FNK中低压MOSFET选型表
- 格式:xlsx
- 大小:49.78 KB
- 文档页数:6
Din-Tek半导体MOSFET产品选型表尚晶(SunKing-Group)科技股份有限公司是日本Din-Tek(DT)半导体大中华区授权唯一独家分销商,主营Din-Tek半导体全系列产品:DIODES(二极管)产品,有肖特基二极管,快恢复二极管,超快恢复二极管,稳压二极管,整流二极管等;HallSenor(霍尔)产品,有普通霍尔传感器,风扇马达驱动霍尔传感器等;Power management(电源管理)产品,有AC/DC Converter,DC/DC Converter,LDO等;MOSFET(MOS管)产品,结构类型有:N-MOS,P-MOS,双N-MOS,双P-MOS,N+P MOS;封装形式有:SOT-23,TSOP-6,TO-92,SOT-89,SOT-223,TO-251,TO-252,TSSOP-8,SOP-8,TO-220,TO-263,DFN系列;电压范围:8V~750V;广泛应用于:资讯/通讯/工业电子/家用电器/电力电子等行业。
可完全替代:TOSHIBA (东芝)/ROHM(罗姆)/AOS(万代)/ANPEC(茂达)/SAMHOP(三合微)/CEM(华瑞)/Matsuki(松木电机)/APEC(富鼎)等品牌的相应型号!目前市场上常用型号有:一.单N型MOSFET:SOT-23:DTS2300(替代APM2300/SI2300/AO3400等),DTS2302(替代SI2302/AO3414/STS2308等),DTS3400(替代AO3404等),DTS2306,DTS2312,DTS2314,DTS2318;SOP-8:DTM4410(替代AO4410/STM4410/FDS6670A等),DTM4420(替代AO4408/AO4474等);DTM9410(替代AO4430/NDS9410A等);DTM4964,DTM6910P/N Package Configuration BV(V)VGS(V)Vt(V)RDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_2.5vRDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_4.5vRDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_10vID(A)DatasheetDTM4410 SOP-8 Single-N 30 20 1 6.5 4.5 18DTM9410 SOP-8 Single-N 30 20 1.1 45 32 6.8DTM4964 SOP-8 Single-N 60 20 1.5 40 35 7.6DTM6910 SOP-8 Single-N 100 20 2.5 47 40 6.4DTM4420 SOP-8 Single-N 30 20 1.2 12 8.9 13DTM4420B SOP-8 Single-N 30 20 1.5 9 7 15DTP9530 PPak Single-N 30 20 1.2 4.8 6 26DTS2314 SOT-23-3 Single-N 20 12 1.5 33 24 5.2 DTS03K16 SOT-23 Single-N 16 8 1 400 1000 0.42DTS2300S SOT-23 Single-N 20 8 0.4 55 40 3.8DTS2306 SOT-23 Single-N 20 12 0.65 27 22 4.8DTS2300A SOT-23-3 Single-N 20 8 0.4 33 24 5.2DTS2312 SOT-23 Single-N 20 8 1.2 45 33 3.8DTS3400A SOT-23-3 Single-N 30 20 1.2 33 24 6DTS3400 SOT-23-3 Single-N 30 20 1.2 58 4DTS3402 SOT-23 Single-N 30 20 1.2 73 58 3.6DTS4500 SOT-23 Single-N 40 20 1.2 55 40 3.6DTS6400 SOT23-3 Single-N 60 20 1.8 36 26 4.5DTS6504 SOT-23-6 Single-N 30 20 1.2 40 30 6DTS6410 SOT-23 Single-N 60 20 1 89 78 3DTS2300 SOT-23 Single-N 20 8 0.8 38 24 4.5DTC2058 SOT-89 Single-N 20 12 0.6 45 33 6.8DTC3058 SOT-89 Single-N 30 20 0.6 45 33 6.8DTE2312 TO-92 Single-N 20 12 0.6 28 22 4.8DTL9604 TO-220 Single-N 60 20 1 28 22 55DTL9826 TO-220 Single-N 100 20 2 43 32 65DTP0403 TO-220 Single-N 30 20 1.5 4.4 3.8 98DTP4N60 TO-220 Single-N 600 30 2 2200 4DTP75N80 TO-220 Single-N 80 25 3.5 8.8 75DTB3055 SOT-223 Single-N 30 20 1.5 38 25 7DTB6035 SOT-223 Single-N 60 20 1 40 28 7DTL15N03 TO-251 Single-N 30 20 1.2 16.5 13.5 15DTL40N03 TO-251 Single-N 30 20 1 10 7 40DTL2N60 TO-251 Single-N 600 20 2 3900 2DTU40N06 TO-252 Single-N 60 20 2 27 16 40DTU30N02 TO-252 Single-N 20 12 0.6 33 24 30DTU40N03 TO-252 Single-N 30 20 1 28 22 40DTU50N03 TO-252 Single-N 30 20 1.5 6.4 4.1 50DTU70N03 TO-252 Single-N 30 20 1.5 6.3 5 70DTU90N03 TO-252 Single-N 30 20 1.8 4.1 3 90DTU40N10 TO-252 Single-N 100 20 2 45 33 40DTU15N10 TO-252 Single-N 100 20 2 100 15DTU09N03 TO-252 Single-N 30 20 1.5 6.3 5.1 55DTU06N03 TO-252 Single-N 30 20 1.2 5.9 4.1 60DTU2N60 TO-252 Single-N 600 30 2 4400 2DTW2070 TO-263 Single-N 200 20 1.5 90 20DTK0403 TO-263 Single-N 30 20 2 4.4 3.8 98DTU20N20 TO-252 Single-N 200 20 2 80 20DTU50N06 TO-252 Single-N 60 20 2 31 26 50DTP80N10 TO-220 Single-N 100 20 2 5 110DTS2012 SOT323-3 Single-N 20 12 1 60 49 45 4DTP4N65 TO-220 Single-N 650 30 3 2900 4DTP4N65F TO-220F Single-N 650 30 3 2900 4DTU4N65 TO-252 Single-N 650 30 3 2900 4DTL4N65 TO-251 Single-N 650 30 3 2900 4DTU60N02 TO-252 Single-N 20 12 0.8 7.8 5.1 60DTS3406 SOT-23 Single-N 30 20 