第4章软磁材料
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第四章 电磁介质第一节 电介质一、电介质—绝缘介质1.电介质内没有可以自由移动的电荷 在电场作用下,电介质中的电荷只能在 分子范围内移动。
2.分子电矩·分子—电偶极子(模型)分子的正负电中心相对错开。
·分子电矩二、电介质的极化1.极性电介质的极化p 分+- 电介质分子(1) 极性分子·正常情况下,内部电荷分布不对称, 正负电中心已错开,有固有电矩p 分, ·极性分子:如HCl 、H 2O 、CO 等。
(2)无外电场时·每个分子p 分 ≠ 0·由于热运动,各p 分取向混乱·小体积∆V (宏观小、微观大,内有大量 分子)内 ∑ p 分= 0(3)有外电场时·各 p 分向电场方向取向(由于热运动,取向 并非完全一致)外有外电场 无外电场分 ·且外电场越强 ⇒ | ∑ p 分| 越大·这种极化称取向极化2.非极性电介质的极化(1)非极性分子·正常情况下电荷分布对称,正负电中心重 合,无固有电矩。
·非极性分子:如He 、 H 2、 N 2、 O 2、 CO 2等。
(2)无外电场时·每个分子 p 分 = 0·∆V 内∑ p 分 = 0 (3)有外电场时·正负电中心产生相对位移,p 分(称感应电矩) ≠ 0E 外分 ·且外电场越强 ⇒ | ∑ p 分| 越大·这种极化称位移极化三、电极化强度1.电极化强度·为描写电介质极化的强弱,引入电极化强度矢量。
·定义:单位体积内分子电矩的矢量和或·P 是位置的函数·单位: C/m 2·对非极性电介质,因各p 分相同,有 P = n p 分n ---单位体积内的分子数·综上,对极性、非极性电介质都有 无外电场时, P = 0 有外电场时,P ≠ 0且电场越强 ⇒ | P | 越大2.电极化强度和场强的关系·由实验,对各向同性电介质,当电介质中 电场E 不太强时,有·χe :电极化率(χe ≥ 0),决定于电介质性质。
第4章 习题4-1 分析w C =0.2%、w C =0.6%、w C =1.2%的铁碳合金从液态平衡冷却至室温的转变过程,用冷却曲线和组织示意图说明各阶段的组织,并分别计算室温下的相组成物和组织组成物的含量。
解:在室温下,铁碳合金的平衡相是α-Fe (碳的质量分数是0.008%)和Fe 3C (碳的质量分数是6.69%),故(1) w C =0.2%的合金在室温时平衡状态下α相和Fe 3C 相的相对量分别为3 6.690.2%100%97.13%6.690.008%197.13% 2.87%Fe C α-=⨯=-=-= w C =0.2%的合金在室温下平衡态下的组织是α-Fe 和P ,其组织可近似看做和共析转变完时一样,在共析温度下α-Fe 碳的成分是0.0218%,P 的碳的成分为0.77%,故w C =0.2%的合金在室温时组织中P 和α的相对量分别为0.20.0218%100%23.82%0.770.0218%123.82%76.18%P α-=⨯=-=-= (2)w C =0.6%的合金在室温时平衡状态下α相和Fe 3C 相的相对量分别为3 6.690.6%100%91.14%6.690.008%191.14%8.86%Fe C α-=⨯=-=-= w C =0.6%的合金在室温下平衡态下的组织是α-Fe 和P ,在室温时组织中P 和α的相对量为0.60.0218%100%77.28%0.770.0218%177.28%22.72%P α-=⨯=-=-= (3)w C =1.2%的合金在室温时平衡状态下α相和Fe 3C 相的相对量分别为3 6.69 1.2%100%82.16%6.690.008%182.16%17.84%Fe C α-=⨯=-=-= w C =1.2%的合金在室温下平衡态下的组织是P 和Fe 3C ,在室温时组织中P 的相对量为3 6.69 1.2%100%92.74%6.690.77%192.74%7.3%P Fe C -=⨯=-=-=4-2 分析w C =3.5%、w C =4.7%的铁碳合金从液态平衡冷却至室温的平衡结晶过程,画出冷却曲线和组织变化示意图,并计算室温下的组织组成物和相组成物的含量。
课后习题第一章1.德拜热容的成功之处是什么?答:德拜热容的成功之处是在低温下,德拜热容理论很好的描述了晶体热容,CV.M∝T的三次方2.何为德拜温度?有什么物理意义?答:HD=hνMAX/k 德拜温度是反映晶体点阵内原子间结合力的一个物理量德拜温度反映了原子间结合力,德拜温度越高,原子间结合力越强3.试用双原子模型说明固体热膨胀的物理本质答:如图,U1(T1)、U2(T2)、U3(T3)为不同温度时的能量,当原子热振动通过平衡位置r0时,全部能量转化为动能,偏离平衡位置时,动能又逐渐转化为势能;到达振幅最大值时动能降为零,势能打到最大。
由势能曲线的不对称可以看到,随温度升高,势能由U1(T1)、U2(T2)向U3(T3)变化,振幅增加,振动中心就由r0',r0''向r0'''右移,导致双原子间距增大,产生热膨胀第二章1.300K1×10-6Ω·m4000K时电阻率增加5%由于晶格缺陷和杂质引起的电阻率。
