10M Q040N I R S M A 1.10400.51 15M Q040N I R S M A 1.70400.55 PBY R245CT P S S O T223 2.00450.45 30B Q015I R S M C 3.00150.35 30B Q040I R S M C 3.00400.51 30B Q060I R S M C 3.00600.58 30B Q100I R S M C 3.001000.79 S T P S340U S T M S O D6 3.00400.84 M B R S340T3O N- 3.00400.52 RB051L-40 ROHM PMDS 3.00 40 0.45 M B R S360T3O N- 3.00600.70 30W Q04F N I R D P A K 3.30400.62 30W Q06F N I R D P A K 3.30600.70 30WQ10F N I R D P A K 3.301000.91 30W Q03F N I R D P A K 3.50300.52 50W Q03F N I R D P A K 5.50300.53
肖特基二极管 肖特基势垒二极管SBD（Schottky Barrier Diode，简称肖特基二极管）是近年来间世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千安培。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。 一、肖特基二极管原理 肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的多属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度表面逐渐降轻工业部，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。 典型的肖特基整流管的内部电路结构如图(a)所示。它是以N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳极（阻档层）金属材料是钼。二氧化硅（SiO2）用来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高100%倍。在基片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数，可在基片与阳极金属之间形成合适的肖特基势垒，当加上正偏压E时，金属A和N型基片B分别接电源的正、负极，此时势垒宽度Wo变窄。加负偏压-E时，势垒宽度就增加，见图(b)。 综上所述，肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别通常将PN结整流管称作结整流管，而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管，近年来，采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二极管也已问世，这不仅可节省贵金属，大幅度降低成本，还改善了参数的一致性。 肖特基整流管仅用一种载流子（电子）输送电荷，在势垒外侧无过剩少数载流子的积累，因此，不存在电荷储存问题（Qrr→0），使开关特性获得时显改善。其反向恢复时间已能缩短到10ns以内。但它的反向耐压值较低，一般不超过去时100V。因此适宜在低压、大电流情况下工作。利用其低压降这特点，能提高低压、大电流整流（或续流）电路的效率。
肖特基二极管原理 肖特基势垒二极管SBD（Schottky Barrier Diode，简称肖特基二极管）是近年来间世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千安培。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。 基本原理是：在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，形成肖特基势垒来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间特别地短。因此，能制作开关二极和低压大电流整流二极管。 肖特基二极管（Schottky Barrier Diode)是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除钨材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。 肖特基二极管利用金属与半导体接触所形成的势垒对电流进行控制。它的主要特点是具有较低的正向压降（0.3V至0.6V）；另外它是多子参与导电，这就比少子器件有更快的反应速度。肖特基二极管常用在门电路中作为三极管集电极的箝位二极管，以防止三极管因进入饱和状态而降低开关速度 肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B 为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度表面逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散
BTA54C BTA54S
DO41
SCHOTTKY：取第一个字母“S”，SMD：Surface Mounted Devices的缩写，意为：表面贴装器件，取第一个字母“S”，上面两个词组各取第一个字母、即为SS，同普通硅二极管一样，肖特基二极管也是具有单向导电特性的硅二极管。不同的是，普通二极管的工作是利用半导体PN结的单向导电特性，而肖特基二极管则是利用金属和半导体接触产生的势垒而起到单向导电作用，它在开关没有时存储电荷和移动效应。所以，肖特基二极管的开关速度非常快，反向恢复时间t rr很短(小于几十ns)；同时，其正向压降V F较小，尤其适用于高速开关电路和低压大电流输出电路，具有较高的整流效率和可靠性。这是肖特基二极管的两大优点，但肖特基二极管也有两个缺点，一是反向耐压V R较低，二是反向漏电流I R较大。 肖特基的最高电压是200V，也就是说，肖特基的极限电压是200V。超过200V电压的也必定是模块。电流越大，电压越低。与可控硅元件不一样。电流与电压成反比（模块除外）。10A、20A、30A规格的有做到200V电压。 电流最小的肖特基是BAT42（0.2A)；BAT54、BAT54A、BAT54C（0.3A）；电流最大的肖特基是440A，如：440CMQ030、444CNQ045；超过440A的必定是模块。 关于肖特基MBR系列 为什么国际通用常见的肖特基二极管都以“MBR”字头命名？ 因为最早是摩托罗拉产品型号 M：是以最早MOTOROLA的命名，取M B：Bridge 桥；Barrier：势垒 R：Rectifier，整流器 “MBR”意为整流器件 例如：MBR10200CT M：MOTOROLA 缩写M B：Barrier缩写B R：Rectifier 缩写R 10：电流10A 200：电压200V C：表示TO-220AB封装，常指半塑封。 T：表示管装 MBR1045CT，其中的“C”：表示TO-220封装； MBR6045PT，其中的“P”：表示TO-3P封装 元件的封装形式也在型号的前缀第四位字母中体现， 例如： MBRD10100CT：第四位的D，表示贴片DPAK封装,即TO-252 MBRB10100CT：第四位的B，表示贴片D2PAK封装，即TO-263 MBRF10100CT：第四位的F，表示TO-220F全塑封 MBR、SR、SL、SB、STB、STP都是常见的半导体公司对肖特基产品的型号命名。各厂家命名有不同。如：SS12、SS14、SS16、SS18....
常用肖特基二极管参数 双击自动滚屏 发布者：admin 发布时间：2007-2-1 阅读：3310次 型号制造商封装If/A Vrrm/V 最大Vf/V 1SS294 TOS SC-59 0.1 40 0.60 BAT15-099 INF SOT143 0.11 4 0.32 BAT54A PS SOT23 0.20 30 0.50 10MQ060N IR SMA 0.77 90 0.65 10MQ100N IR SMA 0.77 100 0.96 10BQ015 IR SMB 1.00 15 0.34 SS12 GS DO214 1.00 20 0.50 MBRS130LT3 ON - 1.00 30 0.39 10BQ040 IR SMB 1.00 40 0.53 RB060L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0.55 RB160L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0.55 SS14 GS DO214 1.00 40 0.50 MBRS140T3 ON - 1.00 40 0.60 10BQ060 IR SMB 1.00 60 0.57 SS16 GS DO214 1.00 60 0.75 10BQ100 IR SMB 1.00 100 0.78 MBRS1100T3 ON - 1.00 100 0.75 10MQ040N IR SMA 1.10 40 0.51 15MQ040N IR SMA 1.70 40 0.55 PBYR245CT PS SOT223 2.00 45 0.45 30BQ015 IR SMC 3.00 15 0.35 30BQ040 IR SMC 3.00 40 0.51 30BQ060 IR SMC 3.00 60 0.58 30BQ100 IR SMC 3.00 100 0.79 STPS340U STM SOD6 3.00 40 0.84 MBRS340T3 ON - 3.00 40 0.52 RB051L-40 ROHM PMDS 3.00 40 0.45 MBRS360T3 ON - 3.00 60 0.70 30WQ04FN IR DPAK 3.30 40 0.62 30WQ06FN IR DPAK 3.30 60 0.70 30WQ10FN IR DPAK 3.30 100 0.91 30WQ03FN IR DPAK 3.50 30 0.52 50WQ03FN IR DPAK 5.50 30 0.53