1.2 33 24 4.8DTP7N65 TO-220 Single-N 650 20 2 1300 7DTU3055 TO-252 Single-N 30 20 1.5 45 58 15 DTS1004 SOT-23 Single-N 100 20 1.2 150 1202.3DTC9058SOT-89Single-N100201.7139 126 3.1DTP4N70SJ TO-220 Single-N 700 20 3 1200 4DTP16N65SJ TO-247 Single-N 650 20 3 145 16DTP38N65SJ TO-247 Single-N 650 20 3 416 38DTS2318 SOT-23 Single-N 20 20 0.5 10.5 9.5 12DTS2050 SOT-723 Single-N 20 12 0.6 521 286 0.63 DTS2N7002SOT-23Single-N 60 20 1 4 2 0.3DTP4503 TO-220 Single-N 45 25 1.9 3.5 2.4 100DTQ6302DFN5x6Single-N30201.52.22.7100二.单P 型MOSFET :SOT-23:DTS2301(替代APM2301/AO3413/STS2309等),DTS3401(替代AO3401等),DTS2305,DTS2315,DTS3407;SOP-8:DTM9435(替代APM9435/AO9435/CEM9435等),DTM4435(替代STM4435,SI4435,AO4435等),DTM4407(替代AO4407等),DTM4415,DTM4425,DTM4435;P/NPackage ConfigurationBV (V) VGS (V) Vt (V) RDS(ON) Max (Typ)(m Ω)_Vg_2.5v RDS(ON) Max (Typ)(m Ω)_Vg_4.5vRDS(ON) Max (Typ)(m Ω)_Vg_10vID (A)Data sheetDTM9435 SOP-8 Single-P -30 20 -1.5 60 45 -5.8DTM4435 SOP-8 Single-P -30 20 -1.5 22 16 -8DTM4425 SOP-8 Single-P -30 20 -1.5 10.5 8.8 -15DTM4831SOP-8 Single-P -20 12 -1 65 -8DTM4407 SOP-8 Single-P -30 20 -1.5 18 12.5 -11.2DTM4415 SOP-8 Single-P -30 20 -1.5 12.8 9.2 -13.5DTP9531 PPak Single-P -30 20 -1.5 9.2 7.8 -26DTS2301 SOT-23 Single-P -20 12 -1 95 68 -3.8DTS2305 SOT-23 Single-P -20 12 -16850 -5DTS2301S SOT-23Single-P-20 12 -1.1 130 105 -3DTS2301A SOT-23-3 Single-P -20 12 -1.1 90 65 -4.5DTS3401 SOT-23Single-P-30 20 -1.2 130 88 -2.7DTS3401A SOT-23-3 Single-P -30 20 -1.5 70 53 -5.6DTS4501 SOT-23 Single-P -40 20 -1.5 110 83 -3.6DTS6503 SOT23-6 Single-P -30 20 -1.8 66 53 -5.1DTS7001 SOT-23Single-P-60 20 -1.8 5000 4000 -0.13DTS6401 SOT-23-3 Single-P -60 20 -1.8 48 40 -5.2DTU40P06 TO-252Single-P-60 20 -2 45 36 -40DTS3407 SOT-23-3 Single-P -30 20 -0.854 46 -5.6DTS2315SOT-23-3 Single-P-2012-0.7 90 65-4.5DTC2059 SOT-89 Single-P -20 12 -1.2 90 75 -6.6DTC3059 SOT-89 Single-P -30 20 -1.5 75 60 -7.6DTE2311TO-92 Single-P -20 12 -1 72 45 -4.2DTL9503 TO-220 Single-P -30 20 -1.5 16 13 -80DTP3006 TO-220 Single-P -60 20 -1.8 85 60 -30DTP6006 TO-220 Single-P -60 20 -1.8 28 20 -60DTL15P03TO-251Single-P -30 20 -1.5 70 43 -15DTU15P03 TO-252 Single-P -30 20 -1.5 70 43 15DTU40P06TO-252Single-P -60 20 -2 45 36 -40DTU80P03 TO-252 Single-P -30 20 -1.5 9 8 -80DTU40P06 TO-252 Single-P -60 20 -2 45 36 -40DTU15P10 TO-252 Single-P -100 20 -2300 260-15DTS2011 SOT-323 Single-P -20 8 -0.8 100 85 -3.1DTS3411 SOT-23 Single-P -30 20 -1.5 72 59 -4DTL19P10TO-251Single-P-100 20-2160120-19DTU19P10 TO-252 Single-P -100 20 -2 210 195 -19DTM9425 SOP-8 Single-P 20 12 -1 50 40 -6.6DTL50P03 TO-251 Single-P -30 25 -1.2 15 10 -50DTS3419 SOT-23L Single-P -20 8 -1 41 32 -5.9DTU50P03 TO-252 Single-P -30 20 -1.2 22 16 -50DTU80P03 TO-252 Single-P -30 20 -18 9 -80DTS2319 SOT-23 Single-P -20 -12 0.6 26 18 -6DTM4015 SOP-8 Single-P -40 -20 -1.7 13.2 9.4 -18DTU60P04 TO-252 Single-P -40 -20 -1.518 12 -60DTQ2115 DFN2x2 Single-P -12 8 -0.9 26 21 -14.5DTQ2221 DFN2x2 Single-P -20 12 -13828 -12DTQ3115 DFN3x3 Single-P -12 8 -0.9 19 15 -14.5DTQ3221 DFN3x3 Single-P -20 12 -13224 -12DTQ2115 DFN2x2 Single-P -12 8 -0.9 26 21 -14.5DTQ2221 DFN2x2 Single-P -20 12 -13828 -12DTQ3115 DFN3x3 Single-P -12 8 -0.9 27 21 -14.5DTQ3221DFN3x3Single-P-2012-13828-12三.