中南大学模拟电子技术试卷(全四套)

中南大学信息院《数电》（第一套）一、填空题：（每空1分，共15分）1.逻辑函数的两种标准形式分别为（）（）。

2.将2004个“1”异或起来得到的结果是（）o3・半导体存储器的结构主要包含三个部分，分别是（）、（）、（）。

4.8位D/A转换器当输入数字量为5v。

若只有最低位为高电平，则输出电压为（）v；当输入为，则输出电压为（）V。

5.就逐次逼近型和双积分型两种A/D转换器而言，（）的抗干扰能力強，（）的转换速度快。

6.由555定时器构成的三种电路中，（）和（）是脉冲的整形电路。

7.与PAL相比，GAL器件有可编程的输出结构，它是通过对（）进行编程设定其（）的工作模式来实现的，而且由于采用了（）的工艺结构，可以重复编程，使它的通用性很好，使用更为方便灵活。

二、根据要求作题：（共15分）1.将逻辑函数P=AE+AC写成与或非型表达式，并用集电极开路门来实现。

图1、2中电路均山CMOS门电路构成,写出P、Q的表达式,并画出对应A、・2B、C的P、Q波形。

和三、分析图3所示电路，写岀Fl、F2的逻辑表达式，说明电路的逻辑功能。

图中所用器件是8选1数据选择器74LS151o （10分）四、设计一位十进制数的四舍五入电路（采用842IBCD码）。

要求只设定一个输出，并画出用最简与非门实现的逻辑电路图。

（15分）、A的波形如图5 （a）（b）所示，设触发器的初态均为“0”，五、已知电路及CP 试画出输出端B和C的波形。

（8分）圈5 (a)六、用T触发器和异或门构成的某种电路如图6 （a）所示，在示波器上观察到波形如图6（b）所示。

试问该电路是如何连接的？请在原图上画出正确的连接图，并标明T的取值。

（6分）7所示,其中RA=RB=IOkΩ, C=O. 1 μf,试问：七、电路如图fθ=?UO的频率为高电平期间，山555定时器构成的是什么电路，其输岀在1∙ Uk 构成的讣数器电路，要求：写出驱动方程、FF3JK 触发器FF1、FF22.分析由和 状态方程，列出状态转换表，画出完整的状态转换图；,脉冲过后TW=6∕f0,的初态为OoOuk 所加正脉冲的宽度为3•设Q3、Q2、QI 分） （共15 、Q3、Q2Q1将保持在哪个状态？组成的和同步十六进制加法计数器74LS1618所示是16*4位ROM 八、 图信号连续作用所示。

3、PN结正向偏置时，内、外电场方向相反，PN结反向偏置时，内、外电场方向相同。
4、二极管的伏安特性曲线上可分为死区、正向导通区、反向截止区和
反向击穿区四个工作区。
5、用指针式万用表检测二极管极性时，需选用欧姆挡的R×1k档位，检测中若指针偏转较大，可判断与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时，若两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经老化不通。
6、如果把三极管的集电极和发射极对调使用？三极管会损坏吗？为什么？
答：集电极和发射极对调使用，三极管不会损坏，但是其电流放大能力大大降低。因为集电极和发射极的杂质浓度差异很大，且结面积也不同。
7、晶闸管与普通二极管、普通三极管的作用有何不同？其导通和阻断的条件有什么不同？
答：普通二极管根据其单向导电性可知，阳极加电源正极、阴极加电源负极时导通，反之阻断，可用于整流、钳位、限幅和电子开关；普通三极管在放大电路中起放大作用，在数字电子技术中起开关作用，普通三极管用于放大作用时，只要发射极正偏、集电极反偏时就会导通起放大作用，当发射极反偏时就会阻断放大信号通过；用作开关元件时，当发射结和集电结都正偏时，它就会饱和导通，当发射极反偏或发射极和集电极两个极都反偏时，晶体管就截止，阻断信号通过。晶闸管属于硅可控整流器件，只有导通和关断两种状态。晶闸管具有PNPN四层半导体结构，有阳极，阴极和门极三个电极。晶闸管加正向电压且门极有触发电流时导通，即：晶闸管仅在正向阳极电压时是不能导通的，还需门控极同时也要承受正向电压的情况下才能导通（晶闸管一旦导通后，门控极即失去作用）；当晶闸管承受反向阳极电压时，不管门极承受多大电压，晶闸管都处于阻断状态，或者晶闸管在导通情况下，其主回路电压（或电流）减小到接近于零值时，晶闸管也会自动关断。

模拟电子技术基础试卷及答案一、填空（18分）1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。

3．差分放大电路中，若u I1=100V ，u I 2=80V 则差模输入电压u Id =20V ；共模输入电压u Ic =90 V 。

4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。

6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。

这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 % ，但这种功放有 交越 失真。

二、选择正确答案填空（20分）1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ， V ，则这只三极管是（ A ）。

A ．NPN 型硅管 型锗管型硅管 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。

A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管C 、N 沟道增强型MOS 管D 、N 沟道耗尽型MOS 管3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。

A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。

A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。

A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器8．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。

a ．不用输出变压器b ．不用输出端大电容c ．效率高d ．无交越失真 9．稳压二极管稳压时，其工作在( C )，发光二极管发光时，其工作在( A )。

模拟电子技术基础试卷及答案一、填空（18分）1．二极管最主要的特性是 单向导电性 . 3．差分放大电路中，若u I1=100μV ，u I 2=80μV 则差模输入电压u Id =20μV;共模输入电压u Ic=90μV 。

4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时,可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。

6．乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。

这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78。

5％ ，但这种功放有 交越 失真.二、选择正确答案填空（20分）1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，—10 V ，-9。

3 V ，则这只三极管是（ A )。

A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管C.PNP 型硅管 D 。

PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为( D ）。

A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管C 、N 沟道增强型MOS 管D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。

A ．输入电阻高B 。

输出电阻低C.共模抑制比大D.电压放大倍数大 6。

RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D )。

A. 基本共射放大电路 B 。

基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路7。

已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示，该电路可能是（ A ）. A.积分运算电路 B.微分运算电路 C 。

过零比较器 D 。

滞回比较器8．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。

a ．不用输出变压器b ．不用输出端大电容c ．效率高d ．无交越失真 9．稳压二极管稳压时,其工作在（ C ），发光二极管发光时，其工作在（ A )。