解:按题意:p(300k) = 10∧-6 则: p(400k) = (10∧-6)* (1+0.05) ----(1)在400K温度下马西森法则成立,则: p(400k) = p(镍400k) + p(杂400k) ----(2) 又: p(镍400k) = p(镍300k) * [1+ α* 100] ----(3) 其中参数: α为镍的温度系数约= 0.007 ; p(镍300k)(室温) = 7*10∧-6 Ω.cm) 将(1)和(3)代入(2)可算出杂质引起的电阻率p(杂400k)。
2.为什么金属的电阻因温度升高而增大,而半导体的电阻却因温度的升高而减小?对金属材料,尽管温度对有效电子数和电子平均速率几乎没有影响,然而温度升高会使离子振动加剧,热振动振幅加大,原子的无序度增加,周期势场的涨落也加大。
这些因素都使电子运动的自由称减小,散射几率增加而导致电阻率增大而对半导体当温度升高时,满带中有少量电子有可能被激发到上面的空带中去,在外电场作用下,这些电子将参与导电。
第4章 材料的结构与磁学性能4.1 固体物质的磁性来源4.2 固体物质的磁性分类4.3磁畴与磁化曲线4.4 铁氧体的结构与性能4.5磁性材料的结构与性能4.6 磁性材料的物理效应第4章 材料的结构与磁学性能进入21世纪以来,新材料的重要性逐步被人们认知,磁性材料的理论、生产及其应用也得到了快速发展,已经成为信息、航空航天、通信、人体健康等领域的重要材料基础。
本章主要介绍固体物质磁性的基本知识,包括磁性来源、磁性分类、磁畴与磁化曲线、铁氧体的结构与性能、磁性材料的物理效应及磁性材料的主要应用等,重点阐述铁氧体磁性材料的结构与性能。
4.1 固体物质的磁性来源物质在不均匀磁场中受到磁力作用的性质,称为磁性,是物质的基本物理属性。
最直观的表现是两个磁体之间的吸引力和排斥力。
物质的磁性来源于原子,原子的磁性来源于核外电子和原子核。
原子结合起来产生宏观物质的磁性,因此任何物质均具有磁性,磁性强的一般称为磁性材料,习惯上的非磁性或者无磁性只是弱磁性不易被人们觉察而已。
具有广泛应用的磁性材料的性能则受到晶体结构和显微结构的显著影响,是理论研究和生产控制的重要内容。
4.1.1磁矩(magnetic moment )磁体上磁性最强的部分称为磁极,磁极有N 、S 极,以正负对的形式存在,磁极的周围存在磁场。
磁极上带有的磁量叫磁荷或磁极强度,两个磁荷(磁极强度)q 1、q 2之间的相互作用力F 的大小为:221r q q k F = 4.1 式中r 为磁极间距,k 为常数。
紧密结合在一起的正负磁极称为元磁偶极子,尚没有观察到磁单极子的存在。
定义偶极子的磁偶极矩p:qr p = 4.2又称为磁偶极子的力矩,方向由S 极指向N 极。
任何一个封闭的电流都具有磁矩,其方向与环形电流法线的方向一致,其大小为电流与封闭环形的面积的乘积:S I m ∆= 4.3磁矩m 的单位为安培平方米A ·m 2,磁矩是表示磁体本质的一个物理量,与磁偶极矩的关系为:m p 0μ= 4.4μ0是真空的磁导率,μ0=4π×10-7(H/m )。
物理性能复习题第一章 材料的电学性能1.简述金属材料电阻率与温度关系。
(正常,反常,铁磁性反常) 2.冷加工对金属材料电阻率的影响及其原因和消除方法。
3.合金有序化对电阻率的影响与原因。
4.超导体特性和评价指标。
5.铂线300K 时电阻率为1×10-7Ω·m ,假设铂线成分为理想纯。
试求1000K 时的电阻率。
6.试说明用电阻法研究金属的晶体缺陷(冷加工或高温淬火)时为什么电阻测量要在低温下进行? 7. 试评述下列建议:因为银具有良好的导电性而且能够在铝中固溶一定的数量,为何不用银实施固溶强化,以供高压输电线使用?(1)这个建议是否正确;(2)阐述一下你想达到上述目的的方法及优势。
8. P95,N11-139.实验测出离子型电导体的电导率与温度的相关数据,经数学回归分析得出关系式为:TB A 1lg +=σ (1) 试求在测量温度范围内的电导活化能表达式。
(2) 若给定T 1=500K ,σ1=10-9(1).-ΩcmT 2=1000K ,σ2=10-6(1).-Ωcm计算电导活化能的值。
10. 本征半导体中,从价带激发至导带的电子和价带产生的空穴参与电导。
激发的电子数n 可近似表示为:)2/ex p(kT E N n g -=式中N 为状态密度,k 为波尔兹曼常数,T 为绝对温度。
试回答以下问题:(1)设N=1023cm -3时, Si(Eg=1.1eV),TiO 2(Eg=3.0eV)在室温(20℃)和500℃时所激发的电子数(cm -3)各是多少:(2)半导体的电导率σ(Ω-1.cm -1)可表示为μσne =式中n 为载流子浓度(cm -3),e 为载流子电荷(电荷1.6*10-19C ),μ为迁移率(cm 2.V -1.s -1)当电子(e )和空穴(h )同时为载流子时,h h e e e n e n μμσ+=假定Si 的迁移率μe=1450(cm 2.V -1.s -1),μh=500(cm 2.V -1.s -1),且不随温度变化。