双N 型MOSFET :TSOP-6:DTS8205(替代STM8205等,电池保护板专用),DTS5440(电池保护板专用)TSSOP-8:DTM8205(替代APM8205/STM8205/CEM8205等),DTM8201SOP-8:DTM9926(替代APM9926/STM9926/CEM9926等),DTM9936(替代APM9945,AO4828等),DTM4946(替代STM6930A等);DTM4936,DTM4926P/N Package Configuration BV(V)VGS(V)Vt(V)RDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_2.5vRDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_4.5vRDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_10vID(A)DatasheetDTS5440 SOT-23-6 Dual-N 20 12 0.8 28 22 4.8DTM9936 SOP-8 Dual-N 20 12 0.6 20 14 7DTM9926 SOP-8 Dual-N 20 12 0.6 30 22 6.6DTM4946 SOP-8 Dual-N 60 20 1 40 35 7DTM4936 SOP-8 Dual-N 30 20 1.2 33 26 6.8DTM4830 SOP-8 Dual-N 80 30 3.5 75 3.5DTM4926 SOP-8 Dual-N 30 20 1.5 12 8 8DTM8201 TSSOP-8 Dual-N 20 12 0.6 20 17 6.5DTM8205 TSSOP-8 Dual-N 20 8 1 40 22 6.6DTS8205 SOT23-6 Dual-N 20 12 0.6 40 22 4.6DTS5440 TSOP-6 Dual-N 20 12 1.2 28 22 4.8DTS2212 SOT323-6 Dual-N 20 8 0.4 225 198 1.3DTM8002 TSSOP-8 Dual-N 20 12 0.6 7 5.5 11四.双P型MOSFET:TSOP-6:DTS5441SOP-8:DTM4953(替代APM4953,CEM4953,A04801等),DTM4953BDY(LED屏专用),DTM4925P/N Package Configuration BV(V)VGS(V)Vt(V)RDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_2.5vRDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_4.5vRDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_10vID(A)DatasheetDTM4925 SOP-8 Dual-P -20 12 -1.5 33 24 -8 DTM4953 SOP-8 Dual-P -30 20 -1.5 78 46 -5.4 DTM4953BDY SOP-8 Dual-P -30 20 -1.5 45 32 -6.6DTS5441 TSOP-6 Dual-P -20 -12 -1.2 90 65 -4五.N+PMOSFTSOP-8: DTM4606(替代AO4606),DTM4616,DTM9906P/N Package Configuration BV(V)VGS(V)Vt(V)RDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_2.5vRDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_4.5vRDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_10vID(A)DatasheetDTS3606N SOT-23-6 N+P 30 20 1.5 36 24 3.7DTM4606P SOP-8 N+P -30 20 -1.5 58 48 -6DTM4616N SOP-8 N+P 30 20 1.5 36 34 6.7DTM9906N SOP-8 N+P 60 20 1.8 31 28 5.3 DTM9906P SOP-8 N+P -60 20 -1.8 70 60 -4.9DTM4606BDYN SOP-8 N+P 30 20 1.5 24 18 7DTM4606BDYP SOP-8 N+P -30 20 -1.5 40 36 -6.9DTM4606N SOP-8 N+P 30 20 1.5 36 24 6.7DTM4616P SOP-8 N+P -30 20 -1.5 36 24 -7DTS3606P SOT-23-6 N+P -30 20 -1.5 83 69 -3 六.DFN封装系列(特别推介)P/N Package Configuration BV(V)VGS(V)Vt(V)RDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_2.5vRDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_4.5vRDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_10vID(A)DatasheetDTQ2115 DFN2x2 Single-P -12 8 -0.9 26 21 -14.5DTQ2221 DFN2x2 Single-P -20 12 -1 38 28 -12 DTQ3115 DFN3x3 Single-P -12 8 -0.9 19 15 -14.5DTQ3221 DFN3x3 Single-P -20 12 -1 32 24 -12DTQ6302 DFN5x6 Single-N 30 20 1.5 2.2 2.7 100七.TO-252系列P/N Package Configuration BV(V)VGS(V)Vt(V)RDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_2.5vRDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_4.5vRDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_10vID(A)DTU1N60 TO-252 Single-N 600 20 2 7Ω 1.4 DTU40N06 TO-252 Single-N 60 20 1.8 28 20 40 DTU30N02 TO-252 Single-N 20 12 0.65 33 24 30 DTU40N03 TO-252 Single-N 30 20 1.6 28 22 40 DTU50N03 TO-252 Single-N 30 20 1.5 6.4 4.1 50 DTU70N03 TO-252 Single-N 30 20 1.5 6.3 5 70 DTU90N03 TO-252 Single-N 30 20 1.8 4.1 3 90 DTU40N10 TO-252 Single-N 100 20 2 45 33 40 DTU15N10 TO-252 Single-N 100 20 2 115 95 15 DTU09N03 TO-252 Single-N 30 20 1.5 10.1 7 55 DTU06N03 TO-252 Single-N 30 20 1.5 5.9 4.1 60 DTU2N60 TO-252 Single-N 600 30 3.6 3900 2 DTU15P03 TO-252 Single-P -30 20 -1.5 70 43 15 DTU80P03 TO-252 Single-P -30 20 -1 9 8 -80 DTU80P03 TO-252 Single-P -30 20 -1.5 9 8 -80 DTU40P06 TO-252 Single-P -60 20 -2 45 36 -40 DTU16N25 TO-252 Single-N 250 20 2 165 16 DTU15P10 TO-252 Single-P -100 20 -2 300 260 -15 DTU19P10 TO-252 Single-P -100 20 -2 210 195 -19 DTU20N20 TO-252 Single-N 200 20 2 80 20DTU50P03 TO-252 Single-P -30 20 -1.2 22 16 -50 DTU4N65 TO-252 Single-N 650 30 3 2900 4 DTU60N02 TO-252 Single-N 20 12 0.8 7.8 5.1 60 DTU3055 TO-252 Single-N 30 20 1.5 45 58 15 DTU60P04 TO-252 Single-P -40 -20 -1.5 18 12 -60八.TO-220系列(广泛应用于逆变器,UPS,LED照明,开关电源等行业)P/N Package Configuration BV(V)VGS(V)Vt(V)RDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_2.5vRDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_4.5vRDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_10vID(A)DatasheetDTP1N60 TO-220 Single-N 600 20 2 7Ω 1.4DTL9604 TO-220 Single-N 60 20 1 28 22 55DTL9826 TO-220 Single-N 100 20 2 43 32 65DTP0403 TO-220 Single-N 30 20 1.5 4.4 3.8 98DTP4N60 TO-220 Single-N 600 30 2 2200 4DTP75N80 TO-220 Single-N 80 25 3.5 8.8 75DTL9503 TO-220 Single-P -30 20 -1.5 16 13 -80DTP3006 TO-220 Single-P -60 20 -1.8 85 60 -30DTP6006 TO-220 Single-P -60 20 -1.8 28 20 -60 DTP4503 TO-220 Single-N 45 25 1.9 3.5 2.4 100 DTP80N10 TO-220 Single-N 100 20 2 5 110DTP4N65 TO-220 Single-N 650 30 3 2900 4DTP4N65F TO-220F Single-N 650 30 3 2900 4DTP7N65 TO-220 Single-N 650 20 2 1300 7DTP16N65SJ TO-247 Single-N 650 20 3 145 16DTP38N65SJ TO-247 Single-N 650 20 3 416 38。
常⽤中⼩功率场效应管性能⼀觅表型号极性⽤途V A W ns RON⼩MOS管:/ / / / / / /3DJ6 P-FET / 60 0.5-1mA 0.3 100MHz /3DJ7 / / / / / / /3DJ8 / / / / / / /BSS91 N-FET / 200 0.35 1.5 20-35 /K117 N-FET NF-ra 50 1.2-14mA 0.3 / NF=1dB K167 N-FET MOS-enh,S-L / / / / 0.055ΩK212 N-FET FM/HF 20 0.6-12mA 0.2 100MHZ/NF=3.5dBK30A N-FET NF-ra 50 0.3-6.5mA 0.1 NF=0.5dB 0.055ΩK338 N-FET MOS-enh,S-L / / / / /中MOS管:/ / / / / / /K903 N-FET MOS-enh,D/S-L 800 3 40 60/210 4ΩK791 N-FET MOS-enh,S-Tr/L 850 3 100 4.5ΩK786 N-FET MOS-enh,S-L 900 3 60 20/50 7.5ΩK544 N-FET MOS-enh,HF/VHF/Tun 20 30mA 0.3 / 0.055ΩK533 N-FET NF-ra 50 1-18mA 0.4 / /K526 N-FET MOS-enh,SS-L 250 10 40 / 0.6ΩK453 N-FET MOS-enh,HF-L 100 10 120 PO=120W/100MHZ 0.5ΩK346 N-FET MOS-enh,SS-L 60 5 30 / 0.4ΩK2545 N-FET MOS-enh,S-L 600 6 40 / 1.25ΩK2161 N-FET MOS-enh,S-L / / / / 0.055ΩK2141 N-FET MOS-enh,S-L / / / / 0.055ΩK2101 N-FET MOS-enh,S-L / / / /0.055ΩK2028 N-FET MOS-enh,S-L / / / / 0.055ΩK1995 N-FET MOS-enh,S-L / / / / 0.055ΩK1643 N-FET MOS-enh,D/S-L 900 5 125 30/170 2.8ΩK1507 N-FET MOS-enh,S-L / / / / 0.055ΩK1460 N-FET MOS-enh,SS-L 900 3.5 40 50/265 3.5ΩK1377 N-FET MOS-enh,D/S-L 400 5.5 40 65/175 1.2ΩK1351 N-FET MOS-enh,D/S-L 500 5 40 45/55 1.5ΩK1198 N-FET MOS-enh,S-L 700 2 35 20/80 3.2ΩK1119 N-FET MOS-enh,S-L 1000 4 100 / 3.8ΩK1118 N-FET MOS-enh,S-L / / / /K1117 N-FET MOS-enh,S-L 600 6 100 / 1.25ΩJ117 P-FET MOS-enh,HF/SS-L 400 2 40 25/35 7ΩJ102 P-FET MOS-enh,NF/HF/SS-L 60 5 30 45/55 0.4ΩIRFZ44 N-FET MOS-enh,S-L 60 35 150 210/130 0.28ΩIRFZ42 N-FET MOS-enh,S-L 50 46 125 60/25 0.035ΩIRFZ40 N-FET MOS-enh,NF/S-L 50 51 125 / 0.28ΩIRFBC40 N-FET MOS-enh,S-L 600 6.2 125 27/30 1.2ΩIRFBC30 N-FET MOS-enh,S-L 600 2.2 50 15/30 4.4ΩIRF9640 P-FET MOS-enh,S-L 200 11 125 / 0.5ΩIRF9630 P-FET MOS-enh,S-L 200 6.5 75 100/80 0.8ΩIRF9610 P-FET MOS-enh,S-L 200 1 20 25/15 2.3ΩIRF9540 P-FET MOS-enh,S-L 100 19 125 140/140 0.2ΩIRF9530 P-FET MOS-enh,S-L 100 12 75 140/140 0.3ΩIRF9230 P-FET MOS-enh,S-L 200 5 75 100/80 0.5ΩIRF820 N-FET MOS-enh,S-L 500 2.5 50 18/18 3ΩIRF840 N-FET MOS-enh,S-L 500 8 125 35/30 0.85ΩIRF830 N-FET MOS-enh,S-L 500 4.5 75 23/23 1.5ΩIRF740 N-FET MOS-enh,S-L 400 10 125 41/36 0.55ΩIRF640 N-FET MOS-enh,S-L 200 18 125 77/54 0.18ΩIRF630 N-FET MOS-enh,S-L 200 9 75 50/40 0.4ΩIRF540 N-FET MOS-enh,S-L 100 28 150 110/75 0.077ΩIRF530 N-FET MOS-enh,S-L 100 14 79 51/36 0.18ΩBUZ91A / / / / / / / BUZ90A N-FET MOS-enh.S-L 600 3.5 75 60/65 2ΩBUK453.60B / / 60 12 75 / / 75N10 / / 100 75 / / /75N06 / / 60 75 / / /6N60 / 全塑/ / 600 6 / / /60N06 / / 60 6 / / /50N06 / / 60 50 / / /4N60 / / 600 4 / / /3SK186 / / 15 4mA 0.15 900M /3SK176 / / 18 1-10mA / 550M /FS10KM / / / / / /。
MOSFET的选型及应用概览MOSFET的选型基础MOSFET在开关电源中的应用MOSFET在马达控制中的应用MOSFET在汽车中的应用MOSFET在LED 灯具中的驱动MOSFET 的选型基础MOSFET有两大类型:N沟道和P沟道。
在功率系统中,MOSFET可被看成电气开关。
当在N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时,其开关导通。
导通时,电流可经开关从漏极流向源极。
漏极和源极之间存在一个内阻,称为导通电阻RDS(ON)。
必须清楚MOSFET的栅极是个高阻抗端,因此,总是要在栅极加上一个电压。
如果栅极为悬空,器件将不能按设计意图工作,并可能在不恰当的时刻导通或关闭,导致系统产生潜在的功率损耗。
当源极和栅极间的电压为零时,开关关闭,而电流停止通过器件。
虽然这时器件已经关闭,但仍然有微小电流存在,这称之为漏电流,即IDSS。
作为电气系统中的基本部件,工程师如何根据参数做出正确选择呢,本文将讨论如何通过四步来选择正确的MOSFET。
1)沟道的选择。
为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOSFET。
在典型的功率应用中,当一个MOSFET 接地,而负载连接到干线电压上时,该MOSFET就构成了低压侧开关。
在低压侧开关中,应采用N沟道MOSFET,这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。
当MOSFET连接到总线及负载接地时,就要用高压侧开关。
通常会在这个拓扑中采用P 沟道MOSFET,这也是出于对电压驱动的考虑。
2)电压和电流的选择。
额定电压越大,器件的成本就越高。
根据实践经验,额定电压应当大于干线电压或总线电压。
这样才能提供足够的保护,使MOSFET不会失效。
就选择MOSFET而言,必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压,即最大VDS。
设计工程师需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备(如电机或变压器)诱发的电压瞬变。
不同应用的额定电压也有所不同;通常,便携式设备为20V、FPGA电源为20,30V、85,220VAC应用为450,600V。
常见MOSFET和二极管选型常用MOS管选型参考IRFU020 50V 15A 42W * * NmOS场效应IRFPG42 1000V 4A 150W * * NmOS场效应IRFPF40 900V 4.7A 150W * * NmOS场效应IRFP9240 200V 12A 150W * * PmOS场效应IRFP9140 100V 19A 150W * * PmOS场效应IRFP460 500V 20A 250W * * NmOS场效应IRFP450 500V 14A 180W * * NmOS场效应IRFP440 500V 8A 150W * * NmOS场效应IRFP353 350V 14A 180W * * NmOS场效应IRFP350 400V 16A 180W * * NmOS场效应IRFP340 400V 10A 150W * * NmOS场效应IRFP250 200V 33A 180W * * NmOS场效应IRFP240 200V 19A 150W * * NmOS场效应IRFP150 100V 40A 180W * * NmOS场效应IRFP140 100V 30A 150W * * NmOS场效应IRFP054 60V 65A 180W * * NmOS场效应IRFI744 400V 4A 32W * * NmOS场效应IRFI730 400V 4A 32W * * NmOS场效应IRFD9120 100V 1A 1W * * NmOS场效应IRFD123 80V 1.1A 1W * * NmOS场效应IRFD120 100V 1.3A 1W * * NmOS场效应IRFD113 60V 0.8A 1W * * NmOS场效应IRFBE30 800V 2.8A 75W * * NmOS场效应IRFBC40 600V 6.2A 125W * * NmOS场效应IRFBC30 600V 3.6A 74W * * NmOS场效应IRFBC20 600V 2.5A 50W * * NmOS场效应IRFS9630 200V 6.5A 75W * * PmOS场效应IRF9630 200V 6.5A 75W * * PmOS场效应IRF9610 200V 1A 20W * * PmOS场效应IRF9541 60V 19A 125W * * PmOS场效应IRF9531 60V 12A 75W * * PmOS场效应IRF9530 100V 12A 75W * * PmOS场效应IRF840 500V 8A 125W * * NmOS场效应IRF830 500V 4.5A 75W * * NmOS 场效应IRF740 400V 10A 125W * * NmOS场效应IRF730 400V 5.5A 75W * * NmOS场效应IRF720 400V 3.3A 50W * * NmOS场效应IRF640 200V 18A 125W * * NmOS场效应IRF630 200V 9A 75W * * NmOS场效应IRF610 200V 3.3A 43W * * NmOS场效应IRF541 80V 28A 150W * * NmOS场效应IRF540 100V 28A 150W * * NmOS场效应IRF530 100V 14A 79W * * NmOS场效应IRF440 500V 8A 125W * * NmOS场效应IRF230 200V 9A 79W * * NmOS场效应IRF130 100V 14A 79W * * NmOS场效应BUZ20 100V 12A 75W * * NmOS场效应BUZ11A 50V 25A 75W * * NmOS场效应BS170 60V 0.3A 0.63W * * NmOS场效应2N7000 K30A K334C快恢复塑封整流二极管序号型号IF VRRM VF Trr 封装A V V μs(1)快恢复塑封整流二极管1 1F1-1F7 1A 50-1000V 1.3 0.15-0.5 R-12 FR10-FR60 1A-6A 50-1000V 1.3 0.15-0.53 1N4933-1N4937 1A 50-600V 1.2 0.2 DO-414 1N4942-1N4948 1A 200-1000V 1.3 0.15-0.5 DO-415 BA157-BA159 1A 400-1000V 1.3 0.15-0.25 DO-416 MR850-MR858 3A 100-800V 1.3 0.2 DO-201AD7 EU1-EU2 0.25A-1A 100-1000V 1.3 0.4 DO-418 20DF1-20DF10 2A 100-1000V 1.3 0.2 DO-159 30DF1-30DF10 3A 100-1000V 1.3 0.2 DO-201AD10 RU1-RU4 0.25A-3A 100-1000V 1.3 0.411 ERA22-02~10 0.5A 200-1000V 1.3 0.4 R-112 ERA18-02~10 0.8A 200-1000V 1.3 0.4 R-113 ERB43-02~10 0.5A 200-1000V 1.3 0.4 DO-4114 ERB44-02~10 1A 200-1000V 1.3 0.4 DO-1516 ERD28-02~10 1.5A 200-1000V 1.3 0.4 DO-201AD17 ERD29-02~10 2.5A 200-1000V 1.3 0.4 DO-201AD18 ERD32-02~10 3A 200-1000V 1.3 0.4 DO-201AD19 ERD09-13~15 3A 1300-1500V 1.5 0.6 R-5(2)SK、2CG系列快恢复整流二极管1 SK1-02~30 1.5A 200-3000V 1.3-4 0.5-1 DO-152 SK2-02~30 1A 200-3000V 1.3-4 0.5-1 DO-413 SK3-02~30 2A 200-3000V 1.3-4 0.5-1 DO-154 SK4-02~30 0.5A 300-3000V 1.3-4 0.5-1 DO-415 2CG04-2CG30 0.2A 300-3000V 1.3-4 0.5-1 DO-41 (3)快恢复塑封阻尼二极管1 2CN1-2CN1C 1A 200-1200V 1.32 DO-412 2CN2D-2CN2M 0.5A 200-1000V 1.3 2 DO-413 2CN3D-2CN3M 1A 200-1000V 1.3 6 DO-414 2CN4D-2CN4M 1.5A 200-1000V 1.3 0.8 DO-155 2CN5D-2CN5M 1.5A 200-1000V 1 1 DO-156 2CN6D-2CN6M 1A 200-1000V 1.3 6 DO-417 2CN12D-2CN12M 3A 200-1000V 1.3 1 DO-201AD8 RH1Z-RH1C 0.6A 200-1000V 1.3 4 DO-419 TVR4J-TVR4N 1.2A 600-1000V 1.2 20 DO-15超高频塑封二极管1 ERA34-10 0.1A 1000V 3 0.15 R-12 ERA32-02~10 1A 200-1000V 1.3 0.1 DO-413 ERB32-02~10 1.2A 200-1000V 1.3 0.1 DO-154 ERC30-02~10 1.5A 200-1000V 1.3 0.1 DO-156 EG01E-EG01C 0.5A 200-1000V 2 0.1 DO-417 EG1E-EG1C 1A 200-1000V 1.8 0.1 DO-418 RG10Z-RG10C 1.2A 200-1000V 2 0.1 DO-159 RG2Z-RG2C 1.5A 200-1000V 1.8 0.1 DO-1510 RG4Z-RG4C 3A 200-1000V 2 0.1 D0-201AD超快恢复塑封二极管序号型号IF VRRM VF Trr 封装A V V ns(1)超快恢复塑封二极管1 长虹SF10-长虹SF50 1-5A 50-1000V 0.95-1.7 352 长虹SF80-长虹SF160 8-16A 50-600V 0.95-1.4 35 TO-2203 EGP10-EGP50 1-5A 50-200V 1.1 354 ERC38~04-ERC38~10 1A 400-1000V 1.7 50 DO-415 RL2-RL2C 2A 400-1000V 1.7 50 DO-156 RL3-RL3C 3A 400-1000V 1.7 50 DO-201AD7 1H1-1H8 1A 50-1000V 1.1-1.7 50-75 R-18 HER10-HER60 1-6A 50-1000V 1.1-1.7 50-759 HER80-HER160 8-6A 50-1000V 1.1-1.7 50-75 TO-22010 UF10-UF60 1-6A 50-1000V 1.1-1.7 50-7511 EL1Z-EL1 1.5A 200-350V 1.3 50 DO-15(2)MUR超快恢复整流二极管1 MUR120-MUR1120 1A 200-1200V 0.95-1.5 35-50 DO-412 MUR420-MUR4120 4A 200-1200V 0.95-1.6 35-75 DO-201AD3 MUR820-MUR8120 8A 200-1200V 1.3-2.1 35-75 TO-220AC4 MUR1020-MUR10120 10A 200-1200V 1.3-2.1 35-75 TO-220AC5 MUR1520-MUR15120 15A 200-1200V 1.3-2.1 35-75 TO-220AC6 MUR2020-MUR20120 20A 200-1200V 1.3-2.1 35-75 TO-220AB7 MUR3020-MUR30120 30A 200-1200V 1.3-2.1 35-75 TO-247AD8 MUR6020-MUR60120 60A 200-1200V 1.3-2.1 35-75 TO-247AD (3)RHRP、RHRG超快恢复二极管1 RHRP820-RHRP8120 8A 200-1200V 2.1-3.2 35-70 TO-220AC2 RHRP1520-RHRP15120 15A 200-1200V 2.1-3.2 40-75 TO-220AC3 RHRP3020-RHRP30120 30A 200-1200V 2.1-3.2 45-75 TO-220AC4 RHRG3020-RHRG30120 30A 200-1200V 2.1-3.2 45-75 TO-247AC5 RHRG5020-RHRG50120 50A 200-1200V 2.1-3.2 50-100 TO-247AC6 RHRG6020-RHRG60120 60A 200-1200V 2.1-3.2 45-75 TO-247AD (4)BYV29~79、BYT28~79超快恢复二极管1 BYW29-100~200 8A 100-200V 1.1 25 TO-220AC2 BYV29-300~500 9A 300-500V 1.25 60 TO-220AC3 BYQ28-100~200 10A 100-200V 1.1 20 TO-220AB4 BYT28-300~500 10A 300-500V 1.4 60 TO-220AB5 BYV79-100~200 14A 100-200V 1.3 30 TO-220AC6 BYT79-300~500 14A 300-500V 1.4 60 TO-220AC7 BYV32-100~200 20A 100-200V 1.1 25 TO-220AB8 BYV34-300~500 20A 300-500V 1.1 60 TO-220AB9 BYV42-100~200 30A 100-200V 1.1 28 TO-220AB10 BYV44-300~500 30A 300-500V 1.25 60 TO-220AB肖特基整流二极管序号型号IF VRRM VF 封装A V V(1)肖特基塑封整流二极管1 1N5817-1N5819 1A 20-40V 0.45-0.6 DO-412 1N5820-1N5822 3A 20-40V 0.45-0.6 DO-201AD3 SRT12-SRT100 1A 20-100V 0.55-0.85 R-14 SR10-SR50 1-5A 20-100V 0.55-0.855 SB120-SB1B0 1A 20-100V 0.55-0.85 DO-416 SB220-SB2B0 2A 20-100V 0.55-0.85 DO-157 SB320-SB3B0 3A 20-100V 0.55-0.85 DO-201AD8 SB520-SB5B0 5A 20-100V 0.55-0.85 D0-201AD9 ERA81-002~009 1A 20-90V 0.55-0.9 DO-4110 ERB81-002~009 2A 20-90V 0.55-0.9 DO-1511 ERC81-002~009 3A 20-90V 0.55-0.9 DO201AD12 EK03-EK09 1A 20-90V 0.55-0.81 DO-4113 EK13-EK19 1.5A 20-90V 0.55-0.81 DO-1514 EK33-EK39 2A 20-90V 0.55-0.81 DO-1515 EK43-EK49 3A 20-90V 0.55-0.81 DO-201AD(2)MBR、PBYR系列大电流肖特基整流二极管1 MBR1020-MBR1060 10A 20-60V 0.57-0.8 TO-220AC2 MBR1620-MBR1660 16A 20-60V 0.57-0.8 TO-220AC3 MBR2020CT-2060CT 20A 20-60V 0.57-0.8 TO-220AB4 MBR2520CT-2560CT 25A 20-60V 0.57-0.8 TO-220AB5 MBR3020PT-3060PT 30A 20-60V 0.57-0.8 TO-247AD6 MBR4020PT-4060PT 40A 20-60V 0.57-0.8 TO-247AD7 MBR6020PT-6060PT 60A 20-60V 0.57-0.8 TO-247AD8 PBYR735-745 7A 20-45V 0.56-0.66 TO-220AC9 PBYR1020-1060 10A 20-60V 0.56-0.77 TO-220AC10 PBYR1635-1660 16A 20-60V 0.56-0.77 TO-220AC11 PBYR2020CT-2045CT 20A 20-45V 0.56-0.65 TO-220AB12 PBYR3035PT-3060PT 30A 20-60V 0.56-0.77 TO-247AD 玻球快恢复二极管、玻钝芯片塑封二极管序号型号IF VRRM VF Trr 封装A V V ns(1)BYV、BYT、BYM、BYW玻球快恢复二极管1 BYV26A-BYV26E 1A 200-1000V 1.5 0.03 DO-204AP2 BYV12-BYV16 1.5A 100-1000V 1.5 0.3 DO-204AP3 BYV96A-BYV96E 1.5A 100-1000V 1.5 0.3 DO-204AP4 BYV27-50~200 2A 50-200V 1.1 0.025 DO-204AP5 BYV28-50~200 3.5A 50-200V 1.1 0.03 G36 BYT52A-BYT52M 1A 50-1000V 1.3 0.2 DO-204AP7 BYT54A-BYT54M 1.25A 50-1000V 1.5 0.1 DO-204AP8 BYT53A-BYT53M 1.5A 50-1000V 1.1 0.05 DO-204AP9 BYT56A-BYT56M 3A 200-1000V 1.4 0.1 G310 BYM26A-BYM26M 2.3A 200-1000V 1.5 0.03 G311 BYM36A-BYM36M 3A 200-1000V 1.1 0.15 G312 BYW32-BYW38 2A 200-1000V 1.1 0.2 DO-204AP13 BYW52-BYW56 2A 200-1000V 1.1 4 DO-204AP14 BYW72-BYW76 3A 200-600V 1.1 0.2 G315 BYW96A-BYW96E 3A 200-1000V 1.5 0.2 G316 BY228 3A 1500V 1.5 20 G3(2)GP、RGP系列玻钝芯片塑封二极管17 GP10-GP30 1-3A 50-1000V 1.118 RGP01-10~RGP01-20 0.1A 1000-2000V 2 0.2-0.5 DO-4119 RGP05-10~RGP05-20 0.5A 1000-2000V 2 0.2-0.5 DO-4120 RGP10-RGP60 1-6A 50-2000V 1.3 0.15-0.5PD、TR、PR系列【高压】塑封二极管1 PD0112-PD0160 0.1A 1200-6000V 1.2-5 DO-412 PD0312-PD0360 0.3A 1200-6000V 1.2-5 DO-153 PD0512-PD0560 0.5A 1200-6000V 1.2-5 DO-154 PD112-PD130 1A 1200-3000V 1.2-4 DO-155 PD1512-PD1530 1.5A 1200-3000V 1.2-4 DO-156 PD212-PD220 2A 1200-2000V 1.2-2.5 DO-201AD7 PD312-PD320 3A 1200-2000V 1.2-2.5 DO-201AD8 PD612-PD620 6A 1200-2000V 1.2-2.5 R-69 TR0112-TR0160 0.1A 1200-6000V 1.5-8 0.5-0.8 DO-4110 TR0312-TR0360 0.3A 1200-6000V 1.5-8 0.5-0.8 DO-1511 TR0512-TR0560 0.5A 1200-6000V 1.5-8 0.5-0.8 DO-1512 TR112-TR130 1A 1200-3000V 1.5-6 0.5-0.8 DO-1513 TR1512-TR1530 1.5A 1200-3000V 1.5-6 0.5-0.8 DO-1514 TR212-TR220 2A 1200-2000V 1.5-2.7 0.5-0.8 DO-201AD15 TR312-TR320 3A 1200-2000V 1.5-2.7 0.5-0.7 DO-201AD16 TR612-TR620 6A 1200-2000V 1.5-2.7 0.5-0.8 R-617 PR01-PR1 0.1-1A 1200-3000V 1.5-4 0.1-0.5 DO-1518 RC2 0.3A 2000V 3 0.5 DO-4119 RU4D-RP3F 1.5A-2A 1300-1500V 1.5 0.3 DO-201AD稳压二极管序号型号名称PZM VZW V1 BZX55 稳0.5W 2.4V-47V2 1N5985B~1N6031B 0.5W 2.4V-200V3 1N4728~1N4764 压1W 3.3V-100V4 1N5911B~1N5956B 1.5W 2.7V-200V5 2CW37-2.4~36 二0.5W 2.4V-36V6 2CW51-2CW68 0.25W 3V-28.5V7 2CW101-2CW121 极1W 3V-37.5V8 2DW50-2DW64 1W 41V-190V9 2DW80-2DW190 管3W 41V-190V10 2DW110-2DW151 10W 4.3V-470V11 2DW170-2DW202 50W 4.3V-200V12 2DW230-2DW236 【温度wd】补偿0.2W 5.8V-6.6V 稳压二极管高速开关二极管序号型号IC VRM Trr 封装mA V ns1 1N4148 150 100V 4 DO-352 1N4149-1N4154 150 35-100V 2--4 DO-353 1N4446-1N4454 150 40-100V 1--4 DO-354 1N914 75 100V 4 DO-355 BAV17-BAV21 250 25-250V 50 DO-356 BAW75-BAW76 300 35-75V 4 DO-357 2CK70-2CK79 10-280 20-60V 3--10 DO-358 2CK80-2CK85 10-300 20-60V 5--10 DO-359 1S1553-1S1555 100 70-35V 3 DO-3510 1S2471-1S2473 130-110 90-40V 3 DO-35塑封整流二极管序号型号IF VRRM VF 封装A V V1 1A1-1A7 1A 50-1000V 1.1 R-12 1N4001-1N4007 1A 50-1000V 1.1 DO-413 1N5391-1N5399 1.5A 50-1000V 1.1 DO-154 2A01-2A07 2A 50-1000V 1 DO-155 1N5400-1N5408 3A 50-1000V 0.95 DO-201AD6 6A05-6A10 6A 50-1000V 0.95 R-67 TS750-TS758 6A 50-800V 1.25 R-68 RL10-RL60 1A-6A 50-1000V 19 2CZ81-2CZ87 0.05A-3A 50-1000V 1 DO-4110 2CP21-2C康佳 P29 0.3A 100-1000V 1 DO-4111 2DZ14-2DZ15 0.5A-1A 200-1000V 1 DO-4112 2DP3-2DP5 0.3A-1A 200-1000V 1 DO-4113 BYW27 1A 200-1300V 1 DO-4114 DR202-DR210 2A 200-1000V 1 DO-1515 BY251-BY254 3A 200-800V 1.1 DO-201AD16 BY550-200~1000 5A 200-1000V 1.1 R-517 PX10A02-PX10A13 10A 200-1300V 1.1 PX18 PX12A02-PX12A13 12A 200-1300V 1.1 PX19 PX15A02-PX15A13 15A 200-1300V 1.1 PX20 ERA15-02~13 1A 200-1300V 1 R-121 ERB12-02~13 1A 200-1300V 1 DO-1522 ERC05-02~13 1.2A 200-1300V 1 DO-1523 ERC04-02~13 1.5A 200-1300V 1 DO-1524 ERD03-02~13 3A 200-1300V 1 DO-201AD25 EM1-EM2 1A-1.2A 200-1000V 0.97 DO-1526 RM1Z-RM1C 1A 200-1000V 0.95 DO-1527 RM2Z-RM2C 1.2A 200-1000V 0.95 DO-1528 RM11Z-RM11C 1.5A 200-1000V 0.95 DO-1529 RM3Z-RM3C 2.5A 200-1000V 0.97 DO-201AD30 RM4Z-RM4C 3A 200-1000V 0.97 DO-201AD 快恢复塑封整流二极管序号型号IF VRRM VF Trr 封装A V V μs(1)快恢复塑封整流二极管1 1F1-1F7 1A 50-1000V 1.3 0.15-0.5 R-12 FR10-FR60 1A-6A 50-1000V 1.3 0.15-0.53 1N4933-1N4937 1A 50-600V 1.2 0.2 DO-414 1N4942-1N4948 1A 200-1000V 1.3 0.15-0.5 DO-415 BA157-BA159 1A 400-1000V 1.3 0.15-0.25 DO-416 MR850-MR858 3A 100-800V 1.3 0.2 DO-201AD7 EU1-EU2 0.25A-1A 100-1000V 1.3 0.4 DO-418 20DF1-20DF10 2A 100-1000V 1.3 0.2 DO-159 30DF1-30DF10 3A 100-1000V 1.3 0.2 DO-201AD10 RU1-RU4 0.25A-3A 100-1000V 1.3 0.411 ERA22-02~10 0.5A 200-1000V 1.3 0.4 R-112 ERA18-02~10 0.8A 200-1000V 1.3 0.4 R-113 ERB43-02~10 0.5A 200-1000V 1.3 0.4 DO-4114 ERB44-02~10 1A 200-1000V 1.3 0.4 DO-1515 ERC18-02~10 1.2A 200-1000V 1.3 0.4 DO-1516 ERD28-02~10 1.5A 200-1000V 1.3 0.4 DO-201AD17 ERD29-02~10 2.5A 200-1000V 1.3 0.4 DO-201AD18 ERD32-02~10 3A 200-1000V 1.3 0.4 DO-201AD19 ERD09-13~15 3A 1300-1500V 1.5 0.6 R-5(2)SK、2CG系列快恢复整流二极管1 SK1-02~30 1.5A 200-3000V 1.3-4 0.5-1 DO-152 SK2-02~30 1A 200-3000V 1.3-4 0.5-1 DO-413 SK3-02~30 2A 200-3000V 1.3-4 0.5-1 DO-154 SK4-02~30 0.5A 300-3000V 1.3-4 0.5-1 DO-415 2CG04-2CG30 0.2A 300-3000V 1.3-4 0.5-1 DO-41 (3)快恢复塑封阻尼二极管1 2CN1-2CN1C 1A 200-1200V 1.32 DO-412 2CN2D-2CN2M 0.5A 200-1000V 1.3 2 DO-413 2CN3D-2CN3M 1A 200-1000V 1.3 6 DO-414 2CN4D-2CN4M 1.5A 200-1000V 1.3 0.8 DO-155 2CN5D-2CN5M 1.5A 200-1000V 1 1 DO-156 2CN6D-2CN6M 1A 200-1000V 1.3 6 DO-417 2CN12D-2CN12M 3A 200-1000V 1.3 1 DO-201AD8 RH1Z-RH1C 0.6A 200-1000V 1.3 4 DO-419 TVR4J-TVR4N 1.2A 600-1000V 1.2 20 DO-15。
MOSFET选型参考文档最大额定参数,所有数值取得条件(Ta=25℃)VDSS 最大漏-源电压在栅源短接,漏-源额定电压(VDSS)是指漏-源未发生雪崩击穿前所能施加的最大电压。
根据温度的不同,实际雪崩击穿电压可能低于额定VDSS。
关于V(BR)DSS的详细描述请参见静电学特性.VGS 最大栅源电压VGS额定电压是栅源两极间可以施加的最大电压。
设定该额定电压的主要目的是防止电压过高导致的栅氧化层损伤。
实际栅氧化层可承受的电压远高于额定电压,但是会随制造工艺的不同而改变,因此保持VGS在额定电压以内可以保证应用的可靠性。
ID - 连续漏电流ID定义为芯片在最大额定结温TJ(max)下,管表面温度在25℃或者更高温度下,可允许的最大连续直流电流。
该参数为结与管壳之间额定热阻RθJC和管壳温度的函数:ID中并不包含开关损耗,并且实际使用时保持管表面温度在25℃(Tcase)也很难。
因此,硬开关应用中实际开关电流通常小于ID 额定值@ TC = 25℃的一半,通常在1/3~1/4。
补充,如果采用热阻JA的话可以估算出特定温度下的ID,这个值更有现实意义。
IDM -脉冲漏极电流该参数反映了器件可以处理的脉冲电流的高低,脉冲电流要远高于连续的直流电流。
定义IDM的目的在于:线的欧姆区。
对于一定的栅-源电压,MOSFET导通后,存在最大的漏极电流。
如图所示,对于给定的一个栅-源电压,如果工作点位于线性区域内,漏极电流的增大会提高漏-源电压,由此增大导通损耗。
长时间工作在大功率之下,将导致器件失效。
因此,在典型栅极驱动电压下,需要将额定IDM设定在区域之下。
区域的分界点在Vgs和曲线相交点。
因此需要设定电流密度上限,防止芯片温度过高而烧毁。
这本质上是为了防止过高电流流经封装引线,因为在某些情况下,整个芯片上最“薄弱的连接”不是芯片,而是封装引线。
考虑到热效应对于IDM的限制,温度的升高依赖于脉冲宽度,脉冲间的时间间隔,散热状况,RDS(on)以及脉冲电流的波形和幅度。